低辐射节能玻璃及其制备方法
技术领域
本发明是关于节能玻璃领域,特别是关于一种低辐射节能玻璃及其制备方法。
背景技术
伴随着社会文明和经济的高速发展,节能环保越来越受到人们的关注。建筑能耗、工业能耗和交通能耗是中国三大主要能耗,据统计,现阶段我国的建筑能耗占社会总能耗的比例已经超过了40%,而这还仅仅是建筑物在建造和使用过程中消耗的能源比例,不包括建材生产耗掉的能源。我国是一个建筑业发展的大国,各类建筑面积逐年增长,而其中97%以上是高能耗建筑,按目前建设增速,预计到2020年,高耗能建筑面积将达700亿平方米。如果听任这种高耗能建筑持续发展下去,国家的能源生产势必难以长期支撑此种浪费型需求,从而不得不被迫组织大规模的旧房节能改造,这将要耗费更多的人力物力。因此建筑节能减排是国家实施可持续发展战略非常关键的环节。在现代建筑中,为了强调美观性与舒适性设计的窗体面积比重越来越大,但是普通的窗户玻璃传热系数非常高,导致建筑物热量的散失增加,这与建筑设计的节能性取向是矛盾的。而在建筑能耗中,而通过门窗流失的能耗占到了建筑能耗的51%。我国因节能门窗普及率低造成的建筑能耗,为发达国家的2~3倍,成为建筑节能最大黑洞。因此,要想真正实现建筑节能,关键在于如何控制玻璃的热量散失提高玻璃的节能效果。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
发明内容
本发明的目的在于提供一种低辐射节能玻璃及其制备方法,其能够克服现有技术的缺陷。
为实现上述目的,本发明提供了一种低辐射节能玻璃,该低辐射节能玻璃由下至上依次包括:玻璃基片层、阻挡层、第一过渡层、第一复合金属层、第二过渡层、第二复合金属层以及耐磨层,其中,第一复合金属层由下至上依次包括第一金属Ag层以及CuPd合金层,第二复合金属层由下至上依次包括第二金属Ag层以及金属Au层,并且其中,第一金属Ag层的厚度为4-7nm,CuPd合金层的厚度为3-6nm,第二金属Ag层的厚度为3-5nm,金属Au层的厚度为4-7nm。
在一优选的实施方式中,其中,阻挡层是氮化硅层,阻挡层厚度为10-20nm;耐磨层是氮化硅层,耐磨层厚度为15-30nm。
在一优选的实施方式中,其中,第一过渡层是金属CuOx层,第一过渡层的厚度为3-6nm。
在一优选的实施方式中,其中,第二过渡层是金属AgOx层,第一过渡层的厚度为2-4nm。
本发明还公开了一种低辐射节能玻璃的制备方法,包括如下步骤:提供清洁的玻璃基片;在玻璃基片上沉积第一阻挡层;在第一阻挡层上沉积第一过渡层;在第一过渡层上沉积第一金属Ag层;在第一金属Ag层上沉积CuPd合金层;在CuPd合金层上沉积第二过渡层;在第二过渡层上沉积第二金属Ag层;在第二金属Ag层上沉积金属Au层;以及在金属Au层上沉积耐磨层;其中,第一金属Ag层的厚度为4-7nm,CuPd合金层的厚度为3-6nm,第二金属Ag层的厚度为3-5nm,金属Au层的厚度为4-7nm。
在一优选的实施方式中,第一过渡层是金属CuOx层,第一过渡层的厚度为3-6nm,在第一阻挡层上沉积第一过渡层的工艺具体为:采用射频磁控溅射方法,溅射靶材为Cu靶,溅射气氛为氧气,氧气流量40-60sccm,溅射电压为200-400V,溅射功率为200-400W。
在一优选的实施方式中,在第一过渡层上沉积第一金属Ag层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氩气,氩气流量40-60sccm,溅射电压为100-200V,溅射功率为100-200W。
在一优选的实施方式中,在第一金属Ag层上沉积CuPd合金层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为CuPd合金靶,CuPd合金靶中Cu与Pd的原子比为1:1,溅射气氛为氩气,氩气流量40-60sccm,溅射电压为100-200V,溅射功率为100-200W。
在一优选的实施方式中,第二过渡层是金属AgOx层,第一过渡层的厚度为2-4nm,在CuPd合金层上沉积第二过渡层的工艺具体为:采用射频磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氧气,氧气流量40-60sccm,溅射电压为150-300V,溅射功率为300-500W。
在一优选的实施方式中,在第二过渡层上沉积第二金属Ag层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氩气,氩气流量40-60sccm,溅射电压为50-100V,溅射功率为150-250W;在第二金属Ag层上沉积金属Au层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Au靶,溅射气氛为氩气,氩气流量40-60sccm,溅射电压为100-150V,溅射功率为150-200W。
与现有技术相比,本发明具有如下优点:随着节能减排的观念深入人心,目前很多玻璃幕墙都使用了低辐射玻璃。在低辐射玻璃领域,目前技术比较成熟的是单银或者多银低辐射玻璃。但是目前低辐射玻璃仍然存在一些问题,由于膜层结构设计的缺陷,目前很多低辐射玻璃反射出蓝色或者偏红色的光,这使得这些玻璃幕墙的外观较差,同时反射的这种颜色的光将导致光污染。为了解决上述玻璃幕墙反射颜色偏蓝或者偏红的问题,需要在现有的玻璃膜层中加入调色层,但是加入调色层之后必然将导致玻璃的透射率降低,如何保证玻璃颜色美观并且透射率较高是目前现有技术的难题。为了解决现有技术的问题,本发明提出了一种新型的低辐射节能玻璃,本发明的低辐射玻璃外观呈现金色,美观大方,同时本发明的低辐射玻璃在兼顾美观的同时,保证了较高的低辐射性能以及较高的可见光透射率。
附图说明
图1是根据本发明一实施方式的低辐射玻璃的结构示意图。
图2是根据本发明一实施方式的制备方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图,对本发明的具体实施方式进行详细描述,但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施方式的限制。
除非另有其它明确表示,否则在整个说明书和权利要求书中,术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分,而并未排除其它元件或其它组成部分。
图1是根据本发明一实施方式的低辐射玻璃的结构示意图。如图所示,本发明的低辐射节能玻璃由下至上依次包括:玻璃基片层101、阻挡层102、第一过渡层103、第一复合金属层、第二过渡层106、第二复合金属层以及耐磨层109,其中,第一复合金属层由下至上依次包括第一金属Ag层104以及CuPd合金层105,第二复合金属层由下至上依次包括第二金属Ag层107以及金属Au层108。
图2是根据本发明一实施方式的制备方法流程图。如图所示,本发明优选实施方式的低辐射节能玻璃的制备方法包括如下步骤:
步骤201:提供清洁的玻璃基片;
步骤202:在玻璃基片上沉积第一阻挡层;
步骤203:在第一阻挡层上沉积第一过渡层;
步骤204:在第一过渡层上沉积第一金属Ag层;
步骤205:在第一金属Ag层上沉积CuPd合金层;
步骤206:在CuPd合金层上沉积第二过渡层;
步骤207:在第二过渡层上沉积第二金属Ag层;
步骤208:在第二金属Ag层上沉积金属Au层;以及
步骤209:在金属Au层上沉积耐磨层。
需要指出的是,阻挡层和耐磨层的沉积方法是本领域公知的磁控溅射方法,磁控溅射参数是本领域技术人员公知的参数。
实施例1
低辐射节能玻璃的制备方法包括:提供清洁的玻璃基片;在玻璃基片上沉积第一阻挡层;在第一阻挡层上沉积第一过渡层;在第一过渡层上沉积第一金属Ag层;在第一金属Ag层上沉积CuPd合金层;在CuPd合金层上沉积第二过渡层;在第二过渡层上沉积第二金属Ag层;在第二金属Ag层上沉积金属Au层;在金属Au层上沉积耐磨层;其中,第一金属Ag层的厚度为4nm,CuPd合金层的厚度为3nm,第二金属Ag层的厚度为3nm,金属Au层的厚度为4nm。阻挡层是氮化硅层,阻挡层厚度为10nm;耐磨层是氮化硅层,耐磨层厚度为15nm。第一过渡层是金属CuOx层,第一过渡层的厚度为3nm,在第一阻挡层上沉积第一过渡层的工艺具体为:采用射频磁控溅射方法,溅射靶材为Cu靶,溅射气氛为氧气,氧气流量40sccm,溅射电压为200V,溅射功率为200W。在第一过渡层上沉积第一金属Ag层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氩气,氩气流量40sccm,溅射电压为100V,溅射功率为100W。在第一金属Ag层上沉积CuPd合金层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为CuPd合金靶,CuPd合金靶中Cu与Pd的原子比为1:1,溅射气氛为氩气,氩气流量40sccm,溅射电压为100V,溅射功率为100W。第二过渡层是金属AgOx层,第一过渡层的厚度为2nm,在CuPd合金层上沉积第二过渡层的工艺具体为:采用射频磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氧气,氧气流量40sccm,溅射电压为150V,溅射功率为300W。在第二过渡层上沉积第二金属Ag层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氩气,氩气流量40sccm,溅射电压为50V,溅射功率为150W;在第二金属Ag层上沉积金属Au层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Au靶,溅射气氛为氩气,氩气流量40sccm,溅射电压为100V,溅射功率为150W。
实施例2
低辐射节能玻璃的制备方法包括:提供清洁的玻璃基片;在玻璃基片上沉积第一阻挡层;在第一阻挡层上沉积第一过渡层;在第一过渡层上沉积第一金属Ag层;在第一金属Ag层上沉积CuPd合金层;在CuPd合金层上沉积第二过渡层;在第二过渡层上沉积第二金属Ag层;在第二金属Ag层上沉积金属Au层;在金属Au层上沉积耐磨层;其中,第一金属Ag层的厚度为7nm,CuPd合金层的厚度为6nm,第二金属Ag层的厚度为5nm,金属Au层的厚度为7nm。阻挡层是氮化硅层,阻挡层厚度为20nm;耐磨层是氮化硅层,耐磨层厚度为30nm。第一过渡层是金属CuOx层,第一过渡层的厚度为6nm,在第一阻挡层上沉积第一过渡层的工艺具体为:采用射频磁控溅射方法,溅射靶材为Cu靶,溅射气氛为氧气,氧气流量60sccm,溅射电压为400V,溅射功率为400W。在第一过渡层上沉积第一金属Ag层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氩气,氩气流量60sccm,溅射电压为200V,溅射功率为200W。在第一金属Ag层上沉积CuPd合金层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为CuPd合金靶,CuPd合金靶中Cu与Pd的原子比为1:1,溅射气氛为氩气,氩气流量60sccm,溅射电压为200V,溅射功率为200W。第二过渡层是金属AgOx层,第一过渡层的厚度为4nm,在CuPd合金层上沉积第二过渡层的工艺具体为:采用射频磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氧气,氧气流量60sccm,溅射电压为300V,溅射功率为500W。在第二过渡层上沉积第二金属Ag层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氩气,氩气流量60sccm,溅射电压为100V,溅射功率为250W;在第二金属Ag层上沉积金属Au层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Au靶,溅射气氛为氩气,氩气流量60sccm,溅射电压为150V,溅射功率为200W。
实施例3
低辐射节能玻璃的制备方法包括:提供清洁的玻璃基片;在玻璃基片上沉积第一阻挡层;在第一阻挡层上沉积第一过渡层;在第一过渡层上沉积第一金属Ag层;在第一金属Ag层上沉积CuPd合金层;在CuPd合金层上沉积第二过渡层;在第二过渡层上沉积第二金属Ag层;在第二金属Ag层上沉积金属Au层;在金属Au层上沉积耐磨层;其中,第一金属Ag层的厚度为4-7nm,CuPd合金层的厚度为4nm,第二金属Ag层的厚度为4nm,金属Au层的厚度为5nm。阻挡层是氮化硅层,阻挡层厚度为12nm;耐磨层是氮化硅层,耐磨层厚度为20nm。第一过渡层是金属CuOx层,第一过渡层的厚度为4nm,在第一阻挡层上沉积第一过渡层的工艺具体为:采用射频磁控溅射方法,溅射靶材为Cu靶,溅射气氛为氧气,氧气流量45sccm,溅射电压为250V,溅射功率为250W。在第一过渡层上沉积第一金属Ag层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氩气,氩气流量45sccm,溅射电压为120V,溅射功率为120W。在第一金属Ag层上沉积CuPd合金层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为CuPd合金靶,CuPd合金靶中Cu与Pd的原子比为1:1,溅射气氛为氩气,氩气流量45sccm,溅射电压为120V,溅射功率为120W。第二过渡层是金属AgOx层,第一过渡层的厚度为3nm,在CuPd合金层上沉积第二过渡层的工艺具体为:采用射频磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氧气,氧气流量45sccm,溅射电压为180V,溅射功率为350W。在第二过渡层上沉积第二金属Ag层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氩气,氩气流量45sccm,溅射电压为60V,溅射功率为180W;在第二金属Ag层上沉积金属Au层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Au靶,溅射气氛为氩气,氩气流量45sccm,溅射电压为110V,溅射功率为160W。
实施例4
低辐射节能玻璃的制备方法包括:提供清洁的玻璃基片;在玻璃基片上沉积第一阻挡层;在第一阻挡层上沉积第一过渡层;在第一过渡层上沉积第一金属Ag层;在第一金属Ag层上沉积CuPd合金层;在CuPd合金层上沉积第二过渡层;在第二过渡层上沉积第二金属Ag层;在第二金属Ag层上沉积金属Au层;在金属Au层上沉积耐磨层;其中,第一金属Ag层的厚度为6nm,CuPd合金层的厚度为5nm,第二金属Ag层的厚度为4nm,金属Au层的厚度为6nm。阻挡层是氮化硅层,阻挡层厚度为15nm;耐磨层是氮化硅层,耐磨层厚度为25nm。第一过渡层是金属CuOx层,第一过渡层的厚度为5nm,在第一阻挡层上沉积第一过渡层的工艺具体为:采用射频磁控溅射方法,溅射靶材为Cu靶,溅射气氛为氧气,氧气流量50sccm,溅射电压为300V,溅射功率为300W。在第一过渡层上沉积第一金属Ag层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氩气,氩气流量50sccm,溅射电压为150V,溅射功率为150W。在第一金属Ag层上沉积CuPd合金层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为CuPd合金靶,CuPd合金靶中Cu与Pd的原子比为1:1,溅射气氛为氩气,氩气流量50sccm,溅射电压为150V,溅射功率为150W。第二过渡层是金属AgOx层,第一过渡层的厚度为3nm,在CuPd合金层上沉积第二过渡层的工艺具体为:采用射频磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氧气,氧气流量50sccm,溅射电压为250V,溅射功率为400W。在第二过渡层上沉积第二金属Ag层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氩气,氩气流量50sccm,溅射电压为80V,溅射功率为200W;在第二金属Ag层上沉积金属Au层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Au靶,溅射气氛为氩气,氩气流量50sccm,溅射电压为120V,溅射功率为180W。
实施例5
低辐射节能玻璃的制备方法包括:提供清洁的玻璃基片;在玻璃基片上沉积第一阻挡层;在第一阻挡层上沉积第一过渡层;在第一过渡层上沉积第一金属Ag层;在第一金属Ag层上沉积CuPd合金层;在CuPd合金层上沉积第二过渡层;在第二过渡层上沉积第二金属Ag层;在第二金属Ag层上沉积金属Au层;在金属Au层上沉积耐磨层;其中,第一金属Ag层的厚度为6nm,CuPd合金层的厚度为5nm,第二金属Ag层的厚度为4nm,金属Au层的厚度为6nm。阻挡层是氮化硅层,阻挡层厚度为18nm;耐磨层是氮化硅层,耐磨层厚度为25nm。第一过渡层是金属CuOx层,第一过渡层的厚度为5nm,在第一阻挡层上沉积第一过渡层的工艺具体为:采用射频磁控溅射方法,溅射靶材为Cu靶,溅射气氛为氧气,氧气流量55sccm,溅射电压为350V,溅射功率为350W。在第一过渡层上沉积第一金属Ag层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氩气,氩气流量55sccm,溅射电压为180V,溅射功率为180W。在第一金属Ag层上沉积CuPd合金层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为CuPd合金靶,CuPd合金靶中Cu与Pd的原子比为1:1,溅射气氛为氩气,氩气流量55sccm,溅射电压为190V,溅射功率为190W。第二过渡层是金属AgOx层,第一过渡层的厚度为3nm,在CuPd合金层上沉积第二过渡层的工艺具体为:采用射频磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氧气,氧气流量55sccm,溅射电压为250V,溅射功率为450W。在第二过渡层上沉积第二金属Ag层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氩气,氩气流量55sccm,溅射电压为90V,溅射功率为220W;在第二金属Ag层上沉积金属Au层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Au靶,溅射气氛为氩气,氩气流量55sccm,溅射电压为140V,溅射功率为190W。
对比例1
与实施例1不同之处在于:不在第一阻挡层上沉积第一过渡层,而是在第一阻挡层上沉积第一金属Ag层。
对比例2
与实施例1不同之处在于:不在第一金属Ag层上沉积CuPd合金层。
对比例3
与实施例1不同之处在于:不在CuPd合金层上沉积第二过渡层。
对比例4
与实施例1不同之处在于:不在第二过渡层上沉积第二金属Ag层。
对比例5
与实施例1不同之处在于:第一金属Ag层的厚度为10nm。
对比例6
与实施例1不同之处在于:第二金属Ag层的厚度为8nm。
对比例7
与实施例1不同之处在于:金属Au层的厚度为10nm。
对比例8
与实施例1不同之处在于:第一过渡层是金属CuOx层,第一过渡层的厚度为8nm,在第一阻挡层上沉积第一过渡层的工艺具体为:采用射频磁控溅射方法,溅射靶材为Cu靶,溅射气氛为氧气,氧气流量50sccm,溅射电压为150V,溅射功率为150W。
对比例9
与实施例1不同之处在于:在第一过渡层上沉积第一金属Ag层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氩气,氩气流量50sccm,溅射电压为250V,溅射功率为250W。
对比例10
与实施例1不同之处在于:在第一金属Ag层上沉积CuPd合金层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为CuPd合金靶,CuPd合金靶中Cu与Pd的原子比为1:2,溅射气氛为氩气,氩气流量50sccm,溅射电压为250V,溅射功率为250W。
对比例11
与实施例1不同之处在于:第二过渡层是金属AgOx层,第一过渡层的厚度为6nm,在CuPd合金层上沉积第二过渡层的工艺具体为:采用射频磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氧气,氧气流量50sccm,溅射电压为350V,溅射功率为200W。
对比例12
与实施例1不同之处在于:在第二过渡层上沉积第二金属Ag层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Ag靶,溅射气氛为氩气,氩气流量50sccm,溅射电压为150V,溅射功率为300W。
对比例13
与实施例1不同之处在于:在第二金属Ag层上沉积金属Au层的工艺具体为:采用直流磁控溅射方法,溅射靶材为Au靶,溅射气氛为氩气,氩气流量50sccm,溅射电压为200V,溅射功率为250W。
对实施例1-5以及对比例1-13测试辐射率与可见光透射率,结果见表1。
表1
前述对本发明的具体示例性实施方案的描述是为了说明和例证的目的。这些描述并非想将本发明限定为所公开的精确形式,并且很显然,根据上述教导,可以进行很多改变和变化。对示例性实施例进行选择和描述的目的在于解释本发明的特定原理及其实际应用,从而使得本领域的技术人员能够实现并利用本发明的各种不同的示例性实施方案以及各种不同的选择和改变。本发明的范围意在由权利要求书及其等同形式所限定。