CN108987522A - 一种光电传感器、光电传感组件及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种光电传感器、光电装置及其制作方法。所述光电传感器包括层叠设置的第一电极、第一半导体层、第二半导体层以及第二电极，第一半导体层和第二半导体层均为金属氧化物半导体层，第一电极为透明电极，第一电极的功函数大于第一半导体层的功函数，第一半导体层的导电率小于第二半导体层的导电率，该光电传感器具有光电转化功能。制作由该光电传感器和薄膜晶体管形成的光电装置时，由于在基板上形成薄膜晶体管后，在形成光电传感器的金属氧化物半导体层时不会引入H原子，不会损坏薄膜晶体管的氧化物沟道，保证了薄膜晶体管的结构稳定和性能稳定，因此由该光电传感器和薄膜晶体管形成的光电装置具有性能稳定等优点。

Description

一种光电传感器、光电传感组件及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是一种光电传感器、光电传感组件及其制作方法。
背景技术
光电传感组件由光电传感器和薄膜晶体管组合而成，其中，光电传感器用于将光信号转换成电信号，薄膜晶体管用于控制光电传感器生成的电信号的传输。
基于半导体材料的不同，现有的薄膜晶体管分为a-Si薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管等，相比于a-Si薄膜晶体管，氧化物薄膜晶体管因具有漏电流低、信噪比大等优点而被广泛使用。现有的光电传感器主要采用a-Si半导体材料制作而成，例如基于a-Si的PN型光电二极管、基于a-Si的PIN型光电二极管等。
使用基于a-Si的光电传感器和氧化物薄膜晶体管制作光电传感组件时，需要先在基板上制作氧化物薄膜晶体管，再制作基于a-Si的光电传感器。然而，在沉积光电传感器中的a-Si半导体层的过程中会引入大量的氢等酸性介质，由于氧化物薄膜晶体管的沟道由氧化物形成，因此引入的酸性介质会腐蚀沟道，引起薄膜晶体管的阈值电压负偏，导致氧化物薄膜晶体管的漏电流增大，最终导致光电传感结构的性能降低。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种光电传感器，以解决背景技术中的在沉积光电传感器中的a-Si半导体层的过程中会引入大量的氢等酸性介质，酸性介质损坏薄膜晶体管的的问题。
一方面，提供了一种光电传感器，包括层叠设置的第一电极、第一半导体层、第二半导体层以及第二电极，所述第一半导体层和所述第二半导体层均为金属氧化物半导体层；
所述第一电极为透明电极，所述第一电极的功函数大于所述第一半导体层的功函数；
所述第一半导体层的导电率小于所述第二半导体层的导电率。
进一步地，第一半导体层与所述第一电极形成的第一耗尽区的宽度与第一费米能级差值成正比，且所述第一耗尽区的宽度与所述第一半导体层的氧空位掺杂浓度成反比，所述第一费米能级差值等于所述第一半导体层的费米能级与所述第一电极的费米能级的差值。
进一步地，第一半导体层与所述第二半导体层形成的第二耗尽区的宽度与第二费米能级差值成正比，且所述第二耗尽区的宽度与所述第一半导体层中的氧空位掺杂浓度成反比，所述第二费米能级差值等于所述第一半导体层的费米能级与所述第二半导体层的费米能级的差值。
进一步地，所述第一半导体层的氧空位掺杂浓度小于所述第二半导体层的氧空位掺杂浓度。
进一步地，所述第一电极为金属氧化物电极。
进一步地，所述第一半导体层和所述第二半导体层均为IGZO半导体层；
所述第一半导体层和所述第二半导体层的厚度均为40-200nm。
第二方面，还提供了一种光电装置，包括薄膜晶体管和上述的光电传感器，所述光电传感器的第二电极与所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
进一步地，所述薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管。
第三方面，还提供了一种上述的光电传感器的制作方法，所述制作方法包括：
形成第一电极；
在所述第一电极上形成第一半导体层，所述第一电极的功函数大于所述第一半导体层的功函数；
在所述第一半导体层背离所述第一电极的表面上形成第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层均为金属氧化物半导体层，所述第一半导体层的导电率小于所述第二半导体层的导电率；
在所述第二半导体层背离所述第一半导体层的表面上形成第二电极。
进一步地，所述在所述第一电极上形成第一半导体层，在所述第一半导体层背离所述第一电极的一侧形成第二半导体层，包括：
在提供氩气和氧气的环境下，通过控制所述氩气和所述氧气的用量关系，在所述第一电极的表面上形成所述第一半导体层，在所述第一半导体层背离所述第一电极的表面上形成所述第二半导体层。
进一步地，所述第一半导体层和所述第二半导体层均为IGZO半导体层；
所述在提供氩气和氧气的环境下，通过控制所述氩气和所述氧气的用量关系，在所述第一电极的表面上形成所述第一半导体层，在所述第一半导体层背离所述第一电极的表面上形成所述第二半导体层，包括：
控制所述氩气和所述氧气的用量比为30:20～40:10，在所述第一电极的表面上形成所述第一半导体层；
控制所述氩气和所述氧气的用量比为45:5～48:2，在所述第一半导体层背离所述第一电极的表面上形成所述第二半导体层。
与现有技术相比，本发明包括以下优点：
本发明提供了一种新型的光电传感器、光电装置及其制作方法。本发明提供的光电传感器包括层叠设置的第一电极、第一半导体层、第二半导体层以及第二电极，第一半导体层和第二半导体层均为金属氧化物半导体层，第一电极为透明电极，由于第一电极的功函数大于第一半导体层的功函数，以及第一半导体层的导电率小于第二半导体层的导电率，因此光照射光电传感器时，半导体层因受光激发产生电子和空穴，在外加电场作用下电子和空穴会分开移动产生电流，实现光电转换。
当第一电极为透明的金属氧化物电极时，由于第一电极功函数比第一半导体层功函数高，第一电极与第一半导体层形成耗尽型金半接触，因此第一半导体层中的电子浓度较低；同时第一半导体层与第二半导体层也会形成类pn接触,由于第一半导体层电子浓度较低，因此类pn接触的pn结耗尽区主要在第一半导体层形成，导致第一半导体层的耗尽区较宽。在第一电极施加负电位，下电级施加零电位时，金半接触的耗尽区进一步加宽，可能导致第一半导体层内全部为耗尽区，第一半导体层内电子浓度很低。因此，光照激发的电子和空穴在第一半导体层内复合概率较低，在电场作用下，电子和空穴迅速分开并转化为电流，使得光电传感器具有较高的光电转换率，较高的灵敏度。
制作由该光电传感器和薄膜晶体管形成的光电装置时，由于在基板上形成薄膜晶体管后，在形成光电传感器的金属氧化物半导体层时不会引入H原子，不会损坏薄膜晶体管的氧化物沟道，保证了薄膜晶体管的结构稳定和性能稳定，因此由该光电传感器与薄膜晶体管形成的光电装置具有性能稳定等优点。
附图说明
图1是本发明实施例提供的光电传感器的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的制作光电传感器时使用的各层结构的能带结构示意图；
图3是本发明实施例提供的光电传感器在热平衡状态下内部的各层结构的能带结构示意图；
图4是本发明实施例提供的光电传感器在负偏状态下内部的各层结构的能带结构示意图；
图5是本发明实施例提供的光电传感器和薄膜晶体管的电路结构示意图；
图6是本发明实施例提供的光电传感器的制作方法的方法流程图；
图7为本发明实施例提供的光电装置的局部结构示意图；
图8为本发明实施例提供的光电装置的制作方法的流程图。
附图标记说明
1、第一电极 2、第一半导体层 3、第二半导体层 4、第二电极
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的机或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
本发明实施例提供了一种光电传感器，如图所示，光电传感器包括层叠设置的第一电极1、第一半导体层2、第二半导体层3以及第二电极4，其中，第一半导体层2和第二半导体层3均为金属氧化物半导体层；第一电极4为透明电极，第一电极4的功函数大于第一半导体层2的功函数；第一半导体层2的导电率小于第二半导体层3的导电率，第一半导体层的功函数比第二半导体层的功函数高。
第一半导体层2和第二半导体层3均为金属氧化物半导体层，两个半导体层均能够提供氧空位，由于第一半导体层2的导电率小于第二半导体层3的导电率，因此第一半导体层2的氧空位掺杂浓度小于第二半导体层3的氧空位掺杂浓度。
光照射本发明上述提供的光电传感器时，半导体层因受光激发产生电子和空穴，在外加电场作用下电子和空穴会分开移动产生电流，实现光电转换。
第一半导体层2和第二半导体层3均为金属氧化物半导体层，形成金属氧化物半导体层的材料有多种，如SnO2、ZnO、CdO等，可以根据实际进行设置。
第一电极1为透明电极，具有透光的功能。基于制作材料的选择，第一电极可以为金属氧化物电极，例如ITO电极、ZnO电极等透明电极。第二电极采用普通金属即可。
当第一电极为透明的金属氧化物电极时，第一电极、第一半导体层和第二半导体层的能带结构如图2所示。
采用具有图2所示的能带结构的第一电极、第一半导体层和第二半导体层制作光电传感器时，由于第一电极功函数比第一半导体层功函数高，第一电极与第一半导体层形成耗尽型金半接触，因此第一半导体层中的电子浓度较低；同时第一半导体层与第二半导体层也会形成类pn接触,由于第一半导体层电子浓度较低，因此类pn接触的pn结耗尽区主要在第一半导体层形成，导致第一半导体层的耗尽区较宽。在第一电极施加负电位，下电级施加零电位时，金半接触的耗尽区进一步加宽，可能导致第一半导体层内全部为耗尽区，第一半导体层内电子浓度很低。因此，光照激发的电子和空穴在第一半导体层内复合概率较低，在电场作用下，电子和空穴迅速分开并转化为电流，使得光电传感器具有较高的光电转换率，较高的灵敏度。采用上述层结构制作的光电传感器在热平衡状态下的能带结构如图3所示。
当第一电极和第二半导体层中的电子浓度均远高于第一半导体层中的电子浓度时，第一电极和第一半导体层的接触近似于突变结，第二半导体层和第一半导体层之间的接触也近似于突变结，第一电极和第一半导体层之间的接触也近似于突变结，这时第一空间电荷区即第一耗尽区的区域宽度、以及第二空间电荷区即第二耗尽区的区域宽度可以表示为：
其中，εs为相对介电系数，ND为第一半导体层的氧空位掺杂浓度，EF_n-为第一半导体层的费米能级，EFm为第一电极的费米能级，EF_n+为第二半导体层的费米能级，V为施加在光电半导体上的施加电压，q为单元电荷，k为玻尔兹曼常数。
由上述公式可知，第一半导体层与第一电极形成的第一耗尽区的宽度与第一费米能级差值成正比，且第一耗尽区的宽度与第一半导体层的氧空位掺杂浓度成反比，其中，第一费米能级差值等于第一半导体层的费米能级与第一电极的费米能级的差值。
第一半导体层与第二半导体层形成的第二耗尽区的宽度与第二费米能级差值成正比，且第二耗尽区的宽度与第一半导体层中的氧空位掺杂浓度成反比，第二费米能级差值等于第一半导体层的费米能级与第二半导体层的费米能级的差值。
由上述公式以及数据关系可知，第一半导体层中氧空位掺杂浓度越低，耗尽区越宽，因此本申请中控制第一半导体层具有较低的氧空位掺杂浓度，以增大耗尽区的宽度。
通常，将光电传感器的第二电极接地，这时光电传感器的第二电极的电压为零伏特。在第一电极施加负电压时，光电传感器处于负偏状态，这时光电传感器中各层结构的能带结构如图4所示。由图4所示的能带图可知，在第一电极施加负电压后，使得第一半导体层与第一电极之间的第一耗尽区的宽度被进一步加宽，同时使得第一半导体层与第二半导体层之间的第二耗尽区的宽度被进一步加宽，这时耗尽区的宽度与第一半导体层的厚度接近，第一半导体层几乎全被耗尽区占据，电子浓度很低。
当光线照射至具有上述结构和性能的光电传感器时，各半导体层受光激发产生电子和空穴，由于第一半导体层几乎全被耗尽区占据，第一半导体层电子和空穴的浓度均很低，因此第一半导体层中的光生电子和空穴的复合率较低，在外加电场的作用下，电子和空穴会迅速分开，转化成光电流，具有光生载流子损失较少，光电转换效率较高等优点，显著提高了光电传感器的灵敏度。由于第二半导体层原有的电子浓度较高，所以第二半导体层受光激发产生的电子和空穴会很快复合，电子和空穴的寿命较短，不会产生有效的光电流。
本发明中，第一半导体层2和第二半导体层3均为金属氧化物半导体层，在第一半导体层和第二半导体层具有上述功能的基础上，可以根据实际设置金属氧化物半导体层的种类，例如，第一半导体层和第二半导体层可以均为IGZO(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)半导体层，第一半导体层2即第一IGZO半导体层的氧空位掺杂浓度小于第二半导体层3即第二IGZO半导体层的氧空位掺杂浓度。
基于第一半导体层2和第二半导体层3在光电传感器中的位置设置以及功能设置，可以根据实际设置第一半导体层2和第二半导体层3的厚度，具体地，第一半导体层2和第二半导体层3的厚度可以均为40-200nm。
本发明实施例还提供了一种光电装置，包括薄膜晶体管(Thin-film transistor，TFT)和本发明实施例上述提供的光电传感器。
包括光电传感器和薄膜晶体管的光电装置有多种，不同光电装置具有不同的功能，例如，光电传感器和薄膜晶体管组成的组件具有亮度检测功能，可以对面板进行亮度检测，这时包括光电传感器和薄膜晶体管的光电装置可以为亮度检测电路、亮度检测装置等；也可以使用光电传感器和薄膜晶体管制作光学补偿电路，根据光电传感器和薄膜晶体管检测到的面板亮度信息，对面板进行光学补偿，使面板的亮度满足预设要求，这时包括光电传感器和薄膜晶体管的光电装置可以为光学补偿电路、光学补偿装置等。
如图5所示，光电传感器的第二电极与薄膜晶体管的源极或漏极电连接。光电传感器工作时，第一电极即V0施加一个负压，使得光电传感器处于反偏状态，因而暗态下光电传感器电流较小，与之并联的电容上存储一个初始电荷量Q；光照后，光电传感器(sense)工作，且TFT关闭，光电传感器产生的电流变大，电容上的电荷量发生变化，一段时间后，电容上的电荷量变化ΔQ；光电传感器工作结束，给TFT栅极施加正压，TFT开启，电容上的电荷通过sense线进入外部电路，经放大后即可得到光照信息。进一步，IC电路可以根据放大后的电荷，对面板进行光学补偿，使面板的亮度满足预设要求。
由于本发明提供的光电传感器具有光电转化功能，具有光电转化效率高、灵敏度高等优点，因此由光电传感器和TFT构成的光电装置也具备光电传感器的优点。
由于本发明提供的光电传感器中的半导体层采用氧化物制作而成，制备过程中避免了H原子的引入，不会损坏TFT的氧化物沟道，保证了TFT的结构稳定和性能稳定，进而保证了由光电传感器和TFT形成的光电装置的结构稳定和性能稳定。
本发明提供的光电装置中，光电传感器的第二电极与TFT的第三电极(源极或漏极)的材料可以相同，可以通过一道mask工艺制作第二电极和第三电极，从而简化了光电装置的制作工艺，提高了制作效率。光电传感器的第二电极与TFT的第三电极也可以通过不同mask工艺制作而成。光电传感器的金属氧化物半导体层和TFT的有源层可以通过不同mask工艺制作而成。
本发明实施例还提供了一种制作本发明实施例上述提供的光电传感器的方法。如图6所示，本发明实施例提供的制作本发明实施例上述提供的光电传感器的方法包括：
步骤101、形成第一电极。
在制作光电传感器时，可以先选择基板，在基板上形成第一电极。
由于第一电极为透明电极，具有导电功能，因此第一电极通常为金属氧化物电极，如ITO电极、IZO电极等。
第一电极的形成工艺有多种，例如，可以采用溅射等方式在基板上形成第一电极，可以根据实际设置第一电极的形成工艺。
步骤102、在第一电极上形成第一半导体层，第一电极的功函数大于第一半导体层的功函数。
在基板上形成第一电极后，在第一电极上形成第一半导体层。
可以根据实际设置第一半导体层的形成工艺，例如，当第一半导体层为金属氧化物半导体层时，可以将金属氧化物半导体作为靶材，采用溅射工艺，在第一电极上形成金属氧化物半导体层，例如，可以将固体IGZO作为靶材，采用溅射工艺，在第一电极上形成IGZO层作为第一半导体层。
步骤103、在第一半导体层背离第一电极的表面上形成第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层均为金属氧化物半导体层，第一半导体层的导电率小于第二半导体层的导电率。
在第一电极上形成第一半导体层后，在第一半导体层上形成第二半导体层，具体地，在第一半导体层背离第一电极的表面上形成第二半导体层。
本发明提供的制作方法中，制作第一半导体层和第二半导体层所使用的材料均为金属氧化物半导体层，且为了使光电传感器具有较好的光电转化功能，限定第一半导体层的导电率小于第二半导体层的导电率。
由于第二半导体层与第一半导体层的制作材料均为氧化物半导体材料，因此可以采用制作第一半导体层的工艺制作第二半导体层，例如采用溅射等工艺制作第二半导体层。
步骤104、在第二半导体层背离第一半导体层的表面上形成第二电极。
在第一半导体层上形成第二半导体层后，在第二半导体层上形成第二电极。
第二电极具有导电功能，可以是由普通金属或其他材料制成的电极。
依据本发明实施例提供的制作方法制作出的光电传感器具有光电转化效率高、灵敏度高等优点，且该制作方法具有工艺简单、成本低等优点。
本发明实施例中，在第一电极上形成第一半导体层，在第一半导体层背离所述第一电极的一侧形成第二半导体层的步骤可以包括：
在提供氩气和氧气的环境下，通过控制氩气和氧气的用量关系，在第一电极的表面上形成第一半导体层，在第一半导体层背离第一电极的表面上形成第二半导体层。
可以根据制作半导体层的材料种类、光电传感器的所需性能等多个因素，设置氩气和氧气的用量关系。例如，第一半导体层和第二半导体层均为IGZO半导体层，在提供氩气和氧气的环境下，且控制氩气和氧气的用量比为30:20～40:10下，在第一电极的表面上形成第一半导体层，控制氩气和氧气的用量比为45:5～48:2下，在第一半导体层背离第一电极的表面上形成第二半导体层，优选地，控制氩气和氧气的用量比为48:2下，在第一电极的表面上形成第一半导体层，控制氩气和氧气的用量比为40:10下，在第一半导体层背离第一电极的表面上形成第二半导体层。对于氩气和氧气的用量关系，可以根据实际需要进行设置。
本发明实施例还提供了一种本发明实施例上述提供的光电装置的制作方法，所述方法包括：
S1、获取基板；
S2、在基板上形成薄膜晶体管和光电传感器。
图7为本发明实施例提供的光电装置的局部结构示意图，图8为本发明实施例提供的光电装置的制作方法的流程图，结合图7和图8，对光电装置的制作方法进行详细说明。本发明实施例提供的光电装置的制作方法包括：
第一步，获取Glass(玻璃)基板；
第二步，在Glass基板上制备一层Shield金属层(遮挡层)，用于遮挡环境光；
第三步，沉积Buffer金属层(缓冲层)，以及Active层(有源层)，Active层用于制备TFT沟道；
第四步，沉积GI层(绝缘层)和Gate层(栅极层)，显影刻蚀后，沉积ILD层(层间介质层，具有绝缘功能)，之后对ILD层进行CNT开孔；
第五步，沉积SD层(源极和漏极)，该SD金属层一部分用于TFT的源漏级，至此TFT制备完成，另一部分SD金属层用于形成光学传感器的第二电极；
第六步，通过控制氩气和氧气的比例，在光学传感器的对应位置上依次沉积具有高氧空位浓度的ACT层(IGZO2金属层)和具有低氧空位浓度的ACT层(IGZO1金属层)；
第七步，沉积光电传感器的第一电极(ITO1金属层)；
第八步，沉积PVX绝缘层和ITO2金属层，通过打孔，连接ITO2金属层和ITO1金属层，通过ITO2金属层给ITO1金属层提供负电压。
本发明提供了一种新型的光电传感器、光电装置以及制作方法。本发明提供的光电传感器包括层叠设置的第一电极、第一半导体层、第二半导体层以及第二电极，第一半导体层和第二半导体层均为金属氧化物半导体层，第一电极为透明电极，由于第一电极的功函数大于第一半导体层的功函数，以及第一半导体层的导电率小于第二半导体层的导电率，因此光照射光电传感器时，半导体层因受光激发产生电子和空穴，在外加电场作用下电子和空穴会分开移动产生电流，实现光电转换。
由于第一电极的功函数大于第一半导体层的功函数，且第一半导体层的导电率小于第二半导体层的导电率，因此第一半导体层受光激发后内部的电子浓度和空穴浓度均较低，导致电子和空穴的复合率较低，在外加电场作用下电子和空穴会迅速分开并转化成电流，使得光电传感器具有较高的光电转化效率、较高的灵敏度等优点。
制作由该光电传感器与薄膜晶体管形成的光电装置时，由于在基板上形成薄膜晶体管后，在形成光电传感器的金属氧化物半导体层时不会引入H等酸性介质，不会损坏薄膜晶体管的氧化物沟道，保证了薄膜晶体管的结构稳定和性能稳定，因此由该光电传感器与薄膜晶体管形成的光电装置具有性能稳定等优点。
以上对本发明所提供的一种光电传感器、光电装置及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (11)

1.一种光电传感器，其特征在于，包括层叠设置的第一电极、第一半导体层、第二半导体层以及第二电极，所述第一半导体层和所述第二半导体层均为金属氧化物半导体层；
所述第一电极为透明电极，所述第一电极的功函数大于所述第一半导体层的功函数；
所述第一半导体层的导电率小于所述第二半导体层的导电率。
2.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第一半导体层与所述第一电极形成的第一耗尽区的宽度与第一费米能级差值成正比，且所述第一耗尽区的宽度与所述第一半导体层的氧空位掺杂浓度成反比，所述第一费米能级差值等于所述第一半导体层的费米能级与所述第一电极的费米能级的差值。
3.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第一半导体层与所述第二半导体层形成的第二耗尽区的宽度与第二费米能级差值成正比，且所述第二耗尽区的宽度与所述第一半导体层中的氧空位掺杂浓度成反比，所述第二费米能级差值等于所述第一半导体层的费米能级与所述第二半导体层的费米能级的差值。
4.根据权利要求3所述的光电传感器，其特征在于，所述第一半导体层的氧空位掺杂浓度小于所述第二半导体层的氧空位掺杂浓度。
5.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第一电极为金属氧化物电极。
6.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层均为IGZO半导体层；
所述第一半导体层和所述第二半导体层的厚度均为40-200nm。
7.一种光电装置，其特征在于，包括薄膜晶体管和权利要求1-6任一项所述的光电传感器，所述光电传感器的第二电极与所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
8.根据权利要求7所述的光电装置，其特征在于，所述薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管。
9.一种如权利要求1-6任一项所述的光电传感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
形成第一电极；
在所述第一电极上形成第一半导体层，所述第一电极的功函数大于所述第一半导体层的功函数；
在所述第一半导体层背离所述第一电极的表面上形成第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层均为金属氧化物半导体层，所述第一半导体层的导电率小于所述第二半导体层的导电率；
在所述第二半导体层背离所述第一半导体层的表面上形成第二电极。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一电极上形成第一半导体层，在所述第一半导体层背离所述第一电极的一侧形成第二半导体层，包括：
在提供氩气和氧气的环境下，通过控制所述氩气和所述氧气的用量关系，在所述第一电极的表面上形成所述第一半导体层，在所述第一半导体层背离所述第一电极的表面上形成所述第二半导体层。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层均为IGZO半导体层；
所述在提供氩气和氧气的环境下，通过控制所述氩气和所述氧气的用量关系，在所述第一电极的表面上形成所述第一半导体层，在所述第一半导体层背离所述第一电极的表面上形成所述第二半导体层，包括：
控制所述氩气和所述氧气的用量比为30:20～40:10，在所述第一电极的表面上形成所述第一半导体层；
控制所述氩气和所述氧气的用量比为45:5～48:2，在所述第一半导体层背离所述第一电极的表面上形成所述第二半导体层。
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