CN108919577A - 一种超低功耗薄膜晶体管显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种超低功耗薄膜晶体管显示面板,解决的是像素驱动时保持时间短的技术问题,通过采用包括多个Gate扫描线和多根Source数据线,相邻的Gate扫描线及每根Source数据线之间设置有用于像素驱动的像素充放电电路;像素充放电电路包括至少2个P‑MOS管的技术方案,较好的解决了该问题,可用于超低功耗产品中。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板领域,具体涉及一种超低功耗薄膜晶体管显示面板。
背景技术
薄膜晶体管Thin Film Transistor ,即TFT。TFT式显示屏是各类笔记本电脑和台式机上的主流显示设备,该类显示屏上的每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动,因此TFT式显示屏也是一类有源矩阵液晶显示设备。是最好的LCD彩色显示器之一,TFT式显示器具有高响应度、高亮度、高对比度等优点,其显示效果接近CRT式显示器。
现有的超低功耗薄膜晶体管显示面板采用的是N-MOS管作为像素驱动的充放电电路的驱动管,存在像素驱动时保持时间短的问题。因此,提供一种像素驱动能力稳定、时间长的超低功耗薄膜晶体管显示面板就很有必要。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是现有技术中存在的像素驱动时保持时间短的技术问题。提供一种新的超低功耗薄膜晶体管显示面板,该超低功耗薄膜晶体管显示面板具有像素驱动能力稳定、保持强的特点。
为解决上述技术问题,采用的技术方案如下:
一种超低功耗薄膜晶体管显示面板,所述超低功耗薄膜晶体管显示面板包括多个Gate扫描线和多根Source数据线,相邻的Gate扫描线及每根Source数据线之间设置有用于像素驱动的像素充放电电路;像素充放电电路包括至少2个P-MOS管。
上述方案中,为优化,进一步地,P-MOS管为3个。
进一步地,所述像素充放电电路包括与第零Gate扫描线连接的P-MOS管M1,P-MOS管M1的栅极连接第零Gate扫描线,源极连接P-MOS管M2的漏极,P-MOS管M2的源极连接P-MOS管M3的漏极,P-MOS管M3的源极连接到第零Source数据线;P-MOS管M2的栅极与P-MOS管M3的栅极均连接到第一Gate扫描线;所述P-MOS管M1的漏极连接有电容C1,电容C1另一端连接公共电压端VCOM;P-MOS管M1漏极与电容C1的公共连接点作为像素驱动信号输出端。
进一步地,所述电容C1并联有电容C2。
进一步地,所述电容C1与电容C2的相同。
进一步地,所述P-MOS管是NCE30P50G。
本发明的有益效果:本发明将像素驱动由N-MOS管优化为P-MOS管,外部供VGL电压可以打开TFT使得像素电容处于充电状态;外供VGH电压,TFT关断,像素处于显示保持状态,保持状态稳定。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1,实施例1中的由2个P-MOS管组成的像素驱动电路示意图。
图2,实施例1中的由2个P-MOS管组成的像素驱动电路示意图。
图3,实施例1中像素驱动电路的驱动信号示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例1
本实施例提供一种超低功耗薄膜晶体管显示面板,所述超低功耗薄膜晶体管显示面板包括多个Gate扫描线和多根Source数据线,相邻的Gate扫描线及每根Source数据线之间设置有用于像素驱动的像素充放电电路;如图1,像素充放电电路包括2个P-MOS管。像素充放电电路包括与第零Gate扫描线GO连接的P-MOS管M1,P-MOS管M1的栅极连接第零Gate扫描线GO,源极连接P-MOS管M2的漏极,P-MOS管M2的源极连接到第零Source数据线S0;P-MOS管M2的栅极连接到第一Gate扫描线G1;所述P-MOS管M1的漏极连接有电容C1,电容C1另一端连接公共电压端VCOM;P-MOS管M1漏极与电容C1的公共连接点作为像素驱动信号输出端OUT。
本实施例主要描述了像素驱动电路,对于显示面板的其余单元部件均可采用现有的技术,本实施例不再进行描述。
其中,P-MOS管是NCE30P50G。NCE30P50G具有较小的内阻,在使用过程中的耗能较小。
优选地,P-MOS管数量为3个。如图2,本实施例的像素充放电电路包括与第零Gate扫描线GO连接的P-MOS管M1,P-MOS管M1的栅极连接第零Gate扫描线GO,源极连接P-MOS管M2的漏极,P-MOS管M2的源极连接P-MOS管M3的漏极,P-MOS管M3的源极连接到第零Source数据线S0;P-MOS管M2的栅极与P-MOS管M3的栅极均连接到第一Gate扫描线G1;所述P-MOS管M1的漏极连接有电容C1,电容C1另一端连接公共电压端VCOM;P-MOS管M1漏极与电容C1的公共连接点作为像素驱动信号输出端OUT。
本实施例像素驱动电路的信号示意图如图3。将VGL表征为0,VGL表征为1.当G0和G1的电压同时是0时,M1,M2,M3处于开通状态。Source数据线对应的像素充电。除此之外的其余时间,像素处于保持状态。
为了提高电容功率容量,优选地,所述电容C1并联有电容C2。
为了方便电容值计算,优选地,电容C1与电容C2的相同。
多个电容并联,能够在电容值和一个电容相同的情况下,功率容量增大。
尽管上面对本发明说明性的具体实施方式进行了描述,以便于本技术领域的技术人员能够理解本发明,但是本发明不仅限于具体实施方式的范围,对本技术领域的普通技术人员而言,只要各种变化只要在所附的权利要求限定和确定的本发明精神和范围内,一切利用本发明构思的发明创造均在保护之列。
Claims (6)
1.一种超低功耗薄膜晶体管显示面板,其特征在于:所述超低功耗薄膜晶体管显示面板包括多个Gate扫描线和多根Source数据线,相邻的Gate扫描线及每根Source数据线之间设置有用于像素驱动的像素充放电电路;像素充放电电路包括至少2个P-MOS管。
2.根据权利要求1所述的超低功耗薄膜晶体管显示面板,其特征在于:所述P-MOS管数量为3个。
3.根据权利要求2所述的超低功耗薄膜晶体管显示面板,其特征在于:所述像素充放电电路包括与第零Gate扫描线连接的P-MOS管M1,P-MOS管M1的栅极连接第零Gate扫描线,源极连接P-MOS管M2的漏极,P-MOS管M2的源极连接P-MOS管M3的漏极,P-MOS管M3的源极连接到第零Source数据线;
P-MOS管M2的栅极与P-MOS管M3的栅极均连接到第一Gate扫描线;所述P-MOS管M1的漏极连接有电容C1,电容C1另一端连接公共电压端VCOM;P-MOS管M1漏极与电容C1的公共连接点作为像素驱动信号输出端。
4.根据权利要求3所述的超低功耗薄膜晶体管显示面板,其特征在于:所述电容C1并联有电容C2。
5.根据权利要求3所述的超低功耗薄膜晶体管显示面板,其特征在于:所述电容C1与电容C2的相同。
6.根据权利要求3所述的超低功耗薄膜晶体管显示面板,其特征在于:所述P-MOS管是NCE30P50G。
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