CN108877650B - 像素驱动电路、驱动补偿方法、显示基板和显示装置 - Google Patents

像素驱动电路、驱动补偿方法、显示基板和显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种像素驱动电路、驱动补偿方法、显示基板和显示装置，该像素驱动电路包括：驱动晶体管、第一晶体管、存储电容、第二晶体管、感测模块和驱动模块；其中，数据线与感测模块、驱动模块和测试信号输入端连接；感测模块用于在晶体管感测阶段通过数据线感测驱动晶体的电学特征，和/或在发光器件感测阶段通过数据线感测发光器件的电学特征，以供补偿芯片根据驱动晶体的电学特征和/或发光器件的电学特征确定补偿规则；驱动模块用于在显示驱动阶段向数据线输入完成补偿后的数据信号。本发明的技术方案通过将数据线在晶体管感测阶段和发光器件感测阶段复用为感应线，从而无需单独设置感应线，有效减少显示基板上布线数量，提升像素开口率。

Description

像素驱动电路、驱动补偿方法、显示基板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种像素驱动电路、驱动补偿方法、显示基板和显示装置。
背景技术
图1为现有技术中驱动补偿电路的示意图，图2为图1所示电路中各信号的时序图，如图1和图2所示，其包括驱动电路和感测电路，驱动电路包括第一晶体管T1、驱动晶体管DTFT、存储电容C；感测电路包括第二晶体管T2和感测模块。
其中，开关晶体管的控制极与第一控制信号线Scan1连接，第一极与数据线连接，第二极与驱动晶体管DTFT的控制极连接。
驱动晶体管DTFT的控制极与存储电容C的第一端连接，第一极与第一电源端连接，第二极与存储电容C的第二端和发光器件OLED的第一端连接。
第二晶体管T2的控制极与第二控制信号线Scan2连接，第一极与驱动晶体管DTFT的第二极和发光器件OLED的第一端均连接，第二极与感应线连接。
感测模块用于在驱动管感测阶段抽取流经驱动晶体管DTFT的电流，并通过感应线传输至感测模块中，以供感测模块根据获取到的电流计算出驱动晶体管DTFT的电学特征(例如：阈值电压偏移量、电子迁移率偏移量)；以及，在发光器件感测阶段抽取流经发光器件OLED的电流，并通过感应线传输至感测模块中，以供感测模块计算出发光器件OLED的电学特征(例如：发光效率、发光效率衰减百分比)。
源极驱动模块基于感测模块计算出驱动晶体管DTFT的电学特征和发光器件OLED的电学特征来对原始数据信号进行补偿，并输出经过补偿后的数据信号，从而能避免驱动晶体管DTFT的阈值电压偏移、电子迁移率偏移、发光器件OLED发光效率衰减等因素对整个显示面板的发光均匀性的影响。
然而，在现有的驱动补偿电路中，感应线和数据线的设置会使得像素开口率降低,需要设置的IC数目增加,成本提高。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种像素驱动电路、驱动补偿方法、显示基板和显示装置。
为实现上述目的，本发明提供了一种像素驱动电路，包括：驱动晶体管、第一晶体管、存储电容、第二晶体管、感测模块和驱动模块；
其中，所述第一晶体管的控制极与第一控制信号线连接，所述第一晶体管的第一极与恒压信号输入端连接，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的控制极连接；
所述驱动晶体管的控制极与所述存储电容的第一端连接，所述驱动晶体管的第一极与第一电源端连接，所述驱动晶体管的第二极与发光器件的第一极连接；
所述存储电容的第二端与所述驱动晶体管的第二极连接；
所述第二晶体管的控制极与第二控制信号线连接，所述第二晶体管的第一极与数据线连接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极和所述发光器件的第一极均连接；
所述数据线与测试信号输入端连接，所述数据线在晶体管感测阶段和/或发光器件感测阶段与所述感测模块连接，所述数据线在显示驱动阶段与所述驱动模块连接；
所述感测模块用于在晶体管感测阶段通过所述数据线感测所述驱动晶体的电学特征，和/或在发光器件感测阶段通过所述数据线感测所述发光器件的电学特征，以供补偿芯片根据所述驱动晶体的电学特征和/或所述发光器件的电学特征确定补偿规则；
所述驱动模块用于在显示驱动阶段向所述数据线输入完成补偿后的数据信号。
可选地，恒压信号输入端输入的电压信号为公共电压信号。
可选地，所述感测模块和所述驱动模块集成于同一芯片中。
可选地，所述感测模块和所述驱动模块均集成于源极驱动芯片中。
还包括：切换开关，所述切换开关的第一端与数据线连接，所述切换开关的第二端与所述感测模块连接，所述切换开关的第三端与所述驱动模块连接；
所述切换开关用于在晶体管感测阶段、发光器件感测阶段时将第一端与第三端导通，在显示驱动阶段时将第一端与第二端导通。
为实现上述目的，本发明还提供了一种驱动补偿方法，所述驱动补偿方法基于像素驱动电路，所述像素驱动电路采用上述的像素驱动电路，所述驱动补偿方法包括：
当处于晶体管感测阶段时，所述感测模块通过所述数据线感测所述驱动晶体的电学特征；
当处于发光器件感测阶段时，所述感测模块通过所述数据线感测所述发光器件的电学特征；
当处于显示驱动阶段时，第一晶体管在第一控制信号线输入的第一控制信号的控制下导通以将恒压信号输入端输入的恒压信号写入驱动晶体管的控制极，驱动模块向所述数据线输入完成补偿的数据信号，第二晶体管在第二控制信号线输入的第二控制信号的控制下导通以将所述数据信号写入所述驱动晶体管的第二端，驱动晶体管产生驱动电流。
可选地，所述感测模块通过所述数据线感测所述驱动晶体的电学特征的步骤具体包括：
第一晶体管在第一控制信号线输入的第一控制信号的控制下导通以将恒压信号输入端输入的恒压信号写入驱动晶体管的控制极，以控制所述驱动晶体管导通；测试信号输入端向所述数据线输入测试电压，第二晶体管在第二控制信号线输入的第二控制信号的控制下导通以将所述测试电压写入至所述驱动晶体管的第二极；
第一晶体管在第一控制信号线输入的第一控制信号的控制下截止，测试信号输入端停止输入测试信号，第一电源端对所述驱动晶体管的第二极进行充电，所述感测模块感测所述驱动晶体管的第二极充电预设时间后对应的电压值。
可选地，所述感测模块通过所述数据线感测所述发光器件的电学特征的步骤具体包括：
第一晶体管在第一控制信号线输入的第一控制信号的控制下截止；测试信号输入端向所述数据线输入测试电压，第二晶体管在第二控制信号线输入的第二控制信号的控制下导通以将所述测试电压写入至所述发光器件的第一极，所述感测模块感测流经所述发光器件的电流值。
为实现上述目的，本发明还提供了一种显示基板，包括：如上述的像素驱动电路。
为实现上述目的，本发明还提供了一种显示装置，包括：如上述的显示基板。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供了一种像素驱动电路、驱动补偿方法、显示基板和显示装置，该像素驱动电路包括：驱动晶体管、第一晶体管、存储电容、第二晶体管、感测模块和驱动模块；其中，第一晶体管的控制极与第一控制信号线连接，第一晶体管的第一极与恒压信号输入端连接，第一晶体管的第二极与驱动晶体管的控制极连接；驱动晶体管的控制极与存储电容的第一端连接，驱动晶体管的第一极与第一电源端连接，驱动晶体管的第二极与发光器件的第一极连接；存储电容的第二端与驱动晶体管的第二极连接；第二晶体管的控制极与第二控制信号线连接，第二晶体管的第一极与数据线连接，第二晶体管的第二极与驱动晶体管的第二极和发光器件的第一极均连接；数据线与感测模块、驱动模块和测试信号输入端连接；感测模块用于在晶体管感测阶段通过数据线感测驱动晶体的电学特征，和/或在发光器件感测阶段通过数据线感测发光器件的电学特征，以供补偿芯片根据驱动晶体的电学特征和/或发光器件的电学特征确定补偿规则；驱动模块用于在显示驱动阶段向数据线输入完成补偿后的数据信号。本发明的技术方案通过将数据线在晶体管感测阶段和发光器件感测阶段复用为感应线，从而无需单独设置感应线，有效减少显示基板上的布线数量，提升像素开口率。
附图说明
图1为现有技术中驱动补偿电路的示意图；
图2为图1所示电路中各信号的时序图；
图3为本发明实施例一提供的一种像素驱动电路的结构示意图；
图4为本发明中像素驱动电路处于晶体管感测阶段时的示意图；
图5为本发明中像素驱动电路处于晶体管感测阶段时的工作时序图；
图6为本发明中像素驱动电路处于发光器件感测阶段时的示意图；
图7为本发明中像素驱动电路处于发光器件感测阶段时的工作时序图；
图8为本发明中像素驱动电路处于显示驱动阶段时的示意图；
图9为本发明中像素驱动电路处于显示驱动阶段时的工作时序图；
图10为本发明实施例二提供的驱动补偿方法的流程图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的一种像素驱动电路、驱动补偿方法、显示基板和显示装置进行详细描述。
本发明实施例中的所采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性的相同器件，由于采用的晶体管的源极和漏极是对称的，所以其源极、漏极是没有区别的。在本发明实施例中，为区分晶体管的源极和漏极，将其中一极称为第一极，另一极称为第二极，栅极称为控制极。此外按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为N型和P型，以下实施例中是以N型晶体管进行说明的，当采用N型晶体管时，第一极为N型晶体管的源极，第二极为N型晶体管的漏极，栅极输入高电平时，源漏极导通，P型相反。可以想到的是采用P型晶体管实现是本领域技术人员可以在没有付出创造性劳动前提下轻易想到的，因此也是在本发明实施例的保护范围内的。
此外，本发明实施例中的发光器件为电流驱动型发光器件，以下实施例中以发光器件为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)为例进行描述。
实施例一
图3为本发明实施例一提供的一种像素驱动电路的结构示意图，如图3所示，该像素驱动电路包括：驱动晶体管DTFT、第一晶体管T1、存储电容C、第二晶体管T2、感测模块和驱动模块。
其中，第一晶体管T1的控制极与第一控制信号线Scan_1连接，第一晶体管T1的第一极与恒压信号输入端Input_2连接，第一晶体管T1的第二极与驱动晶体管DTFT的控制极连接。在本发明中，第一晶体管T1作为开关晶体管，其在第一控制信号线Scan_1所输入的第一控制信号的控制下导通或截止。
驱动晶体管DTFT的控制极与存储电容C的第一端连接，驱动晶体管DTFT的第一极与第一电源端连接，驱动晶体管DTFT的第二极与发光器件OLED的第一极连接。驱动晶体管DTFT用于根据其自身的栅源电压产生对应的驱动电流，以驱动发光器件OLED进行发光。
存储电容C的第二端与驱动晶体管DTFT的第二极连接。
第二晶体管T2的控制极与第二控制信号线Scan_2连接，第二晶体管T2的第一极与数据线连接，第二晶体管T2的第二极与驱动晶体管DTFT的第二极和发光器件OLED的第一极均连接。在本发明中，第二晶体管T2作为开关晶体管，其在第一控制信号线Scan_1所输入的第二控制信号的控制下导通或截止
数据线与测试信号输入端Input_1连接，数据线在晶体管感测阶段和/或发光器件感测阶段与所述感测模块连接，数据线在显示驱动阶段与所述驱动模块连接。感测模块(具体可为感测芯片)用于在晶体管感测阶段通过数据线感测驱动晶体管DTFT的电学特征，和/或在发光器件OLED感测阶段通过数据线感测发光器件OLED的电学特征，以供补偿芯片根据驱动晶体的电学特征和/或发光器件OLED的电学特征确定补偿规则。驱动模块(具体可为源极驱动芯片)用于在显示驱动阶段向数据线输入完成补偿后的数据信号。
由上述内容可见，数据线在晶体管感测阶段和发光器件OLED感测阶段复用为感应线，并在晶体管感测阶段时将流经驱动经过管的电流传递至感测模块，以及在发光器件OLED感测阶段时将流经发光器件OLED的电流传递至感应模块，以供感测模块感测驱动晶体管DTFT和发光器件OLED的电学特征、确定补偿规则。在本发明提供的像素驱动电路中，通过将数据线复用为感应线，从而无需单独设置感应线，从而能有效减少布线数量，提升像素开口率。
在为本实施例中，为实现数据线的分时复用，在数据线与感测模块和驱动模块之间设置有切换开关，切换开关的第一端与数据线连接，第二端与感测模块连接，第三端与驱动模块连接。
可选地，恒压信号输入端Input_2输入的电压信号为公共电压信号(第一晶体管T1的第一极与公共电压线连接)。由于公共电压信号为显示基板上已存在的恒压信号，因而无需额外设计其他恒压信号，降低显示基板中信号种类数，降低电路控制复杂度。此外，公共电压线为显示基板上已存在的信号走线，因而不会影响像素开口率。
下面将结合附图来对本发明提供的像素驱动电路的工作过程进行详细描述。其中，第一电源端提供工作电压Vdd，第二电源端提供接地电压Vss，公共电压信号对应的电压为Vcom(取值可为8V)。
本发明提供的像素驱动电路的工作过程可划分为三个阶段：晶体管感测阶段、显示器件感测阶段、显示驱动阶段。
图4为本发明中像素驱动电路处于晶体管感测阶段时的示意图，图5为本发明中像素驱动电路处于晶体管感测阶段时的工作时序图，如图4和图5所示，在像素驱动电路处于晶体管感测阶段时，切换开关的第一端与第二端电连接。晶体管感测阶段具体包括：第一子阶段、第二子阶段和第三子阶段，其中，第二子阶段具有预设固定时长。
第一子阶段t1；第一控制信号线Scan_1输入的第一控制信号处于高电平状态，第二控制信号线Scan_2输入的第二控制信号处于高电平状态，测试信号输入端Input_1向数据线输入测试信号，该测试信号对应的电压为Vref。
由于第一控制信号处于高电平状态，则第一晶体管T1导通，公共电压信号通过第一晶体管T1写入驱动晶体管DTFT的栅极，此时驱动晶体管DTFT导通，点B的电压为Vcom。又由于第二控制信号处于高电平状态，则第二晶体管T2导通，测试信号通过数据线、第二晶体管T2写入至点A，点A的电压为Vref。此时，感测模块通过数据线感测到的电流信号对应的电压为Vref。
第二子阶段t2；第一控制信号线Scan_1输入的第一控制信号处于高电平状态，第二控制信号线Scan_2输入的第二控制信号处于高电平状态，测试信号输入端Input_1处于浮接(floating)状态。
由于第一控制信号和第二控制信号均维持高电平，则第一晶体管T1、驱动晶体管DTFT和第二晶体管T2均维持导通。又由于测试信号输入端Input_1处于浮接状态，则流经驱动晶体管DTFT的电流向点A进行充电，在预设固定时长(第二子阶段)内，点A的电压充电至Vsence。此时，感测模块通过数据线感测到的电流信号对应的电压为Vsence。
感测模块将Vsence与预先设置的参考电压值进行比对，可推算出驱动晶体管DTFT的电学特性。需要说明的是，该预先设置的参考电压值是在驱动晶体管DTFT的电子迁移率未偏移、阈值电压未偏移时在第二子阶段测得点A的电压值，通过将当前测得的点A的电压Vsence与参考电压值进行比对，从而可推算出驱动晶体管DTFT的电子迁移率的偏移量、阈值电压的偏移量等电学特性参数，以供对驱动晶体管DTFT进行补偿。
第三子阶段t3；第一控制信号线Scan_1输入的第一控制信号处于低电平状态，第二控制信号线Scan_2输入的第二控制信号处于低电平状态，测试信号输入端Input_1向数据线输入测试信号，该测试信号对应的电压为Vref。
由于第一控制信号处于低电平状态，则第一晶体管T1截止。又由于第二控制信号处于低电平状态，则第二晶体管T2截止。此时，驱动晶体管DTFT的栅极(点B)和点A分别通过第一晶体管T1和第二晶体管T2放电，对应的电压降低，驱动管晶体管在某一时刻截止。数据线中对应的电压为Vref，数据线完成复位。
图6为本发明中像素驱动电路处于发光器件感测阶段时的示意图，图7为本发明中像素驱动电路处于发光器件感测阶段时的工作时序图，如图6和图7所示，在像素驱动电路处于发光器件感测阶段时，切换开关的第一端与第二端电连接。晶体管感测阶段具体包括：第四子阶段t4、第五子阶段t5。
第四子阶段t4；第一控制信号线Scan_1输入的第一控制信号处于低电平状态，第二控制信号线Scan_2输入的第二控制信号处于高电平状态，测试信号输入端Input_1向数据线输入测试信号，该测试信号对应的电压为Vref。
由于第一控制信号处于低电平状态，则第一晶体管T1截止，驱动晶体管DTFT截止。又由于第二控制信号处于高电平状态，则第二晶体管T2导通，测试信号通过数据线、第二晶体管T2写入至点A，点A的电压为Vref。此时，由于发光器件OLED的两端存在电压差，则会存在电流流经发光器件OLED，感测模块通过数据线感测到的流经发光器件OLED的电流Isence。
感测模块将Isence与预先设置的参考电流值进行比对，可推算出发光器件OLED的电学特性。需要说明的是，该预先设置的参考电流值是在发光器件OLED发光效率处于标准预设值时在第四子阶段测得流经发光器件OLED的电流值，通过将Isence与参考电流值进行比对，从而可推算出发光器件OLED的发光效率、发光效率偏移量等等电学特性参数，以供对发光器件OLED进行补偿。
需要说明的是，本发明中根据晶体管感测阶段中感测到的电压Vsence和根据发光器件OLED感测阶段中感测到的电流Isence来确定补偿规则的具体过程，可采用现有技术中任意一种外部补偿算法来实现，此处不进行详细描述。当然，本发明中也可仅根据感测电压Vsence来确定补偿规则(仅对驱动晶体管DTFT进行补偿)，或者仅根据感测电流Isence来确定补偿规则(仅对发光器件OLED进行补偿)。
在补偿规则确定后，在显示驱动阶段时，驱动模块可根据补偿规则对原始数据信号进行补偿，并输出完成补偿后的数据信号。
第五子阶段t5与上述第三子阶段t3相同，用于对电路进行复位处理，具体内容可参见前述描述，此处不再赘述。
图8为本发明中像素驱动电路处于显示驱动阶段时的示意图，图9为本发明中像素驱动电路处于显示驱动阶段时的工作时序图，如图8和图9所示，在像素驱动电路处于显示驱动阶段时，切换开关的第一端与第三端电连接该显示驱动阶段具体包括：第六子阶段t6和第七子阶段t7。
第六子阶段t6，第一控制信号线Scan_1输入的第一控制信号处于高电平状态，第二控制信号线Scan_2输入的第二控制信号处于高电平状态，测试信号输入端Input_1处于浮接状态。
由于第一控制信号处于高电平状态，则第一晶体管T1导通，公共电压信号通过第一晶体管T1写入驱动晶体管DTFT的栅极。又由于第二控制信号处于高电平状态，则第二晶体管T2导通，驱动模块将完成补偿后的数据信号(对应的电压为Vdata)通过数据线、第二晶体管T2写入至驱动晶体管DTFT的第二极，此时存储电容C两端电压差为Vcom-Vdata，驱动晶体管DTFT处于导通状态，其栅源电压为Vcom-Vdata。
第七子阶段t7，第一控制信号线Scan_1输入的第一控制信号处于低电平状态，第二控制信号线Scan_2输入的第二控制信号处于低电平状态，测试信号输入端Input_1处于浮接状态。
由于第一控制信号和第二控制信号均处于低电平状态，则第二晶体管T2和第二晶体管T2均截止，流经驱动晶体管DTFT的电流向点A进行充电，点A被充电至Vss+Voled，其中Voled为电流经过发光器件OLED时所产生的压降。在存储电容C的自举作用下，驱动晶体管DTFT的栅极的电压被上拉至Vcom-Vdata+Vss+Voled。
根据驱动晶体管的饱和驱动电流公式可得：
I＝K*(Vgs-Vth)2
＝K*(Vcom-Vdata-Vth)2
其中，I为驱动晶体管DTFT输出的驱动电流，K为常量(由有源层的电子迁移率、栅绝缘层的单位面积的电容以及沟道宽长比所确定)，Vth为驱动晶体管DTFT当前的阈值电压。
发光器件OLED在驱动电流的驱动作用下进行发光。
通过上述内容可见，本发明提供的像素驱动电路，可在无需设置感应线的情况下，通过复用数据线，可实现对驱动晶体管DTFT和发光器件OLED的感测，以及向驱动晶体管DTFT输出补偿后的数据电压。
优选地，感测模块和驱动模块集成于同一芯片IC中，从而可减少显示基板中的芯片数量，降低成本。进一步地，感测模块和驱动模块集成于源极驱动芯片中。此外，上述切换开关可通过一个控制模块来实现，该控制模块用于控制感测模块与数据线连通或者控制驱动模块与数据线连通。当然，该控制模块也可集成于芯片内，以提升显示基板的集成度。
本发明实施例一提供了一种像素驱动电路，通过将数据线在晶体管感测阶段和发光器件感测阶段复用为感应线，从而无需单独设置感应线，有效减少显示基板上的布线数量，提升像素开口率。
实施例二
图10为本发明实施例二提供的驱动补偿方法的流程图，如图10所示，该驱动补偿方法基于像素驱动电路，该像素驱动电路采用上述实施例一中的像素驱动电路，具体结构可参见上述实施例一中的描述，此处不再赘述。该驱动补偿方法包括：
步骤S1、感测模块通过数据线感测驱动晶体的电学特征。
当处于晶体管感测阶段时，感测模块通过数据线感测驱动晶体的电学特征。具体地，步骤S1包括：
步骤S101、第一晶体管在第一控制信号线输入的第一控制信号的控制下导通以将恒压信号输入端输入的恒压信号写入驱动晶体管的控制极，以控制驱动晶体管导通；测试信号输入端向数据线输入测试电压，第二晶体管在第二控制信号线输入的第二控制信号的控制下导通以将测试电压写入至驱动晶体管的第二极。
步骤S102、第一晶体管在第一控制信号线输入的第一控制信号的控制下截止，测试信号输入端停止输入测试信号，第一电源端对驱动晶体管的第二极进行充电，感测模块感测驱动晶体管的第二极充电预设时间后对应的电压值。
对于上述步骤S101和步骤S102的具体描述可参见上述实施例一中的相应内容。
步骤S2、感测模块通过数据线感测发光器件的电学特征。
当处于发光器件感测阶段时，感测模块通过数据线感测发光器件的电学特征。具体地，步骤S2包括：
步骤S201、第一晶体管在第一控制信号线输入的第一控制信号的控制下截止；测试信号输入端向数据线输入测试电压，第二晶体管在第二控制信号线输入的第二控制信号的控制下导通以将测试电压写入至发光器件的第一极，感测模块感测流经发光器件的电流值。
对于上述步骤S201的具体描述可参见上述实施例一中的相应内容。
步骤S3、第一晶体管在第一控制信号线输入的第一控制信号的控制下导通以将恒压信号输入端输入的恒压信号写入驱动晶体管的控制极，驱动模块向数据线输入完成补偿的数据信号，第二晶体管在第二控制信号线输入的第二控制信号的控制下导通以将数据信号写入驱动晶体管的第二端，驱动晶体管产生驱动电流。
对于上述步骤S3的具体描述可参见上述实施例一中的相应内容。
需要说明的是，本实施例中步骤S2也可先于步骤S1执行，即先进行发光器件的感测，再进行驱动晶体管的感测。此外，本实施例中也可不执行步骤S2，即仅针对驱动晶体管进行补偿，或者不执行步骤S1，即仅针对发光器件进行补偿。具体情况此处不再进行详细描述。
本发明实施例二提供了一种驱动补偿方法，通过将数据线在晶体管感测阶段和发光器件感测阶段复用为感应线，从而无需单独设置感应线，有效减少显示基板上的布线数量，提升像素开口率。
实施例三
本发明实施例三提供了一种显示基板，该显示基板包括像素驱动电路，该像素驱动电路采用上述实施例一中的像素驱动电路，具体内容可参见上述实施例一中的描述，此处不再赘述。
实施例四
本发明实施例三提供了一种显示装置，该显示基板包括显示基板，该显示基板采用上述实施例三中的显示基板，具体内容可参见上述实施例三中的描述，此处不再赘述。
本实施例中的显示装置可以为电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括：驱动晶体管、第一晶体管、存储电容、第二晶体管、感测模块和驱动模块；
其中，所述第一晶体管的控制极与第一控制信号线连接，所述第一晶体管的第一极与恒压信号输入端连接，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的控制极连接；
所述驱动晶体管的控制极与所述存储电容的第一端连接，所述驱动晶体管的第一极与第一电源端连接，所述驱动晶体管的第二极与发光器件的第一极连接；
所述存储电容的第二端与所述驱动晶体管的第二极连接；
所述第二晶体管的控制极与第二控制信号线连接，所述第二晶体管的第一极与数据线连接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极和所述发光器件的第一极均连接；
所述数据线与测试信号输入端连接，所述数据线在晶体管感测阶段和发光器件感测阶段与所述感测模块连接，所述数据线在显示驱动阶段与所述驱动模块连接；
所述感测模块用于在晶体管感测阶段通过所述数据线感测所述驱动晶体的电学特征，在发光器件感测阶段通过所述数据线感测所述发光器件的电学特征，以供补偿芯片根据所述驱动晶体的电学特征和所述发光器件的电学特征确定补偿规则；
所述驱动模块用于在显示驱动阶段向所述数据线输入完成补偿后的数据信号；
还包括：切换开关，所述切换开关的第一端与数据线连接，所述切换开关的第二端与所述感测模块连接，所述切换开关的第三端与所述驱动模块连接；
所述切换开关用于在晶体管感测阶段时将第一端与第二端导通，以使所述感测模块通过所述数据线感测所述驱动晶体的电学特征、在发光器件感测阶段时将第一端与第二端导通，以使所述感测模块通过所述数据线感测所述发光器件的电学特征，在显示驱动阶段时将第一端与第三端导通，以使驱动模块向所述数据线输入完成补偿的数据信号。
2.根据权利要求1所述像素驱动电路，其特征在于，恒压信号输入端输入的电压信号为公共电压信号。
3.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述感测模块和所述驱动模块集成于同一芯片中。
4.根据权利要求3所述的像素驱动电路，其特征在于，所述感测模块和所述驱动模块均集成于源极驱动芯片中。
5.一种驱动补偿方法，其特征在于，所述驱动补偿方法基于像素驱动电路，所述像素驱动电路采用上述权利要求1-4中任一所述的像素驱动电路，所述驱动补偿方法包括：
当处于晶体管感测阶段时，所述切换开关将自身的第一端与第二端导通，所述感测模块通过所述数据线感测所述驱动晶体的电学特征；
当处于发光器件感测阶段时，所述切换开关将自身的第一端与第二端导通，所述感测模块通过所述数据线感测所述发光器件的电学特征；
当处于显示驱动阶段时，所述切换开关将自身的第一端与第三端导通，第一晶体管在第一控制信号线输入的第一控制信号的控制下导通以将恒压信号输入端输入的恒压信号写入驱动晶体管的控制极，驱动模块向所述数据线输入完成补偿的数据信号，第二晶体管在第二控制信号线输入的第二控制信号的控制下导通以将所述数据信号写入所述驱动晶体管的第二端，驱动晶体管产生驱动电流。
6.根据权利要求5所述的驱动补偿方法，其特征在于，所述感测模块通过所述数据线感测所述驱动晶体的电学特征的步骤具体包括：
第一晶体管在第一控制信号线输入的第一控制信号的控制下导通以将恒压信号输入端输入的恒压信号写入驱动晶体管的控制极，以控制所述驱动晶体管导通；测试信号输入端向所述数据线输入测试电压，第二晶体管在第二控制信号线输入的第二控制信号的控制下导通以将所述测试电压写入至所述驱动晶体管的第二极；
第一晶体管在第一控制信号线输入的第一控制信号的控制下截止，测试信号输入端停止输入测试信号，第一电源端对所述驱动晶体管的第二极进行充电，所述感测模块感测所述驱动晶体管的第二极充电预设时间后对应的电压值。
7.根据权利要求5所述的驱动补偿方法，其特征在于，所述感测模块通过所述数据线感测所述发光器件的电学特征的步骤具体包括：
第一晶体管在第一控制信号线输入的第一控制信号的控制下截止；测试信号输入端向所述数据线输入测试电压，第二晶体管在第二控制信号线输入的第二控制信号的控制下导通以将所述测试电压写入至所述发光器件的第一极，所述感测模块感测流经所述发光器件的电流值。
8.一种显示基板，其特征在于，包括：如上述权利要求1-4中任一所述的像素驱动电路。
9.一种显示装置，其特征在于，包括：如上述权利要求8所述的显示基板。
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