CN108988658A - 一种双桥控制的超级功率变频器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种双桥控制的超级功率变频器，包括安装立柱、固定架、IGBT封装组，安装立柱表面垂直设有接线板组，固定架与IGBT封装组为三组，每组IGBT封装组包括IGBT封装单元和层叠母线排组单元，层叠母线排组单元包括IGBT推动板、正极连接板、负极连接板和单相连接板，正极连接板的一侧设置有正极输入端子，负极连接板与正极输入端子同侧设置有负极输入端子，所述单相连接板与正极输入端子相对的另一侧设置有相极输出端子，正极端子连接件将三组IGBT封装组中的正极输入端子串连，负极端子连接件将三组IGBT封装组中的负极输入端子串连。本发明双桥控制的超级功率变频器，装配优化，体积小、密度高，散热性能佳。

Description

一种双桥控制的超级功率变频器
技术领域
本发明涉及变频设备技术领域，特别是涉及一种双桥控制的超级功率变频器。
背景技术
变频器是电动汽车的重要组成部分。变频器是将直流电（DC）形式的电能转换为交流电（AC）的电气装置，然后交流电可以用来驱动交流感应电机，在直流转换为交流的过程中，频率的频繁变化导致装置产生大量的热量，这就使得装置在生产装配的工艺尤为合理，使得变频器以最有效的方式运行，现有的基板安装制造工艺中，由于器件插装工作是逐个插装后再锡焊连接，插装工序费事耗时、体积大，功率低。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种装配优化、功率增大的双桥控制的超级功率变频器。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：一种双桥控制的超级功率变频器，包括：安装立柱、固定架、IGBT封装组、正极端子连接件和负极端子连接件，所述安装立柱相间隔的表面垂直设置有接线板组，所述接线板组的顶端设置有接线端子排，包括第一接线板、第二接线板和第三接线板，所述固定架与IGBT封装组均为三组设置，每个所述接线板插设在所述固定架内与所述IGBT封装组相连接，每组所述IGBT封装组包括IGBT封装单元和叠加布置在IGBT封装单元上方的层叠母线排组单元，所述层叠母线排组单元由外层至内层分别设置有IGBT推动板、正极连接板、负极连接板和单相连接板，所述正极连接板的一侧设置有正极输入端子，所述负极连接板与正极输入端子同侧设置有负极输入端子，所述单相连接板与正极输入端子相对的另一侧设置有相极输出端子，所述正极端子连接件用于将三组IGBT封装组中的正极输入端子串连，所述负极端子连接件用于将三组IGBT封装组中的负极输入端子串连。
在本发明一个较佳实施例中，所述IGBT推动板、正极连接板、负极连接板和单相连接板呈叠层布置，所述正极连接板设置有第一焊盘孔组，所述负极连接板设置有第二焊盘孔组，所述单相连接板设置有第三焊盘孔组。
在本发明一个较佳实施例中，所述第一焊盘孔组的侧边上设置有第一引脚，所述第二焊盘孔组的侧边上设置有第二引脚。
在本发明一个较佳实施例中，所述层叠母线排组单元还包括连通孔组，所述连通孔组设置于所述正极连接板、负极连接板和单相连接板上，所述接线端子排穿过所述连通孔组。
在本发明一个较佳实施例中，所述IGBT封装组包括两组并排平行设置IGBT封装单元，所述接线端子排从两组IGBT封装单元的间隙中穿过。
在本发明一个较佳实施例中，所述IGBT封装单元由支撑架、设置在支撑架两侧边的氮化铝基板、贴合在所述氮化铝基板外侧的多组IGBT和架设在支撑架上方用于夹持两侧多组IGBT的弹簧夹组成。
在本发明一个较佳实施例中，所述支撑架内部封闭设置有用于放置冷却液的中空引流槽，所述中空引流槽连接设置有引流孔，所述引流孔包括进液引流孔和设置在所述进液引流孔两侧的出液引流孔。
在本发明一个较佳实施例中，所述安装立柱截面为六边形结构，包括三长侧边和三短侧边，所述长侧边与短侧边相间隔设置，所述IGBT封装组架设在所述长侧边延伸的平面上。
在本发明一个较佳实施例中，所述短侧边延伸的平面上相邻的IGBT封装组之间设置有电容组。
本发明的有益效果是：提供一种双桥控制的超级功率变频器，通过安装立柱将三组IGBT封装组安装在不同的平面再使用正、负极端子连接件将三组IGBT封装组串连在一起，优化安装，可以同时输出的电流量是平时的数倍，可达到900~1200千瓦左右，功率超大，占用体积小，密度高，散热快。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
图1是本发明的双桥控制的超级功率变频器整体封装示意图；
图2是本发明的双桥控制的超级功率变频器中IGBT封装组的示意图；
图3是本发明的双桥控制的超级功率变频器中IGBT封装组分解示意图；
图4是本发明的双桥控制的超级功率变频器中单相IGBT封装组分解示意图；
图5是本发明的双桥控制的超级功率变频器中安装立柱的结构示意图；
图6是本发明的双桥控制的超级功率变频器单相工作原理图。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-6，本发明实施例包括：一种双桥控制的超级功率变频器，包括：安装立柱1、固定架2、IGBT封装组3、正极端子连接件4和负极端子连接件5，所述安装立柱1相间隔的表面垂直设置有接线板组，所述接线板组的顶端设置有接线端子排61，包括第一接线板62、第二接线板63和第三接线板64，所述固定架2与IGBT封装组3均为三组设置，三组接线板从固定架2内的插槽内穿过与IGBT封装组3相连接，每组IGBT封装组3包括两组并排平行设置IGBT封装单元31和叠加布置在IGBT封装单元31上方的层叠母线排组单元32，所述接线端子排61从两组IGBT封装单元31的间隙中穿过，所述层叠母线排组单元32由外至内分别设置有IGBT推动板321、正极连接板322、负极连接板323和单相连接板324，所述正极连接板322的一侧设置有正极输入端子322a，所述负极连接板323与正极输入端子的同侧设置有负极输入端子323b，所述单相连接板324与正极输入端子相反的另一侧设置有相极输出端子324c，所述正极端子连接件4的截面为“Y”型结构，用于将三组IGBT封装组中的正极输入端子322a串连，所述负极端子连接件5的截面也为“Y”型结构，用于将三组IGBT封装组中的负极输入端子323b串连，优化安装，可以成倍提高输出功率。
所述IGBT推动板321、正极连接板322、负极连接板323和单相连接板324呈叠层布置，所述正极连接板322设置有第一焊盘孔组3221，第一焊盘孔组3221的侧边上设置有第一引脚，所述负极连接板323设置有第二焊盘孔组3231，第二焊盘孔组3231的侧边上设置有第二引脚，所述单相连接板324设置有第三焊盘孔组3241，所述IGBT封装单元包括数个单个的IGBT, 每个IGBT的集电极穿过第一焊盘孔组并与第一引脚连接，IGBT的发射极穿过第二焊盘孔组并与第二引脚连接，IGBT的控制端与IGBT推动板相连接。
所述层叠母线排组单元32还包括连通孔组325，所述连通孔组325设置于所述正极连接板322、负极连接板323和单相连接板324上，所述接线端子排61穿过所述连通孔组325，为了方便接线端子排的焊接，三个接线板的侧面均设置成镜面结构。
所述IGBT封装单元31由支撑架311、设置在支撑架311两侧边的氮化铝基板312、贴合在所述氮化铝基板312外侧的多组IGBT 313和架设在支撑架上方用于夹持两侧多组IGBT的弹簧夹314组成，支撑架311内部封闭设置有用于放置冷却液的中空引流槽，所述中空引流槽连接设置有引流孔315，所述引流孔包括进液引流孔和设置在所述进液引流孔两侧的出液引流孔，变频器工作时，散热效果好，提高工作效率。
所述安装立柱1截面为六边形结构，包括三长侧边和三短侧边，长侧边11与短侧边12一隔一相间设置，所述IGBT封装组3架设在所述长侧边11延伸的平面上，所述短侧边12延伸的平面上相邻的两组IGBT封装组之间的位置安装有电容组，安装完成后，在安装立柱外部用圆筒状外壳封装成一个整体。
本发明双桥控制的超级功率变频器的有益效果是：通过安装立柱将三组IGBT封装组安装在不同的平面再使用正、负极端子连接件将三组IGBT封装组串连在一起，优化安装，可以同时输出的电流量是平时的数倍，功率超大，占用体积小，散热性能佳，中空支撑架的设置加速了热量的散发，保证了IGBT的正常工作。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种双桥控制的超级功率变频器，其特征在于，包括：安装立柱、固定架、IGBT封装组、正极端子连接件和负极端子连接件，所述安装立柱相间隔的表面垂直设置有接线板组，所述接线板组的顶端设置有接线端子排，包括第一接线板、第二接线板和第三接线板，所述固定架与IGBT封装组均为三组设置，每个所述接线板插设在所述固定架内与所述IGBT封装组相连接，每组所述IGBT封装组包括IGBT封装单元和叠加布置在IGBT封装单元上方的层叠母线排组单元，所述层叠母线排组单元由外层至内层分别设置有IGBT推动板、正极连接板、负极连接板和单相连接板，所述正极连接板的一侧设置有正极输入端子，所述负极连接板与正极输入端子同侧设置有负极输入端子，所述单相连接板与正极输入端子相对的另一侧设置有相极输出端子，所述正极端子连接件用于将三组IGBT封装组中的正极输入端子串连，所述负极端子连接件用于将三组IGBT封装组中的负极输入端子串连。
2.根据权利要求1所述的双桥控制的超级功率变频器，其特征在于，所述IGBT推动板、正极连接板、负极连接板和单相连接板呈叠层布置，所述正极连接板设置有第一焊盘孔组，所述负极连接板设置有第二焊盘孔组，所述单相连接板设置有第三焊盘孔组。
3.根据权利要求2所述的双桥控制的超级功率变频器，其特征在于，所述第一焊盘孔组的侧边上设置有第一引脚，所述第二焊盘孔组的侧边上设置有第二引脚。
4.根据权利要求2所述的双桥控制的超级功率变频器，其特征在于，所述层叠母线排组单元还包括连通孔组，所述连通孔组设置于所述正极连接板、负极连接板和单相连接板上，所述接线端子排穿过所述连通孔组。
5.根据权利要求1所述的双桥控制的超级功率变频器，其特征在于，所述IGBT封装组包括两组并排平行设置IGBT封装单元，所述接线端子排从两组IGBT封装单元的间隙中穿过。
6.根据权利要求5所述的双桥控制的超级功率变频器，其特征在于，所述IGBT封装单元由支撑架、设置在支撑架两侧边的氮化铝基板、贴合在所述氮化铝基板外侧的多组IGBT和架设在支撑架上方用于夹持两侧多组IGBT的弹簧夹组成。
7.根据权利要求6所述的双桥控制的超级功率变频器，其特征在于，所述支撑架内部封闭设置有用于放置冷却液的中空引流槽，所述中空引流槽连接设置有引流孔，所述引流孔包括进液引流孔和设置在所述进液引流孔两侧的出液引流孔。
8.根据权利要求1所述的双桥控制的超级功率变频器，其特征在于，所述安装立柱截面为六边形结构，包括三长侧边和三短侧边，所述长侧边与短侧边相间隔设置，所述IGBT封装组架设在所述长侧边延伸的平面上。
9.根据权利要求8所述的双桥控制的超级功率变频器，其特征在于，所述短侧边延伸的平面上相邻的IGBT封装组之间设置有电容组。
10.根据权利要求1所述的双桥控制的超级功率变频器，其特征在于，所述正极端子连接件与负极端子连接件的结构相同，截面均为“Y”型结构。
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