CN108900087A - 一种供电电路 - Google Patents

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    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
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    • H02M3/158—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load

Abstract

本申请公开了一种供电电路，包括：第一电源、第二电源、第三电源；第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一电阻和第二电阻；第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管均为N沟道MOS管；第一MOS管的栅极为控制电路的输入端；第三MOS管的源极为供电电路的输出端；或者，第四MOS管的源极为供电电路的输出端。

Description

一种供电电路
技术领域
本申请涉及电子领域，特别是涉及一种供电电路。
背景技术
M.2接口，是因特尔(英文：Intel)公司推出的一种新型接口规范。M.3接口是三星(英文：SAMSUNG)公司推出的用于取代M.2的下一代接口规范。
M.3与M.2接口的机械尺寸和关键信号引脚(英文：pin)排布是一致的，即M.3接口可同时兼容支持M.2接口规范的固态硬盘(Solid State Drives，SSD)和支持M.3接口规范SSD。
但是支持M.2接口规范的SSD的系统管理总线(System Management Bus，SMBus)的工作电压，与支持M.3接口规范的SSD的SMBus工作电压存在区别。支持M.2接口规范的SSD的SMBus总线工作电压为1.8V，支持M.3接口规范的SSD的SMBus总线工作电压为3.3V，因此，供电系统需要根据SSD型号的不同采用不同的供电电压。
目前，可以在1.8V供电电路和3.3V供电电路中分别串入一颗eFuse芯片，通过控制eFuse芯片的通断来给SSD提供相应的电压。
但是，eFuse芯片的成本比较高，造成整个供电电路的成本比较高。
发明内容
本申请所要解决的技术问题是根据SSD型号的不同采用不同的供电电压的供电电路成本比较高，提供一种供电电路。
本申请实施例提供了一种供电电路，包括：第一电源、第二电源、第三电源；第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一电阻和第二电阻；
所述第一MOS管的源极接地，所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的源极相连；所述第一MOS管的漏极与所述第一电阻的第一端相连；所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的栅极相连；所述第一MOS管的漏极与所述第三MOS管的栅极相连；
所述第一电阻的第二端与所述第一电源相连；所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端相连；
所述第二电阻的第二端与所述第二MOS管的漏极相连；所述第二电阻的第二端与所述第四MOS管的栅极相连；
所述第二MOS管的漏极与所述第四MOS管的栅极相连；
所述第三MOS管的漏极与所述第二电源相连；
所述第四MOS管的漏极与所述第三电源相连；
所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的源极相连；
所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管均为N沟道MOS管；
所述第一MOS管的栅极为所述控制电路的输入端；
所述第三MOS管的源极为所述供电电路的输出端；或者，所述第四MOS管的源极为所述供电电路的输出端。
可选的，所述第一电源为直流电源，所述第二电源为直流电源，所述第三电源为直流电源。
可选的，所述第一电源的电压为12V；所述第二电源的电压为1.8V；所述第三电源的电压为3.3V。
与现有技术相比，本申请实施例具有以下优点：
本申请实施例提供的供电电路，包括：第一电源、第二电源、第三电源；第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一电阻和第二电阻；所述第一MOS管的源极接地，所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的源极相连；所述第一MOS管的漏极与所述第一电阻的第一端相连；所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的栅极相连；所述第一MOS管的漏极与所述第三MOS管的栅极相连；所述第一电阻的第二端与所述第一电源相连；所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端相连；所述第二电阻的第二端与所述第二MOS管的漏极相连；所述第二电阻的第二端与所述第四MOS管的栅极相连；所述第二MOS管的漏极与所述第四MOS管的栅极相连；所述第三MOS管的漏极与所述第二电源相连；所述第四MOS管的漏极与所述第三电源相连；所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的源极相连；所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管均为N沟道MOS管；所述第一MOS管的栅极为所述控制电路的输入端；所述第三MOS管的源极为所述供电电路的输出端；或者，所述第四MOS管的源极为所述供电电路的输出端。以上供电电路，无论输入端输入电平是高电平还是低电平，第三MOS管的栅极电平和第四MOS管的栅极电平相反，即若第三MOS管的栅极电平为高电平，则第四MOS管的栅极电平为低电平，若第三MOS管的栅极电平为低电平，则第四MOS管的栅极电平为高电平，即同一时刻第三MOS管和第四MOS管只有一个MOS管能导通，若第三MOS管能导通，则输出端电压为第二电源的电压，若第四MOS管能导通，则输出端电压为第三电源的电压。可以理解的是，若所述第二电源的电压为1.8V；所述第三电源的电压为3.3V；则若第三MOS管能导通，则输出端电压为1.8V，为支持M.2接口规范的SSD的SMBus总线工作电压；若第四MOS管能导通，则输出端电压为3.3V，为支持M.3接口规范的SSD的SMBus总线工作电压。由于MOS管的成本比较低，本申请实施例提供的供电电路，成本低，解决了现有技术中由于eFuse芯片的成本比较高导致供电电路的成本比较高的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一个供电电路的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的发明人经过研究发现，现有技术中，M.3接口可同时兼容支持M.2接口规范的固态硬盘(Solid State Drives，SSD)和支持M.3接口规范SSD。
但是支持M.2接口规范的SSD的系统管理总线(System Management Bus，SMBus)的工作电压，与支持M.3接口规范的SSD的SMBus工作电压存在区别。支持M.2接口规范的SSD的SMBus总线工作电压为1.8V，支持M.3接口规范的SSD的SMBus总线工作电压为3.3V，因此，供电系统需要根据SSD型号的不同采用不同的供电电压。
目前，可以在1.8V供电电路和3.3V供电电路中分别串入一颗eFuse芯片，通过控制eFuse芯片的通断来给SSD提供相应的电压。
但是，eFuse芯片的成本比较高，造成整个供电电路的成本比较高。
为了解决上述问题，本申请实施例提供的供电电路，包括：第一电源、第二电源、第三电源；第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一电阻和第二电阻；所述第一MOS管的源极接地，所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的源极相连；所述第一MOS管的漏极与所述第一电阻的第一端相连；所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的栅极相连；所述第一MOS管的漏极与所述第三MOS管的栅极相连；所述第一电阻的第二端与所述第一电源相连；所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端相连；所述第二电阻的第二端与所述第二MOS管的漏极相连；所述第二电阻的第二端与所述第四MOS管的栅极相连；所述第二MOS管的漏极与所述第四MOS管的栅极相连；所述第三MOS管的漏极与所述第二电源相连；所述第四MOS管的漏极与所述第三电源相连；所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的源极相连；所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管均为N沟道MOS管；所述第一MOS管的栅极为所述控制电路的输入端；所述第三MOS管的源极为所述供电电路的输出端；或者，所述第四MOS管的源极为所述供电电路的输出端。以上供电电路，无论输入端输入电平是高电平还是低电平，第三MOS管的栅极电平和第四MOS管的栅极电平相反，即若第三MOS管的栅极电平为高电平，则第四MOS管的栅极电平为低电平，若第三MOS管的栅极电平为低电平，则第四MOS管的栅极电平为高电平，即同一时刻第三MOS管和第四MOS管只有一个MOS管能导通，若第三MOS管能导通，则输出端电压为第二电源的电压，若第四MOS管能导通，则输出端电压为第三电源的电压。可以理解的是，若所述第二电源的电压为1.8V；所述第三电源的电压为3.3V；则若第三MOS管能导通，则输出端电压为1.8V，为支持M.2接口规范的SSD的SMBus总线工作电压；若第四MOS管能导通，则输出端电压为3.3V，为支持M.3接口规范的SSD的SMBus总线工作电压。由于MOS管的成本比较低，本申请实施例提供的供电电路，成本低，解决了现有技术中由于eFuse芯片的成本比较高导致供电电路的成本比较高的问题。
下面结合附图，详细说明本申请的各种非限制性实施方式。
参见图1，该图为本申请实施例提供的一种供电电路的结构示意图。
本申请实施例提供的供电电路，包括第一电源Power1、第二电源Power2、第三电源Power3；第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第一电阻R1和第二电阻R2。
所述第一MOS管Q1的源极接地GND，所述第一MOS管Q1的源极与所述第二MOS管Q2的源极相连；所述第一MOS管Q1的漏极与所述第一电阻R1的第一端相连；所述第一MOS管Q1的漏极与所述第二MOS管Q2的栅极相连；所述第一MOS管Q1的漏极与所述第三MOS管Q3的栅极相连；
所述第一电阻R1的第二端与所述第一电源Power1相连；所述第一电阻R1的第二端与所述第二电阻R2的第一端相连；
所述第二电阻R2的第二端与所述第二MOS管Q2的漏极相连；所述第二电阻R2的第二端与所述第四MOS管Q4的栅极相连；
所述第二MOS管Q2的漏极与所述第四MOS管Q4的栅极相连；
所述第三MOS管Q3的漏极与所述第二电源Power2相连；
所述第四MOS管Q4的漏极与所述第三电源Power3相连；
所述第三MOS管Q3的源极与所述第四MOS管Q4的源极相连；
所述第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4均为N沟道MOS管(即NMOS)；
所述第一MOS管Q1的栅极为所述控制电路的输入端；
所述第三MOS管Q3的源极为所述供电电路的输出端；或者，所述第四MOS管Q4的源极为所述供电电路的输出端。
需要说明的是，在本申请实施例的一种是实现方式中，所述第一电源Power1、第二电源Power2和第三电源Power3均为直流电源。
需要说明的是，在本申请实施例的一种可能的实现方式中，所述第一电源的电压为12V；所述第二电源的电压为1.8V；所述第三电源的电压为3.3V。
根据NMOS的导通条件可知，本申请实施例提供的供电电路，当输入端的控制信号为高电平时，第一MOS管Q1导通，A点电压为低，第二MOS管Q2和第三MOS管Q3都处于截止状态。那么此时B点电压为高，第四MOS管Q4导通，此时第四MOS管Q4的源级电压即第三电源Power3的电压为控制电路的输出电压，同时由于第三MOS管Q3截止，第三电源Power3的电压不会漏电到第三MOS管Q3所在的电路中。
当输入的控制信号为低电平时，第一MOS管Q1截止，A点电压为高，第二MOS管Q2和第三MOS管Q3导通，B点电压为低，第四MOS管Q4截止，此时第三MOS管Q3的源级电压即第二电源Power2的电压为控制电路的输出电压，同时由于第四MOS管Q4截止，第二电源Power2的电压不会漏电到第四MOS管Q4所在的电路中。
由此可见，无论输入端输入电平是高电平还是低电平，第三MOS管的栅极电平(即A电电平)和第四MOS管的栅极电平(即B电电平)相反，即若第三MOS管的栅极电平为高电平，则第四MOS管的栅极电平为低电平，若第三MOS管的栅极电平为低电平，则第四MOS管的栅极电平为高电平，即同一时刻第三MOS管和第四MOS管只有一个MOS管能导通，若第三MOS管能导通，则输出端电压为第二电源的电压，若第四MOS管能导通，则输出端电压为第三电源的电压。
可以理解的是，若所述第二电源的电压为1.8V；所述第三电源的电压为3.3V；则若第三MOS管能导通，则输出端电压为1.8V，为支持M.2接口规范的SSD的SMBus总线工作电压；若第四MOS管能导通，则输出端电压为3.3V，为支持M.3接口规范的SSD的SMBus总线工作电压。由于MOS管的成本比较低，本申请实施例提供的供电电路，成本低，解决了现有技术中由于eFuse芯片的成本比较高导致供电电路的成本比较高的问题。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制
以上所述仅为本申请的较佳实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种供电电路，其特征在于，包括：第一电源、第二电源、第三电源；第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一电阻和第二电阻；
所述第一MOS管的源极接地，所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的源极相连；所述第一MOS管的漏极与所述第一电阻的第一端相连；所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的栅极相连；所述第一MOS管的漏极与所述第三MOS管的栅极相连；
所述第一电阻的第二端与所述第一电源相连；所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端相连；
所述第二电阻的第二端与所述第二MOS管的漏极相连；所述第二电阻的第二端与所述第四MOS管的栅极相连；
所述第二MOS管的漏极与所述第四MOS管的栅极相连；
所述第三MOS管的漏极与所述第二电源相连；
所述第四MOS管的漏极与所述第三电源相连；
所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的源极相连；
所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管均为N沟道MOS管；
所述第一MOS管的栅极为所述控制电路的输入端；
所述第三MOS管的源极为所述供电电路的输出端；或者，所述第四MOS管的源极为所述供电电路的输出端。
2.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述第一电源为直流电源，所述第二电源为直流电源，所述第三电源为直流电源。
3.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述第一电源的电压为12V；所述第二电源的电压为1.8V；所述第三电源的电压为3.3V。
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