CN108879585B - Sim卡保护方法、装置及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种SIM卡保护方法、装置及电子设备，所述SIM卡与SD卡位于一体式卡托，所述方法包括：检测所述SD卡的当前工作模式；根据所述SD卡的当前工作模式，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值。本发明能够降低一体式卡托插拔过程中SIM卡的损坏风险。

Description

SIM卡保护方法、装置及电子设备
技术领域
本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种SIM卡保护方法、装置及电子设备。
背景技术
随着通信技术的发展，很多手机厂家将SIM卡和SD卡设计在一体式卡托上，如图1所示，对应于一体式卡托的卡座上的VDDSD引脚和GND引脚是SD卡的供电引脚，在插拔SIM卡过程中，如在开机过程中插入一体式卡托，此时由于VDDSD引脚带电，VDDSD引脚和GND引脚可能通过SIM卡的两个引脚形成回路从而导致SIM卡损坏。为了避免这种情况，有必要对SIM卡进行适当的保护。
发明内容
本发明提供的SIM卡保护方法、装置及电子设备，能够降低一体式卡托插拔过程中SIM卡的损坏风险。
第一方面，本发明提供一种SIM卡保护方法，所述SIM卡与SD卡位于一体式卡托，包括：
检测所述SD卡的当前工作模式；
根据所述SD卡的当前工作模式，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值。
可选地，所述SD卡的当前工作模式包括SDR12、SDR25、DDR50、SDR50或SDR104。
可选地，所述根据所述SD卡的当前工作模式，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值包括：
当所述SD卡的当前工作模式为SDR12、SDR25、DDR50或SDR50时，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值为第一阈值；
当所述SD卡的当前工作模式为SDR104时，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值为第二阈值。
可选地，所述第一阈值为500mA。
可选地，所述第二阈值为900mA。
第二方面，本发明提供一种SIM卡保护装置，所述SIM卡与SD卡位于一体式卡托，包括：
检测单元，用于检测所述SD卡的当前工作模式；
阈值设置单元，用于根据所述检测单元检测到的SD卡的当前工作模式，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值。
可选地，所述SD卡的当前工作模式包括SDR12、SDR25、DDR50、SDR50或SDR104。
可选地，所述阈值设置单元，用于当所述SD卡的当前工作模式为SDR12、SDR25、DDR50或SDR50时，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值为第一阈值；
所述阈值设置单元，还用于当所述SD卡的当前工作模式为SDR104时，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值为第二阈值。
可选地，所述第一阈值为500mA。
可选地，所述第二阈值为900mA。
第三方面，本发明提供一种电子设备，所述电子设备包括上述SIM卡保护装置。
本发明提供的SIM卡保护方法、装置及电子设备，适用于SIM卡和SD卡位于一体式卡托，先检测所述SD卡的当前工作模式，然后根据所述SD卡的当前工作模式设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值，能够在满足SD卡的供电需求的同时灵活设置LDO的过流保护阈值，一旦超过保护阈值马上关闭LDO的输出，从而可以降低插拔过程中SIM卡的损坏风险，进一步地，本发明不需要增加外围电路，结构简单。
附图说明
图1为现有的SIM卡和SD卡一体式卡托及其对应卡座的结构示意图；
图2为本发明一实施例提供的SIM卡保护方法的流程图；
图3为本发明一实施例提供的SIM卡保护装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种SIM卡保护方法，所述SIM卡与SD卡位于一体式卡托，如图2所示，所述方法包括：
S11、检测所述SD卡的当前工作模式；
根据SD协议规定，SD卡有几种工作模式，包括SDR12、SDR25、DDR50、SDR50以及SDR104，上述几种工作模式对电流的需求是逐级提高的，在不同的工作模式下，需要的电流也是不同的，例如SDR12最多需要100mA或150mA，SDR25最多需要200mA，DDR50及SDR50最多需要400mA，而SDR104最多需要800mA。
通过周期性地读取所述SD卡的数据传输速度，可以确定所述SD卡的当前工作模式。
S12、根据所述SD卡的当前工作模式，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值。
正是由于SD卡在不同工作模式下需要的电流是不同的，因此可以根据SD卡的当前工作模式对所述SD卡的供电模块设置不同的过流保护阈值，通常SD卡的供电模块为一个LDO(Low Dropout Regulator，低压差线性稳压器)。
具体地，为了简便，可以将过流保护阈值分成两档，当所述SD卡的当前工作模式为SDR12、SDR25、DDR50或SDR50时，设置低压差线性稳压器LDO的过流保护阈值为第一阈值；当所述SD卡的当前工作模式为SDR104时，设置低压差线性稳压器LDO的过流保护阈值为第二阈值。
由于LDO的过流保护阈值需要大于LDO的电流驱动能力，因此所述第一阈值可以设置为500mA，覆盖了SDR50以下所有的工作模式。
当所述SD卡的当前工作模式为SDR104时，LDO的输出电流需要达到800mA，那么LDO的过流保护阈值就必须大于800mA，可能是900mA或者更高，但实际测试过程中发现，导致SIM卡损坏的电流在900mA左右，因此本发明实施例中，所述第二阈值设置为900mA，既能够满足SDR104的电源需求，又可以有效保护SIM卡。
本发明实施例提供的SIM卡保护方法，适用于SIM卡和SD卡位于一体式卡托，先检测所述SD卡的当前工作模式，然后根据所述SD卡的当前工作模式设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值，能够在满足SD卡的供电需求的同时灵活设置LDO的过流保护阈值，在插拔SIM卡的过程中一旦发生短时间SD卡电源与其他信号短接的问题，LDO会在SIM卡损坏前关闭输出，从而可以降低插拔过程中SIM卡的损坏风险，进一步地，本发明不需要增加外围电路，结构简单。
本发明实施例还提供一种SIM卡保护装置，所述SIM卡与SD卡位于一体式卡托，如图3所示，所述装置包括：
检测单元31，用于检测所述SD卡的当前工作模式；
阈值设置单元32，用于根据所述检测单元31检测到的SD卡的当前工作模式，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值。
可选地，所述SD卡的当前工作模式包括SDR12、SDR25、DDR50、SDR50或SDR104。
可选地，所述阈值设置单元32，用于当所述SD卡的当前工作模式为SDR12、SDR25、DDR50或SDR50时，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值为第一阈值；
所述阈值设置单元32，还用于当所述SD卡的当前工作模式为SDR104时，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值为第二阈值。
可选地，所述第一阈值为500mA。
可选地，所述第二阈值为900mA。
本发明实施例提供的SIM卡保护装置，适用于SIM卡和SD卡位于一体式卡托，先检测所述SD卡的当前工作模式，然后根据所述SD卡的当前工作模式设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值，能够在满足SD卡的供电需求的同时灵活设置LDO的过流保护阈值，在插拔SIM卡的过程中一旦发生短时间SD卡电源与其他信号短接的问题，LDO会在SIM卡损坏前关闭输出，从而可以降低插拔过程中SIM卡的损坏风险，进一步地，本发明不需要增加外围电路，结构简单。
本发明实施例还提供一种电子设备，所述电子设备包括上述SIM卡保护装置。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory，ROM)或随机存储记忆体(Random AccessMemory，RAM)等。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (7)

1.一种SIM卡保护方法，所述SIM卡与SD卡位于一体式卡托，其特征在于，包括：
检测所述SD卡的当前工作模式，所述当前工作模式为SDR12、SDR25、DDR50、SDR50或SDR104；
根据所述SD卡的当前工作模式，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值，当所述SD卡的当前工作模式为SDR12、SDR25、DDR50或SDR50时，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值为第一阈值；当所述SD卡的当前工作模式为SDR104时，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值为第二阈值。
2.根据权利要求1所述的SIM卡保护方法，其特征在于，所述第一阈值为500mA。
3.根据权利要求1所述的SIM卡保护方法，其特征在于，所述第二阈值为900mA。
4.一种SIM卡保护装置，所述SIM卡与SD卡位于一体式卡托，其特征在于，包括：
检测单元，用于检测所述SD卡的当前工作模式，所述当前工作模式为SDR12、SDR25、DDR50、SDR50或SDR104；
阈值设置单元，用于根据所述检测单元检测到的SD卡的当前工作模式，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值，当所述SD卡的当前工作模式为SDR12、SDR25、DDR50或SDR50时，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值为第一阈值；当所述SD卡的当前工作模式为SDR104时，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值为第二阈值。
5.根据权利要求4所述的SIM卡保护装置，其特征在于，所述第一阈值为500mA。
6.根据权利要求4所述的SIM卡保护装置，其特征在于，所述第二阈值为900mA。
7.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求4-6中任一项所述的SIM卡保护装置。
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