CN109037152B - 一种柔性显示面板的制作方法、柔性显示面板及显示装置 - Google Patents

一种柔性显示面板的制作方法、柔性显示面板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109037152B
CN109037152B CN201810904505.9A CN201810904505A CN109037152B CN 109037152 B CN109037152 B CN 109037152B CN 201810904505 A CN201810904505 A CN 201810904505A CN 109037152 B CN109037152 B CN 109037152B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
display panel
conductive layer
support structure
flexible display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810904505.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109037152A (zh
Inventor
王欣欣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201810904505.9A priority Critical patent/CN109037152B/zh
Publication of CN109037152A publication Critical patent/CN109037152A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109037152B publication Critical patent/CN109037152B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/7806—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate
    • H01L21/7813—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate leaving a reusable substrate, e.g. epitaxial lift off
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种柔性显示面板的制作方法、柔性显示面板及显示装置，本发明提供的制作方法由于在电场的作用下，压电形变层发生收缩形变露出支撑结构，仅使压电形变层中的支撑结构与第二导电层接触，接触面积大大减小，这样在一定的外力作用下，可以安全的将柔性衬底与承载基板分离，因此本发明提供的技术方案能够简单方便的将柔性衬底与承载基板分离，不会造成显示元件的损坏，提高柔性显示器件的寿命。

Description

一种柔性显示面板的制作方法、柔性显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及柔性显示技术领域，特别涉及一种柔性显示面板的制作方法、柔性显示面板及显示装置。
背景技术
随着有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)技术的发展，柔性OLED显示装置由于具有可弯曲。易携带等优点被大家广泛研究，成为显示技术领域的主要开发领域。在柔性OLED显示技术之中，在不破坏显示元件的前提下将柔性衬底与承载基板分离是柔性OLED显示制备之中的关键技术。
目前，柔性显示基板的制备方法是先在承载基板上制作分离层、柔性衬底以及柔性衬底上面的显示元件，最后利用激光剥离或电阻加热剥离等方法来分离柔性衬底和承载基板，或者用化学方法分离柔性衬底与承载基板。然而，激光剥离和电阻加热剥离产生的高温会破坏显示元件，而化学分离方法会腐蚀显示元件，从而减少显示元件的寿命。
发明内容
本发明实施例提供一种柔性显示面板的制作方法、柔性显示面板及显示装置，用以解决现有的分离柔性衬底和承载基板的方法对显示元件造成损坏，从而减少显示元件的寿命的问题。
因此，本发明实施例提供了一种柔性显示面板的制作方法，包括：
在承载基板之上依次形成第一导电层、包含支撑结构的压电形变层、第二导电层、柔性衬底和显示器件；
分别向所述第一导电层和所述第二导电层施加预设电压，在所述第一导电层和所述第二导电层之间形成电场，在所述电场的作用下，所述压电形变层发生收缩形变露出所述支撑结构，仅使所述支撑结构与所述第二导电层接触；
在外力作用下将所述第二导电层与所述支撑结构剥离，形成所述柔性显示面板。
进一步地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成所述包含支撑结构的压电形变层，具体包括：
在所述第一导电层之上形成支撑结构；
在所述支撑结构之上涂布压电形变材料，形成包含支撑结构的压电形变层。
进一步地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述在所述第一导电层之上形成支撑结构，具体包括：
在所述第一导电层上涂布光刻胶层；
在所述光刻胶层上形成连续的网格状沟道；
在所述网格状沟道内填充绝缘材料；
去除所述光刻胶层，形成所述支撑结构。
进一步地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述网格状沟道的深度与所述光刻胶层的厚度相同。
进一步地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述压电形变层的材料为电活性聚合物材料。
进一步地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述电活性聚合物材料包括聚乙炔、聚噻吩、聚苯胺和聚对亚苯基亚乙烯基其中之一或组合。
进一步地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述第二导电层为透明导电层。
进一步地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述第二导电层的厚度为20nm-100nm。
相应地，本发明实施例还提供了一种根据上述任一种制作方法制作的柔性显示面板，包括：柔性衬底，位于所述柔性衬底第一表面的显示器件，以及位于所述柔性衬底第二表面的第二导电层。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述柔性显示面板。
本发明的有益效果：
本发明实施例提供的柔性显示面板的制作方法、柔性显示面板及显示装置，该柔性显示面板的制作方法包括：在承载基板之上依次形成第一导电层、包含支撑结构的压电形变层、第二导电层、柔性衬底和显示器件；分别向第一导电层和第二导电层施加预设电压，在第一导电层和第二导电层之间形成电场，在电场的作用下，压电形变层发生收缩形变露出支撑结构，仅使支撑结构与第二导电层接触；在外力作用下将第二导电层与支撑结构剥离，形成柔性显示面板。本发明提供的技术方案由于在电场的作用下，压电形变层发生收缩形变露出支撑结构，仅使压电形变层中的支撑结构与第二导电层接触，接触面积大大减小，这样在一定的外力作用下，可以安全的将柔性衬底与承载基板分离，因此本发明提供的技术方案能够简单方便的将柔性衬底与承载基板分离，不会造成显示元件的损坏，提高柔性显示器件的寿命。
附图说明
图1为本发明实施例提供的柔性显示面板的制作方法的流程图之一；
图2为本发明实施例提供的柔性显示面板的制作方法的流程图之二；
图3为本发明实施例提供的柔性显示面板的制作方法的流程图之三；
图4为本发明实施例提供的柔性显示面板结构示意图；
图5a、图5c至图5f分别为本发明实施例执行各步骤后的剖面结构示意图；
图5b为本发明实施例制备支撑结构的立体演示图。
具体实施方式
为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的柔性显示面板的制作方法、柔性显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
附图中各层薄膜厚度和形状不反映柔性显示面板的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供了一种柔性显示面板的制作方法，如图1所示，包括：
S101、在承载基板之上依次形成第一导电层、包含支撑结构的压电形变层、第二导电层、柔性衬底和显示器件；
S102、分别向第一导电层和第二导电层施加预设电压，在第一导电层和第二导电层之间形成电场，在电场的作用下，压电形变层发生收缩形变露出支撑结构，仅使支撑结构与第二导电层接触；
S103、在外力作用下将第二导电层与支撑结构剥离，形成柔性显示面板。
本发明实施例提供的柔性显示面板的制作方法，该制作方法包括：在承载基板之上依次形成第一导电层、包含支撑结构的压电形变层、第二导电层、柔性衬底和显示器件；分别向第一导电层和第二导电层施加预设电压，在第一导电层和第二导电层之间形成电场，在电场的作用下，压电形变层发生收缩形变露出支撑结构，仅使支撑结构与第二导电层接触；在外力作用下将第二导电层与支撑结构剥离，形成柔性显示面板。本发明提供的技术方案由于在电场的作用下，压电形变层发生收缩形变露出支撑结构，仅使压电形变层中的支撑结构与第二导电层接触，接触面积大大减小，这样在一定的外力作用下，可以安全的将柔性衬底与承载基板分离，因此本发明提供的技术方案能够简单方便的将柔性衬底与承载基板分离，不会造成显示元件的损坏，提高柔性显示器件的寿命。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，如图2所示，形成包含支撑结构的压电形变层，具体包括：
S201、在第一导电层之上形成支撑结构；
S202、在支撑结构之上涂布压电形变材料，形成包含支撑结构的压电形变层。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，如图3所示，在第一导电层之上形成支撑结构，具体包括：
S301、在第一导电层上涂布光刻胶层；
具体实施时，第一导电层可以为一层透明电极，透明电极的材料可以为IZO、ITO或AZO等，第一导电层的厚度可以为20nm-100nm，在此不做限定。
S302、在光刻胶层上形成连续的网格状沟道；
具体实施时，采用纳米压印或激光直接书写技术在光刻胶层上制作出连续的网格状沟道，可以通过压印模板的缝隙宽度或控制激光的能量和聚焦光斑来调节沟道宽度，网格状沟道的宽度可以为1μm-3μm，在此不做限定。
S303、在网格状沟道内填充绝缘材料；
具体实施时，采用打印或刮涂的方式在网格状沟道内填充绝缘材料。
S304、去除光刻胶层，形成支撑结构。
具体实施时，采用显影的方式去除多余的光刻胶层，留下需要的制支撑结构。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，网格状沟道的深度与光刻胶层的厚度相同。这样在后续填充绝缘材料时，可以将多余的光刻胶层去除以形成支撑结构。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，压电形变层的材料为电活性聚合物材料。电活性聚合物具有一定的电荷迁移率(10-6cm2/Vs)，既具有金属和半导体的电学和光学特性，又具有有机聚合物柔韧的机械性能，这种聚合物在受到电刺激后，产生微小形变。目前，电活性聚合物材料主要有聚乙炔(PPy)、聚噻吩(polythiophene)、聚苯胺(polyaniline,PANi)和聚对亚苯基亚乙烯基(poly(para-phenylene vinylene))等，并均可以通过涂布的方式做在Ni金属网上。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，电活性聚合物材料包括聚乙炔、聚噻吩、聚苯胺和聚对亚苯基亚乙烯基其中之一或组合，在此不做限定。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，第二导电层为透明导电层。这样在外力作用下将第二导电层与支撑结构剥离，形成柔性显示面板中柔性衬底背向显示器件的表面包括第二导电层，由于第二导电层是透明的，因此不会影响柔性显示。
在具体实施时，第二导电层的材料可以为IZO、ITO或AZO等，在此不做限定。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，第二导电层的厚度为20nm-100nm，在此不做限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种根据上述制作方法制作的柔性显示面板，如图4所示，包括：柔性衬底1，位于柔性衬底1第一表面的显示器件2，以及位于柔性衬底1第二表面的第二导电层3。
下面通过本发明实施例提供的上述制作方法对制得的图4所示的柔性显示面板的方法进行详细阐述。
(1)在承载基板4之上形成第一导电层5，如图5a所示；
(2)在第一导电层5上涂布光刻胶层7，采用纳米压印或激光直接书写技术在光刻胶层7上形成连续的网格状沟道71，采用打印或刮涂的方式在网格状沟道内填充绝缘材料01，采用显影的方式去除光刻胶层7，形成支撑结构61，采用立体图进行演示具体形成支撑结构61的步骤，如图5b所示；
(3)在支撑结构61之上涂布压电形变材料，形成包含支撑结构61的压电形变层6，如图5c所示；
(4)在压电形变层6之上依次形成第二导电层3、柔性衬底1和显示器件2，如图5d所示；
(5)分别向第一导电层5和第二导电层3施加预设电压，在第一导电层5和第二导电层2之间形成电场，在电场的作用下，压电形变层6发生收缩形变露出支撑结构61，仅使支撑结构61与第二导电层3接触；如图5e所示；
(6)在外力F作用下将第二导电层3与支撑结构61剥离，如图5f所示；形成柔性显示面板，如图4所示。
通过上述实施例一的步骤(1)至步骤(6)后可以得到本发明实施例提供的图4所示的柔性显示面板。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述柔性显示面板。该显示装置解决问题的原理与前述柔性显示面板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述柔性显示面板的实施，重复之处在此不再赘述。
本发明实施例提供的柔性显示面板的制作方法、柔性显示面板及显示装置，该柔性显示面板的制作方法包括：在承载基板之上依次形成第一导电层、包含支撑结构的压电形变层、第二导电层、柔性衬底和显示器件；分别向第一导电层和第二导电层施加预设电压，在第一导电层和第二导电层之间形成电场，在电场的作用下，压电形变层发生收缩形变露出支撑结构，仅使支撑结构与第二导电层接触；在外力作用下将第二导电层与支撑结构剥离，形成柔性显示面板。本发明提供的技术方案由于在电场的作用下，压电形变层发生收缩形变露出支撑结构，仅使压电形变层中的支撑结构与第二导电层接触，接触面积大大减小，这样在一定的外力作用下，可以安全的将柔性衬底与承载基板分离，因此本发明提供的技术方案能够简单方便的将柔性衬底与承载基板分离，不会造成显示元件的损坏，提高柔性显示器件的寿命。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种柔性显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
在承载基板之上依次形成第一导电层、包含支撑结构的压电形变层、第二导电层、柔性衬底和显示器件；所述第二导电层的厚度为20nm-100nm；
分别向所述第一导电层和所述第二导电层施加预设电压，在所述第一导电层和所述第二导电层之间形成电场，在所述电场的作用下，所述压电形变层发生收缩形变露出所述支撑结构，仅使所述支撑结构与所述第二导电层接触；
在外力作用下将所述第二导电层与所述支撑结构剥离，形成所述柔性显示面板。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述包含支撑结构的压电形变层，具体包括：
在所述第一导电层之上形成支撑结构；
在所述支撑结构之上涂布压电形变材料，形成包含支撑结构的压电形变层。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一导电层之上形成支撑结构，具体包括：
在所述第一导电层上涂布光刻胶层；
在所述光刻胶层上形成连续的网格状沟道；
在所述网格状沟道内填充绝缘材料；
去除所述光刻胶层，形成所述支撑结构。
4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述网格状沟道的深度与所述光刻胶层的厚度相同。
5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述压电形变层的材料为电活性聚合物材料。
6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述电活性聚合物材料包括聚乙炔、聚噻吩、聚苯胺和聚对亚苯基亚乙烯基其中之一或组合。
7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二导电层为透明导电层。
8.一种如权利要求1-7任一项所述的制作方法制作的柔性显示面板，其特征在于，包括：柔性衬底，位于所述柔性衬底第一表面的显示器件，以及位于所述柔性衬底第二表面的第二导电层。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的柔性显示面板。
CN201810904505.9A 2018-08-09 2018-08-09 一种柔性显示面板的制作方法、柔性显示面板及显示装置 Active CN109037152B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810904505.9A CN109037152B (zh) 2018-08-09 2018-08-09 一种柔性显示面板的制作方法、柔性显示面板及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810904505.9A CN109037152B (zh) 2018-08-09 2018-08-09 一种柔性显示面板的制作方法、柔性显示面板及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109037152A CN109037152A (zh) 2018-12-18
CN109037152B true CN109037152B (zh) 2021-01-12

Family

ID=64632578

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810904505.9A Active CN109037152B (zh) 2018-08-09 2018-08-09 一种柔性显示面板的制作方法、柔性显示面板及显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109037152B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109671617B (zh) * 2018-12-21 2020-12-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种光阻剥离方法
TWI773298B (zh) * 2021-05-05 2022-08-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置的製造方法
TWI807844B (zh) * 2021-05-05 2023-07-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置的製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107564856B (zh) * 2016-07-01 2020-02-21 上海和辉光电有限公司 一种柔性基板的剥离方法
CN108231675B (zh) * 2016-12-22 2020-08-07 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 可挠式显示面板的制造方法
CN107742618B (zh) * 2017-10-24 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 柔性面板的制备方法、柔性面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109037152A (zh) 2018-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109037152B (zh) 一种柔性显示面板的制作方法、柔性显示面板及显示装置
Yin et al. Efficient and mechanically robust stretchable organic light-emitting devices by a laser-programmable buckling process
TWI457886B (zh) 可撓性顯示裝置之製造方法
US10218291B2 (en) Device for generating electricity by friction and manufacturing method thereof
US9178446B2 (en) Triboelectric generator
JP2018195349A (ja) 局在化された及び／又はカプセル化された触覚アクチュエータ及び要素
Liu et al. Novel patterning method for silver nanowire electrodes for thermal-evaporated organic light emitting diodes
TWI394304B (zh) 具二維串接互連之有機電子裝置
CN104538357A (zh) 制作阵列基板的方法和阵列基板
JP2007073706A (ja) 配線基板、電気光学装置、電子機器、および配線基板の製造方法
CN1713407A (zh) 有机半导体元件及其制造方法
US20210320091A1 (en) Panel for display by micro led and method for making same
US10211758B2 (en) Friction electric generator and manufacturing method thereof
US20110120749A1 (en) Transparent conductor structure
US20160358988A1 (en) Thin film transistor array and manufacturing method of the same
KR102078551B1 (ko) 3축 초점거리 변환이 가능한 디스플레이 패널
TW201330053A (zh) 於薄膜元件中壓印圖案化材料的製程
TW200920580A (en) Roll-to-roll fabrication of microlens arrays for low cost light outcoupling from organic light emitting devices
CN104091886A (zh) 一种有机薄膜晶体管、阵列基板及制备方法、显示装置
KR20190047161A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20140147675A1 (en) Structure and method for a graphene-based apparatus
TW201038394A (en) Patterning method, patterning apparatus, and method for manufacturing semiconductor device
US9925616B2 (en) Method for fusing nanowire junctions in conductive films
KR20090058995A (ko) 전기영동표시소자에 적용한 유기박막트랜지스터 및 그제조방법
US20120074433A1 (en) Electronic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant