CN108923245B - 一种微盘拉曼激光器及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种微盘拉曼激光器及其制作方法。其中，微盘拉曼激光器包括：在基板上涂布光刻胶；其中，所述基板包括半导体基底，所述半导体基底上形成有氧化物半导体层；将设置有圆形镂空图案的掩模版作为掩膜，对所述光刻胶进行光刻和显影，获取光刻胶圆盘；以所述光刻胶圆盘作为掩膜，对所述氧化物半导体层进行等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘；对所述氧化物半导体微盘上的所述光刻胶圆盘进行清洗；以所述氧化物半导体微盘作为掩模，刻蚀所述半导体基底，形成支撑所述氧化物半导体微盘的支撑柱。本发明实施例提供的技术方案，可解决现有微腔拉曼激光器刻蚀精度不高，重复性差的问题。

Description

一种微盘拉曼激光器及其制作方法

技术领域

本发明实施例涉及激光技术领域，尤其涉及一种微盘拉曼激光器及其制作方法。

背景技术

拉曼激光可通过一定频率的激光在光学微腔中发生一定方式和程度的共振形成。回音壁模式光学微腔是能够将光束缚在一定大小的空间与时间内的一种微小器件，由于它拥有较高的品质因子Q和较小的模式体积，因此可以大大减小受激辐射激光的功率的阈值，能够实现极低阈值的回音壁模式拉曼激光。拉曼激光器在光学平台中有很大的应用潜力，在光谱分析，激光传感，光学通讯，环境监测方面都有很重要的应用。

现有技术中，利用氧化硅微球腔实现了超低阈值的拉曼激光，阈值最小为62微瓦。其微球腔通过如下方法制作：利用二氧化碳激光器发射波长为10.6微米的激光照射标准通信光纤(SMF-28)的顶端。由于光纤由二氧化硅组成，对10.6微米的激光大量吸收，因此光纤顶端被激光加热融化，在表面张力的作用下形成氧化硅小球，也就是最终制备而成的氧化硅微球腔。但是，对于通过激光照射光纤端使其融化形成微球腔拉曼激光器的方法，光纤微球无法制作在硅片上。

为了解决光纤微球无法在片上集成的问题，现有技术也实现了利用片上集成的氧化硅微环芯腔形成超低阈值的拉曼激光，阈值最小在74微瓦。其微环芯腔通过如下方法制作：光刻：在硅片氧化硅层上旋涂光刻胶，随后以画有圆形的掩模版作为掩模，使用光刻机进行光刻，然后显影，这样在硅片氧化层上留下了一定厚度，一定直径的光刻胶微盘；氢氟酸(HF)刻蚀：以光刻胶微盘作为掩模，使用添加缓冲液的HF刻蚀氧化硅层，随后去除光刻胶掩模，硅片上留下了二氧化硅微盘；二氟化氙(XeF2)刻蚀：以二氧化硅微盘作为掩模，使用XeF2刻蚀硅片基底，形成硅支撑柱支撑二氧化硅微盘；回流：使用二氧化碳激光照射具有硅支撑柱的二氧化硅微盘，使微盘边缘融化向内收缩，形成微环芯结构。

但是，对于通过光刻技术和二氧化碳激光制备二氧化硅微环芯激光器的方法，其采用了氢氟酸刻蚀，无法掌握刻蚀速度，无法控制刻蚀精度，并且通过二氧化碳激光器照射进行回流时，重复性差，难以使微环芯腔完全一致，不利于片上集成。

发明内容

本发明提供一种微盘拉曼激光器及其制作方法，以解决现有微腔拉曼激光器刻蚀精度不高，重复性差的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种微盘拉曼激光器的制作方法，包括：

在基板上涂布光刻胶；其中，所述基板包括半导体基底，所述半导体基底上形成有氧化物半导体层；

将设置有圆形镂空图案的掩模版作为掩膜，对所述光刻胶进行光刻和显影，获取光刻胶圆盘；

以所述光刻胶圆盘作为掩膜，对所述氧化物半导体层进行等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘；

对所述氧化物半导体微盘上的所述光刻胶圆盘进行清洗；

以所述氧化物半导体微盘作为掩模，刻蚀所述半导体基底，形成支撑所述氧化物半导体微盘的支撑柱。

可选的，所述支撑柱与所述氧化物半导体微盘相接触的接触面的直径小于所述氧化物半导体微盘的直径。

可选的，所述半导体基底为硅基底，所述氧化半导体层为二氧化硅层。

可选的，以所述光刻胶圆盘作为掩膜，对所述氧化物半导体层进行等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘，包括：以所述光刻胶圆盘作为掩膜，对所述氧化物半导体层进行各方向刻蚀参数不同的电感耦合等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘；其中，所述氧化物半导体微盘的侧面与所述半导体基底所在平面存在倾斜角。

可选的，对所述氧化物半导体层进行各方向刻蚀参数不同的电感耦合等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘，包括：通过引流气体将反应气体输送至所述氧化物半导体层表面；通过射频源将所述反应气体电离成等离子体；所述等离子体对所述氧化物半导体层进行定向轰击，并与所述氧化物半导体层发生化学反应，获取氧化物半导体微盘。

可选的，所述反应气体包括下述气体中的至少一种：四氟化碳气体、六氟化硫气体、八氟环丁烷气体；所述引流气体为氦气。

可选的，微盘拉曼激光器的制作方法还包括：通过调节所述反应气体的配比控制氧化物半导体微盘的侧面与所述半导体基底所在平面的倾斜角，以及所述氧化物半导体微盘的表面光滑度；和/或，通过调节所述射频源的偏压功率控制氧化物半导体微盘的侧面与所述半导体基底所在平面的倾斜角，以及所述氧化物半导体微盘的表面光滑度。

可选的，所述在基板上涂布光刻胶之前，还包括：在基板上烘涂粘合剂。

第二方面，本发明实施例还提供了一种微盘拉曼激光器，由本发明人任意实施例提供的微盘拉曼激光器的制作方法制成，包括：

硅基底；

设置于所述半导体基底上的至少一个氧化物半导体微盘；

所述半导体基底与所述至少一个氧化物半导体微盘相接触的一侧形成有与所述至少一个氧化物半导体微盘一一对应的支撑柱。

可选的，所述支撑柱与所述氧化物半导体微盘相接触的接触面的直径小于所述氧化物半导体微盘的直径。

可选的，所述氧化物半导体微盘的侧面与所述半导体基底所在平面存在倾斜角。

本发明实施例提供的微盘拉曼激光器及其制作方法，首先在基板上涂布光刻胶，基板包括半导体基底和半导体基底上形成的氧化物半导体层，使用设置有圆形镂空图案的掩膜板作为掩膜，对光刻胶进行光刻，通过显影获取光刻胶圆盘，之后将光刻胶圆盘作为掩膜，对氧化物半导体层进行等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘，并对氧化物半导体微盘上的光刻胶圆盘进行清洗，最后将氧化物半导体微盘作为掩模，刻蚀半导体基底，形成支撑氧化物半导体微盘的支撑柱，得到微盘拉曼激光器。其中，对氧化物半导体层进行等离子体刻蚀可灵活控制刻蚀的速度，提高刻蚀精度，并且等离子体刻蚀的反应速度在各个方向不同，可对氧化物半导体微盘的倾角和光滑度进行控制，从而对氧化物半导体微盘的质量进行控制。此外，本实施例提供的微盘拉曼激光器的制作过程未使用二氧化碳激光进行照射，工艺重复性强，便于将氧化物半导体微盘进行片上集成。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种微盘拉曼激光器的制作方法的流程示意图；

图2是本发明实施例提供的在基板上涂布光刻胶的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的对光刻胶进行光刻和显影的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的对氧化物半导体层进行等离子体刻蚀的结构示意图；

图5是本发明实施例提供的对光刻胶圆盘进行清洗的结构示意图；

图6是本发明实施例提供的形成支撑氧化物半导体微盘的支撑柱的结构示意图；

图7是本发明实施例提供的形成支撑氧化物半导体微盘的支撑柱的结构示意图；

图8是本发明实施例提供的另一种微盘拉曼激光器的制作方法的流程示意图；

图9是本发明实施例提供的被测氧化物半导体微盘的模式曲线图；

图10是本发明实施例提供的被测氧化物半导体微盘产生的拉曼激光的光谱图；

图11是本发明实施例提供的被测氧化物半导体微盘产生的拉曼激光的功率与泵浦光的功率关系图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

本发明实施例提供一种微盘拉曼激光器的制作方法，参考图1，图1是本发明实施例提供的一种微盘拉曼激光器的制作方法的流程示意图，该微盘拉曼激光器的制作方法包括：

S101、在基板上涂布光刻胶；其中，基板包括半导体基底，半导体基底上形成有氧化物半导体层。

参考图2，图2是本发明实施例提供的在基板上涂布光刻胶的结构示意图。在制作微盘拉曼激光器时，以基板1为原料进行制作，基板1包括了两层结构：半导体基底12和半导体基底12上形成有氧化物半导体层11，氧化物半导体层11用于形成微盘拉曼激光器的微盘。可采用光刻机在在基板1上涂布光刻胶2，即在氧化物半导体层11上涂布光刻胶2。

可选的，半导体基底12可为硅基底，氧化半导体层11可为二氧化硅层。

可选的，在基板1上涂布光刻胶之前，微盘拉曼激光器的制作方法还包括：在基板1上烘涂粘合剂。即在氧化半导体层11上烘涂粘合剂，随后再涂布光刻胶2，以增强光刻胶2的黏附性。

S102、将设置有圆形镂空图案的掩模版作为掩膜，对光刻胶进行光刻和显影，获取光刻胶圆盘。

光刻胶2用于将掩膜版的掩膜图形转到氧化物半导体层12上，具体的，参考图3，图3是本发明实施例提供的对光刻胶进行光刻和显影的结构示意图，将设置有圆形镂空图案的掩模版作为掩膜，对光刻胶2进行光刻和显影，获取至少一个光刻胶圆盘21，至少一个光刻胶圆盘21即为掩模版的镂空图案。

S103、以光刻胶圆盘作为掩膜，对氧化物半导体层进行等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘。

参考图4，图4是本发明实施例提供的对氧化物半导体层进行等离子体刻蚀的结构示意图，以光刻胶圆盘21作为掩膜，对氧化物半导体层11进行等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘111，至此，掩模版的圆形镂空图案转移至氧化物半导体层11。氧化物半导体微盘111为与圆形镂空图案一致的圆形。激光的光波在轴对称的圆形微盘侧壁表面不断发生全反射，如果环形一周的光程正好是光波长的整数倍，就可以回到初始位置，使得光场叠加而得到增强，产生共振，光波被束缚在腔体内部形成回音壁模式，产生回音壁模式拉曼激光。示例性的，氧化物半导体微盘111为直径为80μm的圆形，厚度可达1～3μm。

等离子体刻蚀相对于氢氟酸刻蚀，可灵活控制反应速度，使得氧化物半导体微盘111的刻蚀精度变高。并且氢氟酸刻蚀工艺具有各向同性，即刻蚀速度在各个方向均相同，因此我们无法通过氢氟酸刻蚀工艺来细微调节氧化物半导体微盘111的斜面倾角等参数，限制了器件的多样性。而等离子体刻蚀具有各向异性，即反应速度在各个方向不同，可以灵活控制氧化物半导体微盘111的倾角，以及光滑程度。

S104、对氧化物半导体微盘上的光刻胶圆盘进行清洗。

本实施例中的光刻胶2在起到转移掩膜图形的作用的同时，在对氧化物半导体层11进行等离子体刻蚀时，也对氧化物半导体微盘111表面起到了保护作用。出于性质和工艺的考量，可选的，选择AZ6130光刻胶作为等离子体刻蚀的掩膜。

又因为光刻胶圆盘21与等离子体刻蚀的等离子体反应，性质发生改变，难以用常规试剂去除，可使用专用胶剂溶解光刻胶圆盘21，彻底清除光刻胶圆盘21。另外，也可以通过浓硫酸等其他胶剂溶解剂对光刻胶圆盘21进行清除。

可选的，除了通过溶液浸泡的方式对氧化物半导体微盘111上的光刻胶圆盘21进行清洗；还可以通过高温加热的方式或等离子轰击的方式对氧化物半导体微盘111上的光刻胶圆盘21进行清洗。

参考图5，图5是本发明实施例提供的对光刻胶圆盘进行清洗的结构示意图。将光刻胶圆盘21清洗掉后，仅剩余半导体基底12和半导体基底12上的氧化物半导体微盘111。

S105、以氧化物半导体微盘作为掩模，刻蚀半导体基底，形成支撑氧化物半导体微盘的支撑柱。

参考图6，图6是本发明实施例提供的形成支撑氧化物半导体微盘111的支撑柱的结构示意图。以氧化物半导体微盘111作为掩膜对半导体基底12进行刻蚀，使得半导体基底12靠近氧化物半导体微盘111的一侧形成支撑柱121，支撑柱121用于对氧化物半导体微盘111进行支撑。

可选的，可以氧化物半导体微盘111为掩膜，通过二氟化氙气体对半导体基底12进行刻蚀，形成支撑柱121。

本发明实施例提供的微盘拉曼激光器的制作方法，首先在基板上涂布光刻胶，基板包括半导体基底和半导体基底上形成的氧化物半导体层，使用设置有圆形镂空图案的掩膜板作为掩膜，对光刻胶进行光刻，通过显影获取光刻胶圆盘，之后将光刻胶圆盘作为掩膜，对氧化物半导体层进行等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘，并对氧化物半导体微盘上的光刻胶圆盘进行清洗，最后将氧化物半导体微盘作为掩模，刻蚀半导体基底，形成支撑氧化物半导体微盘的支撑柱，得到微盘拉曼激光器。其中，对氧化物半导体层进行等离子体刻蚀可灵活控制刻蚀的速度，提高刻蚀精度，并且等离子体刻蚀的反应速度在各个方向不同，可对氧化物半导体微盘的倾角和光滑度进行控制，从而对氧化物半导体微盘的质量进行控制。此外，本实施例提供的微盘拉曼激光器的制作过程未使用二氧化碳激光进行照射，工艺重复性强，便于将氧化物半导体微盘进行片上集成。

可选的，继续参考图6，支撑柱121与氧化物半导体微盘111相接触的接触面的直径A小于氧化物半导体微盘111的直径B，使得氧化物半导体微盘111的微盘边缘悬空，方便光纤锥耦合。本实施例提供的微盘拉曼激光器均使用光纤锥耦合技术实现拉曼激光，具体的，通过光纤锥将泵浦光耦合进微腔，并收集拉曼激光。

在上述实施例的基础上，以光刻胶圆盘21作为掩膜，对氧化物半导体层11进行等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘111，可包括：以光刻胶圆盘21作为掩膜，对氧化物半导体层11进行各方向刻蚀参数不同的电感耦合等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘111；其中，氧化物半导体微盘111的侧面与半导体基底所在平面存在倾斜角。参考图7，图7是本发明实施例提供的一种微盘拉曼激光器的结构示意图。因为等离子体刻蚀具有各向异性，即等离子体刻蚀刻蚀参数不同，则可灵活控制氧化物半导体微盘111的侧面与半导体基底所在平面存在倾斜角θ，称为氧化物半导体微盘111的倾角θ。氧化物半导体微盘111的倾角θ能影响微盘腔内光学模式体积的分布。根据电感耦合等离子体刻蚀的各向刻蚀参数不同，氧化物半导体微盘111形状可以为圆柱状，或者是带有倾角θ成圆台状。如图7所示，氧化物半导体微盘111设置有倾角，呈圆台状。示例性的，氧化物半导体微盘111的倾角θ为60度。

参考图8，图8是本发明实施例提供的另一种微盘拉曼激光器的制作方法的流程示意图，本实施例对电感耦合等离子体刻蚀的过程进行详述，具体的，该微盘拉曼激光器的制作方法，包括：

S801、在基板上涂布光刻胶；其中，基板包括半导体基底，半导体基底上形成有氧化物半导体层。

S802、将设置有圆形镂空图案的掩模版作为掩膜，对光刻胶进行光刻和显影，获取光刻胶圆盘。

S803、通过引流气体将反应气体输送至氧化物半导体层表面。

可选的，反应气体可以包括下述气体中的至少一种：四氟化碳气体、六氟化硫气体、八氟环丁烷气体；引流气体可以为氦气。

S804、通过射频源将反应气体电离成等离子体。

S805、等离子体对氧化物半导体层进行定向轰击，并与氧化物半导体层发生化学反应，获取氧化物半导体微盘。

示例性的，使用四氟化碳气体、六氟化硫气体、八氟环丁烷气体作为反应气体，使用氦气作为稳定等离子体的引流气体，在射频源的作用下，这些气体将被电离成等离子体，由于刻蚀具有各向异性，在射频源可调节的偏压功率作用下，可定向轰击氧化物半导体层11，并且这些反应气体产生的离子与氧化物半导体可发生化学反应，从而刻蚀氧化物半导体层11。

可选的，通过调节反应气体的配比控制氧化物半导体微盘111的侧面与半导体基底12所在平面的倾斜角θ，以及氧化物半导体微盘111的表面光滑度；和/或，通过调节射频源的偏压功率控制氧化物半导体微盘111的侧面与半导体基底12所在平面的倾斜角θ，以及氧化物半导体微盘111的表面光滑度。氧化物半导体微盘111的表面光滑度越高，微盘拉曼激光器品质越高，能量损耗越小。

S806、对氧化物半导体微盘上的光刻胶圆盘进行清洗。

S807、以氧化物半导体微盘作为掩模，刻蚀半导体基底，形成支撑氧化物半导体微盘的支撑柱。

本发明实施例还提供了一种微盘拉曼激光器，采用本发明任意实施例提供的微盘拉曼激光器的制作方法制成，继续参考图7，微盘拉曼激光器包括：

硅基底12；

设置于半导体基底12上的至少一个氧化物半导体微盘111；

半导体基底12与至少一个氧化物半导体微盘111相接触的一侧形成有与至少一个氧化物半导体微盘111一一对应的支撑柱121。

本发明实施例提供的微盘拉曼激光器，首先在基板上涂布光刻胶，基板包括半导体基底和半导体基底上形成的氧化物半导体层，使用设置有圆形镂空图案的掩膜板作为掩膜，对光刻胶进行光刻，通过显影获取光刻胶圆盘，之后将光刻胶圆盘作为掩膜，对氧化物半导体层进行等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘，并对氧化物半导体微盘上的光刻胶圆盘进行清洗，最后将氧化物半导体微盘作为掩模，刻蚀半导体基底，形成支撑氧化物半导体微盘的支撑柱，得到微盘拉曼激光器。其中，对氧化物半导体层进行等离子体刻蚀可灵活控制刻蚀的速度，提高刻蚀精度，并且等离子体刻蚀的反应速度在各个方向不同，可对氧化物半导体微盘的倾角和光滑度进行控制，从而对氧化物半导体微盘的质量进行控制。此外，本实施例提供的微盘拉曼激光器的制作过程未使用二氧化碳激光进行照射，工艺重复性强，便于将氧化物半导体微盘进行片上集成。

示例性的，可通过光纤锥耦合技术测量氧化物半导体微盘111的品质因子，并进一步得到拉曼激光。测量显示，用等离子体刻蚀方法制作的微盘拉曼激光器可以获得高品质因子模式，同时利用高品质因子模式可以得到低阈值的拉曼激光。例如，被测氧化物半导体微盘111直径80μm，厚度2μm，倾角θ为60度，测量结果如图9、图10和图11所示。图9是本发明实施例提供的被测氧化物半导体微盘的模式曲线图，由图9可知被测氧化物半导体微盘111品质因子为1.5*10⁷。图10是本发明实施例提供的被测氧化物半导体微盘产生的拉曼激光的光谱图，由图10可知，波长为1550nm的激光产生了波长1670nm的拉曼激光。图11是本发明实施例提供的被测氧化物半导体微盘产生的拉曼激光的功率与泵浦光的功率关系图，由图11可知，被测氧化物半导体微盘产生的拉曼激光阈值为3.9mW，说明本实施例提供的微盘拉曼激光器能够产生效果较好的低阈值拉曼激光。

可选的，继续参考图7，支撑柱121与氧化物半导体微盘111相接触的接触面的直径A小于氧化物半导体微盘的直径B。

可选的，氧化物半导体微盘111的侧面与半导体基底所在平面存在倾斜角θ。示例性的，氧化物半导体微盘111为圆台形。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (8)

1.一种微盘拉曼激光器的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上涂布光刻胶；其中，所述基板包括半导体基底，所述半导体基底上形成有氧化物半导体层；

将设置有圆形镂空图案的掩模版作为掩膜，对所述光刻胶进行光刻和显影，获取光刻胶圆盘；

以所述光刻胶圆盘作为掩膜，对所述氧化物半导体层进行各方向刻蚀参数不同的电感耦合等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘；其中，所述氧化物半导体微盘的侧面与所述半导体基底所在平面存在倾斜角；

对所述氧化物半导体微盘上的所述光刻胶圆盘进行清洗；

以所述氧化物半导体微盘作为掩模，刻蚀所述半导体基底，形成支撑所述氧化物半导体微盘的支撑柱；

所述微盘拉曼激光器的制作方法还包括：

通过调节所述电感耦合等离子体刻蚀中的反应气体的配比控制氧化物半导体微盘的侧面与所述半导体基底所在平面的倾斜角，以及所述氧化物半导体微盘的表面光滑度；和/或，

通过调节所述电感耦合等离子体刻蚀中的射频源的偏压功率控制氧化物半导体微盘的侧面与所述半导体基底所在平面的倾斜角，以及所述氧化物半导体微盘的表面光滑度。

2.根据权利要求1所述的微盘拉曼激光器的制作方法，其特征在于：

所述支撑柱与所述氧化物半导体微盘相接触的接触面的直径小于所述氧化物半导体微盘的直径。

3.根据权利要求1所述的微盘拉曼激光器的制作方法，其特征在于：

所述半导体基底为硅基底，所述氧化物半导体层为二氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的微盘拉曼激光器的制作方法，其特征在于，对所述氧化物半导体层进行各方向刻蚀参数不同的电感耦合等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘，包括：

通过引流气体将反应气体输送至所述氧化物半导体层表面；

通过射频源将所述反应气体电离成等离子体；

所述等离子体对所述氧化物半导体层进行定向轰击，并与所述氧化物半导体层发生化学反应，获取氧化物半导体微盘。

5.根据权利要求4所述的微盘拉曼激光器的制作方法，其特征在于，所述反应气体包括下述气体中的至少一种：四氟化碳气体、六氟化硫气体、八氟环丁烷气体；

所述引流气体为氦气。

6.根据权利要求1所述的微盘拉曼激光器的制作方法，其特征在于，所述在基板上涂布光刻胶之前，还包括：

在基板上烘涂粘合剂。

7.一种微盘拉曼激光器，其特征在于，由上述权利要求1-6任一项所述的微盘拉曼激光器的制作方法制成，包括：半导体基底，所述半导体基底为硅基底；

设置于所述半导体基底上的至少一个氧化物半导体微盘；所述氧化物半导体微盘的侧面与所述半导体基底所在平面存在倾斜角；

所述半导体基底与所述至少一个氧化物半导体微盘相接触的一侧形成有与所述至少一个氧化物半导体微盘一一对应的支撑柱。

8.根据权利要求7所述的微盘拉曼激光器，其特征在于：

所述支撑柱与所述氧化物半导体微盘相接触的接触面的直径小于所述氧化物半导体微盘的直径。

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