CN108865542A - 一种去蜡液及其制备方法与应用 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 12
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 10
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 claims description 8
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 7
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 5
- HVUMOYIDDBPOLL-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-Dihydroxyoxolan-2-yl)-2-hydroxyethyl octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCC(O)C1OCC(O)C1O HVUMOYIDDBPOLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001219 Polysorbate 40 Polymers 0.000 claims description 4
- NWGKJDSIEKMTRX-MDZDMXLPSA-N Sorbitan oleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C\CCCCCCCC(=O)OCC(O)C1OCC(O)C1O NWGKJDSIEKMTRX-MDZDMXLPSA-N 0.000 claims description 4
- LWZFANDGMFTDAV-BURFUSLBSA-N [(2r)-2-[(2r,3r,4s)-3,4-dihydroxyoxolan-2-yl]-2-hydroxyethyl] dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O LWZFANDGMFTDAV-BURFUSLBSA-N 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 claims description 4
- 235000010482 polyoxyethylene sorbitan monooleate Nutrition 0.000 claims description 4
- 235000010483 polyoxyethylene sorbitan monopalmitate Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000000249 polyoxyethylene sorbitan monopalmitate Substances 0.000 claims description 4
- 229940101027 polysorbate 40 Drugs 0.000 claims description 4
- 229920000053 polysorbate 80 Polymers 0.000 claims description 4
- 235000011067 sorbitan monolaureate Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 4
- 238000003556 assay Methods 0.000 claims description 3
- 239000012467 final product Substances 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- -1 sodium dialkyl sulfate Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 3
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002651 Polysorbate 85 Polymers 0.000 claims description 2
- IYFATESGLOUGBX-YVNJGZBMSA-N Sorbitan monopalmitate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O IYFATESGLOUGBX-YVNJGZBMSA-N 0.000 claims description 2
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 claims description 2
- 235000010989 polyoxyethylene sorbitan monostearate Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000001818 polyoxyethylene sorbitan monostearate Substances 0.000 claims description 2
- 229940113124 polysorbate 60 Drugs 0.000 claims description 2
- 229940113171 polysorbate 85 Drugs 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MORMPWNLQJTSOT-UHFFFAOYSA-L disodium;4-dodecyl-2-(4-sulfonatophenoxy)benzenesulfonate Chemical compound [Na+].[Na+].CCCCCCCCCCCCC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C(OC=2C=CC(=CC=2)S([O-])(=O)=O)=C1 MORMPWNLQJTSOT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000011701 zinc Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- RCEAADKTGXTDOA-UHFFFAOYSA-N OS(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCC[Na] Chemical compound OS(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCC[Na] RCEAADKTGXTDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 abstract description 5
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 abstract description 5
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 abstract description 2
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 76
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- WJEIYVAPNMUNIU-UHFFFAOYSA-N [Na].OC(O)=O Chemical compound [Na].OC(O)=O WJEIYVAPNMUNIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 229920000136 polysorbate Polymers 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- QNEFNFIKZWUAEQ-UHFFFAOYSA-N carbonic acid;potassium Chemical compound [K].OC(O)=O QNEFNFIKZWUAEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 2
- 229960001777 castor oil Drugs 0.000 description 2
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004945 emulsification Methods 0.000 description 2
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 2
- 150000002632 lipids Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 description 2
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 description 2
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 2
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 2
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCSMVPSDJIOXGN-UHFFFAOYSA-N CCCCCCCCCCCC[Na] Chemical compound CCCCCCCCCCCC[Na] YCSMVPSDJIOXGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000004443 Ricinus communis Nutrition 0.000 description 1
- 240000000528 Ricinus communis Species 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CANRESZKMUPMAE-UHFFFAOYSA-L Zinc lactate Chemical compound [Zn+2].CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O CANRESZKMUPMAE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000005227 alkyl sulfonate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002191 fatty alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 230000035558 fertility Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- GCCVBRCGRJWMDX-UHFFFAOYSA-N phenoxybenzene;sodium Chemical compound [Na].C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 GCCVBRCGRJWMDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- WBHHMMIMDMUBKC-XLNAKTSKSA-N ricinelaidic acid Chemical compound CCCCCC[C@@H](O)C\C=C\CCCCCCCC(O)=O WBHHMMIMDMUBKC-XLNAKTSKSA-N 0.000 description 1
- 229960003656 ricinoleic acid Drugs 0.000 description 1
- FEUQNCSVHBHROZ-UHFFFAOYSA-N ricinoleic acid Natural products CCCCCCC(O[Si](C)(C)C)CC=CCCCCCCCC(=O)OC FEUQNCSVHBHROZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000011576 zinc lactate Substances 0.000 description 1
- 229940050168 zinc lactate Drugs 0.000 description 1
- 235000000193 zinc lactate Nutrition 0.000 description 1
- LPEBYPDZMWMCLZ-CVBJKYQLSA-L zinc;(z)-octadec-9-enoate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O LPEBYPDZMWMCLZ-CVBJKYQLSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D10/00—Compositions of detergents, not provided for by one single preceding group
- C11D10/04—Compositions of detergents, not provided for by one single preceding group based on mixtures of surface-active non-soap compounds and soap
- C11D10/042—Compositions of detergents, not provided for by one single preceding group based on mixtures of surface-active non-soap compounds and soap based on anionic surface-active compounds and soap
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D10/00—Compositions of detergents, not provided for by one single preceding group
- C11D10/04—Compositions of detergents, not provided for by one single preceding group based on mixtures of surface-active non-soap compounds and soap
- C11D10/045—Compositions of detergents, not provided for by one single preceding group based on mixtures of surface-active non-soap compounds and soap based on non-ionic surface-active compounds and soap
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/02—Anionic compounds
- C11D1/12—Sulfonic acids or sulfuric acid esters; Salts thereof
- C11D1/14—Sulfonic acids or sulfuric acid esters; Salts thereof derived from aliphatic hydrocarbons or mono-alcohols
- C11D1/146—Sulfuric acid esters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/02—Anionic compounds
- C11D1/12—Sulfonic acids or sulfuric acid esters; Salts thereof
- C11D1/22—Sulfonic acids or sulfuric acid esters; Salts thereof derived from aromatic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/02—Anionic compounds
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- C11D1/22—Sulfonic acids or sulfuric acid esters; Salts thereof derived from aromatic compounds
- C11D1/24—Sulfonic acids or sulfuric acid esters; Salts thereof derived from aromatic compounds containing ester or ether groups directly attached to the nucleus
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/02—Anionic compounds
- C11D1/34—Derivatives of acids of phosphorus
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
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Abstract
本发明涉及半导体工业用清洗剂领域，尤其涉及一种去蜡液及其制备方法与应用。该去蜡液的配方为：N‑甲基吡咯烷酮15.0kg、氢氧化钾0.1kg、碳酸钾3.4kg、硬脂酸钠3.0kg、十二烷基硫酸钠0.6kg、吐温20 1.5kg、蓖麻油酸锌1.5kg和水74.9kg。该去蜡液去蜡活性高，不会对人体产生显著毒性、能够去除半导体晶片上多余的蜡以及在加工过程中吸附在晶片表面的颗粒物。其制备方法全程自动化，不会引入杂质和污染，能使去蜡液具有较佳的作用效果。将该去蜡液用于去除半导体抛光后多余的蜡，能达到很好的去除效果。
Description
技术领域
本发明涉及半导体工业用清洗剂领域，尤其涉及一种去蜡液及其制备方法与应用。
背景技术
在半导体晶片的制作过程中，为了增加晶片的亮度，通常需要对晶片进行抛光处理，一般是将蜡涂在待抛光的晶片的一面，将其固定使其可转动，然后对另一面抛光，抛光完成后需要除去多余的蜡。
在中国专利201410646025.9中公开了清洁半导体晶片的方法，其除蜡的清洁液中含有微气泡、季铵氢氧化物和表面活性剂。其中含有的季铵氢氧化物除含有较强的腐蚀性外，毒性也较大，会影响机体的生育能力。因此，提供一种去蜡效果好，毒性低的去蜡液配方非常必要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体高活性去蜡液，该去蜡液配方合理，去蜡活性高，不会对人体产生显著毒性，能够去除半导体晶片上多余的蜡以及在加工过程中吸附在晶片表面的颗粒物。
本发明的第二目的在于提供上述去蜡液的制备方法，该制备方法全程自动化，不会引入杂质和污染，能使去蜡液具有较佳的作用效果。
本发明的第三目的在于提供上述去蜡液的应用，将其用于去除半导体抛光后多余的蜡，能达到很好的去除效果。
本发明解决其技术问题是采用以下技术方案来实现：
本发明提出一种半导体高活性去蜡液，按重量份计，其包括以下组分：
进一步地，在本发明较佳实施例中，按质量百分数计，其包括以下组分：
进一步地，在本发明较佳实施例中，按质量百分数计，其包括以下组分：
进一步地，在本发明较佳实施例中，所述无机碱选自氢氧化钾、氢氧化钠、碳酸钠和碳酸钾中的至少一种。在一些具体的实施方式中，无机碱选自碳酸钠和碳酸钾中至少一种，可选地，还含有氢氧化钠和氢氧化钾；上述无机碱安全性和稳定性都好，形成的水溶液对人体损害很小。
进一步地，在本发明较佳实施例中，所述阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂和的质量比为1：(1.5-3)，在一些具体的实施方式中，阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂的质量比为1:2.5、1:3、1:1.5和1:2。
进一步地，在本发明较佳实施例中，阴离子表面活性剂选自烷基磺酸盐、烷基二苯醚二磺酸盐、烷基酚聚氧乙烯醚磷酸酯盐、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸盐中一种或多种；优选地，阴离子表面活性剂选自十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基磷酸钠、十二烷基二苯醚二磺酸钠中的一种或多种。
进一步地，在本发明较佳实施例中，所述非离子表面活性剂为多元醇脂类非离子表面活性剂。具体地，其中多元醇脂类非离子表面活性剂为Span和Tween系列表面活性剂；其中吐温系列可选地为吐温20、吐温40、吐温60、吐温80和吐温85中任意一种；司盘系列可选地为司盘20、司盘40、司盘60和司盘80中任意一种。
本发明的一些具体实施方式中，阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂复配的具体实例包括：十二烷基硫酸钠与吐温20、十二烷基苯磺酸酸钠和吐温80、十二烷基磷酸钠和司盘20、十二烷基硫酸钠和司盘80、十二烷基硫酸钠和吐温40、十二烷基磷酸钠和司盘60。
本发明提供的去蜡液呈淡黄色液体，去蜡活性高，对抛光蜡具有很好的去除效果，且不残留蜡颗粒，本发明提供的去蜡液成分稳定安全，不易挥发，不属于易燃品和危险品，通过密闭容器存放在阴凉、避光的环境中能够增加其保质期限。
本发明还提出了上述去蜡液的制备方法，其包括以下步骤：依次称取上述配方量的各原料组分，利用气动隔膜泵传送到反应釜中，经过定时循环搅拌使各原料组分混合均匀，采用精密过滤器过滤后即得，经检验合格后利用精密自动灌装机进行灌装。
其制备流程图为：来料检测→送料→过滤→混合→循环搅拌→精密过滤→检测→灌装→标贴→检验→入库。
本发明还提出了上述去蜡液在去除抛光蜡中的应用。
本发明还提供上述应用的具体操作方法，将上述去蜡液倒入容器中，加入去离子水稀释至浓度10％-20％后使用；然后放入带有抛光蜡的半导体材料，在20℃至40℃下浸泡合适的时间后，取出用去离子水漂洗干净，再用高纯氮气吹干。
本发明较佳实施例提供的去蜡液及其制备方法与应用的有益效果包括：本发明选用N-甲基吡咯烷酮和水作为溶剂体系，加入阴离子表面活性剂和非离子活性剂，并添加无机碱，能够溶解并乳化抛光蜡，去除大多数的抛光蜡，且有大量微小颗粒残留，而添加硬脂酸钠和蓖麻油酸锌后，能够提高去蜡液的活性，能够增强溶液体系对抛光蜡的乳化和去除效果，且对肉眼不易发现的抛光蜡细小颗粒也能完全去除，此外，本发明提供的去蜡液不易挥发不会对人体产生显著毒性。其制备方法全程自动化，不会引入杂质和污染，能使去蜡液具有较佳的作用效果。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
本实施例提供的半导体高活性去蜡液，其配方如下：N-甲基吡咯烷酮15.0kg、氢氧化钾0.1kg、碳酸钾3.4kg、硬脂酸钠3.0kg、十二烷基硫酸钠0.6kg、吐温20 1.5kg、蓖麻油酸锌1.5kg和水74.9kg。
本实施例提供的去蜡液的制备方法，包括以下步骤：依次称取上述配方量的各原料组分，利用气动隔膜泵传送到反应釜中，经过定时循环搅拌450s让各种原材料混合反应均匀，采用精密过滤器过滤后即得，经检验合格后利用精密自动灌装机进行灌装。
实施例2
本实施例提供的半导体高活性去蜡液，其配方如下：N-甲基吡咯烷酮12.0kg、碳酸钾1.0kg、硬脂酸钠2.5kg、十二烷基硫酸钠0.8kg、吐温80 2.0kg、蓖麻油酸锌1.0kg和水80.7kg，制备方法同实施例1。
实施例3
本实施例提供的半导体高活性去蜡液，其配方如下：N-甲基吡咯烷酮18.0kg、碳酸钠2.0kg、硬脂酸钠3.5kg、十二烷基磷酸钠0.2kg、司盘20 0.6kg、蓖麻油酸锌2.0kg和水73.7kg，制备方法同实施例1。
实施例4
本实施例提供的半导体高活性去蜡液，其配方如下：N-甲基吡咯烷酮20.0kg、碳酸钠0.9kg、氢氧化钠0.1kg、硬脂酸钠4.0kg、十二烷基苯磺酸钠1.0kg、司盘80 1.5kg、蓖麻油酸锌0.5kg和水72.0kg，制备方法同实施例1。
实施例5
本实施例提供的半导体高活性去蜡液，其配方如下：N-甲基吡咯烷酮10.0kg、碳酸钠6.0kg、硬脂酸钠2.0kg、十二烷基硫酸钠0.2kg、吐温40 0.6kg、蓖麻油酸锌2.5kg和水78.7kg，制备方法同实施例1。
实施例6
本实施例提供的半导体高活性去蜡液，其配方如下：N-甲基吡咯烷酮15.0kg、碳酸钾5.0kg、硬脂酸钠2.5kg、十二烷基磷酸钠0.7kg、司盘60 1.4kg、蓖麻油酸锌1.0kg和水74.4kg，制备方法同实施例1。
对比例1
本对比例提供的去蜡液，与实施例1提供的去蜡液的区别在于：将蓖麻油酸锌采用等量的水替代。
对比例2
本对比例提供的去蜡液，与实施例1提供的去蜡液的区别在于：将硬脂酸钠替换成等量的水。
对比例3
本对比例提供的去蜡液，与实施例1提供的去蜡液的区别在于：将硬脂酸钠和蓖麻油酸锌替换成等量的水。
试验例1
为了评价上述实施例1～6和对比例1～3的去蜡液对抛光蜡的去除效果，进行如下实验。将去蜡液倒入容器中，加入去离子水稀释至浓度为15％；然后放入带有抛光蜡的半导体材料，在30℃下浸泡合适10min，取出用去离子水漂洗干净，再用高纯氮气吹干。通过光学显微镜和肉眼观察抛光蜡的去除情况，结果如表1所示。
抛光蜡去除情况的评价基准
◎：肉眼观察抛光蜡去除100％，显微镜观察表面无抛光蜡颗粒残留；
○：肉眼观察抛光蜡去除100％，显微镜观察表面颗粒有颗粒残留物；
△：肉眼观察抛光蜡去除80％；
×：肉眼观察抛光蜡去除小于60％。
为了评价去蜡液因长时间使用而挥发所损失的程度，进行如下实验。
将上述实施例1～6和对比例1～3中制备的去蜡液，在75℃下放置24h，测定去蜡液挥发度，结果如表1所示
挥发度(％)＝[(实验开始去蜡液质量)-(24小时后去蜡液质量)/实验开始去蜡液质量]×100
<评价基准>
◎：小于1％
○：1％以上且小于5％
△：5％以上且小于10％
×：10％以上且小于20％
××：20％以上
表1评价结果
从上表的评价结果可知，从挥发度上看，实施例1-6以及对比例1-3提供的去蜡液的挥发情况没有明显差异；从对抛光蜡的去除效果上看，实施例1-6提供的去蜡液配方对抛光蜡能够很好的去除，且没有颗粒残留；而对比例2中的去蜡液配方，肉眼观察不到抛光蜡的存在，但通过显微镜观察，半导体表面存在颗粒物残留，说明在去蜡液中添加蓖麻油酸锌对去蜡液颗粒物的去除具有明显影响；而对比例1和对比3的抛光蜡的去除情况约80％，说明体系中硬脂酸钠能够促进去蜡液的对抛光蜡的乳化和溶解作用。由此可见去蜡液中采用蓖麻油乳酸锌和硬脂酸钠复配对于半导体上的抛光蜡的去除具有协同作用。
以上所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
Claims (10)
1.一种半导体高活性去蜡液，按重量份计，其包括以下组分：
2.根据权利要求1所述的去蜡液，其特征在于，按质量百分数计，其包括以下组分：
3.根据权利要求1所述的去蜡液，其特征在于，按质量百分数计，其包括以下组分：
4.根据权利要求1-3任一项所述的去蜡液，其特征在于，所述无机碱选自氢氧化钾、氢氧化钠、碳酸钠和碳酸钾中的至少一种。
5.根据权利要求1-3任一项所述的去蜡液，其特征在于，所述阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂和的质量比为1：(1.5-3)。
6.根据权利要求1-3任一项所述的去蜡液，其特征在于，所述阴离子表面活性剂选自十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基磷酸钠和十二烷基二苯醚二磺酸钠中一种或多种。
7.根据权利要求1-3任一项所述的去蜡液，其特征在于，所述非离子表面活性剂选自吐温20、吐温40、吐温60、吐温80、吐温85、司盘20、司盘40、司盘60和司盘80中一种或多种。
8.权利要求书1-7任一项所述半导体高活性去蜡液的制备方法，其包括以下步骤：依次称取上述配方量的各原料组分，利用气动隔膜泵传送到反应釜中，经过定时循环搅拌使各原料组分混合均匀，采用精密过滤器过滤后即得，经检验合格后利用精密自动灌装机进行灌装。
9.权利要求1-7任一项所述半导体高活性去蜡液在去除抛光蜡中的应用。
10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于，所述去蜡液可以采用原液或者用去离子水稀释至浓度为10％-20％后使用。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Country | Link |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111849656A (zh) * | 2020-08-06 | 2020-10-30 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种功率半导体器件用硅片清洗液 |
| CN112481042A (zh) * | 2020-11-27 | 2021-03-12 | 三达奥克化学股份有限公司 | 一种半导体芯片粘结蜡清洗剂及其制备和使用方法 |
| CN113980747A (zh) * | 2021-11-10 | 2022-01-28 | 重庆臻宝实业有限公司 | 一种半导体材料表面脱脂处理的清洗剂 |
| CN114806726A (zh) * | 2022-05-31 | 2022-07-29 | 福建省佑达环保材料有限公司 | 一种用于led制程的去蜡液 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1124285A (zh) * | 1995-11-23 | 1996-06-12 | 山东大学 | 半导体工业用清洗剂 |
| CN1876786A (zh) * | 2006-06-30 | 2006-12-13 | 天津晶岭电子材料科技有限公司 | 一种去除半导体材料表面蜡和有机物的清洗液及其清洗方法 |
| CN105907489A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-08-31 | 安庆友仁电子有限公司 | 一种硅晶片清洗剂及其制备方法 |
| CN105950305A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-09-21 | 安庆友仁电子有限公司 | 一种安全环保高效的硅晶片清洗剂及其制备方法 |
-
2018
- 2018-08-22 CN CN201810958325.9A patent/CN108865542A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1124285A (zh) * | 1995-11-23 | 1996-06-12 | 山东大学 | 半导体工业用清洗剂 |
| CN1876786A (zh) * | 2006-06-30 | 2006-12-13 | 天津晶岭电子材料科技有限公司 | 一种去除半导体材料表面蜡和有机物的清洗液及其清洗方法 |
| CN105907489A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-08-31 | 安庆友仁电子有限公司 | 一种硅晶片清洗剂及其制备方法 |
| CN105950305A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-09-21 | 安庆友仁电子有限公司 | 一种安全环保高效的硅晶片清洗剂及其制备方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111849656A (zh) * | 2020-08-06 | 2020-10-30 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种功率半导体器件用硅片清洗液 |
| CN112481042A (zh) * | 2020-11-27 | 2021-03-12 | 三达奥克化学股份有限公司 | 一种半导体芯片粘结蜡清洗剂及其制备和使用方法 |
| CN113980747A (zh) * | 2021-11-10 | 2022-01-28 | 重庆臻宝实业有限公司 | 一种半导体材料表面脱脂处理的清洗剂 |
| CN113980747B (zh) * | 2021-11-10 | 2023-08-25 | 重庆臻宝科技股份有限公司 | 一种半导体材料表面脱脂处理的清洗剂 |
| CN114806726A (zh) * | 2022-05-31 | 2022-07-29 | 福建省佑达环保材料有限公司 | 一种用于led制程的去蜡液 |
| CN114806726B (zh) * | 2022-05-31 | 2023-10-31 | 福建省佑达环保材料有限公司 | 一种用于led制程的去蜡液 |
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