CN108803160A - 显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板和显示装置，包括：器件设置区、第一非显示区和显示区，第一非显示区围绕器件设置区设置，显示区围绕第一非显示区设置；显示区包括多条数据线、公共电极层以及设置于衬底基板上的多个薄膜晶体管；其中，多条数据线包括多条第一数据线和多条第二数据线；第一数据线包括常规部和连接部，常规部位于显示区，连接部位于第一非显示区、且绕开器件设置区设置；薄膜晶体管包括栅极、半导体部、源极和漏极，源极、漏极、第二数据线和常规部同层同材料设置；第一非显示区包括至少一层屏蔽层，至少一层屏蔽层和连接部异层设置。相对于现有技术，有利于改善显示面板因耦合引起的mura，增加显示装置的屏占比。

Description

显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术

手机、平板电脑等显示设备需要为摄像头、光电传感器等器件预留安装区域，这些安装区域通常设置在显示设备的显示区顶部位置，原先经过安装区域的信号走线需要绕开该安装区域排布，从而使得安装区域及其与显示区之间用于信号走线排布的边框区域只能作为非显示区域，降低了显示设备的屏占比。

为了增加屏占比，目前普遍的做法是缩小边框区域尺寸，但会使得边框区域内的信号走线过于密集，信号走线之间容易产生电容耦合，导致显示设备出现各种各样的mura。所说的mura是指显示设备亮度不均匀，造成各种条纹的现象。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种显示面板和显示装置。

本发明提供了一种显示面板，包括：器件设置区、第一非显示区和显示区，第一非显示区围绕器件设置区设置，显示区围绕第一非显示区设置；

显示区包括多条数据线、公共电极层以及设置于衬底基板上的多个薄膜晶体管；其中，多条数据线包括多条第一数据线和多条第二数据线；第一数据线包括常规部和连接部，常规部位于显示区、且和第二数据线的延伸方向相同，连接部位于第一非显示区、且绕开器件设置区设置；薄膜晶体管包括栅极、半导体部、源极和漏极，源极、漏极、第二数据线和常规部同层同材料设置；

第一非显示区包括至少一层屏蔽层，至少一层屏蔽层和连接部异层设置。

本发明还提供了一种显示装置，包括本发明提供的显示面板。

与现有技术相比，本发明提供的显示面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：

1、通过设置屏蔽层，且屏蔽层和连接部异层设置，减小了位于第一非显示区的连接部之间产生的耦合作用，有利于改善显示面板因耦合引起的mura，提高了显示面板的合格率和生产效率；

2、屏蔽层仅设置在第一非显示区，不会影响显示区的功耗及显示效果；

3、连接部在第一非显示区可以密集排布，有利于缩小第一非显示区的尺寸，增加显示装置的屏占比，更易于实现全面屏设计；

4、屏蔽层为至少一层，可以适应连接部的各种设置方式，使用范围广。

当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1是本发明实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图；

图2是图1中M区域的一种放大结构示意图；

图3是图2中沿C-C方向的一种剖面结构示意图；

图4是图3中电场线的分布结构示意图；

图5是图1中M区域的另一种放大结构示意图；

图6是本发明实施例提供的一种屏蔽层的平面结构示意图；

图7是图5中沿D-D方向的一种剖面结构示意图；

图8是图5中沿D-D方向的另一种剖面结构示意图；

图9是本发明实施例提供的另一种屏蔽层的平面结构示意图；

图10是图5中沿D-D方向的又一种剖面结构示意图；

图11是图5中沿D-D方向的又一种剖面结构示意图；

图12是图2中沿C-C方向的另一种剖面结构示意图；

图13是图2中沿C-C方向的又一种剖面结构示意图；

图14是图2中沿C-C方向的又一种剖面结构示意图；

图15是图2中沿C-C方向的又一种剖面结构示意图；

图16是图2中沿C-C方向的又一种剖面结构示意图；

图17是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

请结合参考图1、图2和图3所示，图1是本发明实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图，图2是图1中M区域的一种放大结构示意图，图3是图2中沿C-C方向的一种剖面结构示意图，本发明提供了一种显示面板，包括：器件设置区10、第一非显示区B1和显示区AA，第一非显示区B1围绕器件设置区10设置，显示区AA围绕第一非显示区B1设置；显示区AA包括多条数据线20、公共电极层30以及设置于衬底基板11上的多个薄膜晶体管T；其中，多条数据线20包括多条第一数据线21和多条第二数据线22；第一数据线21包括常规部211和连接部212，常规部211位于显示区AA、且和第二数据线22的延伸方向相同，连接部212位于第一非显示区B1、且绕开器件设置区10设置；薄膜晶体管T包括栅极T1、半导体部T2、源极T3和漏极T4，源极T3、漏极T4、第二数据线22和常规部211同层同材料设置；第一非显示区B1包括至少一层屏蔽层40，至少一层屏蔽层40和连接部212异层设置。需要说明的是，为了更加直观地示意本发明的技术方案，图1和图2所示的平面结构图中未示意出其他膜层结构，后续不再赘述。

具体的，当本实施例提供的显示面板应用于显示装置中时，器件设置区10可以用于放置并安装摄像头、光电传感器等器件，器件设置区10在显示面板上的具体位置在满足上述结构关系的基础上可以根据实际使用要求设计，且该器件设置区10既可以是贯穿显示面板的通孔，也可以是不贯穿显示面板的盲孔，即在不影响摄像头、光电传感器等器件功能的情况下不挖除或者仅保留部分透明膜层。当然，本发明对通孔或盲孔的形状也不作具体限制。为了更加直观地示意本发明的技术方案，将本发明中的器件设置区10视为一圆形的通孔，后续不再赘述。

当然，显示面板显示区AA的外围还可以设置第二非显示区B2，以设置外围电路等器件。由于显示区AA位于器件设置区10的外围，故原先经过器件设置区10的信号走线需要绕开该器件设置区10排布，从而使得器件设置区10及其与显示区AA之间的用于信号走线排布的区域只能作为非显示区域，也即第一非显示区B1。所说的信号走线包括但不限于扫描线、数据线、触控线等显示面板内用于传输信号的走线。为了提高屏占比，第一非显示区B1需要尽可能地窄，此时，位于第一非显示区B1的连接部212呈密集排布的状态。

显示面板的每个像素(未画出)通常至少包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素三个子像素为例，显示面板的显示过程即为三个子像素通过薄膜晶体管T控制充放电的过程。比如像素逐行显示，红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素依次充电，由于数据线20中的连接部212位于第一非显示区B1，绿色子像素在充电时，其所电连接的连接部212信号跳变，影响红色子像素的电压；而蓝色子像素充电时，其所电连接的连接部212信号跳变，并且同时影响红色子像素和绿色子像素的电压，从而使连接部212之间容易产生电容耦合，通过设置屏蔽层40使得连接部212在第一非显示区B1可以密集排布，且不会出现mura，有利于缩小第一非显示区B1的尺寸，提高屏占比。显示下一行像素时，由于控制上一行像素的扫描线已关闭，故不会对上一行像素的各子像素产生影响。

本实施例中，请结合参考图4所示，图4是图3中电场线的分布结构示意图，屏蔽层40和连接部212异层设置，连接部212之间产生的电场线部分终止在屏蔽层40，相邻两根连接部212之间的直接耦合电容可以降低10％以上，有效改善了显示面板因耦合引起的垂直mura。屏蔽层40的层数可以有多种设置方式，本实施例仅以设置一层屏蔽层40为例进行说明。

本实施例中，屏蔽层40可以采用连接位于非显示区的接地走线，或者，也可以采用连接公共电极层30等方式维持自身电位的稳定性，以达到对连接部212产生的电场线的屏蔽性；连接部212可以采用与常规部211和第二数据线22同层设置的方式，也可以采用与常规部211和第二数据线22异层设置的方式，本实施例对此并均不作具体限制。

本实施例提供的显示面板，至少具有如下的技术效果：

1、通过设置屏蔽层，且屏蔽层和连接部异层设置，减小了位于第一非显示区的连接部之间产生的耦合作用，有利于改善显示面板因耦合引起的mura，提高了显示面板的合格率和生产效率；

2、屏蔽层仅设置在第一非显示区，不会影响显示区的功耗及显示效果；

3、连接部在第一非显示区可以密集排布，有利于缩小第一非显示区的尺寸，增加显示装置的屏占比，更易于实现全面屏设计；

4、屏蔽层为至少一层，可以适应连接部的各种设置方式，使用范围广。

在一些可选的实施例中，请继续参考图2和图3所示，屏蔽层40包括一个子环401，子环401围绕器件设置区10设置；在垂直于衬底基板11的方向上，连接部212和子环401相交叠。

本实施例中，子环401的形状可以有多种，比如圆形环、椭圆形环、多边形环等，本实施例仅以子环401为圆形环为例进行说明。当然，子环401的面积大小也可以有多种，只要不超过第一非显示区B1的范围即可。

子环401可以和公共电极层30位于同一膜层，从而可以与公共电极层30一同图案化，且显示面板为FFS(Fringe Field Switching边缘场开关)显示模式时，由于公共电极层30可以是覆盖整个显示区AA的面状结构，从而可以将公共电极层30延拓至第一非显示区B1，延拓部分即复用为子环401，无需增加掩膜版，降低了显示面板的工艺难度和生产成本。

在一些可选的实施例中，请参考图5和图6所示，图5是图1中M区域的另一种放大结构示意图，图6是本发明实施例提供的一种屏蔽层的平面结构示意图，屏蔽层40包括至少两个子环401，子环401围绕器件设置区10设置，相邻两个子环401之间通过连接线50电连接。需要说明的是，由于第一非显示区B1内的连接部212呈密集排布的方式，为了更加直观地示意本发明的技术方案，图5所示的平面结构图中未示意出屏蔽层40及其他膜层结构，但图6中示意出了屏蔽层40在第一非显示区B1内的结构。

本实施例中，相邻两个子环401之间通过连接线50电连接，从而连接线50可以和各子环401一同图案化，确保各子环401电位的一致性和稳定性。当然，相邻两个子环401之间的连接线50可以是一条也可以是多条，屏蔽层40可以是一层，也可以是多层，本实施例对此均不作具体限制。

可选的，请结合参考图7所示，图7是图5中沿D-D方向的一种剖面结构示意图，在垂直于衬底基板11的方向上，子环401和连接部212之间的间隙相交叠。本实施例中，子环401的宽度以及子环401之间的距离可以全部相同，也可以部分不同或者全部不同。

可选的，请参考图8所示，图8是图5中沿D-D方向的另一种剖面结构示意图，屏蔽层40在设置有两层及两层以上的情况下，两层及两层以上屏蔽层40的结构可以相同，也可以部分不同。本实施例仅以显示面板设置两层屏蔽层40为例进行说明：其中一层屏蔽层40a包括多个子环401，且在垂直于衬底基板11的方向上，每个子环401都和连接部212之间的间隙相交叠；另一层屏蔽层40b仅一个子环401，但其与所有的连接部212均相交叠，从而达到对连接部212产生电场线的屏蔽性，改善了显示面板因连接部212耦合导致的mura显示问题。

可选的，请继续结合参考图5、图6和图7所示，在平行于衬底基板11的方向上，位于器件设置区10同侧的连接部212之间的距离为w；子环401的宽度为p，连接部212的宽度为w1；其中，w≤p＜w+w1。本实施例中，子环401的宽度p∈[w，w+w1)，从而能够更好地屏蔽经过子环401的电场线。

可选的，请结合参考图5、图9和图10所示，其中，图9是本发明实施例提供的另一种屏蔽层的平面结构示意图，图10是图5中沿D-D方向的又一种剖面结构示意图，在垂直于衬底基板11的方向上，子环401和连接部212相交叠。

本实施例中，子环401的宽度以及子环401之间的距离可以全部相同，也可以部分不同或者全部不同。相邻两个子环401之间通过连接线50电连接，从而连接线50可以和各子环401一同图案化，确保各子环401电位的一致性和稳定性。当然，相邻两个子环401之间的连接线50可以是一条也可以是多条，屏蔽层40可以是一层，也可以是多层，本实施例对此均不作具体限制。

可选的，请参考图11所示，图11是图5中沿D-D方向的又一种剖面结构示意图，屏蔽层40在设置有两层及两层以上的情况下，两层及两层以上屏蔽层40的结构可以相同，也可以部分不同。本实施例仅以显示面板设置两层屏蔽层40为例进行说明：其中一层屏蔽层40a包括多个子环401，且在垂直于衬底基板11的方向上，每个子环401都和连接部212相交叠；另一层屏蔽层40b仅一个子环401，但其与所有的连接部212均相交叠，从而达到对连接部212产生电场线的屏蔽性，改善了显示面板因连接部212耦合导致的mura显示问题。当然，屏蔽层40b也可以包括多个子环401，且在垂直于衬底基板11的方向上，每个子环401都和连接部212之间的间隙相交叠。

可选的，请继续结合参考图5、图9和图10所示，在平行于衬底基板11的方向上，位于器件设置区10同侧的连接部212之间的距离为w；子环401的宽度为p，连接部212的宽度为w1；其中，w1≤p＜w+w1。本实施例中，子环401的宽度p∈[w1，w+w1)，从而能够更好地屏蔽经过子环401的电场线。

在一些可选的实施例中，请结合参考图2和图12所示，其中，图12是图2中沿C-C方向的另一种剖面结构示意图，屏蔽层40为至少两层，且相邻两层屏蔽层40之间通过至少一个过孔402电连接。本实施例中，屏蔽层40之间通过过孔402电连接，确保各屏蔽层40电位的一致性，并且屏蔽层40的电位可以采用连接位于第二非显示区B2的接地走线，或者，也可以采用连接公共电极层30等方式维持自身电位的稳定性，以达到对连接部212产生的电场线的屏蔽性。对于屏蔽层40维持自身电位的方式，本实施例对此并不作具体限制。

在一些可选的实施例中，请结合参考图2和图13所示，其中，图13是图2中沿C-C方向的又一种剖面结构示意图，显示面板还包括触控线层60，连接部212和栅极T1、第二数据线22、触控线层60中的至少一者同层同材料设置。

本实施例中，触控线层60通常包括多条触控线，用于连接显示面板上的多个触控电极。连接部212和栅极T1、第二数据线22、触控线层60中的至少一者同层同材料设置，也即连接部212在膜层结构上可以为至少一层，从而使得连接部212在第一非显示区B1内的排布不会像仅设置一层连接部212那样密集，有利于减少连接部212之间的直接耦合电容，这种情况下，同一条第一数据线21的常规部211和连接部212之间可以通过设置过孔等方式电连接，从而不影响第一数据21的信号传输。同时，与其他膜层同层同材料设置也有利于降低显示面板的工艺难度和生产成本，使得显示面板更易于轻薄化。

可选的，请继续参考图13所示，本实施例中，连接部212仅设置一层，且和触控线层60同层同材料设置；屏蔽层40为两层，其中一层屏蔽层40a和公共电极层30位于同一膜层，另一层屏蔽层40b则和第二数据线22位于同一膜层，每层屏蔽层40均包括一个子环401，子环401之间通过过孔402电连接，且在垂直于衬底基板11的方向上，子环401和连接部212均相交叠，从而将连接部212“夹持设置”在屏蔽层40a和屏蔽层40b之间，对连接部212产生的电场线进行屏蔽。当然，本实施例中，屏蔽层40的层数及结构还可以是上述其他实施例中的设置方式，本实施例对此并不作具体限制。

可选的，请参考图14所示，图14是图2中沿C-C方向的又一种剖面结构示意图，本实施例中，连接部212设置为两层，且其中一层连接部212a和触控线层60同层同材料设置，另一层连接部212b和薄膜晶体管T的栅极T1同层同材料设置；屏蔽层40为两层，其中一层屏蔽层40a和公共电极层30位于同一膜层，另一层屏蔽层40b和第二数据线22位于同一膜层，每层屏蔽层40均包括一个子环401，子环401之间通过过孔402电连接，且在垂直于衬底基板11的方向上，子环401和连接部212均相交叠，此时和第二数据线22位于同一膜层的屏蔽层40b被“夹持设置”在两层连接部212之间，对两层连接部212产生的电场线均进行屏蔽。当然，本实施例中，屏蔽层40的层数及结构还可以是上述其他实施例中的设置方式，本实施例对此并不作具体限制。

可选的，请结合参考图2和图14所示，在平行于衬底基板11的方向上，位于器件设置区10同侧的连接部212之间的距离为w；在垂直于衬底基板11的方向上，屏蔽层40与连接部212之间的距离为h；其中，h＜w。

需要说明的是，在屏蔽层40和连接部212中的一者或两者设置多层的情况下，屏蔽层40与连接部212之间的距离h实际上是连接部212和与其最接近的屏蔽层40之间的距离。

本实施例中，屏蔽层40与连接部212之间的距离h小于位于器件设置区10同侧的连接部212之间的距离w，有利于增加连接部212与屏蔽层40之间的耦合作用，从而也就减少了连接部212之间的直接耦合电容。由于其中一层连接部212a被“夹持设置”在屏蔽层40a和屏蔽层40b之间，故该层连接部212a与屏蔽层40a和屏蔽层40b之间的距离h可以是两个相同或不同的数值，只要这两个数值均满足小于w即可。

在一些可选的实施例中，请结合参考图2和图15所示，其中，图15是图2中沿C-C方向的又一种剖面结构示意图，显示面板还包括金属遮光层70，金属遮光层70设置在半导体部T2和衬底基板11之间；屏蔽层40和公共电极层30、第二数据线22、栅极T1、金属遮光层70中的任一者同层同材料设置。

具体的，薄膜晶体管T的半导体部T2包括源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区，为了避免光照射沟道区而产生漏电流，通常会在半导体部T2和衬底基板11之间设置金属遮光层70，以确保薄膜晶体管T的电学性能。

本实施例中，连接部212设置为两层，且其中一层连接部212a和触控线层60同层同材料设置，另一层连接部212b和薄膜晶体管T的栅极T1同层同材料设置；屏蔽层40为屏蔽层40a、屏蔽层40b和屏蔽层40c三层，分别和公共电极层30、第二数据线22以及金属遮光层70位于同一膜层，每层屏蔽层40均包括一个子环401，子环401之间通过过孔402电连接，且在垂直于衬底基板11的方向上，子环401和连接部212均相交叠。三层屏蔽层40可以和同膜层的结构一同图案化，一方面不会增加显示面板制作工艺的难度，另一方面也有利于显示面板的轻薄化。

当然，本实施例中，连接部212的层数、屏蔽层40的层数及结构还可以是上述其他实施例中的设置方式，本实施例对此并均不作具体限制。

在一些可选的实施例中，请结合参考图2和图16所示，其中，图16是图2中沿C-C方向的又一种剖面结构示意图，显示面板还包括像素电极层80，像素电极层80包括多个和漏极T4电连接的像素电极801；像素电极层80和公共电极层30同层设置，或者，像素电极层80和公共电极层30异层设置。

具体的，像素电极层80和公共电极层30可以都为ITO(铟锡氧化物)薄膜，通过薄膜晶体管T为像素电极801供电时，显示面板的液晶层内会形成电场，在电场的作用下控制液晶分子转动，从而使显示面板处于显示状态。为了适应不同的显示模式，像素电极层80可以和公共电极层30同层设置，也可以和公共电机层一层设置，本实施例对此并不作具体限制，仅以像素电极层80和公共电极层30异层设置为例进行说明。

可选的，公共电极层30和屏蔽层40电连接。

本实施例中，一方面，请继续参考图16所示，屏蔽层40和公共电极层30同层设置时，屏蔽层40与公共电极层30之间也可以通过连接线50电连接，以维持屏蔽层40电压的稳定性，从而屏蔽层40、公共电极层30和连接线50可以同时图案化形成，为了更加直观地示意本实施例的技术方案，图16中公共电极层30部分仍然填充与屏蔽层40和连接线50不同的图案。需要说明的是，连接线50的数量可以是一条或多条，连接线50的形状可以是直线形、曲线形或其他形状，连接线50与屏蔽层40和公共电极层30的连接位置也可以是多种，本实施例对此均不作具体限制。

另一方面，屏蔽层40和公共电极层30异层设置时，屏蔽层40可以通过连接非显示区的接地走线的连接方式维持自身电压的稳定性，但本实施例并不局限于该连接方式。

本发明还提供了一种显示装置，包括本发明提供的显示面板。

请参考图17所示，图17是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，本实施例的显示装置200包括本发明上述任一实施例提供的显示面板100。图13仅以手机为例对显示装置200进行说明，摄像头、光电传感器等器件可以放置并安装在器件设置区10。可以理解的是，本发明实施例提供的显示装置200也可以为液晶面板、电视机、车载显示等其他具有显示功能的显示装置，本发明对此并不作具体限制。本发明实施例提供的显示装置，具有本发明实施例提供的显示面板的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于显示面板的具体说明，本实施例在此不再赘述。

通过上述实施例可知，本发明提供的显示面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：

1、通过设置屏蔽层，且屏蔽层和连接部异层设置，减小了位于第一非显示区的连接部之间产生的耦合作用，有利于改善显示面板因耦合引起的mura，提高了显示面板的合格率和生产效率；

2、屏蔽层仅设置在第一非显示区，不会影响显示区的功耗及显示效果；

3、连接部在第一非显示区可以密集排布，有利于缩小第一非显示区的尺寸，增加显示装置的屏占比，更易于实现全面屏设计；

4、屏蔽层为至少一层，可以适应连接部的各种设置方式，使用范围广。

虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (14)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

器件设置区、第一非显示区和显示区，所述第一非显示区围绕所述器件设置区设置，所述显示区围绕所述第一非显示区设置；

所述显示区包括多条数据线、公共电极层以及设置于衬底基板上的多个薄膜晶体管；其中，

所述多条数据线包括多条第一数据线和多条第二数据线；所述第一数据线包括常规部和连接部，所述常规部位于所述显示区、且和所述第二数据线的延伸方向相同，所述连接部位于所述第一非显示区、且绕开所述器件设置区设置；

所述薄膜晶体管包括栅极、半导体部、源极和漏极，所述源极、所述漏极、所述第二数据线和所述常规部同层同材料设置；

所述第一非显示区包括至少一层屏蔽层，所述至少一层屏蔽层和所述连接部异层设置。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述屏蔽层包括一个子环，所述子环围绕所述器件设置区设置；

在垂直于所述衬底基板的方向上，所述连接部和所述子环相交叠。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述屏蔽层包括至少两个子环，所述子环围绕所述器件设置区设置，相邻两个所述子环之间通过连接线电连接。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，

在垂直于所述衬底基板的方向上，所述子环和所述连接部之间的间隙相交叠。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，

在平行于所述衬底基板的方向上，位于所述器件设置区同侧的所述连接部之间的距离为w；

所述子环的宽度为p，所述连接部的宽度为w1；其中，w≤p＜w+w1。

6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，

在垂直于所述衬底基板的方向上，所述子环和所述连接部相交叠。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，

在平行于所述衬底基板的方向上，位于所述器件设置区同侧的所述连接部之间的距离为w；

所述子环的宽度为p，所述连接部的宽度为w1；其中，w1≤p＜w+w1。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述显示面板还包括触控线层，所述连接部和所述栅极、所述第二数据线、所述触控线层中的至少一者同层同材料设置。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，

在平行于所述衬底基板的方向上，位于所述器件设置区同侧的所述连接部之间的距离为w；

在垂直于所述衬底基板的方向上，所述屏蔽层与所述连接部之间的距离为h；其中，h＜w。

10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述显示面板还包括金属遮光层，所述金属遮光层设置在所述半导体部和所述衬底基板之间；所述屏蔽层和所述公共电极层、所述第二数据线、所述栅极、所述金属遮光层中的任一者同层同材料设置。

11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述屏蔽层为至少两层，且相邻两层所述屏蔽层之间通过至少一个过孔电连接。

12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述显示面板还包括像素电极层，所述像素电极层包括多个和所述漏极电连接的像素电极；

所述像素电极层和所述公共电极层同层设置，或者，所述像素电极层和所述公共电极层异层设置。

13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，

所述公共电极层和所述屏蔽层电连接。

14.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-13中任一项所述的显示面板。