CN108793098A - 二维硒纳米片及其制备方法和应用 - Google Patents
二维硒纳米片及其制备方法和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108793098A CN108793098A CN201810775969.4A CN201810775969A CN108793098A CN 108793098 A CN108793098 A CN 108793098A CN 201810775969 A CN201810775969 A CN 201810775969A CN 108793098 A CN108793098 A CN 108793098A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nanometer sheet
- selenium
- dimension
- dimentional
- selenium nanometer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/02—Elemental selenium or tellurium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
本发明提供了一种二维硒纳米片，所述二维硒纳米片为无定形结构。本发明提供的二维硒纳米片带隙较窄，响应光谱较宽，同时稳定性较好，具有优良的光探测性能。本发明还提供了一种二维硒纳米片的制备方法，包括以下步骤：提供无定形硒原料，采用液相剥离的方法对所述硒原料进行剥离，得到二维硒纳米片。本发明首次采用液相剥离的方法由非层状的硒原料制得二维硒纳米片，剥离效果良好，且可以实现大规模制备二维硒纳米片，成本较低，制备方法简单易操作。本发明还提供了所述二维硒纳米片在光探测器中的应用。
Description
技术领域
本发明涉及纳米材料领域，具体涉及一种二维硒纳米片及其制备方法和应用。
背景技术
二维材料，是指电子仅可在两个维度上自由运动(平面运动)的材料，如纳米薄膜、超晶格和量子阱等。二维材料是伴随着2004年曼切斯特大学Geim小组成功分离出单原子层的石墨材料—石墨烯(graphene)而提出的。其中包括，被称为“白石墨”的氮化硼、二硫化钼、硅烯、锗烯和黑磷等。
以上所述的这些二维材料都是层状材料，即在层内由较强的化学键组成，而在层间是由弱的范德华力组成。因为通过机械剥离法和液相剥离法很容易将其剥离成二维材料。但是这些二维层状材料的种类是有限的，因此这极大地限制了二维功能材料的发展。发展更多种类的二维功能材料已经迫在眉睫。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供了一种二维硒纳米片，所述二维硒纳米片是一种新型的二维功能材料，具有良好的光探测功能。
本发明第一方面提供了一种二维硒纳米片，所述二维硒纳米片为无定形结构。
其中，所述二维硒纳米片的厚度为1-50nm。
其中，所述二维硒纳米片的厚度为3-5nm。
其中，所述二维硒纳米片的长宽尺寸为10-200nm。
本发明第一方面提供的二维硒纳米片带隙较窄，响应光谱较宽，同时稳定性较好，具有优良的光探测性能。
本发明第二方面提供了一种二维硒纳米片的制备方法，包括以下步骤：
提供无定形硒原料，采用液相剥离的方法对所述硒原料进行剥离，得到二维硒纳米片，所述二维硒纳米片为无定形结构。
其中，所述液相剥离法具体包括以下操作：
将所述无定形硒原料加入至溶剂中，在冰浴环境下采用探头超声8-12h；所述探头超声结束后，继续采用水浴超声，所述水浴超声时间为5-12h，所述水浴的温度保持在0-10℃；水浴超声后，进行离心和干燥得到二维硒纳米片。
其中，所述探头超声的功率为100-200W。
其中，所述离心的操作包括：采用1-3kg的离心力，离心20-35min，取上清液，然后将所述上清液采用2-10kg的离心力继续离心25-35min，得到沉淀；所得沉淀干燥后即得所述二维硒纳米片。
其中，所述溶剂包括异丙醇、乙醇、丙酮、水和N-甲基吡咯烷酮中的至少一种。
现有技术通常采用液相剥离法用来剥离二维层状材料。而本发明首次采用液相剥离法剥离得到无定形二维非层状硒纳米片，并取得成功。
本发明第二方面提供了一种二维硒纳米片的制备方法，首次采用液相剥离的方法由无定形非层状的硒原料制得无定形二维硒纳米片，剥离效果良好，且可以实现大规模制备二维硒纳米片，成本较低，制备方法简单易操作。
本发明第三方面提供了一种如上述所述的二维硒纳米片在光探测器中的应用。
由于本发明的二维硒纳米片具有良好的光探测性能，因此，可以很好地用于光探测器。
综上，本发明有益效果包括以下几个方面：
1、本发明提供的二维硒纳米片带隙较窄，响应光谱较宽，同时环境稳定性较好，具有优良的光探测性能；
2、本发明提供的二维硒纳米片的制备方法，首次采用液相剥离的方法由无定形非层状的硒原料制得无定形二维硒纳米片，剥离效果良好，且可以实现大规模制备二维硒纳米片，成本较低，制备方法简单易操作；
3、本发明提供的二维硒纳米片可应用于光探测器中。
附图说明
图1为实施例1制得的二维硒纳米片的透射电镜图片；
图2为实施例1制得的二维硒纳米片的原子力显微图片；
图3为不同尺寸的二维硒纳米片的吸收光谱图和带隙图。
具体实施方式
以下所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
本发明提到的“二维硒纳米片”或“硒”，除特殊说明，均指的是单质硒。
本发明实施方式第一方面提供了一种二维硒纳米片，所述二维硒纳米片为无定形结构。
本发明实施方式中，所述二维硒纳米片为无定形结构，即所述二维硒纳米片为非晶体结构。此外，所述二维硒纳米片为非层状结构。
本发明实施方式中，所述二维硒纳米片的厚度为1-50nm。可选地，所述二维硒纳米片的厚度为3-5nm。可选地，所述二维硒纳米片的厚度为5-10nm。可选地，所述二维硒纳米片的厚度为10-50nm。进一步可选地，所述二维硒纳米片的厚度为1nm、5nm、10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40nm、45nm或50nm。
本发明实施方式中，所述二维硒纳米片的长宽尺寸为10-200nm。可选地，所述二维硒纳米片的长宽尺寸为10-50nm。可选地，所述二维硒纳米片的长宽尺寸为50-100nm。可选地，所述二维硒纳米片的长宽尺寸为100-200nm。进一步可选地，所述二维硒纳米片的长宽尺寸为30-40nm。进一步可选地，所述二维硒纳米片的长宽尺寸为10-30nm。进一步可选地，所述二维硒纳米片的长宽尺寸为10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm、150nm、160nm、170nm、180nm、190nm或200nm。
本发明实施方式中，所述二维硒纳米片的光响应波长范围为500nm以下。具体地，所述二维硒纳米片的光响应波长范围为200-500nm。
本发明第一方面提供的二维硒纳米片，所述二维硒纳米片具有较窄的带隙，因此可以响应从紫外光到可见光的范围；其次具有较好的时间稳定性和光探循环稳定性。因此，本发明实施方式提供的二维硒纳米片带隙较窄，响应光谱较宽，同时稳定性较好，具有优良的光探测性能。
本发明实施例第二方面提供了一种二维硒纳米片的制备方法，包括以下步骤：
提供无定形硒原料，采用液相剥离的方法对所述硒原料进行剥离，得到二维硒纳米片，所述二维硒纳米片为无定形结构。
本发明实施方式中，所述无定形硒原料为无定形非层状的硒单质，对其大小和形状没有特殊限定，如可以为硒粉，也可以为硒块，如可以为微米级或毫米级的块体，具体地，所述硒原料是直径几毫米的硒粒。所述硒原料可通过购买得到。
本发明实施方式中，所述液相剥离法具体包括以下操作：
将所述无定形硒原料加入至溶剂中，在冰浴环境下采用探头超声8-12h；所述探头超声结束后，继续采用水浴超声，所述水浴超声时间为5-12h，所述水浴的温度保持在0-10℃；水浴超声后，进行离心和干燥得到二维硒纳米片。
本发明实施方式中，所述溶剂包括异丙醇、乙醇、丙酮、水和N-甲基吡咯烷酮中的至少一种。
本发明实施方式中，所述硒原料在所述溶剂中的浓度为1-7mg/mL。
本发明实施方式中，所述探头超声的功率为100-200W。进一步可选地，所述探头超声的功率为200W。
本发明实施方式中，所述探头超声的时间为10h。
本发明实施方式中，所述探头超声是非连续超声，选择超声开/关时间为2/4s，即先超声2s，然后关闭超声探头保持4s，再继续超声2s，以此类推。
本发明实施方式中，所述水浴超声功率为200-300W。进一步可选地，所述水浴超声功率为300W。
本发明实施方式中，所述水浴超声的时间为8h。
本发明实施方式中，所述水浴温度保持在0-5℃。
本发明实施方式中，超声后，进行离心，所述离心的操作包括：首先采用1-3kg的离心力，离心20-35min，取上清液；然后将所述上清液采用2-10kg的离心力继续离心25-35min，得到沉淀，所得沉淀干燥后即得所述二维硒纳米片。其中，所述第二次离心的离心力大于第一次离心的离心力。可选地，首先采用2kg的离心力，离心30min，取上清液；然后将所述上清液采用10kg的离心力继续离心30min，得到沉淀，将所得沉淀干燥后即得二维硒纳米片。可选地，所述干燥的方式不限，例如可为真空干燥。
现有技术通常采用液相剥离法用来剥离得到二维层状材料。而本发明首次采用液相剥离法来剥离非层状单质硒材料制得二维非层状硒纳米片，并取得成功。
本发明第二方面提供了一种二维硒纳米片的制备方法，首次采用液相剥离的方法由非层状的硒原料制得二维非层状硒纳米片，剥离效果良好，且可以实现大规模制备二维非层状硒纳米片，成本较低，制备方法简单易操作。
本发明第三方面提供了一种如上述所述的二维硒纳米片在光探测器中的应用。
由于本发明的二维硒纳米片具有良好光探测性能，因此，可以很好地应用于光探测器。
实施例1：
一种二维硒纳米片的制备方法，包括以下步骤：
(1)将500mg的无定形硒粒加入100mL的异丙醇中。然后选择探头超声200W，超声10h。选择超声开/关时间为2/4s，并且是在冰浴环境下进行超声。探头超声完后，接着采用水浴超声。水浴超声功率为300W。超声时间为8h。水浴温度保持10℃；
(2)超声过后进行离心。首先采用2kg的离心力，离心30min。取上清液，然后将上清液采用10kg的离心力继续离心30min，得到沉淀，真空干燥后即得二维硒纳米片。
图1为实施例1制得的二维硒纳米片的电镜形貌图。如图1所示，二维硒纳米片长宽尺寸为30-40nm，尺寸均一，二维硒纳米片分散均匀，不团聚。图2显示的是二维硒纳米片的原子力显微图片。由图可以看出，二维硒纳米片的厚度在4nm左右。因此，通过透射电镜和原子力显微镜的观察，确认通过液相剥离法确实可以剥离得到二维硒纳米片。
图3a为不同离心力下，不同尺寸的二维硒纳米片的吸收光谱图。图3b为不同离心力下，不同尺寸的二维硒纳米片的带隙图。在不同的离心力下，可以得到不同长宽尺寸的二维硒纳米片，其中，通过第一次离心力为1kg，第二次离心力为2kg，得到长宽尺寸为100nm左右的二维硒纳米片(该二维硒纳米片在图3中以1-2kg表示)；通过第一次离心力为2kg，第二次离心力为5kg，得到尺寸为50nm左右的二维硒纳米片，(该二维硒纳米片在图3中以2-5kg表示)；吸收光谱采用紫外-分光光度计测量。将不同长宽尺寸的二维硒纳米片制成的分散液装入石英比色皿中，放入紫外-分光光度计卡槽中测量吸收度。根据不同尺寸下的二维硒纳米片的吸收度，进而计算得到其不同的带隙，如图3b所示。由图可知，对应离心力为1-2kg和2-5kg的二维硒纳米片的带隙分别为1.8eV和2.1eV。较大尺寸的二维硒纳米片的带隙较小，可以获得更长波长的响应。较小尺寸的二维硒纳米片，由于其具有更大的表面积，可以获得更高的光探测信号。
实施例2：
一种二维硒纳米片的制备方法，包括以下步骤：
(1)将500mg的无定形硒粒加入100mL的N-甲基吡咯烷酮中。然后选择探头超声200W，超声12h。选择超声开/关时间为2/4s，并且是在冰浴环境下进行超声。探头超声完后，接着采用水浴超声。水浴超声功率为300W。超声时间为10h。水浴温度保持10℃；
(2)超声过后进行离心。首先采用1.8kg的离心力，离心35min。取上清液，然后将上清液采用10kg的离心力继续离心25min，得到沉淀，真空干燥后即得二维硒纳米片。
实施例3：
一种二维硒纳米片的制备方法，包括以下步骤：
(1)将500mg的无定形硒粒加入100mL的丙酮中。然后选择探头超声150W，超声8h。选择超声开/关时间为2/4s，并且是在冰浴环境下进行超声。探头超声完后，接着采用水浴超声。水浴超声功率为280W。超声时间为5h。水浴温度保持5℃；
(2)超声过后进行离心。首先采用2.2kg的离心力，离心20min。取上清液，然后将上清液采用5kg的离心力继续离心35min，得到沉淀，真空干燥后即得二维硒纳米片。
实施例4：
一种二维硒纳米片的制备方法，包括以下步骤：
(1)将500mg的无定形硒粒加入100mL的乙醇中。然后选择探头超声100W，超声8h。选择超声开/关时间为2/4s，并且是在冰浴环境下进行超声。探头超声完后，接着采用水浴超声。水浴超声功率为200W。超声时间为5h。水浴温度保持5℃；
(2)超声过后进行离心。首先采用1kg的离心力，离心35min。取上清液，然后将上清液采用2kg的离心力继续离心35min，得到沉淀，真空干燥后即得二维硒纳米片。
实施例5：
一种二维硒纳米片的制备方法，包括以下步骤：
(1)将500mg的无定形硒粒加入100mL的异丙醇中。然后选择探头超声100W，超声12h。选择超声开/关时间为2/4s，并且是在冰浴环境下进行超声。探头超声完后，接着采用水浴超声。水浴超声功率为200W。超声时间为12h。水浴温度保持5℃；
(2)超声过后进行离心。首先采用3kg的离心力，离心20min。取上清液，然后将上清液采用10kg的离心力继续离心35min，得到沉淀，真空干燥后即得二维硒纳米片。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种二维硒纳米片，其特征在于，所述二维硒纳米片为无定形结构。
2.如权利要求1所述的二维硒纳米片，其特征在于，所述二维硒纳米片的厚度为1-50nm。
3.如权利要求2所述的二维硒纳米片，其特征在于，所述二维硒纳米片的厚度为3-5nm。
4.如权利要求1所述的二维硒纳米片，其特征在于，所述二维硒纳米片的长宽尺寸为10-200nm。
5.一种二维硒纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供无定形硒原料，采用液相剥离的方法对所述硒原料进行剥离，得到二维硒纳米片，所述二维硒纳米片为无定形结构。
6.如权利要求5所述的二维硒纳米片的制备方法，其特征在于，所述液相剥离的方法具体包括以下操作：
将所述无定形硒原料加入至溶剂中，在冰浴环境下采用探头超声8-12h；所述探头超声结束后，继续采用水浴超声，所述水浴超声时间为5-12h，所述水浴的温度保持在0-10℃；水浴超声后，进行离心和干燥得到二维硒纳米片。
7.如权利要求6所述的二维硒纳米片的制备方法，其特征在于，所述探头超声的功率为100-200W。
8.如权利要求6所述的二维硒纳米片的制备方法，其特征在于，所述离心的操作包括：采用1-3kg的离心力，离心20-35min，取上清液，然后将所述上清液采用2-10kg的离心力继续离心25-35min，得到沉淀；所得沉淀干燥后即得所述二维硒纳米片。
9.如权利要求6所述的二维硒纳米片的制备方法，其特征在于，所述溶剂包括异丙醇、乙醇、丙酮、水和N-甲基吡咯烷酮中的至少一种。
10.一种如权利要求1-4中任一项所述的二维硒纳米片在光探测器中的应用。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810775969.4A CN108793098A (zh) | 2018-07-16 | 2018-07-16 | 二维硒纳米片及其制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810775969.4A CN108793098A (zh) | 2018-07-16 | 2018-07-16 | 二维硒纳米片及其制备方法和应用 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108793098A true CN108793098A (zh) | 2018-11-13 |
Family
ID=64076655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810775969.4A Pending CN108793098A (zh) | 2018-07-16 | 2018-07-16 | 二维硒纳米片及其制备方法和应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108793098A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111691061A (zh) * | 2020-05-20 | 2020-09-22 | 深圳大学 | 一种光热、压电热双机制加热膜及其制备方法和加热服 |
| CN112028034A (zh) * | 2020-09-25 | 2020-12-04 | 深圳大学 | 一种硒纳米片的制备方法 |
| CN115947316A (zh) * | 2023-01-09 | 2023-04-11 | 合肥工业大学 | 一种二硫化硒纳米片及其在制备光热剂中的应用 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4122030A (en) * | 1977-09-19 | 1978-10-24 | Xerox Corporation | Formation of colloidal dispersions of selenium by the locus control method |
| CN104445102A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-03-25 | 中国科学技术大学 | 一种通过前驱体的酸化剥离氧化来合成超薄Se纳米片的方法及其应用 |
| CN106115635A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-16 | 中山大学 | 非晶硒的应用 |
| CN106698369A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-24 | 深圳大学 | 一种二维黑磷纳米片及其液相剥离制备方法 |
| CN108033487A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-05-15 | 浙江大学 | 一种采用液相剥离法制备二维纳米片材料的方法 |
-
2018
- 2018-07-16 CN CN201810775969.4A patent/CN108793098A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4122030A (en) * | 1977-09-19 | 1978-10-24 | Xerox Corporation | Formation of colloidal dispersions of selenium by the locus control method |
| CN104445102A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-03-25 | 中国科学技术大学 | 一种通过前驱体的酸化剥离氧化来合成超薄Se纳米片的方法及其应用 |
| CN106115635A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-16 | 中山大学 | 非晶硒的应用 |
| CN106698369A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-24 | 深圳大学 | 一种二维黑磷纳米片及其液相剥离制备方法 |
| CN108033487A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-05-15 | 浙江大学 | 一种采用液相剥离法制备二维纳米片材料的方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| CHENYANG XING ET AL.: ""2D Nonlayered Selenium Nanosheets: Facile Synthesis, Photoluminescence, and Ultrafast Photonics"", 《ADVANCED OPTICAL MATERIALS》 * |
| 汪贵华: "《光电子器件》", 31 January 2014 * |
| 王俊: ""胸部X线摄影的技术评价"", 《使用医学影像杂志》 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111691061A (zh) * | 2020-05-20 | 2020-09-22 | 深圳大学 | 一种光热、压电热双机制加热膜及其制备方法和加热服 |
| CN111691061B (zh) * | 2020-05-20 | 2022-04-15 | 深圳大学 | 一种光热、压电热双机制加热膜及其制备方法和加热服 |
| CN112028034A (zh) * | 2020-09-25 | 2020-12-04 | 深圳大学 | 一种硒纳米片的制备方法 |
| CN112028034B (zh) * | 2020-09-25 | 2021-09-10 | 深圳大学 | 一种硒纳米片的制备方法 |
| CN115947316A (zh) * | 2023-01-09 | 2023-04-11 | 合肥工业大学 | 一种二硫化硒纳米片及其在制备光热剂中的应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108313987A (zh) | 二维碲纳米片及其制备方法和应用 | |
| CN108793098A (zh) | 二维硒纳米片及其制备方法和应用 | |
| Li et al. | Monolithic full-Stokes near-infrared polarimetry with chiral plasmonic metasurface integrated graphene–silicon photodetector | |
| Tang et al. | Tunable and switchable multi-functional terahertz metamaterials based on a hybrid vanadium dioxide–graphene integrated configuration | |
| Chang et al. | Extracting the complex optical conductivity of mono-and bilayer graphene by ellipsometry | |
| CN107151001B (zh) | 一种制备高质量大尺寸二维材料分散液的方法 | |
| Lee et al. | High-performance 2D MoS2 phototransistor for photo logic gate and image sensor | |
| CN103872155A (zh) | 一种表面等离激元增强的超导单光子探测器及其制备方法 | |
| CN105957955B (zh) | 一种基于石墨烯平面结的光电探测器 | |
| Zhang et al. | Thickness-dependence of optical constants for Ta 2 O 5 ultrathin films | |
| CN103887352A (zh) | 一种复合结构的金属石墨烯及其制备方法 | |
| CN109459137A (zh) | 偏振光探测器及偏振光的探测方法 | |
| Xu et al. | Ultrathin silicon nanomembrane in a tubular geometry for enhanced photodetection | |
| CN113540154B (zh) | 基于二维材料的双异质结构的柔性光电探测器及其制备工艺 | |
| Wang et al. | The fabrication of Schottky photodiode by monolayer graphene direct-transfer-on-silicon | |
| Li et al. | Anti-ambipolar and polarization-resolved behavior in MoTe2 channel sensitized with low-symmetric CrOCl | |
| Yue et al. | Novel and low reflective silicon surface fabricated by Ni-assisted electroless etching and coated with atomic layer deposited Al 2 O 3 film | |
| Li et al. | Polarization‐Sensitive Optoelectronic Synapse Based on 3D Graphene/MoS2 Heterostructure | |
| Song et al. | Visibility and Raman spectroscopy of mono and bilayer graphene on crystalline silicon | |
| Deng et al. | Graphene-based midinfrared photodetector with bull’s eye plasmonic antenna | |
| CN112504459A (zh) | 各向异性等离激元谐振腔石墨烯偏振探测器及设计方法 | |
| Kumar et al. | Cone-shaped resonator-based highly efficient broadband metamaterial absorber | |
| Latyshev et al. | Aharonov-Bohm effect on columnar defects in thin graphite and graphene | |
| CN110233182B (zh) | 一种复合结构双吸收层石墨烯探测器及其制备工艺 | |
| Aftab et al. | Recent advances in 2D TMD circular photo-galvanic effects |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20181113 |