CN108821336A - 一种制备电子级二氧化钛超细粉体的方法 - Google Patents

一种制备电子级二氧化钛超细粉体的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108821336A
CN108821336A CN201810611180.5A CN201810611180A CN108821336A CN 108821336 A CN108821336 A CN 108821336A CN 201810611180 A CN201810611180 A CN 201810611180A CN 108821336 A CN108821336 A CN 108821336A
Authority
CN
China
Prior art keywords
titanium dioxide
vanadium
chlorine
powder body
ultrafine powder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810611180.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108821336B (zh
Inventor
包晓刚
叶旦旺
颜玉萍
范志强
张高平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SANXIANG ADVANCED MATERIALS CO Ltd
Original Assignee
SANXIANG ADVANCED MATERIALS CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SANXIANG ADVANCED MATERIALS CO Ltd filed Critical SANXIANG ADVANCED MATERIALS CO Ltd
Priority to CN201810611180.5A priority Critical patent/CN108821336B/zh
Publication of CN108821336A publication Critical patent/CN108821336A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108821336B publication Critical patent/CN108821336B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G23/00—Compounds of titanium
    • C01G23/04—Oxides; Hydroxides
    • C01G23/047—Titanium dioxide
    • C01G23/07—Producing by vapour phase processes, e.g. halide oxidation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B11/00—Oxides or oxyacids of halogens; Salts thereof
    • C01B11/04—Hypochlorous acid
    • C01B11/06—Hypochlorites
    • C01B11/062—Hypochlorites of alkali metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B7/00—Halogens; Halogen acids
    • C01B7/01—Chlorine; Hydrogen chloride
    • C01B7/03—Preparation from chlorides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G31/00—Compounds of vanadium
    • C01G31/02—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80—Compositional purity

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

本发明涉及一种制备电子级二氧化钛超细粉体的方法，包括：将氯化钛蒸汽、氯化钒蒸汽与氧气在1500℃以上的高温条件下反应，得到包含氧化钒的二氧化钛微粒和氯气的混合物；将二氧化钛微粒和氯气气固分离，得到电子级二氧化钛超细粉体。本发明方法区别于现有技术，工艺流程短，生产成本低，环境污染少，生产得到的产品杂质含量低、金红石含量高、粒度一致性好、球形度高。由于在气相氧化反应过程中，引入一定比例的氧化钒，使得二氧化钛的介电常数和电导率等电学性能得到极大的改善，提升了电子器件的稳定性，增强了二氧化钛超细粉体在热敏/压敏电阻、半导体电容器和电池材料等领域的使用性能和稳定性。

Description

一种制备电子级二氧化钛超细粉体的方法
本案是以申请日为2017-05-25，申请号为201710376675.X，名称为“一种气相氧化法制备电子级二氧化钛超细粉体的方法”的发明专利为母案而进行的分案申请。
技术领域
本发明涉及无机材料和电子材料技术领域，具体说是一种制备电子级二氧化钛超细粉体的方法。
背景技术
二氧化钛是重要的金属氧化物之一，广泛应用于军工、橡胶、塑料、造纸、油墨、化纤及化妆品等工业。高纯二氧化钛超细粉体由于具有半导体性能、介电常数和电阻率较高等特点，广泛应用于热敏/压敏电阻、半导体电容器和电池等领域。目前，电子级二氧化钛超细粉体的制备方法主要有液相法和气相法，液相法主要是以钛的氯化物、醇盐化合物等为原料，通过硫酸法、水解法和氯化法等在液相中化学反应制备二氧化钛纳米粉体，液相法也是工业上制备高纯二氧化钛粉体的主要方法。由于超细TiO2颗粒小、比表面积大、表面能高，在干燥和煅烧过程易引起团聚，特别是硬团聚，使产品的分散性变差，影响产品的使用效果和应用范围，液相法工序较多，生产过程繁杂，制备成本高；气相法生产二氧化钛超细粉体的技术水平及工艺参数控制要求高，制得的产品质量好，是现阶段行业研究的热点，但产品的介电常数和电导率等电学性能仍有待提高，限制了其在热敏/压敏电阻、半导体电容器和电池材料等领域的进一步发展。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺陷，本发明所要解决的技术问题是提供一种制备电子级二氧化钛超细粉体的方法，该方法工艺简单，制得的产品杂质含量低，金红石含量高，介电常数和电导率高。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：
一种制备电子级二氧化钛超细粉体的方法，包括：
S1、将氯化钛蒸汽、氯化钒蒸汽与氧气在1500℃以上的高温条件下反应，得到包含氧化钒的二氧化钛微粒和氯气的混合物；
S2、将二氧化钛微粒和氯气气固分离，得到电子级二氧化钛超细粉体。
本发明的有益效果在于：采用本发明的气相氧化法制备二氧化钛超细粉体，工艺流程短，生产成本低，环境污染少，生产得到的产品杂质含量低、金红石含量高、粒度一致性好、球形度高。由于在气相氧化反应过程中，引入同样在电子材料领域性能表现优越的氧化钒，使得二氧化钛的介电常数和电导率等电学性能得到极大的改善，提升了电子器件的稳定性。本发明方法对提高电子级二氧化钛超细粉体的质量，保证电子器件稳定性，提高产品市场竞争力具有十分重要的意义，可进一步推动电子级二氧化钛超细粉体的制备技术的发展。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式予以说明。
本发明最关键的构思在于：采用氯化钛蒸汽、氯化钒蒸汽与氧气在1500℃以上的高温条件下进行气相氧化反应，使二氧化钛超细粉体中引入氧化钒，提高产品的介电常数和电导率等电学性能。
具体的，本发明提供的气相氧化法制备电子级二氧化钛超细粉体的方法，包括：
S1、将氯化钛蒸汽、氯化钒蒸汽与氧气在1500℃以上的高温条件下反应，得到包含氧化钒的二氧化钛微粒和氯气的混合物；
S2、将二氧化钛微粒和氯气气固分离，得到电子级二氧化钛超细粉体。
本发明方法为气相氧化法，其主要反应原理如下：
至少1500℃高温下，
TiCl4+VCl4+O2→(Ti/V)O2+TiO2-V2O5+Cl4
反应生成的包含氧化钒的二氧化钛微粒和氯气的混合物，经气固分离后，即可得到包含氧化钒的电子级二氧化钛超细粉体，氯气可经过液碱吸收制成次氯酸钠等副产品，提高原料的利用率。整个工艺流程简单，生产成本低，可实现连续化、自动化生产，减少对环境的污染。由于在二氧化钛超细粉体中引入了一定比例的钒氧化物，有效提升了二氧化钛超细粉体的介电常数和电导率等电学性能，增强了二氧化钛超细粉体在热敏/压敏电阻、半导体电容器和电池材料等领域的使用性能和稳定性。
经测试，采用本发明方法制得的二氧化钛超细粉体，其一次粒度集中在10nm～160nm，产品纯度可达99.95％，其中氧化钒的含量为0.45％-9％，金红石型二氧化钛含量为91％-99.6％，产品中氧化硅、氧化铝、氧化钠、氧化铁、氧化钾等杂质的含量均小于10ppm，粉末介电常数可达135-165，随温度上升电导率提升速率更快，当加热到420℃时，电导率增大至常温态的120-130倍。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：采用本发明的气相氧化法制备二氧化钛超细粉体，工艺流程短，生产成本低，环境污染少，生产得到的产品杂质含量低、金红石含量高、粒度一致性好、球形度高。由于在气相氧化反应过程中，引入同样在电子材料领域性能表现优越的氧化钒，使得二氧化钛的介电常数和电导率等电学性能得到极大的改善，提升了电子器件的稳定性。本发明方法对提高电子级二氧化钛超细粉体的质量，保证电子器件稳定性，提高产品市场竞争力具有十分重要的意义，可进一步推动电子级二氧化钛超细粉体的制备技术的发展。
进一步的，按重量比计，氯化钛蒸汽∶氯化钒蒸汽＝1∶0.005～0.099。
进一步的，反应时间为5min以上，可以使反应更充分。
进一步的，气固分离的方法为将二氧化钛微粒和氯气的混合物急剧冷却，使二氧化钛微粒与氯气分离开来。采用急剧冷却的气固分离方式，可以有效避免氯气溶入固相。
进一步的，气固分离后得到的氯气通入碱液中处理，可以制成次氯酸钠等副产品，提高原料的利用率。
进一步的，所述步骤S1具体为：
将纯度≥99.99wt％的四氯化钛与纯度≥99.9wt％的四氯化钒按照重量比为氯化钛∶氯化钒＝1∶0.005～0.099的配比加入到密闭预热炉内，预热至450℃以上得到氯化钛和氯化钒的混合蒸汽，同时将纯度≥99.9wt％的氧气加热到1500℃以上，然后将氯化钛和氯化钒的混合蒸汽以及氧气喷入氧化反应器内进行气相氧化反应，生成包含氧化钒的二氧化钛微粒和氯气的混合物。其中，将纯度≥99.9wt％的氧气加热到1500℃以上，有利于产品形成金红石晶型。
实施例1
1、将纯度为99.99wt％的四氯化钛与99.9wt％的四氯化钒按质量百分比1∶0.035进行配料，在密闭预热炉内预热至480℃，得到氯化钛和氯化钒的混合蒸汽；
2、在氧气加热炉内将纯度≥99.9wt％的氧气加热到1580℃；
3、将上述氯化钛和氯化钒的混合蒸汽与氧气通过喷枪喷入氧化反应器内高温下进行气相氧化反应，反应7min，生成包含氧化钒的二氧化钛微粒和氯气的混合物；
4、对氧化反应器内的产物进行急剧冷却，使得二氧化钛微粒和氯气气固分离；
5、产生的氯气经过液碱吸收制成次氯酸钠等副产品；
6、积尘室的二氧化钛微粒则做为产品收集；
经测试，本实施例1制得的产品的一次粒度主要集中在16nm～145nm之间，产品中氧化硅含量为4ppm、氧化铝含量为10ppm、氧化钠含量为2.9ppm、氧化铁含量为4.5ppm、氧化钾含量为2.3ppm。
实施例2
1、将纯度为99.99wt％的四氯化钛与99.9wt％的四氯化钒按质量百分比1∶0.056进行配料，在密闭预热炉内预热至500℃，得到氯化钛和氯化钒的混合蒸汽；
2、在氧气加热炉内将纯度≥99.95wt％的氧气加热到1550℃；
3、将上述氯化钛和氯化钒的混合蒸汽与氧气通过喷枪喷入氧化反应器内高温下进行气相氧化反应，反应6min，生成包含氧化钒的二氧化钛微粒和氯气的混合物；
4、对氧化反应器内的产物进行急剧冷却，使得二氧化钛微粒和氯气气固分离；
5、产生的氯气经过液碱吸收制成次氯酸钠等副产品；
6、积尘室的二氧化钛微粒则做为产品收集；
经测试，本实施例2制得的产品的一次粒度主要集中在24nm～160nm之间，产品中氧化硅含量为5ppm、氧化铝含量为7ppm、氧化钠含量为4ppm、氧化铁含量为2ppm、氧化钾含量为2ppm。
实施例3
1、将纯度为99.99wt％的四氯化钛与99.9wt％的四氯化钒按质量百分比1∶0.075进行配料，在密闭预热炉内预热至520℃，得到氯化钛和氯化钒的混合蒸汽；
2、在氧气加热炉内将纯度≥99.9wt％的氧气加热到1510℃；
3、将上述氯化钛和氯化钒的混合蒸汽与氧气通过喷枪喷入氧化反应器内高温下进行气相氧化反应，反应10min，生成包含氧化钒的二氧化钛微粒和氯气的混合物；
4、对氧化反应器内的产物进行急剧冷却，使得二氧化钛微粒和氯气气固分离；
5、产生的氯气经过液碱吸收制成次氯酸钠等副产品；
6、积尘室的二氧化钛微粒则做为产品收集；
经测试，本实施例1制得的产品的一次粒度主要集中在16nm～145nm之间，产品中氧化硅含量为6ppm、氧化铝含量为9ppm、氧化钠含量为5ppm、氧化铁含量为4ppm、氧化钾含量为3ppm。
综上所述，本发明提供的气相氧化法制备电子级二氧化钛超细粉体的方法，工艺流程短，生产成本低，环境污染少，生产得到的产品杂质含量低、金红石含量高、粒度一致性好、球形度高，介电常数和电导率等电学性能得到极大的改善。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (6)

1.一种制备电子级二氧化钛超细粉体的方法，其特征在于，包括：
S1、将氯化钛蒸汽、氯化钒蒸汽与氧气在1500℃以上的高温条件下反应，得到包含氧化钒的二氧化钛微粒和氯气的混合物；按重量比计，氯化钛蒸汽∶氯化钒蒸汽＝1∶0.005～0.099；
S2、将二氧化钛微粒和氯气气固分离，得到电子级二氧化钛超细粉体。
2.根据权利要求1所述的制备电子级二氧化钛超细粉体的方法，其特征在于：反应时间为5min以上。
3.根据权利要求1所述的制备电子级二氧化钛超细粉体的方法，其特征在于：气固分离的方法为将二氧化钛微粒和氯气的混合物急剧冷却，使二氧化钛微粒与氯气分离开来。
4.根据权利要求1所述的制备电子级二氧化钛超细粉体的方法，其特征在于：气固分离后得到的氯气通入碱液中处理。
5.根据权利要求1所述的制备电子级二氧化钛超细粉体的方法，其特征在于：所述步骤S1具体为：
将纯度≥99.99wt％的四氯化钛与纯度≥99.9wt％的四氯化钒按照重量比为氯化钛∶氯化钒＝1∶0.005～0.099的配比在密闭预热炉内预热至450℃以上，同时将纯度≥99.9wt％的氧气燃烧加热到1500℃以上，然后将氯化钛蒸汽、氯化钒蒸汽与氧气喷入氧化反应器内进行气相氧化反应，生成包含氧化钒的二氧化钛微粒和氯气的混合物。
6.根据权利要求1所述的制备电子级二氧化钛超细粉体的方法，其特征在于：所述方法具体为：
1)将纯度为99.99wt％的四氯化钛与99.9wt％的四氯化钒按质量百分比1∶0.035进行配料，在密闭预热炉内预热至480℃，得到氯化钛和氯化钒的混合蒸汽；
2)在氧气加热炉内将纯度≥99.9wt％的氧气加热到1580℃；
3)将上述氯化钛和氯化钒的混合蒸汽与氧气通过喷枪喷入氧化反应器内高温下进行气相氧化反应，反应7min，生成包含氧化钒的二氧化钛微粒和氯气的混合物；
4)对氧化反应器内的产物进行急剧冷却，使得二氧化钛微粒和氯气气固分离；
5)产生的氯气经过液碱吸收制成次氯酸钠；
6)积尘室的二氧化钛微粒则做为产品收集。
CN201810611180.5A 2017-05-25 2017-05-25 一种制备电子级二氧化钛超细粉体的方法 Active CN108821336B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810611180.5A CN108821336B (zh) 2017-05-25 2017-05-25 一种制备电子级二氧化钛超细粉体的方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710376675.XA CN107010661B (zh) 2017-05-25 2017-05-25 一种气相氧化法制备电子级二氧化钛超细粉体的方法
CN201810611180.5A CN108821336B (zh) 2017-05-25 2017-05-25 一种制备电子级二氧化钛超细粉体的方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710376675.XA Division CN107010661B (zh) 2017-05-25 2017-05-25 一种气相氧化法制备电子级二氧化钛超细粉体的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108821336A true CN108821336A (zh) 2018-11-16
CN108821336B CN108821336B (zh) 2020-08-14

Family

ID=59451615

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810611180.5A Active CN108821336B (zh) 2017-05-25 2017-05-25 一种制备电子级二氧化钛超细粉体的方法
CN201710376675.XA Active CN107010661B (zh) 2017-05-25 2017-05-25 一种气相氧化法制备电子级二氧化钛超细粉体的方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710376675.XA Active CN107010661B (zh) 2017-05-25 2017-05-25 一种气相氧化法制备电子级二氧化钛超细粉体的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (2) CN108821336B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111232980A (zh) * 2020-03-23 2020-06-05 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司 碳化钒粉末的制备方法
CN112678867A (zh) * 2020-12-25 2021-04-20 苏州锦艺新材料科技有限公司 一种金红石型二氧化钛及其制备方法和应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1850690A (zh) * 2006-05-12 2006-10-25 浙江大学 通过掺杂V改善TiN薄膜导电性能的方法
CN101817644A (zh) * 2010-04-20 2010-09-01 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种辐射率可调的二氧化钒基复合薄膜及其制备方法
CN103818952A (zh) * 2014-03-03 2014-05-28 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司 除去粗四氯化钛中钒杂质的方法及精制粗四氯化钛的方法
WO2016189408A1 (en) * 2015-05-27 2016-12-01 Csir Production of vcl4

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1233560C (zh) * 2003-02-21 2005-12-28 中南大学 制备金红石型二氧化钛的方法
CN103663553B (zh) * 2013-12-09 2016-06-29 云南冶金新立钛业有限公司 制备二氧化钛的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1850690A (zh) * 2006-05-12 2006-10-25 浙江大学 通过掺杂V改善TiN薄膜导电性能的方法
CN101817644A (zh) * 2010-04-20 2010-09-01 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种辐射率可调的二氧化钒基复合薄膜及其制备方法
CN103818952A (zh) * 2014-03-03 2014-05-28 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司 除去粗四氯化钛中钒杂质的方法及精制粗四氯化钛的方法
WO2016189408A1 (en) * 2015-05-27 2016-12-01 Csir Production of vcl4

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111232980A (zh) * 2020-03-23 2020-06-05 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司 碳化钒粉末的制备方法
CN112678867A (zh) * 2020-12-25 2021-04-20 苏州锦艺新材料科技有限公司 一种金红石型二氧化钛及其制备方法和应用
CN112678867B (zh) * 2020-12-25 2022-01-14 苏州锦艺新材料科技股份有限公司 一种金红石型二氧化钛及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN108821336B (zh) 2020-08-14
CN107010661B (zh) 2018-08-21
CN107010661A (zh) 2017-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI518034B (zh) 用以製造球狀氧化鋁粉末之方法
CN105858724B (zh) 一种溶液雾化法制备超细锑氧化物的方法
JP3656355B2 (ja) 塩素含有量の少ない微粒子酸化チタン粉末及びその製造法
CN104925817B (zh) 纳米级二氧化硅的制备方法
CN107010661B (zh) 一种气相氧化法制备电子级二氧化钛超细粉体的方法
TWI638051B (zh) 鎳粉末
JP3483282B2 (ja) 超微粒子二酸化酸化チタン複合化酸化物の製造方法
JP3894778B2 (ja) チタン酸リチウム及びそれを用いてなるリチウム電池
TWI311547B (en) Anatase-type titanium oxide powder and method of manufacturing the same
WO2017183487A1 (ja) 金属粉末の製造方法
CN108821337B (zh) 一种纳米二氧化钛的制备方法
CN109734128A (zh) 锆英砂氯化制备四氯化锆副产四氯化硅的工艺方法
CN112209442B (zh) 盐辅助超声热解法制备m相二氧化钒纳米粉体的方法
TWI597112B (zh) 金屬鎳粉末及金屬鎳粉末之製造方法
TW201504155A (zh) 氧化鈦粒子及其製造方法
US2508271A (en) Cooling gaseous suspensions of titanium dioxide in the preparation of titanium dioxide pigments from titanium tetrachloride
CN107628640A (zh) 纳米二氧化钛及其制备方法
CN102671520B (zh) 钛厂尾气处理方法、用其生产的二氧化钛及生产方法
CN104843780B (zh) 一种锐钛矿黑色纳米氧化钛粉的制备方法
CN113929101A (zh) 一种利用四氟化硅尾气联产白炭黑和氟硅酸盐的方法
KR101571101B1 (ko) 불화화합물을 이용한 TiO2 제조방법
CN207129969U (zh) 纳米二氧化钛的制备系统
TWI405610B (zh) 高光敏性二氧化鈦及其形成方法
US2502347A (en) Production of titanium dioxide
CN109607602A (zh) 一种二氧化锡的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant