CN108828488B - 一种兼容两种因子平台的实现方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种兼容两种因子平台的实现方法,包括将原有FK/FB校准平台的FK/FB因子保留在MCU存储驱动层;在上位机新增K/B因子的校准方法;在MCU应用层增加FK/FB因子的劫持代码,并初始化K/B因子;在MCU应用层利用增加的劫持代码来劫持FK/FB因子的转存命令,根据FK/FB因子的转存命令刷新K/B因子;保持原有FK/FB校准平台中用于模拟量测试及加载的FK/FB因子命令不变,新增用于模拟量测试及加载的K/B因子命令,并通过K/B因子命令实现MCU应用层与上位机之间直接使用实际值进行交互。通过该方法来实现FK/FB因子与K/B因子的设备平台的相互兼容,可为实际使用带来极大的方便。

Description

一种兼容两种因子平台的实现方法
技术领域
本发明涉及电路系统测试领域,特别涉及一种兼容两种因子平台的实现方法。
背景技术
由于电路系统都存在有一定的误差,使得模拟量测量与加载的输出值会和理想的实际值存在一定的偏差,一般误差为线性误差。线性误差可使用二元一次校准方法(工程值*K+B=实际值)来进行校准,工程值是未经校准的电压、电流等。
KB校准方法是最常用的校准方法,下面以模拟量测量为例来进行说明:在进行模拟量测量时,MCU测量模拟量回来为AD值=0-2分辨率,如24位AD值是:0-16777216;MCU或上位机进行工程值转换,工程值=AD值*倍数+相关电路偏移量(offset);MCU或上位机进行校准,得出实际值=工程值*K+B。由上述可知,当前计算出实际值需要进行两次运算,这会使整个运算时间比较长。在一些特定场合下,可将倍数、相关抬升与K、B进行融合,以此来减少程序的运行次数,具体如下:AD值*倍数*K+K*偏移量+B--->AD值*FK+FB,其中,FK=倍数*K,FB=K*相关电路偏移量+B。
由于早期MCU及计算机的资源较少,MCU内部只采集AD值(不做运算),并将AD值返回给上位机,由上位机再进行运算,因此相关的校准都以现有的FK、FB的格式进行运算及保存,FK、FB均会转存到MCU存储驱动层中。近几年来,随着技术的不断发展,MCU的资源及运算能力已经能够支持复杂的算法,且能够存储的数据量也比较大。由于FK/FB的辨别度不高,且难于操作,主要原因包括:1、FK/FB因子中融合了倍数,无法直接反应当前设备的线性关系,使得看起来不够直观,如FK=0.00768,FB=982220,同时,也因为融合了倍数,这使得对相关工作人员的专业知识要求也比较高;2、人机交互的难度较高,且不同模拟量有不同的倍数,增加了上位机校准的编码难度;因此,后续新开发的产品都希望能够支持K/B运算方法。
模拟量加载的过程与模拟量测量基本相同。模拟量加载过程流程包括:加载模拟量->上位机软件运算(FK/FB)->DA值(0-2分辨率)->下发至下位机->下位机直接加载。
但是,由于早期开发的设备都是以FK/FB作为校准因子,而当前开发的设备都是以K/B作为校准因子,且这两种校准因子的运算方法及保存方式都不同,导致两种校准因子的设备平台无法兼容,这为实际的使用带来了诸多的不便。
发明内容
本发明要解决的技术问题,在于提供一种兼容两种因子平台的实现方法,通过该方法来实现FK/FB因子与K/B因子的设备平台的相互兼容,可为实际使用带来极大的方便。
本发明是这样实现的:
方案一:
一种兼容两种因子平台的实现方法,所述方法包括如下步骤:
步骤S1、将原有FK/FB校准平台的FK/FB因子保留在MCU存储驱动层中;
步骤S2、在上位机中新增K/B因子的校准方法;
步骤S3、在MCU应用层中增加FK/FB因子的劫持代码,并初始化K/B因子;
步骤S4、在MCU应用层中利用增加的劫持代码来劫持FK/FB因子的转存命令,并根据FK/FB因子的转存命令刷新K/B因子;
步骤S5、保持原有FK/FB校准平台中用于模拟量测试及加载的FK/FB因子命令不变,新增用于模拟量测试及加载的K/B因子命令,并通过K/B因子命令来实现MCU应用层与上位机之间直接使用实际值进行交互。
进一步地,所述步骤S2具体包括:
步骤S21、保留原有的FK/FB因子的校准方法和函数接口不变;
步骤S22、在上位机增加K/B因子的校准界面,以及增加K/B因子的写入操作命令;
步骤S23、MCU应用层接收上位机发送的写入操作命令,并根据不同的倍数和偏移量将K/B因子换算成FK/FB因子,同时按照FK/FB因子的格式以及地址刷新换算后的FK/FB因子;
步骤S24、在上位机增加K/B因子的读取操作命令。
进一步地,所述步骤S3具体包括:
步骤S31、设备开机后,MCU应用层执行FK/FB因子的初始化代码,从MCU存储驱动层中读取出FK/FB因子;
步骤S32、在MCU应用层中新增转换函数,以利用转换函数来实现根据不同的倍数和偏移量将FK/FB因子换算成K/B因子;
步骤S33、在FK/FB因子的初始化代码中增加转换函数的调用接口,且在MCU应用层执行FK/FB因子的初始化代码时,通过所述调用接口来调用转换函数,并利用转换函数来将FK/FB因子换算成K/B因子,从而实现K/B因子的初始化。
进一步地,所述步骤S4具体为:在MCU应用层的现有转存命令中增加转换函数的函数入口,且在MCU应用层执行FK/FB因子的转存命令时,同时利用函数入口自动根据FK/FB因子刷新K/B因子。
方案二:
一种兼容两种因子平台的实现方法,所述方法包括如下步骤:
步骤W1、将原有K/B校准平台的K/B因子保留在MCU存储驱动层中;
步骤W2、在上位机中新增FK/FB因子的校准方法;
步骤W3、在MCU应用层中增加K/B因子的劫持代码,并初始化FK/FB因子;
步骤W4、在MCU应用层中利用增加的劫持代码来劫持K/B因子的转存命令,并根据K/B因子的转存命令刷新FK/FB因子;
步骤W5、保持原有K/B校准平台中用于模拟量测试及加载的K/B因子命令不变,新增用于模拟量测试及加载的FK/FB因子命令,并通过FK/FB因子命令来实现MCU应用层与上位机之间使用AD值进行交互。
进一步地,所述步骤W2具体包括:
步骤W21、保留原有的K/B因子的校准方法和函数接口不变;
步骤W22、在上位机增加FK/FB因子的校准界面,以及增加FK/FB因子的写入操作命令;
步骤W23、MCU应用层接收上位机发送的写入操作命令,并根据不同的倍数和偏移量将FK/FB因子换算成K/B因子,同时按照K/B因子的格式以及地址刷新换算后的K/B因子;
步骤SW4、在上位机增加FK/FB因子的读取操作命令。
进一步地,所述步骤W3具体包括:
步骤W31、设备开机后,MCU应用层执行K/B因子的初始化代码,从MCU存储驱动层中读取出K/B因子;
步骤W32、在MCU应用层中新增转换函数,以利用转换函数来实现根据不同的倍数和偏移量将K/B因子换算成FK/FB因子;
步骤W33、在K/B因子的初始化代码中增加转换函数的调用接口,且在MCU应用层执行K/B因子的初始化代码时,通过所述调用接口来调用转换函数,并利用转换函数来将K/B因子换算成FK/FB因子,从而实现FK/FB因子的初始化。
进一步地,所述步骤W4具体为:在MCU应用层的现有转存命令中增加转换函数的函数入口,且在MCU应用层执行K/B因子的转存命令时,同时利用函数入口自动根据K/B因子刷新FK/FB因子。
本发明具有如下优点:1、通过本发明方法可实现FK/FB因子与K/B因子的设备平台的相互兼容,这使得在具体实施时,不管是基于FK/FB因子的校准平台设备,还是基于K/B因子的校准平台设备,都可以通过软件升级的方式来实现FK/FB因子与K/B因子的灵活互转,从而实现在同一校准平台设备中兼容FK/FB因子和K/B因子两种因子,这可为实际使用带来极大的方便;2、由于可实现在同一校准平台设备中兼容FK/FB因子和K/B因子两种因子,因此,可降低对相关技术人员的专业知识要求,并简化上位机人机交互的校准编码难度。
附图说明
下面参照附图结合实施例对本发明作进一步的说明。
图1为本发明一种兼容两种因子平台的实现方法的具体实施方案一的执行流程图。
图2为使用本发明具体实施方案一进行模拟量测试的示意图。
图3为本发明一种兼容两种因子平台的实现方法的具体实施方案二的执行流程图。
具体实施方式
具体实施方案一:
在具体实施方案一的技术方案中,是在以FK/FB作为校准因子的设备中融合K/B因子平台进行说明的。
请参照图1所示,本发明一种兼容两种因子平台的实现方法,所述方法包括如下步骤:
步骤S1、将原有FK/FB校准平台的FK/FB因子保留在MCU存储驱动层中;也就是说,保持原有FK/FB校准平台的FK/FB因子存储方式(包括FK/FB因子的格式和存储的地址)不变。
步骤S2、在上位机中新增K/B因子的校准方法,从而实现将K/B校准平台融合到原有的FK/FB校准平台中;
在具体实施时,所述步骤S2具体包括:
步骤S21、保留原有的FK/FB因子的校准方法和函数接口不变;
步骤S22、在上位机增加K/B因子的校准界面,以及增加K/B因子的写入操作命令;
步骤S23、MCU应用层接收上位机发送的写入操作命令,并根据不同的倍数和偏移量(具体倍数和偏移量均保存在MCU应用层的算法中)将K/B因子换算成FK/FB因子,同时按照FK/FB因子的格式以及地址刷新换算后的FK/FB因子(即将换算后的FK/FB因子写入到MCU存储驱动层中);
步骤S24、在上位机增加K/B因子的读取操作命令,以实现读取操作。
步骤S3、在MCU应用层中增加FK/FB因子的劫持代码,并初始化K/B因子;
所述步骤S3具体包括:
步骤S31、设备开机后,MCU应用层执行FK/FB因子的初始化代码,从MCU存储驱动层中读取出FK/FB因子;
步骤S32、在MCU应用层中新增转换函数,以利用转换函数来实现根据不同的倍数和偏移量(具体倍数和偏移量均保存在MCU应用层的算法中)将FK/FB因子换算成K/B因子;
步骤S33、在FK/FB因子的初始化代码中增加转换函数的调用接口,且在MCU应用层执行FK/FB因子的初始化代码时,通过所述调用接口来调用转换函数,并利用转换函数来将FK/FB因子换算成K/B因子,从而实现K/B因子的初始化,这样,就可以直接使用K/B平台的操作命令了。
步骤S4、在MCU应用层中利用增加的劫持代码来劫持FK/FB因子的转存命令,并根据FK/FB因子的转存命令刷新K/B因子;
所述步骤S4具体为:在MCU应用层的现有转存命令中增加转换函数的函数入口,且在MCU应用层执行FK/FB因子的转存命令时,同时利用函数入口自动根据FK/FB因子刷新K/B因子,从而确保K/B因子与FK/FB因子完全兼容。
步骤S5、保持原有FK/FB校准平台中用于模拟量测试及加载的FK/FB因子命令不变,新增用于模拟量测试及加载的K/B因子命令,并通过K/B因子命令来实现MCU应用层与上位机之间直接使用实际值进行交互。
下面以模拟量测试来进行具体说明下:请参照图2所示,在使用FK/FB校准平台旧命令(FK/FB因子命令)进行模拟量测试时,首先由MCU应用层来进行AD值采集,并将采集到的AD值传送给上位机,由上位机再进行实际值的运行,其中,实际值=AD值*FK+FB,FK和FB在上位机开机时就会从MCU存储驱动层中获取。在使用新增的K/B因子命令进行模拟量测试时,可以通过MCU应用层来进行AD值采集,同时在MCU应用层中完成工程值和实际值的运算,其中,工程值=AD值*倍数+抬升,实际值=工程值*K+B,最后再由MCU应用层将实际值返回给上位机。使用新增的K/B因子命令进行模拟量加载的原理与模拟量测试原理基本一致,只是方向相反而已。
具体实施方案二:
在具体实施方案二的技术方案中,是在以K/B作为校准因子的设备中融合FKF/B因子平台进行说明的。
请参照图3所示,一种兼容两种因子平台的实现方法,所述方法包括如下步骤:
步骤W1、将原有K/B校准平台的K/B因子保留在MCU存储驱动层中;也就是说,保持原有K/B校准平台的K/B因子存储方式(包括K/B因子的格式和存储的地址)不变。
步骤W2、在上位机中新增FK/FB因子的校准方法,从而实现将FK/FB校准平台融合到原有的K/B校准平台中;
在具体实施时,所述步骤W2具体包括:
步骤W21、保留原有的K/B因子的校准方法和函数接口不变;
步骤W22、在上位机增加FK/FB因子的校准界面,以及增加FK/FB因子的写入操作命令;
步骤W23、MCU应用层接收上位机发送的写入操作命令,并根据不同的倍数和偏移量(具体倍数和偏移量均保存在MCU应用层的算法中)将FK/FB因子换算成K/B因子,同时按照K/B因子的格式以及地址刷新换算后的K/B因子(即将换算后的K/B因子写入到MCU存储驱动层中);
步骤SW4、在上位机增加FK/FB因子的读取操作命令,以实现读取操作。
步骤W3、在MCU应用层中增加K/B因子的劫持代码,并初始化FK/FB因子;
所述步骤W3具体包括:
步骤W31、设备开机后,MCU应用层执行K/B因子的初始化代码,从MCU存储驱动层中读取出K/B因子;
步骤W32、在MCU应用层中新增转换函数,以利用转换函数来实现根据不同的倍数和偏移量(具体倍数和偏移量均保存在MCU应用层的算法中)将K/B因子换算成FK/FB因子;
步骤W33、在K/B因子的初始化代码中增加转换函数的调用接口,且在MCU应用层执行K/B因子的初始化代码时,通过所述调用接口来调用转换函数,并利用转换函数来将K/B因子换算成FK/FB因子,从而实现FK/FB因子的初始化,这样,就可以直接使用FK/FB平台的操作命令了。
步骤W4、在MCU应用层中利用增加的劫持代码来劫持K/B因子的转存命令,并根据K/B因子的转存命令刷新FK/FB因子;
所述步骤W4具体为:在MCU应用层的现有转存命令中增加转换函数的函数入口,且在MCU应用层执行K/B因子的转存命令时,同时利用函数入口自动根据K/B因子刷新FK/FB因子,从而确保FK/FB因子与K/B因子完全兼容。
步骤W5、保持原有K/B校准平台中用于模拟量测试及加载的K/B因子命令不变,新增用于模拟量测试及加载的FK/FB因子命令,并通过FK/FB因子命令来实现MCU应用层与上位机之间使用AD值进行交互。
综上所述,本发明具有如下优点:1、通过本发明方法可实现FK/FB因子与K/B因子的设备平台的相互兼容,这使得在具体实施时,不管是基于FK/FB因子的校准平台设备,还是基于K/B因子的校准平台设备,都可以通过软件升级的方式来实现FK/FB因子与K/B因子的灵活互转,从而实现在同一校准平台设备中兼容FK/FB因子和K/B因子两种因子,这可为实际使用带来极大的方便;2、由于可实现在同一校准平台设备中兼容FK/FB因子和K/B因子两种因子,因此,可降低对相关技术人员的专业知识要求,并简化上位机人机交互的校准编码难度。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式,但是熟悉本技术领域的技术人员应当理解,我们所描述的具体的实施例只是说明性的,而不是用于对本发明的范围的限定,熟悉本领域的技术人员在依照本发明的精神所作的等效的修饰以及变化,都应当涵盖在本发明的权利要求所保护的范围内。

Claims (8)

1.一种兼容两种因子平台的实现方法,其特征在于:所述方法包括如下步骤:
步骤S1、将原有FK/FB校准平台的FK/FB因子保留在MCU存储驱动层中;
步骤S2、在上位机中新增K/B因子的校准方法;
步骤S3、在MCU应用层中增加FK/FB因子的劫持代码,并初始化K/B因子;
步骤S4、在MCU应用层中利用增加的劫持代码来劫持FK/FB因子的转存命令,并根据FK/FB因子的转存命令刷新K/B因子;
步骤S5、保持原有FK/FB校准平台中用于模拟量测试及加载的FK/FB因子命令不变,新增用于模拟量测试及加载的K/B因子命令,并通过K/B因子命令来实现MCU应用层与上位机之间直接使用实际值进行交互。
2.根据权利要求1所述的一种兼容两种因子平台的实现方法,其特征在于:所述步骤S2具体包括:
步骤S21、保留原有的FK/FB因子的校准方法和函数接口不变;
步骤S22、在上位机增加K/B因子的校准界面,以及增加K/B因子的写入操作命令;
步骤S23、MCU应用层接收上位机发送的写入操作命令,并根据不同的倍数和偏移量将K/B因子换算成FK/FB因子,同时按照FK/FB因子的格式以及地址刷新换算后的FK/FB因子;
步骤S24、在上位机增加K/B因子的读取操作命令。
3.根据权利要求1所述的一种兼容两种因子平台的实现方法,其特征在于:所述步骤S3具体包括:
步骤S31、设备开机后,MCU应用层执行FK/FB因子的初始化代码,从MCU存储驱动层中读取出FK/FB因子;
步骤S32、在MCU应用层中新增转换函数,以利用转换函数来实现根据不同的倍数和偏移量将FK/FB因子换算成K/B因子;
步骤S33、在FK/FB因子的初始化代码中增加转换函数的调用接口,且在MCU应用层执行FK/FB因子的初始化代码时,通过所述调用接口来调用转换函数,并利用转换函数来将FK/FB因子换算成K/B因子,从而实现K/B因子的初始化。
4.根据权利要求3所述的一种兼容两种因子平台的实现方法,其特征在于:所述步骤S4具体为:在MCU应用层的现有转存命令中增加转换函数的函数入口,且在MCU应用层执行FK/FB因子的转存命令时,同时利用函数入口自动根据FK/FB因子刷新K/B因子。
5.一种兼容两种因子平台的实现方法,其特征在于:所述方法包括如下步骤:
步骤W1、将原有K/B校准平台的K/B因子保留在MCU存储驱动层中;
步骤W2、在上位机中新增FK/FB因子的校准方法;
步骤W3、在MCU应用层中增加K/B因子的劫持代码,并初始化FK/FB因子;
步骤W4、在MCU应用层中利用增加的劫持代码来劫持K/B因子的转存命令,并根据K/B因子的转存命令刷新FK/FB因子;
步骤W5、保持原有K/B校准平台中用于模拟量测试及加载的K/B因子命令不变,新增用于模拟量测试及加载的FK/FB因子命令,并通过FK/FB因子命令来实现MCU应用层与上位机之间使用AD值进行交互。
6.根据权利要求5所述的一种兼容两种因子平台的实现方法,其特征在于:所述步骤W2具体包括:
步骤W21、保留原有的K/B因子的校准方法和函数接口不变;
步骤W22、在上位机增加FK/FB因子的校准界面,以及增加FK/FB因子的写入操作命令;
步骤W23、MCU应用层接收上位机发送的写入操作命令,并根据不同的倍数和偏移量将FK/FB因子换算成K/B因子,同时按照K/B因子的格式以及地址刷新换算后的K/B因子;
步骤SW4、在上位机增加FK/FB因子的读取操作命令。
7.根据权利要求5所述的一种兼容两种因子平台的实现方法,其特征在于:所述步骤W3具体包括:
步骤W31、设备开机后,MCU应用层执行K/B因子的初始化代码,从MCU存储驱动层中读取出K/B因子;
步骤W32、在MCU应用层中新增转换函数,以利用转换函数来实现根据不同的倍数和偏移量将K/B因子换算成FK/FB因子;
步骤W33、在K/B因子的初始化代码中增加转换函数的调用接口,且在MCU应用层执行K/B因子的初始化代码时,通过所述调用接口来调用转换函数,并利用转换函数来将K/B因子换算成FK/FB因子,从而实现FK/FB因子的初始化。
8.根据权利要求7所述的一种兼容两种因子平台的实现方法,其特征在于:所述步骤W4具体为:在MCU应用层的现有转存命令中增加转换函数的函数入口,且在MCU应用层执行K/B因子的转存命令时,同时利用函数入口自动根据K/B因子刷新FK/FB因子。
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