CN108796285B - 一种银合金键合丝及其制造方法 - Google Patents
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- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 142
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 142
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 22
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 21
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 20
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 10
- 238000009749 continuous casting Methods 0.000 claims description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 12
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 abstract description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 5
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 22
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 19
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 13
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C5/00—Alloys based on noble metals
- C22C5/06—Alloys based on silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/14—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of noble metals or alloys based thereon
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
一种银合金键合丝,其特征在于按重量计含有Au 0.1‑2%,Pd 0.1‑3%,微量添加元素1‑7000ppm,余量为Ag;所述微量添加元素是Ca、Cu、Be、In和Ge中的一种或其中两种以上的组合。本发明还提供上述银合金键合丝的一种制造方法。本发明的银合金键合丝具有以下有益效果:(1)抗硫化性能优异;(2)抗老化性能优异,改善封装产品在热冲击试验中的可靠性;(3)电阻率低(低至2.0μΩ‑cm);(4)打线作业窗口大具有良好的作业性;(5)FAB烧球良好,无滑球,焊点的接合强度大,可靠性高。
Description
技术领域
本发明涉及IC、LED封装用的键合丝,具体涉及一种银合金键合丝及其制造方法。
背景技术
键合丝(bonding wire,又称键合线)是连接芯片与外部封装基板(substrate)和/或多层线路板(PCB)的主要连接方式。键合丝的发展趋势,从产品方向上,主要是线径细微化、高车间寿命(floor life)以及高线轴长度;从化学成分上,主要有铜线(包括裸铜线、镀钯铜线、闪金镀钯铜线)在半导体领域大幅度取代金线,而银线和银合金线在LED以及部分IC封装应用上取代金线。由于电子产品小型化和细薄化的发展要求,半导体行业通过芯片厚度减薄(Wafer thinning)、封装采用芯片堆栈(Die stacking)、倒装芯片(flip chip)、晶圆级封装(wafer level packaging)、2.5D和3D封装等方法来应对,然而传统的键合封装(wire bonding)仍然是主流封装形式。
现有的银合金键合丝抗硫化性能和抗老化性能仍不够理想,电阻率较高,影响键合丝的应用以及封装后产品的使用寿命。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种银合金键合丝以及这种银合金键合丝的制造方法,这种银合金键合丝具有优异的抗硫化性能和抗老化性能,电阻率低,且具有良好的作业性与可靠性。采用的技术方案如下:
一种银合金键合丝,其特征在于按重量计含有Au 0.1-2 %,Pd 0.1-3 %,微量添加元素 1-7000ppm,余量为Ag;所述微量添加元素是Ca、Cu、Be、In和Ge中的一种或其中两种以上的组合。
优选上述银合金键合丝中微量添加元素的含量为 10-7000ppm。
一种优选方案中,上述微量添加元素的组成为Ca 10-150ppm、Cu 10-150ppm和Be10-150ppm。
另一种优选方案中,上述微量添加元素的组成为In 10-150ppm、Ge 10-150ppm和Ca 10-150ppm。
另一种优选方案中,上述微量添加元素的组成为In 10-150ppm和Cu 10-150ppm。
另一种优选方案中,上述微量添加元素的组成为Ge 10-150ppm和Ca 10-150ppm。
另一种优选方案中,上述微量添加元素的组成为Ca 10-150ppm和Cu 10-150ppm。
另一种优选方案中,上述微量添加元素的组成为Cu 10-150ppm和Be 10-150ppm。
另一种优选方案中,上述微量添加元素的组成为Cu 4000-6000ppm。
优选上述银合金键合丝的直径为15-40um。
本发明的银合金键合丝中,Ca(钙)有助于银合金键合丝的再结晶温度的提高,增加银合金键合丝的结构稳定性和强度;Be(铍)有助于提升银合金键合丝的抗硫化能力和抗老化能力;Cu(铜)有助提升银合金键合丝的抗老化能力,并增大银合金键合丝的打线作业窗口;In(铟)有湿润性效果, 可增大二焊拉力与1焊拉力;Ge(锗)有助于提升银合金键合丝的抗氧化能力和抗硫化能力,并提高焊点的接合强度。在Ag、Au和Pd的基础上,通过添加适量的Ca、Be、Cu、In、Ge等元素组合,可改变线材结晶结构和显微组织,降低其线材的电阻率,同时大幅增加线材长轴晶之结构,进而大大提升了银合金键合丝的抗硫化性能和抗老化性能,同时使银合金键合丝的作业性与可靠性也得以改善。
本发明还提供上述银合金键合丝的一种制造方法,其特征在于包括下述步骤:
(1)熔铸:按比例将Au、Pd和微量添加元素加入到银原料中,经过真空熔炼和定向连续引铸工艺,获得直径为6-8毫米的线材;
(2)拉丝:对步骤(1)得到的线材进行拉丝,获得直径为50-280um的银合金线;
(3)中间退火:步骤(2)拉丝完成后,对银合金线进行中间退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为600-1000mm,退火温度为300-600℃,退火速率为60-120m/min;
(4)对经步骤(3)中间退火处理的银合金线继续进行拉丝,获得直径为15-40um的银合金线;
(5)最后退火:对步骤(4)得到的银合金线进行最后退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为600-1000mm,退火温度为300-600℃,退火速率为60-120m/min;
(6)冷却:最后退火结束后,将银合金线冷却至20-30℃,得到所需的银合金键合丝。
本发明的银合金键合丝具有以下有益效果:
(1)抗硫化性能优异;
(2)抗老化性能优异,改善封装产品在热冲击试验中的可靠性;在同等老化条件下(-40℃~100℃),本发明的银合金键合丝能够经受350-400回合的热冲击,而传统银合金键合丝只能经受100回合的热冲击;
(3)电阻率低(低至2.0μΩ-cm);
(4)打线作业窗口大具有良好的作业性;
(5)FAB 烧球良好,无滑球,焊点的接合强度大,可靠性高;
(6)成本较低。
具体实施方式
实施例1
本实施例的银合金键合丝按重量计含有Au 1%,Pd 2%,Ca 100ppm,Cu 100ppm,Be80ppm,余量为银。
上述银合金键合丝的制造方法包括下述步骤:
(1)熔铸:按比例将Au、Pd、Ca、Cu和Be加入到银原料中,经过真空熔炼和定向连续引铸工艺,获得直径为6毫米的线材;
(2)拉丝:对步骤(1)得到的线材进行拉丝,获得直径为220um的银合金线;
(3)中间退火:步骤(2)拉丝完成后,对银合金线进行中间退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为800mm,退火温度为500℃,退火速率为100m/min;
(4)对经步骤(3)中间退火处理的银合金线继续进行拉丝,获得直径为15-40um(如20 um)的银合金线;
(5)最后退火:对步骤(4)得到的银合金线进行最后退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为800mm,退火温度为600℃,退火速率为80m/min;
(6)冷却:最后退火结束后,将银合金线冷却至20℃,得到所需的银合金键合丝。
实施例2
本实施例的银合金键合丝按重量计含有Au 2%,Pd 0.2%,In 50ppm,Ge 150ppm,Ca10ppm,余量为银。
上述银合金键合丝的制造方法包括下述步骤:
(1)熔铸:按比例将Au、Pd、In、Ge和Ca加入到银原料中,经过真空熔炼和定向连续引铸工艺,获得直径为8毫米的线材;
(2)拉丝:对步骤(1)得到的线材进行拉丝,获得直径为200um的银合金线;
(3)中间退火:步骤(2)拉丝完成后,对银合金线进行中间退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为1000mm,退火温度为500℃,退火速率为100m/min;
(4)对经步骤(3)中间退火处理的银合金线继续进行拉丝,获得直径为15-40um(如20 um)的银合金线;
(5)最后退火:对步骤(4)得到的银合金线进行最后退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为600mm,退火温度为400℃,退火速率为60m/min;
(6)冷却:最后退火结束后,将银合金线冷却至30℃,得到所需的银合金键合丝。
实施例3
本实施例的银合金键合丝按重量计含有Au 0.5%,Pd 3%,In 150ppm,Cu 150ppm,余量为银。
上述银合金键合丝的制造方法包括下述步骤:
(1)熔铸:按比例将Au、Pd、In和Cu加入到银原料中,经过真空熔炼和定向连续引铸工艺,获得直径为8毫米的线材;
(2)拉丝:对步骤(1)得到的线材进行拉丝,获得直径为150um的银合金线;
(3)中间退火:步骤(2)拉丝完成后,对银合金线进行中间退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为600mm,退火温度为500℃,退火速率为60m/min;
(4)对经步骤(3)中间退火处理的银合金线继续进行拉丝,获得直径为15-40um(如20 um)的银合金线;
(5)最后退火:对步骤(4)得到的银合金线进行最后退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为1000mm,退火温度为450℃,退火速率为80m/min;
(6)冷却:最后退火结束后,将银合金线冷却至20℃,得到所需的银合金键合丝。
实施例4
本实施例的银合金键合丝按重量计含有Au 1%,Pd 1.5%,Ge 10ppm,Ca 10ppm,余量为银。
上述银合金键合丝的制造方法包括下述步骤:
(1)熔铸:按比例将Au、Pd、Ge和Ca加入到银原料中,经过真空熔炼和定向连续引铸工艺,获得直径为6毫米的线材;
(2)拉丝:对步骤(1)得到的线材进行拉丝,获得直径为50um的银合金线;
(3)中间退火:步骤(2)拉丝完成后,对银合金线进行中间退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为700mm,退火温度为550℃,退火速率为70m/min;
(4)对经步骤(3)中间退火处理的银合金线继续进行拉丝,获得直径为15-40um(如20 um)的银合金线;
(5)最后退火:对步骤(4)得到的银合金线进行最后退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为1000mm,退火温度为500℃,退火速率为80m/min;
(6)冷却:最后退火结束后,将银合金线冷却至30℃,得到所需的银合金键合丝。
实施例5
本实施例的银合金键合丝按重量计含有Au 0.6%,Pd 2.5%,Ca 50ppm,Cu 150ppm,余量为银。
上述银合金键合丝的制造方法包括下述步骤:
(1)熔铸:按比例将Au、Pd、Ca 和Cu加入到银原料中,经过真空熔炼和定向连续引铸工艺,获得直径为8毫米的线材;
(2)拉丝:对步骤(1)得到的线材进行拉丝,获得直径为280um的银合金线;
(3)中间退火:步骤(2)拉丝完成后,对银合金线进行中间退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为600mm,退火温度为300℃,退火速率为60m/min;
(4)对经步骤(3)中间退火处理的银合金线继续进行拉丝,获得直径为15-40um(如20 um)的银合金线;
(5)最后退火:对步骤(4)得到的银合金线进行最后退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为1000mm,退火温度为600℃,退火速率为80m/min;
(6)冷却:最后退火结束后,将银合金线冷却至20℃,得到所需的银合金键合丝。
实施例6
本实施例的银合金键合丝按重量计含有Au 0.6%,Pd 2.5%,Cu 150ppm,Be100ppm,余量为银。
上述银合金键合丝的制造方法包括下述步骤:
(1)熔铸:按比例将Au、Pd、Cu和Be加入到银原料中,经过真空熔炼和定向连续引铸工艺,获得直径为8毫米的线材;
(2)拉丝:对步骤(1)得到的线材进行拉丝,获得直径为200um的银合金线;
(3)中间退火:步骤(2)拉丝完成后,对银合金线进行中间退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为800mm,退火温度为500℃,退火速率为80m/min;
(4)对经步骤(3)中间退火处理的银合金线继续进行拉丝,获得直径为15-40um(如20 um)的银合金线;
(5)最后退火:对步骤(4)得到的银合金线进行最后退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为1000mm,退火温度为300℃,退火速率为60m/min;
(6)冷却:最后退火结束后,将银合金线冷却至20℃,得到所需的银合金键合丝。
实施例7
本实施例的银合金键合丝按重量计含有Au 0.2%,Pd 0.2%,Cu 5500ppm,余量为银。
上述银合金键合丝的制造方法包括下述步骤:
(1)熔铸:按比例将Au、Pd和Cu加入到银原料中,经过真空熔炼和定向连续引铸工艺,获得直径为8毫米的线材;
(2)拉丝:对步骤(1)得到的线材进行拉丝,获得直径为150um的银合金线;
(3)中间退火:步骤(2)拉丝完成后,对银合金线进行中间退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为1000mm,退火温度为550℃,退火速率为100m/min;
(4)对经步骤(3)中间退火处理的银合金线继续进行拉丝,获得直径为15-40um(如20 um)的银合金线;
(5)最后退火:对步骤(4)得到的银合金线进行最后退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为800mm,退火温度为400℃,退火速率为80m/min;
(6)冷却:最后退火结束后,将银合金线冷却至20℃,得到所需的银合金键合丝。
对本发明实施例1-7的银合金键合丝进行性能测试,测试方法及测试结果如下:
1、抗硫化性能
抗硫化性能测试方法:
用传统银合金键合丝(银含量为88%(重量)的银合金键合丝)、本发明实施例1-7银合金键合丝分别对LED灯珠进行封装(打线后用灌封胶灌封),每组各取10个样品并做标记。将各组LED灯珠样品都放置于3L密闭容器内(升华硫浓度为2g/L,恒温85℃),硫化4小时后,取出各组LED灯珠样品,测试灯光通量(10颗灯珠样品测试取平均值)并计算光衰。测试结果如表1所示。
表1
样品组 | 平均光衰 |
传统银合金键合丝 | 11% |
实施例1银合金键合丝 | 9.5% |
实施例2银合金键合丝 | 10.0% |
实施例3银合金键合丝 | 10.0% |
实施例4银合金键合丝 | 9.0% |
实施例5银合金键合丝 | 9.5% |
实施例6银合金键合丝 | 9.5% |
实施例7银合金键合丝 | 9.0% |
测试结果显示:本发明实施例1-7银合金键合丝的抗硫化性能优于传统银合金键合丝。
2、抗老化性能
实施例1-7和传统银合金键合丝(银含量为88%(重量)的银合金键合丝)在可靠性的差别主要在热冲击部分。具体老化试验条件如表2。试验封装形式是LED封装中的SMD2835,BSOB打线,封装硅胶采用道康宁OE6650,封装好的样品在每次完成50个循环的热冲击后,观察是否还能点亮,记录失效死灯的个数。
表2
测试条件 | 时长(Hour)/回合(Cycle) |
8温区标准回流焊(265℃) | 1 |
-40℃*30min-100℃*30min (转换时间小于20秒) | 50/100/…/500 |
测试结果(如表3所示):实施例1-7银合金键合丝在老化实验中都经受350-400回合的热冲击,而传统银合金键合丝在老化实验中只能经受100回合的热冲击。
表3
样品组 | 老化回合数 |
传统银合金键合丝 | 100 |
实施例1银合金键合丝 | 350 |
实施例2银合金键合丝 | 350 |
实施例3银合金键合丝 | 350 |
实施例4银合金键合丝 | 350 |
实施例5银合金键合丝 | 350 |
实施例6银合金键合丝 | 350 |
实施例7银合金键合丝 | 400 |
3、FAB 烧球
A.EFO 电流 :60mA
B.N2+H2 (气 体 流 量 :0.3~0.6 L/min)
本发明的银合金键合丝的FAB球,其稳定性好,无滑球,且均为正常球型,无偏心球和异常球。
4、电阻率
电阻率的测试步骤为:
(1)取出线材放在电阻仪上(GI-ER1040609001),量取30cm,然后将线材固定住;
(2)使用万用表(TA8301)200Ω档测试电阻值,并记录(实施例1-7银合金键合丝、传统银合金键合丝各测量20组数据);
(3)根据以下公式,将电阻转换成电阻率(μΩ·cm);
(4)将以上20组电阻率求平均值,结果如表4所示。
表4
从以上测试结果可以看出,本发明实施例1-7银合金键合丝的综合性能明显优于传统银合金键合丝(银含量为88%(重量)的银合金键合丝),而成本则降低。
Claims (2)
1.一种银合金键合丝,其特征在于按重量计由下述成分组成:Au 0.1-2 %,Pd 0.1-3%,余量为微量添加元素和Ag;
所述微量添加元素的组成为:(a)Cu 4000-6000ppm;或(b)In 10-150ppm、Ge 10-150ppm和Ca 10-150ppm;或(c)In 10-150ppm和Cu 10-150ppm;或(d)Ge 10-150ppm和Ca10-150ppm;或(e)Cu 10-150ppm和Be 10-150ppm;
所述银合金键合丝的制造方法包括下述步骤:
(1)熔铸:按比例将Au、Pd和微量添加元素加入到银原料中,经过真空熔炼和定向连续引铸工艺,获得直径为6-8毫米的线材;
(2)拉丝:对步骤(1)得到的线材进行拉丝,获得直径为50-280um的银合金线;
(3)中间退火:步骤(2)拉丝完成后,对银合金线进行中间退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为600-1000mm,退火温度为300-600℃,退火速率为60-120m/min;
(4)对经步骤(3)中间退火处理的银合金线继续进行拉丝,获得直径为15-40um的银合金线;
(5)最后退火:对步骤(4)得到的银合金线进行最后退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为600-1000mm,退火温度为300-600℃,退火速率为60-120m/min;
(6)冷却:最后退火结束后,将银合金线冷却至20-30℃,得到所需的银合金键合丝。
2.权利要求1所述的银合金键合丝的制造方法,其特征在于包括下述步骤:
(1)熔铸:按比例将Au、Pd和微量添加元素加入到银原料中,经过真空熔炼和定向连续引铸工艺,获得直径为6-8毫米的线材;
(2)拉丝:对步骤(1)得到的线材进行拉丝,获得直径为50-280um的银合金线;
(3)中间退火:步骤(2)拉丝完成后,对银合金线进行中间退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为600-1000mm,退火温度为300-600℃,退火速率为60-120m/min;
(4)对经步骤(3)中间退火处理的银合金线继续进行拉丝,获得直径为15-40um的银合金线;
(5)最后退火:对步骤(4)得到的银合金线进行最后退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为600-1000mm,退火温度为300-600℃,退火速率为60-120m/min;
(6)冷却:最后退火结束后,将银合金线冷却至20-30℃,得到所需的银合金键合丝。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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CN108796285A CN108796285A (zh) | 2018-11-13 |
CN108796285B true CN108796285B (zh) | 2020-10-13 |
Family
ID=64073637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810702747.XA Active CN108796285B (zh) | 2018-06-30 | 2018-06-30 | 一种银合金键合丝及其制造方法 |
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Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108796285B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109637993A (zh) * | 2018-11-22 | 2019-04-16 | 汕头市骏码凯撒有限公司 | 表面有镀层的铜键合丝及其制造方法 |
CN113035820A (zh) * | 2021-03-18 | 2021-06-25 | 汕头市骏码凯撒有限公司 | 具有闪镀层的银合金键合丝及其制造方法 |
CN114107724A (zh) * | 2021-11-19 | 2022-03-01 | 江西蓝微电子科技有限公司 | 一种银合金键合丝及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108183075B (zh) * | 2017-12-27 | 2020-05-19 | 汕头市骏码凯撒有限公司 | 一种银合金键合丝及其制造方法 |
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