CN108880397B - 一种电机驱动电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电机驱动电路，包括：栅极驱动模块和MOSFET半桥模块，栅极驱动模块和MOSFET半桥模块采用厚膜封装技术进行封装，其中：栅极驱动模块，用于根据输入控制信号输出对应的驱动信号给MOSFET半桥模块；MOSFET半桥模块，包括两个或多个MOSFET，MOSFET按照驱动信号通断，以控制电机的运转。本发明公开的电机驱动电路，可在高温(比如175度)高压下实现对电机的驱动，实现高温(比如175度)高压井的作业需求。

Description

一种电机驱动电路

技术领域

本发明涉及石油勘探领域，尤指一种电机驱动电路。

背景技术

地层测试器和井壁取芯器是石油勘探领域非常重要的测井仪器，该类仪器中都使用直流无刷电机为整支仪器提供液压动力，来保证仪器全部功能的实现，所以电机驱动的可靠性是仪器设计的关键技术。特别是井下高温环境和高电压大电流的应用，使电机驱动部分的设计更加困难，很难满足175度的测井需求，从而不能满足某些高温井的作业需求。因此，针对日益增加的高温井的测井需求，开发高温(比如175度)高压下的电机驱动技术尤为急迫和必须。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种电机驱动电路，可在高温(比如175度)高压下实现对电机的驱动，实现高温(比如175度)高压井的作业需求。

为了达到本发明目的，本发明提供了一种电机驱动电路，包括：栅极驱动模块和MOSFET半桥模块，所述栅极驱动模块和所述金属氧化物半导体场效应管MOSFET半桥模块采用厚膜封装技术进行封装，且外壳采用金属全密封双列封装，可实现耐高压1200VDC、耐流28A和耐环境温度175度的高温需求，其中：

所述栅极驱动模块，用于根据输入控制信号输出对应的驱动信号给所述金属氧化物半导体场效应管MOSFET半桥模块；

所述金属氧化物半导体场效应管MOSFET半桥模块为三相SiC-MOSFET半桥模块，包括六个SiC-MOSFET，所述SiC-MOSFET按照所述驱动信号通断，以控制电机的运转；

所述栅极驱动模块为自举集成的驱动芯片，采用三相半桥自举集成芯片裸芯，闩锁抗干扰CMOS制造工艺，内部具有电荷泵和死区时间设置；

所述自举集成的驱动芯片包括：驱动裸芯、自举集成电路和栅极电阻；

其中，所述栅极电阻的一端与驱动裸芯的管脚SD连接，另一端与所述驱动裸芯的管脚VSS连接并接地；其中，每两个SiC-MOSFET组为一个半桥，分为半桥的高端和低端；每一个半桥中，高端SiC-MOSFET的漏极D接高压直流电源，高端SiC-MOSFET的源极S和低端SiC-MOSFET的源极S相连，且该源极S相连端分别与待驱动电机的一个绕组和驱动裸芯的一个电压输出管脚连接，以使驱动裸芯电压输出管脚的输出电压加载到该源极S相连端；

所述自举集成电路包括：N组电路，N与每两个SiC-MOSFET组成的半桥数量相同，每一组电路包括二极管和自举电容，所述二极管的正极与所述驱动裸芯的电源端连接，所述二极管的负极与所述自举电容的一端连接，并连接到驱动裸芯除了输出驱动信号的管脚和电压输出管脚以外的不同输出管脚上；所述自举电容的另一端与所述驱动裸芯的一个电压输出管脚连通；

所有SiC-MOSFET的栅极G分别与所述驱动裸芯的不同驱动管脚连通，以使所述驱动裸芯同时驱动多组半桥。

本发明实施例提供的电机驱动电路，栅极驱动模块和MOSFET半桥模块采用厚膜封装技术进行封装，采用厚膜封装技术的电机驱动电路，其工作温度范围宽、工作电压范围宽，且体积小，可在高温(比如175度)高压下实现对电机(比如直流无刷电机)的驱动，实现高温(比如175度)高压井的作业需求，解决了现有地层测试器175度指标在电机驱动方面的限制，使地层测试器能够完成高温井的测试需求。且采用厚膜封装技术的电机驱动电路，具备体积小、功率大和可靠性高等优点。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。

图1为本发明实施例一提供的电机驱动电路的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的栅极驱动模块的电路原理图；

图3为本发明实施例提供的MOSFET半桥模块的电路原理图；

图4为本发明实施例二提供的电机驱动电路的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的电机驱动电路的应用示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

现有电机驱动电路采用筛选过得150度的MOSFET等器件设计而成，体积庞大，仪器布线复杂，增加了仪器的长度，温度指标达不到175度长时间满负载的作业需求，查找问题困难，维修仪器不方便，且要求专业性和经验性很强，致使仪器出问题后维护难度大，对维修人员技术水平和经验水平要求高，维修时间与结果受人为因素影响较大，给仪器的整体维护带来困难。

本发明实施例提供的电机驱动电路，具有以下有益效果：1、实现了175度三相SiC-MOSFET半桥电机等电机驱动电路的高温指标，解决了现有地层测试仪器175度指标在电机驱动方面的限制，使仪器能够完成高温井的测试需求。2、实现了电机驱动电路的模块化、集成化、小型化，使仪器的长度有所减小，布线更加简单；原有驱动电路布线复杂，占用空间大。3、实现了地层测试器仪器测试维修的简洁便利；原有电路复杂，调试维修时对人员要求专业性和经验性高，极为依赖测试维修人员的技术水平。4、提高了电机驱动电路的可靠性；原有电路由于温度指标低，采用冗余设计，布线繁琐，增加了很多不可靠因素。

图1为本发明实施例一提供的电机驱动电路的结构示意图，如图1所示，本发明实施例提供的电机驱动电路，可以应用于直流无数电机，包括：栅极驱动模块11和金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET)半桥模块12。

具体的，栅极驱动模块11和MOSFET半桥模块12连接，栅极驱动模块11和MOSFET半桥模块12采用厚膜封装技术进行封装。

本实施例中，采用厚膜封装技术的电机驱动电路，其工作温度范围宽、工作电压范围宽，且体积小可在高温(比如175度)高压下实现对电机(比如直流无刷电机)的驱动，实现高温(比如175度)高压井的作业需求。且采用厚膜封装技术的电机驱动电路，具备体积小、功率大和可靠性高等优点。

需要说明的是，本实施例所涉及的厚膜封装技术的实现原理与现有技术相同，本实施例在此不进行赘述。

栅极驱动模块11，用于根据输入控制信号输出对应的驱动信号给MOSFET半桥模块12。

本实施例中，栅极驱动模块11接收外部控制模块对电机的输入控制信号，根据接收的输入控制信号输出对应的驱动信号。其中，外部控制模块可以是地层测试器或井壁取芯器等测井仪器的主控制器。输入控制信号可以是控制直流无刷电机的转向、起停和给定转速(预设转速)等电机控制命令的逻辑信号。

需要说明的是，地层测试器和井壁取芯器均是通过电缆下放到井中的测试设备，在测试过程中，可以在地面连续记录到试验地层的各种数据。

MOSFET半桥模块12，包括两个或多个MOSFET，两个或多个MOSFET按照驱动信号通断，以控制电机的运转。

可选的，MOSFET按照所述驱动信号通断，以控制电机的运转包括：MOSFET按照驱动信号交替通断，以使电源直流电压交替的加到待驱动的电机的绕组上，完成电机的驱动。

其中，半桥指的是两个MOSFET以图腾柱的形式相连接，以中间点作为输出，提供方波信号。

本实施例中，栅极驱动模块11，根据输入的逻辑控制信号输出对应的驱动信号到MOSFET半桥模块，用来控制MOSFET半桥模块中MOSFET功率管的导通和截止，当MOSFET导通时，高压直流DC电源电压就会由MOSFET的漏极导通到源极上，MOSFET源极接电机的三相绕组。这样，MOSFET的按照控制驱动信号的节拍交替通断，使电源直流电压交替的加到电机的三相绕组上，来完成电机的驱动，使电机平稳规律的运行。

可选的，栅极驱动模块11可以为三相半桥栅极驱动模块，MOSFET半桥模块12可以为三相SIC-MOSFE半桥模块。三相半桥栅极驱动模块的输入端输入有六路逻辑控制信号，三相半桥栅极驱动模块根据输入的六路逻辑控制信号，可输出对应的三对独立驱动三相SIC-MOSFE的半桥驱动信号。

本发明实施例提供的电机驱动电路，栅极驱动模块11和MOSFET半桥模块12采用厚膜封装技术进行封装，采用厚膜封装技术的电机驱动电路，其工作温度范围宽、工作电压范围宽，且体积小，可在高温(比如175度)高压下实现对电机(比如直流无刷电机)的驱动，实现高温(比如175度)高压井的作业需求，解决了现有地层测试器175度指标在电机驱动方面的限制，使地层测试器能够完成高温井的测试需求。且采用厚膜封装技术的电机驱动电路，具备体积小、功率大和可靠性高等优点。

进一步地，在上述实施例中，电机驱动电路的外壳采用金属全密封双列封装。采用厚膜封装技术封装后的电机驱动电路，其外壳采用金属全密封双列封装，芯片化，具备体积小、布线简单，测试方便，维护简单的优点。

进一步地，在上述实施例中，栅极驱动模块11为自举集成的驱动芯片；MOSFET为碳化硅SiC MOSFET。

本实施例中，MOSFET采用SiC材料，可以大大降低其导通电阻，且使其产生的栅电容和源电容极小，可有效的降低整个电路的动态和静态损耗，提高MOSFET的温度性能。

图2为本发明实施例提供的栅极驱动模块的电路原理图，如图2所示，自举集成的驱动芯片包括：驱动裸芯111和自举集成电路；其中：

自举集成电路包括：二极管和自举电容，二极管的正极与驱动裸芯111的电源端连接，二极管的负极与自举电容的一端连接，自举电容的另一端与MOSFET连接。

具体的，如图2所示，自举集成电路包括：三个二极管(D1、D2和D3)和三个自举电容(C1、C2和C3)，每一个二极管的正极均与驱动裸芯111的电源端连接，每一个二极管的负极分别与一个自举电容的一端连接，每一个自举电容的另一端分别与一路MOSFET半桥连接。

本实施例中，通过二极管和自举电容组成的自举集成电路，使电容放电电压和驱动裸芯输出的电源电压叠加，从而使输入到MOSFET的电压升高。

需要说明的是，图2中所示的过流保护模块13详见下述实施例的描述，此处不进行详细描述。

可选的，图3为本发明实施例提供的MOSFET半桥模块的电路原理图，如图3所示，三相SIC-MOSFE半桥模块包括六只SIC-MOSFE，每两只SIC-MOSFE组为一对半桥。每两只SIC-MOSFE的源极S相连，且与待驱动电机的一个绕组连接。每只SIC-MOSFE的栅极G与驱动裸芯111的不同管脚连接，每只SIC-MOSFE的漏极D与电源连接。其中：

驱动裸芯111的输入端输入有六路逻辑控制信号，驱动裸芯111根据输入的六路逻辑控制信号，可输出对应的三对独立驱动三相SIC-MOSFE的半桥驱动信号，每一对独立半桥驱动信号包括两路驱动信号，分别输入到每一组中的两只SIC-MOSFE的栅极G上。

具体的，如图2和图3所示，六路逻辑控制信号即三对半桥逻辑控制信号输入到驱动裸芯111时，在驱动芯片使能的状态下，驱动裸芯111根据输入的六路逻辑控制信号输出对应的驱动信号(HOA、LOA；HOB、LOB；HOC、LOC)到三路MOSFET半桥模块，用来控制三路MOSFET半桥中6只SiC材料的MOSFET功率管的导通和截止。当MOSFET导通时，高压直流DC电源电压就会由MOSFET的漏极D导通到源极S上，三路半桥的高端MOSFET源极S接电机的三相绕组。这样，MOSFET的按照控制驱动信号的节拍交替通断，使电源直流电压交替的加到电机的三相绕组上，来完成电机的驱动，使电机平稳规律的运行。

具体的，每两只SIC-MOSFE的源极S相连，且分别与待驱动电机的一个绕组和驱动裸芯111的输出电压连接。如图2和图3所示，驱动裸芯111输出的三路电压UA、UB和UC加载到每一对SIC-MOSFE的源极S，进而加载到待驱动的电机的三相绕组上，实现对电机(比如直流无刷电机)的高压驱动。

需要说明的是，本发明实施例只是以栅极驱动模块11为三相半桥栅极驱动模块，MOSFET半桥模块12为三相SIC-MOSFE半桥模块为例进行阐述，但并不仅限于此。

本实施例中，三路半桥栅极驱动模块采用三相半桥自举集成芯片裸芯，闩锁抗干扰CMOS制造工艺，内部具有电荷泵和死区时间设置；悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达1000V，逻辑电源电压范围可达6～15V。

可选的，如图2所示，栅极驱动模块11还可以包括栅极电阻R，栅极电阻的一端与驱动裸芯111连接，如图2所示，其可以与驱动裸芯111的管脚6(SD)连接。选用合适的栅极电阻可很好的改善驱动信号的尖峰，提高电路的抗干扰能力。

本发明实施例提供的电机驱动电路，实现了175度三相SiC-MOSFET半桥电机驱动电路的高温指标，解决了现有地层测试仪器175度指标在电机驱动方面的限制，使仪器能够完成高温井的测试需求。

图4为本发明实施例二提供的电机驱动电路的结构示意图，图5为本发明实施例提供的电机驱动电路的应用示意图，如图4和图5所示，在上述实施例的基础上，本发明实施例提供的电机驱动电路还包括：过流保护模块13。其中，过流保护模块13分别与栅极驱动模块11、MOSFET半桥模块12和待驱动电机连接。

过流保护模块13，用于检测与MOSFET半桥模块12输出端连接的电机上的电流值，在检测的电流值高于预设电流值时，锁死栅极驱动模块11。

本实施例中，过流保护模块13可由运放及外围的采样电阻和反馈电阻构成，完成MOSFET半桥模块12输出端连接的电机的绕组上电流的检测。当电机绕组上的电流值高于预设电流值时，关断驱动裸芯111的输出功能，从而保护三路MOSFET半桥模块和栅极驱动模块不致于被高压烧毁，达到保护三路MOSFET半桥模块和栅极驱动模块的目的。

可选的，过流保护模块13，还用于检测栅极驱动模块11和/或MOSFET半桥模块12上的电流值，在栅极驱动模块11和MOSFET半桥模块12至少一个模块上的电流值高于预设电流值时，锁死栅极驱动模块11。

可选的，过流保护模块13，还用于检测电机驱动电路所处位置地上的电流，在电机驱动电路所处位置地上的电流值高于预设电流值时，锁死栅极驱动模块11。

进一步地，如图4所示，本发明实施例提供的电机驱动电路还包括：过热保护模块14。其中，过热保护模块14分别与栅极驱动模块11、MOSFET半桥模块12和待驱动电机连接。

过热保护模块14，用于检测与MOSFET半桥模块12输出端连接的电机上的温度值，在检测的温度值高于预设温度值时，锁死栅极驱动模块11。

本实施例中，过热保护模块14可以由仪表放大电路和温度传感器等组成，用来监测位于MOSFET附近的温度传感器的温度，当超过设定的安全工作温度的最高值(预设温度值)后，触发栅极驱动芯片，使之关断不再输出，达到保护整个电路模块的作用。

可选的，过热保护模块14，还用于检测栅极驱动模块11和/或MOSFET半桥模块12上的温度值，在栅极驱动模块11和MOSFET半桥模块12至少一个模块上的温度值高于预设温度值时，锁死栅极驱动模块11。

需要说明的是，电机驱动电路可以只包括过流保护模块13或过热保护模块14；也可以同时包括过流保护模块13和过热保护模块14。在同时包括过流保护模块13和过热保护模块14时，过流保护模块13和过热保护模块14并联连接，且过流保护模块13和过热保护模块14分别与驱动裸芯111的不同管脚连接。

进一步地，如图4所示，本发明实施例提供的电机驱动电路还包括：欠压保护模块15。其中，欠压保护模块15分别与栅极驱动模块11、MOSFET半桥模块12和待驱动电机连接。

欠压保护模块15，用于检测MOSFET半桥模块12输出端连接的电机上的电压值，在检测的电压值低于预设电压值时，锁死栅极驱动模块11。

本实施例中，欠压保护模块15可以由仪表放大电路和电压比较电路等组成，用来监测栅极控制驱动电压的值，当低于6V时，关断栅极驱动模块的输出功能，使后面的MOSFET关断，不再导通。

可选的，欠压保护模块15，还用于检测栅极驱动模块11和/或MOSFET半桥模块12上的电压值，在栅极驱动模块11和MOSFET半桥模块12至少一个模块上的电压值低于预设电压值时，锁死栅极驱动模块11。

需要说明的是，电机驱动电路可以只包括过流保护模块13、过热保护模块14或欠压保护模块15任一个；也可以同时包括过流保护模块13、过热保护模块14和欠压保护模块15中的至少两个模块。在同时包括过流保护模块13、过热保护模块14和欠压保护模块15中的至少两个模块时，过流保护模块13、过热保护模块14和欠压保护模块15中的至少两个模块并联连接，且分别与驱动裸芯111的不同管脚连接。

进一步地，如图4所示，本发明实施例提供的电机驱动电路还包括：复位模块16。其中，复位模块16与栅极驱动模块11连接。

复位模块16，用于在栅极驱动模块11锁死时，输出预设宽度的脉冲信号使锁死的栅极驱动模块复位。

本实施例中，复位模块16可通过输入一个一定宽度的脉冲信号使锁死的栅极驱动芯片复位，恢复其功能，避免出现错误必须整个仪器下电的弊端。

进一步地，如图4所示，本发明实施例提供的电机驱动电路还包括：调节模块17。其中，调节模块17与栅极驱动模块11连接。

调节模块17，用于调节栅极驱动模块11内置的死区时间。

本实施例中，栅极驱动模块11内有内置的死区时间，可以通过外围电路的电容值的大小进行调节，来满足不同参数的电机及负载的使用要求。

具体应用中，如图5所示，使用外接的供电电源给电机驱动电路各模块供电，6路即三组驱动控制逻辑信号输入到电机驱动电路的输入管脚中，该电机驱动电路的三路输出接到电机的三相绕组上，根据控制逻辑信号的变化产生的大功率驱动信号就可以驱动电机的运转。

本发明实施例提供的电机驱动电路，可以实现一种175度三相SiC-MOSFET半桥电机驱动器厚膜电路模块设计，能够解决175度1200VDC、28A的高压大电流电机驱动的技术壁垒，满足地层测试和井壁取芯仪器直流无刷电机高温控制驱动需求；采用金属全密封双列封装，芯片化，具备体积小、布线简单，测试方便，维护简单的优点。特别是175度环境下可以长时间满负载可靠运行，解决了仪器的高温需求。

本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统、装置中的功能模块/单元可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。在硬件实施方式中，在以上描述中提及的功能模块/单元之间的划分不一定对应于物理组件的划分；例如，一个物理组件可以具有多个功能，或者一个功能或步骤可以由若干物理组件合作执行。某些组件或所有组件可以被实施为由处理器，如数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。

Claims (7)

1.一种电机驱动电路，其特征在于，包括：栅极驱动模块和金属氧化物半导体场效应管MOSFET半桥模块，所述栅极驱动模块和所述金属氧化物半导体场效应管MOSFET半桥模块采用厚膜封装技术进行封装，且外壳采用金属全密封双列封装，可实现耐高压1200VDC、耐流28A和耐环境温度175度的高温需求，其中：

所述栅极驱动模块，用于根据输入控制信号输出对应的驱动信号给所述金属氧化物半导体场效应管MOSFET半桥模块；

所述金属氧化物半导体场效应管MOSFET半桥模块为三相SiC-MOSFET半桥模块，包括六个SiC-MOSFET，所述SiC-MOSFET按照所述驱动信号通断，以控制电机的运转；

所述栅极驱动模块为自举集成的驱动芯片，采用三相半桥自举集成芯片裸芯，闩锁抗干扰CMOS制造工艺，内部具有电荷泵和死区时间设置；

所述自举集成的驱动芯片包括：驱动裸芯、自举集成电路和栅极电阻；

其中，所述栅极电阻的一端与驱动裸芯的管脚SD连接，另一端与所述驱动裸芯的管脚VSS连接并接地；其中，每两个SiC-MOSFET组为一个半桥，分为半桥的高端和低端；每一个半桥中，高端SiC-MOSFET的漏极D接高压直流电源，高端SiC-MOSFET的源极S和低端SiC-MOSFET的源极S相连，且该源极S相连端分别与待驱动电机的一个绕组和驱动裸芯的一个电压输出管脚连接，以使驱动裸芯电压输出管脚的输出电压加载到该源极S相连端；

所述自举集成电路包括：N组电路，N与每两个SiC-MOSFET组成的半桥数量相同，每一组电路包括二极管和自举电容，所述二极管的正极与所述驱动裸芯的电源端连接，所述二极管的负极与所述自举电容的一端连接，并连接到驱动裸芯除了输出驱动信号的管脚和电压输出管脚以外的不同输出管脚上；所述自举电容的另一端与所述驱动裸芯的一个电压输出管脚连通；

所有SiC-MOSFET的栅极G分别与所述驱动裸芯的不同驱动管脚连通，以使所述驱动裸芯同时驱动多组半桥。

2.根据权利要求1所述的电机驱动电路，其特征在于，所述SiC-MOSFET按照所述驱动信号通断，以控制电机的运转包括：

所述SiC-MOSFET按照所述驱动信号交替通断，以使电源直流电压交替的加到待驱动的电机的绕组上，完成电机的驱动。

3.根据权利要求1所述的电机驱动电路，其特征在于，所述电机驱动电路还包括：

过流保护模块，用于检测与所述金属氧化物半导体场效应管MOSFET半桥模块输出端连接的电机上的电流值，在所述电流值高于预设电流值时，锁死所述栅极驱动模块。

4.根据权利要求1所述的电机驱动电路，其特征在于，所述电机驱动电路还包括：

过热保护模块，用于检测与所述金属氧化物半导体场效应管MOSFET半桥模块输出端连接的电机上的温度值，在所述温度值高于预设温度值时，锁死所述栅极驱动模块。

5.根据权利要求1所述的电机驱动电路，其特征在于，所述电机驱动电路还包括：

欠压保护模块，用于与所述金属氧化物半导体场效应管MOSFET半桥模块输出端连接的电机上的电压值，在所述电压值低于预设电压值时，锁死所述栅极驱动模块。

6.根据权利要求3-5任一项所述的电机驱动电路，其特征在于，所述电机驱动电路还包括：

复位模块，用于在所述栅极驱动模块锁死时，输出预设宽度的脉冲信号使锁死的栅极驱动模块复位。

7.根据权利要求1或2所述的电机驱动电路，其特征在于，所述电机驱动电路还包括：

调节模块，用于调节所述栅极驱动模块内置的死区时间。

Images