CN108807430A - 摄像模组及其复合式感光组件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种复合式感光组件,包括:基板,包括第一表面与第二表面;感光元件,设于第一表面并电连接于基板,感光元件包括感光区与非感光区;封装体,封装体设有容纳腔,感光元件位于容纳腔内;其中,封装体包括至少一个第一封装部及至少一个第二封装部,非感光区至少部分嵌设于第一封装部部,非感光区与第二封装部部之间间隔设置。上述复合式感光组件,当感光元件一侧的非感光区的宽度较宽时,可设置嵌设有非感光区的第一封装部,从而在与该第一封装部对应的基板与感光元件上设置导电连接线时无需预留打线距离。当感光元件一侧的非感光区的宽度较窄时而不便设置第一封装部时,可间隔设置第二封装部,降低了对感光元件的尺寸与型号要求。

Description

摄像模组及其复合式感光组件
技术领域
本发明涉及摄像模组领域,特别是涉及一种摄像模组及其复合式感光组件。
背景技术
随着各种智能设备的快速发展,集成有摄像模组的智能设备在提高成像质量的同时,也越来越像轻薄化方向发展。而提高成像质量意味着电子元器件的规格不断增大、数量不断增多,极大程度上影响成像质量的感光元件的面积的也不断增大,因此造成摄像模组的组装难度不断增大,其整体尺寸也不断增大,因此摄像模组的轻薄化受到了极大限制,进而限制了设有该摄像模组的智能设备的体积。
现在普遍采用的摄像模组封装工艺是COB(Chip On Board)封装工艺,即,摄像模组的线路板、感光元件、支架等分别被制成,然后依次将被动电子元器件、感光元件和支架封装在线路板上。
然而采用上述封装结构,由于感光元件通过导电连接线连接线路板,因此在安装支架时需要预留导电连接线的打线安全距离,为该摄像模组的加工带来了不便,且不利于摄像模组的尺寸的轻薄化发展。
发明内容
基于此,有必要针对摄像模组的加工过程中需预留安全距离而尺寸较大的问题,提供一种无需预留安全距离且尺寸较小的摄像模组及其复合式感光组件。
一种复合式感光组件,包括:
基板,包括相对设置的第一表面与第二表面;
感光元件,设于所述基板的所述第一表面并电连接于所述基板,所述感光元件包括感光区与非感光区,所述非感光区环绕于所述感光区外;
封装体,设于所述基板的所述第一表面,所述封装体设有容纳腔,所述感光元件位于所述容纳腔内;
其中,所述封装体包括至少一个第一封装部及至少一个第二封装部,所述非感光区至少部分嵌设于所述第一封装部,所述非感光区与所述第二封装部之间间隔设置。
上述复合式感光组件,包括嵌设有非感光区的第一封装部及与非感光区间隔设置的第二封装部,因此可根据感光元件的非感光区域的宽度选择性地设置第一分装部与第二封装部。当感光元件一侧的非感光区的宽度较宽时,可设置嵌设有非感光区的第一封装部,从而在与该第一封装部对应的基板与感光元件上设置导电连接线时无需预留打线距离,减小该复合式感光组件的整体尺寸。当感光元件一侧的非感光区的宽度较窄时而不便设置第一封装部时,可间隔设置第二封装部。如此,降低了对感光元件的尺寸与型号要求,可根据需要选择不同尺寸与型号的感光元件进行安装。
在其中一个实施例中,所述封装体包括三个第一封装部及一个第二封装部,三个所述第一封装部与一个所述第二封装部共同围合成所述封装体。
在其中一个实施例中,所述第一封装部对应的所述非感光区设有导电连接线,所述导电连接线连接所述非感光区与所述基板。
在其中一个实施例中,所述导电连接线完全嵌入所述第一封装部内。
在其中一个实施例中,所述导电连接线部分嵌入所述第一封装部内。
在其中一个实施例中,所述复合式感光组件还包括电子元件,所述电子元件嵌设于所述第一封装部内。
在其中一个实施例中,所述非感光区的外侧边缘与所述电子元件之间的距离大于100μm。
在其中一个实施例中,所述电子元件与所述第一封装部的所述内侧壁之间的距离大于150μm。
在其中一个实施例中,所述复合式感光组件还包括电子元件,所述电子元件嵌设于所述第二封装部内。
一种摄像模组,包括上述的复合式感光组件。
附图说明
图1为一实施方式的感光组件的结构示意图;
图2为图1所示的感光组件的正视图;
图3为图1所示的感光组件的侧视图;
图4为一实施方式的摄像模组的剖视图。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
如图1~图4所示,本较佳实施例的一种复合式感光组件20,包括基板21、感光元件23及封装体25。
基板21包括相对设置的第一表面212与第二表面214,感光元件23设于基板21的第一表面212并电连接于基板21,感光元件23包括感光区与非感光区,非感光区环绕于感光区外。封装体25设于基板21的第一表面212,封装体25设有容纳腔252,感光元件23位于容纳腔252内。其中,封装体25包括至少一个第一封装部254及至少一个第二封装部256,非感光区至少部分嵌设于第一封装部254,非感光区与第二封装部256之间间隔设置。
上述复合式感光组件20,包括嵌设有非感光区的第一封装部254及与非感光区间隔设置的第二封装部256,因此可根据感光元件23的非感光区域的宽度选择性地设置第一分装部254与第二封装部256。
当感光元件23一侧的非感光区的宽度较宽时,可设置嵌设有非感光区的第一封装部254,从而在与该第一封装部254对应的基板21与感光元件23上设置导电连接线27时无需预留打线距离,减小该复合式感光组件20的整体尺寸。当感光元件23一侧的非感光区的宽度较窄时而不便设置第一封装部256时,可间隔设置第二封装部256。如此,降低了对感光元件23的尺寸与型号要求,可根据需要选择不同尺寸与型号的感光元件23进行安装。
请继续参阅图1~图4,感光元件23一般为长方形、正方形或者圆形,可以根据需要设置为CCD(Charge-coupled Device,电荷耦合元件)或CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor,金属氧化物半导体元件)。具体到第一实施例中,感光元件23为长方形吗,包括相对设置的感光面与非感光面,该感光元件23通过非感光面粘贴于基板21上,感光面包括感光区与环绕感光区的非感光区以接收光线并与基板21电连接。
在本实施例中,封装体25包括三个第一封装部254及一个第二封装部256,上述三个第一封装部254与一个第二封装部256共同围合成该封装体25以环绕感光元件23。如此,长方形的感光元件23的四条侧边中,其中三条侧边均嵌设于第一封装部254,另一条侧边则与第二封装部256间隔设置。
可以理解,第一封装部254与第二封装部256的数量不限于此,在其它实施例中,封装体25也可包括两个第一封装部254与两个第二封装部256,该两个第一封装部254与两个第二封装部256共同围合呈封装体25。具体地,第一封装部254与第二封装部256可交替设置,也可两个第一封装部254相邻,两个第二封装部256相邻设置。
具体地,封装体25由封装胶体通过成型工具在基板21的第一表面212上加工而成。例如,采用注塑机,通过嵌入成型工艺将基板21进行模塑形成封装体25,或者用半导体封装中常用的模压工艺形成封装体25,封装体25形成的方式可以选择注塑工艺或者模压工艺等,且该封装体25与基板21牢固相连,封装体25与基板21之间的粘接力大于传统支架与基板21之间的粘接力,从而提高了该复合式感光组件20的整体结构强度及使用稳定性。
进一步地,采用注塑工艺形成封装体25的材料可为尼龙、LCP(Liquid CrystalPolymer,液晶高分子聚合物)或PP(Polypropylene,聚丙烯)等,采用模压工艺形成封装体25的材料可以为环氧树脂。本领域技术人员应当理解的是,前述可以选择的制造方式以及可以选择的材料,仅作为举例说明本发明的可以实施的方式,并不是本发明的限制。
进一步地,第一封装部254对应的非感光区设有导电连接线27,导电连接线27的两端分别连接非感光区与基板21。组装该复合式感光组件20时,在基板21上安装感光元件23,并通过导电连接线27将两者进行电连接后,才模塑成型第一封装部254,因此不同于现有技术中需要在基板21上预留打线距离,从而减小了该复合式封装体25的体积。
在本实施例中,导电连接线27完全嵌入第一封装部254内,第一封装部254可保护导电连接线27在后续加工过程中不被外界物体损伤。在另一实施例中,导电连接线27也可部分嵌入第一封装部254内。
其中,导电连接线27可以为金线、铜线、铝线或者银线等,可以通过正打的方式形成:使用打线工具从基板21向感光元件23的方向打线。导电连接线27也可以通过反打的方式形成:使用打线工具从感光元件23向基板21的方向打线。采用反打的方式形成的导电连接线27的弧高小于正打方式形成的导电连接线27,从而进一步缩小该复合式感光组件20的体积。
在一实施例中,复合式感光组件20还包括电子元件29,电子元件29嵌设于第一封装部254和/或第二封装部256内。
具体地,电子元件29可以为电阻、电容、二极管、三极管、电位器、继电器或驱动器中的一种或多种。可以理解,电子元件29的安装位置、数量及种类不限,可根据需要设置。
如此,电子元件29嵌设于第一封装部和/或第二封装部256内,可进一步减小该复合式感光组件20的整体体积。而且,电子元件29被包覆在封装体25内,不会直接暴露于空间内,更具体地说,不会暴露于与感光元件23相通的环境中,从而当该复合式感光组件20被组装为摄像模组100时,电子元件29上不会沾染灰尘等污染物,也不会影响感光元件23,避免污染感光元件23而使得摄像模组100出现污黑点等不良现象。
具体在本实施例中,非感光区的外侧边缘与电子元件29之间的距离大于100μm,电子元件29与第一封装部254的内侧壁之间的距离大于150μm,从而在保证减小整体体积的同时预留出充足的安全间距,避免受到电子元件29、感光元件23等元件的安装精度及制造误差等影响。其中,第一封装部254的内侧壁为第一封装部254靠近感光元件23一端的侧壁。
上述复合式感光组件20,包括由第一封装部254与第二封装部256围合成的封装体25,感光元件23与基板21之间的导电连接线27设于第一封装部254对应的一侧。由于第一封装部254可在导电连接线27连接于感光元件23与基板21后再模塑成型于基板21,因此无需预留打线安全距离,从而减小该复合式感光组件20的体积。此外,由于,第二封装部256与感光元件23间隔设置而无需包覆感光元件23,因此降低了对感光元件23的尺寸要求而可安装非感光区宽度不同的感光元件。
如图4所示的一种摄像模组100,包括上述的复合式感光组件20,还包括光学组件40。
其中,光学组件40包括镜筒、镜头44及用于调节镜头的焦距的音圈马达42。具体地,音圈马达42设于封装体25上,镜筒设置于音圈马达42内,镜头44设置于镜筒内,镜头44包括层叠设置的多个镜片。光线从镜头44入射并到达感光元件23的感光面,感光面将光信号转换成电信号。
上述摄像模组100,由于其设有的复合式感光组件20的尺寸较小,因此该摄像模组100具有较小的尺寸,有利于设有该摄像模组100的智能设备的轻薄化发展。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种复合式感光组件,其特征在于,包括:
基板,包括相对设置的第一表面与第二表面;
感光元件,设于所述基板的所述第一表面并电连接于所述基板,所述感光元件包括感光区与非感光区,所述非感光区环绕于所述感光区外;
封装体,设于所述基板的所述第一表面,所述封装体设有容纳腔,所述感光元件位于所述容纳腔内;
其中,所述封装体包括至少一个第一封装部及至少一个第二封装部,所述非感光区至少部分嵌设于所述第一封装部,所述非感光区与所述第二封装部之间间隔设置。
2.根据权利要求1所述的复合式感光组件,其特征在于,所述封装体包括三个第一封装部及一个第二封装部,三个所述第一封装部与一个所述第二封装部共同围合成所述封装体。
3.根据权利要求1或2所述的复合式感光组件,其特征在于,所述第一封装部对应的所述非感光区设有导电连接线,所述导电连接线连接所述非感光区与所述基板。
4.根据权利要求3所述的复合式感光组件,其特征在于,所述导电连接线完全嵌入所述第一封装部内。
5.根据权利要求3所述的复合式感光组件,其特征在于,所述导电连接线部分嵌入所述第一封装部内。
6.根据权利要求3所述的复合式感光组件,其特征在于,所述复合式感光组件还包括电子元件,所述电子元件嵌设于所述第一封装部内。
7.根据权利要求6所述的复合式感光组件,其特征在于,所述非感光区的外侧边缘与所述电子元件之间的距离大于100μm。
8.根据权利要求6所述的复合式感光组件,其特征在于,所述电子元件与所述第一封装部的所述内侧壁之间的距离大于150μm。
9.根据权利要求1所述的复合式感光组件,其特征在于,所述复合式感光组件还包括电子元件,所述电子元件嵌设于所述第二封装部内。
10.一种摄像模组,其特征在于,包括如权利要求1~9任意一项所述的复合式感光组件。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111866310A (zh) * 2019-04-24 2020-10-30 北京小米移动软件有限公司 摄像头模组及终端

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200522378A (en) * 2003-12-23 2005-07-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Photosensitive semiconductor device, method for fabricating the same and lead frame thereof
US6930398B1 (en) * 2004-03-24 2005-08-16 United Microelectronics Corp. Package structure for optical image sensing integrated circuits
US20060197201A1 (en) * 2005-02-23 2006-09-07 Hsin Chung H Image sensor structure
JP2010153447A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Fujikura Ltd 半導体パッケージ及びその製造方法
US8372741B1 (en) * 2012-02-24 2013-02-12 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
CN105655302A (zh) * 2014-10-31 2016-06-08 矽品精密工业股份有限公司 封装结构及其制法
CN105681640A (zh) * 2016-03-28 2016-06-15 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其制造方法
CN105681637A (zh) * 2016-03-15 2016-06-15 宁波舜宇光电信息有限公司 阵列摄像模组及其感光组件和制造方法
CN105744130A (zh) * 2016-03-12 2016-07-06 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其感光组件和制造方法
WO2016127919A1 (zh) * 2015-02-15 2016-08-18 宁波舜宇光电信息有限公司 阵列摄像模组和阵列摄像装置及其调焦方法
CN205961266U (zh) * 2016-04-28 2017-02-15 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组
CN205959984U (zh) * 2016-08-12 2017-02-15 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其模塑感光组件以及电子设备
WO2017026317A1 (ja) * 2015-08-10 2017-02-16 大日本印刷株式会社 イメージセンサモジュール
CN206136071U (zh) * 2016-07-03 2017-04-26 宁波舜宇光电信息有限公司 感光组件和摄像模组
CN207116428U (zh) * 2017-04-28 2018-03-16 南昌欧菲光电技术有限公司 摄像模组及其复合式感光组件

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200522378A (en) * 2003-12-23 2005-07-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Photosensitive semiconductor device, method for fabricating the same and lead frame thereof
US6930398B1 (en) * 2004-03-24 2005-08-16 United Microelectronics Corp. Package structure for optical image sensing integrated circuits
US20060197201A1 (en) * 2005-02-23 2006-09-07 Hsin Chung H Image sensor structure
JP2010153447A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Fujikura Ltd 半導体パッケージ及びその製造方法
US8372741B1 (en) * 2012-02-24 2013-02-12 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
CN105655302A (zh) * 2014-10-31 2016-06-08 矽品精密工业股份有限公司 封装结构及其制法
WO2016127919A1 (zh) * 2015-02-15 2016-08-18 宁波舜宇光电信息有限公司 阵列摄像模组和阵列摄像装置及其调焦方法
WO2017026317A1 (ja) * 2015-08-10 2017-02-16 大日本印刷株式会社 イメージセンサモジュール
CN105744130A (zh) * 2016-03-12 2016-07-06 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其感光组件和制造方法
CN105681637A (zh) * 2016-03-15 2016-06-15 宁波舜宇光电信息有限公司 阵列摄像模组及其感光组件和制造方法
CN105681640A (zh) * 2016-03-28 2016-06-15 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其制造方法
CN205961266U (zh) * 2016-04-28 2017-02-15 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组
CN206136071U (zh) * 2016-07-03 2017-04-26 宁波舜宇光电信息有限公司 感光组件和摄像模组
CN205959984U (zh) * 2016-08-12 2017-02-15 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其模塑感光组件以及电子设备
CN207116428U (zh) * 2017-04-28 2018-03-16 南昌欧菲光电技术有限公司 摄像模组及其复合式感光组件

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111866310A (zh) * 2019-04-24 2020-10-30 北京小米移动软件有限公司 摄像头模组及终端

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