CN108986738B - 像素结构 - Google Patents

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Abstract

一种像素结构，包括第一薄膜晶体管、粘着层、发光二极管以及检测导电层。第一薄膜晶体管耦接至一导电层，用以传送显示数据至导电层。粘着层覆盖导电层。发光二极管配置在粘着层上。检测导电层配置在粘着层上，并且检测导电层、粘着层上以及导电层形成检测电容。其中，检测导电层的厚度等于或略大于发光二极管的高度。

Description

像素结构
技术领域
本发明是有关于一种像素结构，且特别是有关于一种具有微型发光二极管元件的发光二极管像素结构。
背景技术
微型发光二极管显示装置(Micro LED Display)具有高亮度、高对比、广视角、长寿命及低耗电等优势，已成为未来显示技术发展的重点。将微型发光二极管(Micro LED)晶体直接搬运到驱动背板上的技术称为巨量转移(Mass Transfer Process)，而巨量转移技术具有以下困难点。首先，微型发光二极管的尺寸极小(约5μm至10μm)，需要更精细化的操作技术。此外，由几十万或几百万颗微型发光二极管才能构成一片面板，而一次转移需要移动几万乃至几十万颗微型发光二极管，数量庞大。进行巨量转移的过程中，可利用压印(Stamp)的方式将微型发光二极管与薄膜晶体管(Thin-Film Transistor，TFT)矩阵进行贴合。
请参照图1，在图1所示的现有技术微型发光二极管显示面板可以发现，当于显示面板100施加压印程序时，由于压印力道无法有效地均匀分布在显示面板100上，会导致显示面板100所受到的压印力道产生强弱的差异，使得后续微型发光二极管的发光亮度也相对不均匀。以整个面板受力不均匀的状况为例，位于显示面板100较为中心位置的面板区域101内会受到相对较强的压印力道，使得后续微型发光二极管发光时会产生相对较亮的亮度，而面板区域101外则会因为受到相对较弱的压印力道，使得后续微型发光二极管发光时产生的亮度相对较暗，造成显示面板100整体亮度不均匀的问题。
发明内容
本发明提供一种像素结构，其可通过检测电容检测压印力道，并藉以调整给予微型发光二极管的驱动电信号。
本发明的像素结构包括第一薄膜晶体管、导电层、粘着层、发光二极管以及检测导电层。第一薄膜晶体管具有第一端耦接至导电层，用以传送显示数据至导电层。粘着层置于导电层上。发光二极管配置在粘着层上。检测导电层配置在粘着层上，并且检测导电层、粘着层上以及导电层形成检测电容。其中，检测导电层的厚度等于或略大于发光二极管的高度。
在本发明的一实施例中，当压印程序施加于上述像素结构时，发光二极管的上表面与检测导电层的上表面共同接收相同的压印压力。
在本发明的一实施例中，上述的像素结构更包括第二薄膜晶体管，其控制端耦接至导电层，其第一端接收参考电压，第二端耦接至发光二极管。
在本发明的一实施例中，上述的像素结构中第一薄膜晶体管的控制端接收扫描信号。检测导电层接收检测信号。其中，在第一时间区间，第一薄膜晶体管依据扫描信号被导通并传送显示数据至第二薄膜晶体管的控制端，检测导电层同时接收为第一电压电平的检测信号。且在第一时间区间后的第二时间区间，第一薄膜晶体管依据扫描信号被断开，检测导电层同时接收为第二电压电平的检测信号，其中第一电压电平与第二电压电平不相同。
在本发明的一实施例中，上述的像素结构中扫描信号与检测信号为相同的信号。
在本发明的一实施例中，上述的像素结构中当第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管皆为P型薄膜晶体管时，第一电压电平低于第二电压电平，且参考电压为第一电源电压。
在本发明的一实施例中，上述的像素结构中当第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管皆为N型薄膜晶体管时，第一电压电平高于第二电压电平，且参考电压为第二电源电压。
在本发明的一实施例中，上述的像素结构中检测导电层耦接至第二薄膜晶体管的第一端。
在本发明的一实施例中，上述的像素结构中第一薄膜晶体管的第二端接收初始化电压或显示数据。其中，当第一薄膜晶体管被导通时，第一薄膜晶体管依序接收并传送初始化电压以及显示数据至第二薄膜晶体管的控制端。
在本发明的一实施例中，上述的像素结构更包括第三薄膜晶体管，其一端接收初始化电压，另一端耦接至第二薄膜晶体管的控制端，第三薄膜晶体管受控于前级扫描信号以被导通或断开。
在本发明的一实施例中，上述的像素结构更包括存储电容，耦接在第二薄膜晶体管的控制端与第一端间。
在本发明的一实施例中，上述的像素结构中第二薄膜晶体管产生驱动电流以驱动发光二极管，驱动电流与检测电容的电容值负相关。
基于上述，本发明藉由高度不低于发光二极管的检测导电层来接收压印动作时所施加的压力，并依据检测导电层所承受的压力，来调整由检测导电层、粘着层上以及导电层所形成的检测电容的电容值大小，并且，依据检测电容的电容值来调整驱动发光二极管的驱动电流的大小，可提升面板中多个发光二极管的亮度均匀度，提升显示的品质。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1是现有技术微型发光二极管显示面板示意图。
图2是本发明一实施例的像素结构的剖面结构示意图。
图3A是本发明图2实施例的像素结构的电路示意图。
图3B是本发明图3A实施例的驱动信号波形图。
图4A是本发明图3A实施例的像素结构的另一实施方式的电路示意图。
图4B是本发明图4A实施例的驱动信号波形图。
图5A是本发明另一实施例的像素结构的电路示意图。
图5B是本发明图5A实施例的驱动信号波形图。
图6A是本发明图5A实施例的像素结构的另一实施方式的电路示意图。
图6B是本发明图6A实施例的驱动信号波形图。
图7A是本发明图3A实施例的像素结构的互补型态实施例的电路示意图。
图7B是本发明图7A实施例的驱动信号波形图。
图8A是本发明图7A实施例的像素结构的另一实施方式的电路示意图。
图8B是本发明图8A实施例的驱动信号波形图。
图9A是本发明图5A实施例的像素结构的互补型态实施例的电路示意图。
图9B是本发明图9A实施例的驱动信号波形图。
图10A是本发明图9A实施例的像素结构的另一实施方式的电路示意图。
图10B是本发明图10A实施例的驱动信号波形图。
其中，附图标记：
100：显示面板
101：面板区域
200、300、400、500、600、700、800、900、1000：像素结构
201：粘着层
A：节点信号
CDET：检测电容
CN：沟道
CST：存储电容
d1：距离
DATA：显示数据
DET[N]：检测信号
F：压印压力
GE：薄膜晶体管栅极
IOBP、ILD、GI：绝缘层
IμLED：驱动电流
M3：导电层
MD：检测导电层
OVSS、OVDD：参考电压
PA1、PA2：P型重掺杂区
S[N]、S[N-1]：扫描信号
T1、TP1、TP2、TP3、Tn1、Tn2、Tn3：薄膜晶体管
VH1、VH2：高电压电平
VIA：导电通孔
VINT：初始电压
VL1、VL2：低电压电平
μLED：微型发光二极管
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
请参照图2，图2是本发明一实施例的像素结构的剖面结构示意图，像素结构200包括第一绝缘层IOBP、第二绝缘层ILD、第三绝缘层GI、第一薄膜晶体管T1、导电层M3、粘着层201、微型发光二极管μLED以及检测导电层MD。在本实施例中，第一薄膜晶体管T1设置在多层绝缘层(即第一绝缘层IOBP、第二绝缘层ILD、第三绝缘层GI)中，导电层M3则设置在第一绝缘层IOBP上并覆盖第一绝缘层IOBP。第一薄膜晶体管T1的一端(源极或漏极)通过导电通孔VIA耦接至导电层M3。另外，粘着层201置于导电层M3上方，而检测导电层MD以及微型发光二极管μLED则配置在粘着层201的上方，其中的检测导电层MD、粘着层201以及导电层M3具有一个相互重叠的区域。值得注意的，检测导电层MD的配置高度，可以略高于或等于微型发光二极管μLED的配置高度。
检测导电层MD、粘着层201以及导电层M3相互重叠的区域可形成检测电容CDET。另外，第一薄膜晶体管T1具有栅极GE(对应控制端)以及由P型重掺杂区PA1、PA2所分别形成的源极(漏极)以及漏极(源极)。P型重掺杂区PA1、PA2间则用以形成沟道CN。其中，第一薄膜晶体管T1的源极或漏极(对应第一端)经由导电通孔VIA耦接至导电层M3，并可用以传送显示数据DATA。
依据上述，当巨量转移时的压印程序施加压印压力F于所述像素结构200时，可使微型发光二极管μLED的上表面与检测导电层MD的上表面共同接收大致相同的压印压力F，并导致检测导电层MD与导电层M3之间的距离d1被改变(例如减小)，当所受到的压印压力F的力道相对较大时，距离d1会相对较小，依据平行板电容的原理，会使得检测电容CDET的电容值相对较大。相对的，当所受到的压印压力F的力道相对较小时，距离d1会相对较大，依据平行板电容的原理，会使得检测电容CDET的电容值相对较小。因此，可藉由检测电容CDET的电容值大小来反应压印压力F的力道。因此，在本发明实施例中，通过检测电容CDET的大小，以对微型发光二极管μLED驱动电信号大小进行调整，可有效提升微型发光二极管μLED的发光亮度的均匀度。
接着对像素结构200的等效电路示意图详加说明，请同时参照图2及图3A，图3A是本发明图2实施例的像素结构的电路示意图。在本实施例中，像素结构300包括第一薄膜晶体管TP1、第二薄膜晶体管TP2、微型发光二极管μLED、检测电容CDET、存储电容CST。第一薄膜晶体管TP1具有接收显示数据DATA的第二端，接收扫描信号S[N]的控制端，以及耦接至导电层(例如图2的导电层M3)的第一端，并可用以传送显示数据DATA至所述导电层。第二薄膜晶体管TP2具有耦接至导电层的控制端，接收参考电压OVDD的第一端，以及耦接至微型发光二极管μLED的第二端。其中参考电压OVDD为第一电源电压，第一电源电压例如是电源电压。检测电容CDET的第二端接收检测信号DET[N]，第一端耦接至第一薄膜晶体管TP1的第一端。存储电容CST一端耦接至第二薄膜晶体管TP2的第一端，另一端耦接至第二薄膜晶体管TP2的控制端。微型发光二极管μLED的阳极端耦接至第二薄膜晶体管TP2的第二端，阴极端接收参考电压OVSS，其中参考电压OVSS为第二电源电压，第二电源电压例如是接地电压。
接着说明详细电路动作，请同时参照图3A及图3B，图3B是本发明图3A实施例的驱动信号波形图。像素结构300中的第一薄膜晶体管TP1在第一时间区间Ta，会依据为低电压电平VL1(第一电压电平)的扫描信号S[N]而被导通，并传送显示数据DATA至第二薄膜晶体管TP2的控制端。同时，检测电容CDET的第二端会接收为低电压电平VL2(第二电压电平)的检测信号DET[N]，此时，节点信号A的电压与显示数据DATA的电压实质上相同。接着，在第一时间区间Ta后的第二时间区间Tb，第一薄膜晶体管TP1依据转态为高电压电平VH1(第三电压电平)的扫描信号S[N]而被断开。检测电容CDET的第二端则接收转态为高电压电平VH2(第四电压电平)的检测信号DET[N]，其中检测信号DET[N]从低电压电平VL2转态为高电压电平VH2的时间点，可与扫描信号S[N]从低电压电平VL1转态为高电压电平VH1的时间点为同时或略晚一点，本发明并不加以限定。此时节点信号A的电压可表示为数学式(1)：
Figure BDA0001811888020000061
而第二薄膜晶体管TP2会依据此节点信号A的电压以产生驱动电流IμLED，并通过驱动电流IμLED驱动微型发光二极管μLED，使微型发光二极管μLED发光。
在本实施例中，薄膜晶体管产生驱动电流IμLED以驱动微型发光二极管μLED，而驱动电流IμLED如下述数学式(2)所示。其中，k为沟道常数，VTH_TP2为第二薄膜晶体管TP2的阈值电压。以下将进行详细说明：
Figure BDA0001811888020000071
由数学式(2)可以得知，驱动电流IμLED与检测电容CDET的电容值大小是负相关的，也就是说，当检测电容CDET的电容值较大，第二薄膜晶体管TP2所产生的驱动电流IμLED较小，相反的，当检测电容CDET的电容值较小，第二薄膜晶体管TP2所产生的驱动电流IμLED较大。详细来说，参照图1、图2、图3A及数学式(2)，可以得知当进行压印程序且应力无法均匀分布时，受到压印力道相对较大的区域，其检测电容CDET会因此具有相对较大的电容值，并使第二薄膜晶体管TP2的源极及栅极间的电压差减少相对较多，进而使得驱动微型发光二极管μLED的驱动电流IμLED减少相对较多，因此微型发光二极管μLED的发光亮度则会降低相对较多。而因应力分布不均所导致受到压印力道相对较小的区域，其检测电容CDET会因此具有相对较小的电容值，并使第二薄膜晶体管TP2的源极及栅极间的电压差减少相对较少，进而使得驱动电流IμLED减少相对较少，将原先因压印力道较小所导致的发光亮度相对较低的微型发光二极管μLED的亮度降低相对较少，进而提升整体微型发光二极管μLED发光亮度的均匀度，并得以解决压印力道分布不均所导致的亮度不均问题。
请同时参照图4A及图4B，图4A示出本发明图3A实施例的像素结构的另一实施方式的电路示意图。图4B则是本发明图4A实施例的驱动信号波形图。与图3A实施例不同的地方在于，本实施例将第一电压电平设计为与第二电压电平相同且将第三电压电平设计为与第四电压电平相同，并可将前述的扫描信号S[N]与检测信号DET[N]整合为同一信号，因此，本实施例的像素结构400的第一薄膜晶体管TP1的控制端以及检测电容CDET共同接收扫描信号S[N]，以完成像素结构的驱动操作。
关于像素结构400的操作方式，则与像素结构300相类似，在此不多赘述。
请同时参照图5A及图5B，图5A是本发明另一实施例的像素结构的电路示意图。图5B是本发明图5A实施例的驱动信号波形图。像素结构500包括第一薄膜晶体管TP1、第二薄膜晶体管TP2、第三薄膜晶体管TP3、微型发光二极管μLED、检测电容CDET。第一薄膜晶体管TP1具有接收显示数据DATA的第二端，接收扫描信号S[N]的控制端，以及耦接至导电层(例如图2的导电层M3)的第一端，并用以传送显示数据DATA至导电层。第二薄膜晶体管TP2，具有耦接至导电层的控制端，接收参考电压OVDD的第一端，以及耦接至微型发光二极管μLED的第二端。第三薄膜晶体管TP3，其一端接收初始化电压VINT，另一端耦接至第二薄膜晶体管TP2的控制端，且此第三薄膜晶体管TP3受控于一前级扫描信号S[N-1]以被导通或断开，其中初始化电压VINT可以为一高电压电平。检测电容CDET耦接在第二薄膜晶体管TP2的第一端与控制端间，并与第三薄膜晶体管TP3相耦接。微型发光二极管μLED的阳极端耦接至第二薄膜晶体管TP2的第二端，其阴极端接收参考电压OVSS。
关于电路的详细动作，像素结构500中的第三薄膜晶体管TP3可在第一时间区间Ta，依据为低电压电平VL1的前级扫描信号S[N-1]而被导通，并藉此在第一时间区间Ta传送初始化电压VINT至第二薄膜晶体管TP2的控制端，此时节点信号A的电压可实质上等于初始化电压VINT。而在第一时间区间Ta后的第二时间区间Tb，第三薄膜晶体管TP3会依据为高电压电平VH1的前级扫描信号S[N-1]被断开，第一薄膜晶体管TP1依据为低电压电平VL1的扫描信号S[N]而被导通。第一薄膜晶体管TP1并传送显示数据DATA至第二薄膜晶体管TP2的控制端，此时节点信号A上的电压VA(t)可表示为数学式(3)：
VA(t)＝DATA+(VINT-DATA)e-t/τ (3)
其中，τ为电容与电阻的时间常数，其和第一薄膜晶体管TP1的导通电阻以及检测电容CDET相关，t为时间。
在第二时间区间Tb后的第三时间区间Tc，第一薄膜晶体管TP1会依据转态为高电压电平VH1的扫描信号S[N]被断开，第二薄膜晶体管TP2会依据此节点信号A的电压产生驱动电流IμLED，并通过驱动电流IμLED驱动微型发光二极管μLED。
请同时参照图6A及图6B，图6A示出本发明图5A实施例的像素结构的另一实施方式的电路示意图。图6B则是本发明图6A实施例的像素结构的驱动信号波形图。与图5A实施例不同的地方在于，本实施例为依序传送初始化电压VINT与显示数据DATA至第一薄膜晶体管TP1。
关于像素结构600的详细操作方式，与像素结构500相类似，在此不多赘述。
图7A是本发明图3A实施例的像素结构的互补型态实施例的电路示意图。与图3A实施例不同的地方在于，本实施例中的晶体管与像素结构300中对应的晶体管的型态是互补的，例如是N型薄膜晶体管。
依据上述，本实施例中的像素结构700包括第一薄膜晶体管Tn1、第二薄膜晶体管Tn2、微型发光二极管μLED、检测电容CDET、存储电容CST。第一薄膜晶体管Tn1具有接收显示数据DATA的第二端，接收扫描信号S[N]的控制端，以及耦接至导电层(例如图2的导电层M3)的第一端，并可用以传送显示数据DATA至导电层。第二薄膜晶体管Tn2，具有耦接至导电层的控制端，接收参考电压OVSS的第一端，以及耦接至微型发光二极管μLED的第二端。检测电容CDET第二端接收检测信号DET[N]，第一端耦接至第一薄膜晶体管Tn1的第一端。存储电容CST一端耦接至第二薄膜晶体管Tn2的第一端，另一端耦接至第二薄膜晶体管Tn2的控制端。微型发光二极管μLED一端耦接至第二薄膜晶体管Tn2的第二端，另一端接收参考电压OVDD。
接着说明详细电路动作，请同时参照图7A及图7B，图7B是本发明图7A实施例的驱动信号波形图。像素结构700中的第一薄膜晶体管Tn1在第一时间区间Ta，会依据为高电压电平VH1(第一电压电平)的扫描信号S[N]而被导通，并传送显示数据DATA至第二薄膜晶体管Tn2的控制端。同时，检测电容CDET的第二端会接收为高电压电平VH2(第二电压电平)的检测信号DET[N]，此时，节点信号A的电压与显示数据DATA实质上相同。接着，在第一时间区间Ta后的第二时间区间Tb，第一薄膜晶体管Tn1依据转态为低电压电平VL1(第三电压电平)的扫描信号S[N]而被断开。检测电容CDET的第二端接收转态为低电压电平VL2(第四电压电平)的检测信号DET[N]，其中检测信号DET[N]转态为低电压电平VL2的时间点，可与扫描信号S[N]转态为低电压电平VL1的时间点为同时或略晚一点，本发明并不加以限定。此时节点信号A的电压可表示为数学式(4)：
Figure BDA0001811888020000091
其中，第二薄膜晶体管Tn2会依据此节点信号A的电压以产生驱动电流IμLED，并通过驱动电流IμLED驱动微型发光二极管μLED。
请同时参照图8A及图8B，图8A示出本发明图7A实施例的像素结构的另一实施方式的电路示意图。图8B则是本发明图8A实施例的驱动信号波形图。与图8A实施例不同的地方在于，本实施例将第一电压电平设计为与第二电压电平相同且将第三电压电平设计为与第四电压电平相同，并可将前述的扫描信号S[N]与检测信号DET[N]整合为同一信号，因此，本实施例的像素结构800的第一薄膜晶体管Tn1的控制端以及检测电容CDET共同接收扫描信号S[N]，以完成像素结构的驱动操作。
关于像素结构800的操作方式，则与像素结构700相类似，在此不多赘述。
请同时参照图9A及图9B，图9A是本发明图5A实施例的像素结构的互补型态实施例的电路示意图。是本发明图9A实施例的驱动信号波形图。与图5A实施例不同的地方在于，本实施例中的晶体管与像素结构500中对应的晶体管的型态是互补的，例如是N型薄膜晶体管。
依据上述，像素结构900包括第一薄膜晶体管Tn1、第二薄膜晶体管Tn2、第三薄膜晶体管Tn3、微型发光二极管μLED、检测电容CDET。第一薄膜晶体管Tn1具有接收显示数据DATA的第二端，接收扫描信号S[N]的控制端，以及耦接至导电层的第一端，并用以传送显示数据DATA至导电层。第二薄膜晶体管Tn2，具有耦接至导电层的控制端，接收参考电压OVSS的第一端，以及耦接至微型发光二极管μLED的第二端。第三薄膜晶体管Tn3，其一端接收初始化电压VINT，另一端耦接至第二薄膜晶体管Tn2的控制端，且此第三薄膜晶体管Tn3受控于一前级扫描信号S[N-1]以被导通或断开，其中初始化电压VINT可以为一低电压电平。检测电容CDET耦接在第二薄膜晶体管Tn2的第一端与控制端间，并与第三薄膜晶体管Tn3相耦接。微型发光二极管μLED的阴极端耦接至第二薄膜晶体管Tn2的第二端，其阳极端接收参考电压OVDD。
关于电路的详细动作，像素结构900中的第三薄膜晶体管Tn3可在第一时间区间Ta，依据为高电压电平VH1的前级扫描信号S[N-1]而被导通，并藉此在第一时间区间Ta传送初始化电压VINT至第二薄膜晶体管Tn2的控制端，此时节点信号A的电压可实质上等于初始化电压VINT。而在第一时间区间Ta后的第二时间区间Tb，第三薄膜晶体管Tn3会依据为低电压电平VL1的前级扫描信号S[N-1]被断开，第一薄膜晶体管Tn1依据为高电压电平VH1的扫描信号S[N]而被导通。第一薄膜晶体管Tn1并传送显示数据DATA至第二薄膜晶体管Tn2的控制端，此时节点信号A上的电压VA(t)可表示为数学式(5)：
VA(t)＝VINT+(DATA-VINT)(1-e-t/τ) (5)
在第二时间区间Tb后的第三时间区间Tc，第一薄膜晶体管Tn1会依据为低电压电平VL1的扫描信号S[N]被断开，第二薄膜晶体管Tn2会依据此节点信号A的电压产生驱动电流IμLED，并通过驱动电流IμLED驱动微型发光二极管μLED。
请同时参照图10A及图10B，图10A是本发明图9A实施例的像素结构的另一实施方式电路示意图。图10B是本发明图10A实施例的驱动信号波形图。与图9A实施例不同的地方在于，本实施例将前述的初始化电压VINT与显示数据DATA整合为一组能依序发送初始化电压VINT及显示数据DATA的信号，因此，本实施例的像素结构1000是以一组扫描信号S[N]来操作第一薄膜晶体管Tn1，减少了控制的第三薄膜晶体管Tn3的控制端，以完成像素结构的驱动操作。
关于像素结构1000的详细操作方式，与像素结构900相类似，在此不多赘述。
综上所述，本发明藉由高度不低于发光二极管的检测导电层来接收压印动作时所施加的压力，并依据检测导电层所承受的压力，来调整由检测导电层、粘着层上以及导电层所形成的检测电容的电容值大小，并藉由检测电容的电容值相对大小来反应压印压力的相对力道大小，且依据此电容值与压印力道的对应关系来调整微型发光二极管的驱动电信号大小，进而提升整体微型发光二极管发光亮度的均匀度，以解决压印力道分布不均匀所导致的亮度不均匀问题，提升显示的品质。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (12)

1.一种像素结构，其特征在于，包括：
一第一薄膜晶体管，具有一第一端耦接至一导电层，用以传送一显示数据至该导电层；
一粘着层，配置于该导电层；
一发光二极管，配置在该粘着层上；以及
一检测导电层，配置在该粘着层上，其中该检测导电层、该粘着层以及该导电层形成一检测电容，
其中，该检测导电层的厚度等于或略高于该发光二极管的高度。
2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中当一压印程序施加于该像素结构时，该发光二极管的上表面与该检测导电层的上表面共同接收相同的一压印压力。
3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中更包括：
一第二薄膜晶体管，其一控制端耦接至该导电层，其一第一端接收一参考电压，一第二端耦接至该发光二极管。
4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，其中该第一薄膜晶体管的一控制端接收一扫描信号，该检测导电层接收一检测信号，
其中，在一第一时间区间，该第一薄膜晶体管依据该扫描信号被导通并传送该显示数据至该第二薄膜晶体管的该控制端，该检测导电层同时接收为一第一电压电平的该检测信号，
在该第一时间区间后的一第二时间区间，该第一薄膜晶体管依据该扫描信号被断开，该检测导电层同时接收为一第二电压电平的该检测信号，其中该第一电压电平与该第二电压电平相异。
5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，其中该扫描信号与该检测信号为相同的信号。
6.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，其中当该第一薄膜晶体管与该第二薄膜晶体管皆为P型薄膜晶体管时，该第一电压电平低于该第二电压电平，且该参考电压为一第一电源电压。
7.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，其中当该第一薄膜晶体管与该第二薄膜晶体管皆为N型薄膜晶体管时，该第一电压电平高于该第二电压电平，且该参考电压为一第二电源电压。
8.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，其中该检测导电层耦接至该第二薄膜晶体管的该第一端。
9.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，其中该第一薄膜晶体管的一第二端接收一初始化电压或一显示数据，
其中，当该第一薄膜晶体管被导通时，该第一薄膜晶体管依序接收并传送该初始化电压以及该显示数据至该第二薄膜晶体管的该控制端。
10.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，更包括：
一第三薄膜晶体管，其一端接收一初始化电压，另一端耦接至该第二薄膜晶体管的该控制端，该第三薄膜晶体管受控于一前级扫描信号以被导通或断开。
11.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，更包括：
一存储电容，耦接在该第二薄膜晶体管的该控制端与该第一端间。
12.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，其中该第二薄膜晶体管产生一驱动电流以驱动该发光二极管，该驱动电流与该检测电容的电容值负相关。
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