CN108807619A - 一种基于发光材料的qdef显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种基于发光材料的QDEF显示装置,该显示装置包括上下设置的第一超薄玻璃基板和第二超薄玻璃基板,所述第一超薄玻璃基板的下表面涂覆有设定质量配比的红绿发光材料,所述第二超薄玻璃基板的上表面涂覆有PS小球层,利用发光材料的光致发光原理,通过蓝光激发该QDEF显示装置中的红绿发光材料,实现白光显示。与现有技术相比,本发明具有大面积白光显示、提高显示装置的色域、亮度、背光效率、以及发光效率等优点。

Description

一种基于发光材料的QDEF显示装置
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其是涉及一种基于发光材料的QDEF显示装置,适用于制作大面积白光显示装置。
背景技术
量子点QDs是一种由II-VI或III-V族元素组成的半导体纳米颗粒,其尺寸一般为几纳米至数十纳米之间。量子点材料由于量子限域效应的存在,原本连续的能带变成分立的能级结构,受外界激发后可发射可见光。量子点材料由于其发光峰具有较小的半高宽且发光颜色可通过量子点材料的尺寸、结构或成分进行调节,应用在显示领域将会提升颜色的饱和度和色域。
QDEF是一种添加了红色,绿色两种量子点的光学薄膜,两种量子点可以在蓝光照射下产生红光和绿光,与一部分有背光源透过的蓝光混合之后得到白光。量子点发出的光是在一个特定的波长下产生的,可以通过控制两种量子点的配比得到所需要的光谱输出。QDEF装置还可以使用薄膜上的量子点来增强色彩和亮度。
针对上述技术存在的问题,本发明旨在提供一种具有更易于生产的显示面板,以解决现有技术中的不足之处。
发明内容
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种基于发光材料的QDEF显示装置,结合了丝网印刷或者刮涂工艺的优势,解决了QDEF装置的大面积作业问题,并且利用QDEF装置上的量子点或者荧光粉可以提高显示装置的色域、亮度、背光效率、以及发光效率。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现:
一种基于发光材料的QDEF显示装置包括上下设置的第一超薄玻璃基板和第二超薄玻璃基板,所述第一超薄玻璃基板的下表面涂覆有设定质量配比的红绿发光材料,所述第二超薄玻璃基板的上表面涂覆有PS小球层,利用红绿发光材料的光致发光原理,通过蓝光激发该QDEF显示装置中的红绿发光材料,实现白光显示。
所述PS小球层包括均匀分布的PS小球,使得第一超薄玻璃基板和第二超薄玻璃基板之间的高度一致。
所述PS小球的球径为300nm~700nm。
所述PS小球层的高度为300nm~1000nm。
所述红绿发光材料为含红量子点和绿量子点的量子点材料或含红色荧光粉和绿色荧光粉的荧光粉材料。
所述量子点材料中红色量子点和绿色量子点选自II-VI或III-V族中的一种或者多种。
所述量子点材料中红量子点和绿量子点的质量配比为1:11~13,所述荧光粉材料中红色荧光粉和绿色荧光粉的质量配比为1:11~13。
一种上述的基于发光材料的QDEF显示装置的制作方法包括以下步骤:
S1:对第一超薄玻璃基板和第二超薄玻璃基板分别进行等离子体或者UVO的表面处理;
S2:采用丝网印刷或刮涂的方法将设定配比的红绿发光材料均匀涂覆在第一超薄玻璃基板表面;
S3:将PS小球混合在乙醇溶液后,采用旋涂工艺均匀涂覆在第二超薄玻璃基板表面,形成PS小球层,并将涂覆有PS小球层的第二超薄玻璃基板倒盖在第一超薄玻璃基板上;
S4:在第一超薄玻璃基板和第二超薄玻璃基板之间的四周边缘处注入封装材料;
该QDEF显示装置置于蓝光背光源上,得到白光。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
1)本发明的QDEF装置鉴于以上量子点和QDEF的优点,采用丝网印刷或者刮涂等工艺实现大面积作业,为大面积显示的实现提供了可行性。
2)本发明的QDEF装置可以调节红绿发光材料的配比,得到所需的输出光谱,潜在提高面板显示性能。
3)本发明均匀分布的PS小球可以确保大面积的两层超薄玻璃基板之间高度一致,有效提高显示装置的色域、亮度、背光效率、以及发光效率。
附图说明
图1为本发明基于发光材料的QDEF显示装置的结构示意图;
图2为本发明方法中通过丝网印刷工艺使发光材料均匀成膜的示意图。
图中,1、涂覆有红绿发光材料的第一超薄玻璃基板,2、涂覆有PS小球层的第二超薄玻璃基板,3、封装材料,4、PS小球,5、刮板,6、红绿发光材料,7、丝网印刷底板。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。本实施例以本发明技术方案为前提进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
如图1所示,一种基于发光材料的QDEF显示装置包括上下设置的第一超薄玻璃基板和第二超薄玻璃基板,第一超薄玻璃基板的下表面涂覆有设定质量配比的红绿发光材料6,第二超薄玻璃基板的上表面涂覆有PS小球层,利用发光材料的光致发光原理,QDEF显示装置中的一定配比的发光材料经过背光源蓝光激发,发出一定配比的红光绿光,再与部分透过的蓝光混合,实现大面积的白光显示。
PS小球层包括均匀分布的PS小球4,PS小球4就是用聚苯乙烯(Polystyrene)制成的小球,PS小球层的高度为300nm~1000nm,PS小球4的球径为300nm~700nm,例如PS小球层的高度取550nm,PS小球4的球径取500nm,使得第一超薄玻璃基板和第二超薄玻璃基板之间的高度一致,即保持大面积的QDEF装置高度一致,以实现显示面板更好的画面显示。则QDEF显示装置不仅确保大面积器件高效率实现,还可以有效提高显示装置的色域、亮度、背光效率、以及发光效率。
红绿发光材料6为含红量子点和绿量子点的量子点材料或含红色荧光粉和绿色荧光粉的荧光粉材料。量子点材料中红量子点和绿量子点的质量配比为1:11~13,荧光粉材料中红色荧光粉和绿色荧光粉的质量配比为1:11~13。红绿发光材料6采用特定的配比,本实施例中优选配比为1:12,被激发出一定比例的红光、绿光,与来自背光源的蓝光混合并岀射白光。
混合材料中红色量子点和绿色量子点选自II-VI或III-V族中的一种或者多种。同时红色量子点和绿色量子点可采用不同尺寸的II-VI族或III-V族量子点,并且按照一定比例混合成需要的输出光谱。
采用能够均匀制作一定厚度的薄膜的丝网印刷或者刮涂工艺系统,进行QDEF显示装置的制作,以丝网印刷、量子点为例,制作方法包括以下步骤:
S1:对第一超薄玻璃基板和第二超薄玻璃基板分别进行等离子体或者UVO(紫外线+臭氧)的表面处理;
S2:由红绿量子点按照1:12的比例混合得到红绿发光材料6,如图2所示,在第一超薄玻璃基板表面上,采用丝网印刷的工艺,将设定配比的红绿发光材料6倒在第一超薄玻璃基板处理过的表面上的丝网印刷底板7(或者刮涂底板)上,再用刮板5均匀涂覆成膜;
S3:将PS小球4混合在乙醇溶液后,采用旋涂工艺均匀涂覆在第二超薄玻璃基板表面,形成PS小球层,并将涂覆有PS小球层的第二超薄玻璃基板2倒盖在涂覆有红绿发光材料6的第一超薄玻璃基板1上;
S4:在第一超薄玻璃基板和第二超薄玻璃基板之间的四周边缘处注入封装材料3;
S5:器件表面处理。将制造完成的QDEF器件四周残留多余的材料清理干净。该QDEF显示装置置于蓝光背光源上,得到白光。

Claims (8)

1.一种基于发光材料的QDEF显示装置,其特征在于,包括上下设置的第一超薄玻璃基板和第二超薄玻璃基板,所述第一超薄玻璃基板的下表面涂覆有设定质量配比的红绿发光材料,所述第二超薄玻璃基板的上表面涂覆有PS小球层,利用红绿发光材料的光致发光原理,通过蓝光激发该QDEF显示装置中的红绿发光材料,实现白光显示。
2.根据权利要求1所述的一种基于发光材料的QDEF显示装置,其特征在于,所述PS小球层包括均匀分布的PS小球,使得第一超薄玻璃基板和第二超薄玻璃基板之间的高度一致。
3.根据权利要求2所述的一种基于发光材料的QDEF显示装置,其特征在于,所述PS小球的球径为300nm~700nm。
4.根据权利要求1所述的一种基于发光材料的QDEF显示装置,其特征在于,所述PS小球层的高度为300nm~1000nm。
5.根据权利要求1所述的一种基于发光材料的QDEF显示装置,其特征在于,所述红绿发光材料为含红量子点和绿量子点的量子点材料或含红色荧光粉和绿色荧光粉的荧光粉材料。
6.根据权利要求5所述的一种基于发光材料的QDEF显示装置,其特征在于,所述量子点材料中红色量子点和绿色量子点选自II-VI或III-V族中的一种或者多种。
7.根据权利要求5所述的一种基于发光材料的QDEF显示装置,其特征在于,所述量子点材料中红量子点和绿量子点的质量配比为1:11~13,所述荧光粉材料中红色荧光粉和绿色荧光粉的质量配比为1:11~13。
8.一种如权利要求1所述的基于发光材料的QDEF显示装置的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:对第一超薄玻璃基板和第二超薄玻璃基板分别进行等离子体或者UVO的表面处理;
S2:采用丝网印刷或刮涂的方法将设定配比的红绿发光材料均匀涂覆在第一超薄玻璃基板表面;
S3:将PS小球混合在乙醇溶液后,采用旋涂工艺均匀涂覆在第二超薄玻璃基板表面,形成PS小球层,并将涂覆有PS小球层的第二超薄玻璃基板倒盖在第一超薄玻璃基板上;
S4:在第一超薄玻璃基板和第二超薄玻璃基板之间的四周边缘处注入封装材料;
该QDEF显示装置置于蓝光背光源上,得到白光。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100103648A1 (en) * 2008-10-28 2010-04-29 Gun-Woo Kim Light emitting diode, backlight assembly having the same and method thereof
CN101847680A (zh) * 2009-12-21 2010-09-29 深圳市成光兴实业发展有限公司 采用丝网印刷工艺的白光led荧光粉膜层及制作方法
CN102064245A (zh) * 2010-11-12 2011-05-18 西安神光安瑞光电科技有限公司 发光二极管制造方法
WO2015183300A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Laminating a quantum dot enhancement film to a light guide plate
CN105609618A (zh) * 2015-12-23 2016-05-25 张家港康得新光电材料有限公司 光转换膜层结构、其制备方法及背光源
CN107077028A (zh) * 2014-09-30 2017-08-18 康宁精密素材株式会社 用于颜色转换的基板、其制造方法以及包括其的显示装置
CN107203016A (zh) * 2016-03-18 2017-09-26 苏州星烁纳米科技有限公司 量子点膜片、光学元件、背光模组及其制备方法
CN107936968A (zh) * 2017-10-27 2018-04-20 温州大学 Mn:YAG荧光粉的制备方法、Mn:YAG夹层荧光玻璃及其制备方法和应用
CN108089369A (zh) * 2016-11-21 2018-05-29 喜星电子株式会社 量子点薄膜

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100103648A1 (en) * 2008-10-28 2010-04-29 Gun-Woo Kim Light emitting diode, backlight assembly having the same and method thereof
CN101847680A (zh) * 2009-12-21 2010-09-29 深圳市成光兴实业发展有限公司 采用丝网印刷工艺的白光led荧光粉膜层及制作方法
CN102064245A (zh) * 2010-11-12 2011-05-18 西安神光安瑞光电科技有限公司 发光二极管制造方法
WO2015183300A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Laminating a quantum dot enhancement film to a light guide plate
CN107077028A (zh) * 2014-09-30 2017-08-18 康宁精密素材株式会社 用于颜色转换的基板、其制造方法以及包括其的显示装置
CN105609618A (zh) * 2015-12-23 2016-05-25 张家港康得新光电材料有限公司 光转换膜层结构、其制备方法及背光源
CN107203016A (zh) * 2016-03-18 2017-09-26 苏州星烁纳米科技有限公司 量子点膜片、光学元件、背光模组及其制备方法
CN108089369A (zh) * 2016-11-21 2018-05-29 喜星电子株式会社 量子点薄膜
CN107936968A (zh) * 2017-10-27 2018-04-20 温州大学 Mn:YAG荧光粉的制备方法、Mn:YAG夹层荧光玻璃及其制备方法和应用

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