CN108768511A - 一种二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法和装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及光通信技术领域,具体涉及一种二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法和装置,其中所述方法包括:读取各通道点Cn对应的二维电压值坐标(xn,yn);筛选各通道的指标并确定满足指标要求的合格通道;从A个合格通道中优先选择B个通道;根据B个通道点的二维电压值坐标,确定Hitless点的二维电压值坐标。本发明提供的二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法中,根据最优B个通道以及Hitless点的选择规律,使计算机可快速智能地选择最优B个通道并确定Hitless点,替代了传统的人工手动筛选过程,极大地提高了筛选效率和准确性,并降低人工筛选的劳动强度,可实现大批量生产;当存在干扰通道点时还设置有中转点,避免通道切换过程中光信号干扰的出现。
Description
【技术领域】
本发明涉及光通信技术领域,具体涉及一种二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法和装置。
【背景技术】
光开关及光开关阵列作为光分插复用(OpticalAdd-Drop Multiplexer,简写为OADM)设备、光交叉连接(Optical Cross-Connect,简写为OXC)设备和光路由设备中的关键器件,具有控制信号在同一通道或不同通道间通断以及波长转换的功能,对解决目前复杂网络中的波长争用、提高波长重用率以及灵活配置网络上具有重要意义。
二维微机电系统转镜(MicroElectroMechanical System Optical SWitch,简写为MEMS OSW)光开关作为光开关系列中的一种新型光开关,具有体积小、成本低、功耗低、速度快和损耗低等特点,因此光通信网络对于MEMS OSW的需求量也日益增加,而无干扰(Hitless)点的选择是MEMS OSW光开关信号通断以及通道切换控制的关键环节。因此,如何在批量生产过程中以一种高效、准确的方式来选择Hitless点便显得尤为重要。
现有的二维MEMS OSW光开关批量生产过程中,一般采用人工筛选的方式来选择Hitless点的二维电压值坐标。比如,需要确定N个光通道点的Hitless点时,操作方法具体如下:根据MEMS OSW的标定数据文件,首先人工从光开关的所有光通道中筛选出指标合格的A个通道(A>B),再根据各指标合格通道的二维电压值坐标绘制成散点图,通过肉眼识别,选择散点图中连线近似为凸多边形的B个光通道点;再通过肉眼观察,在B个光通道点连线组成的凸多边形中确定Hitless点坐标。但是,这种人工筛选的方法,其筛选效率和准确性都无法满足大批量生产的要求;而且,在MEMS OSW光开关的通道切换中,是以近似直线路径的方式完成从Hitless点到各通道点的切换,如果在Hitless点到某通道点的直线路径上存在其他通道点,在切换过程中将会出现光信号干扰,降低光开关模块的筛选成品率。
鉴于此,克服上述现有技术所存在的缺陷是本技术领域亟待解决的问题。
【发明内容】
本发明需要解决的技术问题是:
现有技术中在批量生产二维MEMS OSW光开关时,一般采用人工筛选的方式来选择Hitless点的二维电压值坐标,其筛选效率和准确性都无法满足大批量生产的要求;而且,在通道切换时是以近似直线路径的方式完成,如果在Hitless点到某通道点的直线路径上存在其他通道点,将会出现光信号干扰。
本发明通过如下技术方案达到上述目的:
第一方面,本发明提供了一种二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法,包括:
读取各通道点Cn对应的二维电压值坐标(xn,yn);其中,n为自然数,代表通道点标识;
筛选各通道的指标并确定满足指标要求的合格通道;其中,合格通道数量为A;
通过最优组合选择,从A个合格通道中优先选择B个通道,并记录B个通道点的二维电压值坐标;
根据B个通道点的二维电压值坐标确定质心点,进而确定Hitless点的二维电压值坐标。
优选的,所述通过最优组合选择,从A个合格通道中优先选择B个通道,并记录B个通道点的二维电压值坐标,具体包括:
从A个合格通道中获取M种不同的B个通道的组合,并对M种组合随机依次编号为1~M;其中,
从组合1开始,依次递增遍历各组合,直至遍历至满足优选条件的组合时,则停止遍历,并记录下当前组合中B个通道点的二维电压值坐标;
其中,所述优选条件为:对于组合中的B个通道点,每个通道点均未被其余B-1个通道点包裹。
优选的,判断某个通道点Ci是否被其余通道点包裹的方法具体为:
分别计算通道点Ci与其余B-1个通道点间的夹角;其中,Ci(xi,yi)与其余任一通道点Cm(xm,ym)间的夹角为或
将位于通道点Ci同一方向上的各夹角进行比较,进而获取Ci在上下左右四个方向上与各通道点Cm夹角中的最大夹角,得到4个最大夹角值;
将上述得到的4个最大夹角值分别与第一角度阈值比较,如果4个夹角值均大于第一角度阈值,则通道点Ci被其余通道点包裹;如果存在一个或多个夹角值小于第一角度阈值,则通道点Ci未被其余通道点包裹。
优选的,如果依次遍历完M种组合后仍不能筛选出满足优选条件的组合,则将第一角度阈值增加一预设值,根据新的第一角度阈值,重新依次递增遍历各组合;每遍历完M种组合一次,将第一角度阈值增加一个预设值,重新依次递增遍历各组合,直至遍历筛选出满足优选条件的组合。
优选的,在确定Hitless点的二维电压值坐标之后,所述方法还包括:通过预设间距阈值,检验得到的Hitless点是否合格,具体为:
根据Hitless点的二维电压值坐标以及各通道点的二维电压值坐标,计算得到Hitless点与各通道点之间的间距;
将上述计算得到的各间距值分别与预设间距阈值比较,如果各间距值均大于预设间距阈值,则所述Hitless点合格;如果存在一个或多个间距值小于预设间距值,则所述Hitless点不合格,从A个合格通道中重新选择B个通道并确定其Hitless点,直至检验到合格的Hitless点。
优选的,所述方法还包括:
识别Hitless点到各通道点的切换路径上的干扰通道点;
以干扰通道点为原点,以规定步长进行回字搜索,确定切换路径上的中转点。
优选的,所述识别Hitless点到各通道点的切换路径上的干扰通道点,具体包括:
分别获取Hitless点与各通道点连线间的夹角;
将得到的每个夹角值分别与第二角度阈值比较,如果存在任意两条连线间的夹角小于第二角度阈值,则记录两条连线对应的两个通道点Cp、Cq;
将Hitless点与两个通道点之间的间距进行比较,与Hitless点间距较小的通道点Cq为Hitless点与通道点Cp切换路径上的干扰通道点。
优选的,在所述以干扰通道点为原点,以规定步长进行回字搜索,确定切换路径上的中转点步骤中,每完成一个步长的搜索,就进行一次中转点检验,直至搜索到合格的中转点,停止回字搜索。
优选的,所述中转点的合格条件为:
所述中转点和所述Hitless点的连线分别与所述Hitless点和各通道点的连线间的夹角均大于所述第二角度阈值;
所述中转点与通道点Cp的连线分别与所述中转点和其余B-1个通道点的连线间的夹角均大于所述第二角度阈值;
所述中转点与各通道点间的间距以及所述中转点与所述Hitless点的间距均大于所述预设间距阈值。
第二方面,本发明还提供了一种二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择装置,包括至少一个处理器和存储器,所述至少一个处理器和存储器之间通过数据总线连接,所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令在被所述处理器执行后,用于完成上述第一方面所述的二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法。
本发明的有益效果是:
本发明提供的一种二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法中,将最优B个通道的选择规律以及Hitless点的选择规律进行量化,使计算机可根据量化结果快速智能地自动选择最优B个通道,并确定B个通道的Hitless点,替代了传统的人工手动筛选过程,极大地提高了筛选效率和准确性,并降低人工筛选的劳动强度,可实现大批量生产。而且,当存在干扰通道点的情况下,还设置有中转点,实现从Hitless点以折线路径的方式切换到其他通道点,避免通道切换过程中光信号干扰的出现,保证切换响应时间的同时也提高了光开关模块筛选成品率。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地,下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法的流程图;
图2为本发明实施例提供的一种二维MEMS OSW光开关的结构原理示意图;
图3为本发明实施例提供的XY坐标系及通道点的排列示意图;
图4为本发明实施例提供的步骤30的具体实施流程图;
图5为本发明实施例提供的一种选择最优B个通道的示意图(通道点C1被其余通道点包裹);
图6为本发明实施例提供的一种选择最优B个通道的示意图(每个通道点均未被其余通道点包裹);
图7为本发明实施例提供的另一种二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法的流程图;
图8为本发明实施例提供的步骤50的具体实施流程图;
图9为本发明实施例提供的还一种二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法的流程图;
图10为本发明实施例提供的步骤60的具体实施流程图;
图11为本发明实施例提供的通过回字搜索方式选择中转点的示意图;
图12为本发明实施例提供的一种二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择装置示意图。
【具体实施方式】
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
在本发明的描述中,术语“内”、“外”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“顶”、“底”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作,因此不应当理解为对本发明的限制。
此外,下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。下面就参考附图和实施例结合来详细说明本发明。
实施例1:
本发明实施例1提供了一种二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法,如图1所示,包括以下步骤:
步骤10,读取各通道点Cn对应的二维电压值坐标(xn,yn);其中,n为自然数,代表通道点标识。
在本发明实施例中,所使用的是二维1×N MEMS OSW光开关,对应有1个输入端口和N个输出端口,则总共具有N+1个光通道,如图2所示,本发明实施例所用的光开关包括单模光纤11、透镜12以及二维MEMS转镜13,其中,左侧为N+1根单模光纤11,每根单模光纤11对应一个光通道,其中一路为输入端,剩下的N路为输出端。此处为便于描述,引入X轴和Y轴的坐标系,坐标系建立在单模光纤11横截面所在的平面上,即图2的左视平面上,如图3所示。从图2中来看,X轴垂直于纸面方向向外,Y轴竖直向上,工作原理为:光信号从输入端光纤进入,经所述透镜12准直后输出到所述二维MEMS转镜13上,通过在X轴上给所述二维MEMS转镜13施加不同的电压,可使所述二维MEMS转镜13绕X轴旋转不同的角度;同样地,通过在Y轴上给所述二维MEMS转镜13施加不同的电压,可使所述二维MEMS转镜13绕Y轴旋转不同的角度;则在某一时刻,通过给所述二维MEMS转镜13同时在X轴和Y轴两个方向上施加电压,所述二维MEMS转镜13可在X、Y两个维度上旋转特定角度,从而将入射光信号反射回N路输出端中的其中一路,光信号从对应的输出端输出。通过测试标定,可以确定光信号反射到每一路输出端时,对应的施加在所述二维MEMS转镜13上的两个方向上的电压值,因此,所述光开关中的每个输出通道都会对应一个特定的X、Y轴二维电压值坐标,从而能够通过改变电压,实现将光信号从入射端切换到N路输出端中的某一路的光路切换功能。根据每个输出光通道对应的坐标,在XY坐标系中绘制可得到散点图,散点即为通道点,以Cn表示,每个通道点对应一个输出光通道,通道点Cn的二维电压值坐标为(xn,yn),表示在当切换到通道点Cn对应输出光通道时,需要在X轴、Y轴上分别施加的电压值为xn和yn,其中,n∈{1,2,3,.....,N}。
在上述测试标定过程中,每个通道点与二维坐标的对应关系均被保存在数据库中,则在本步骤中,通过调取数据库即可读取各通道点对应的二维电压值坐标。以1×16光开关为例(即N=16),调取1×16光开关的定标测试数据库,分别读取16个通道点中每个通道点Cn对应的坐标(xn,yn),n∈{1,2,3,.....,16}。
步骤20,筛选各通道的指标并确定满足指标要求的合格通道;其中,合格通道数量为A。
对于二维1×N MEMS OSW光开关,分别筛选得到N个输出光通道的指标,根据预设指标要求,依次判断各输出光通道是否满足指标要求,若满足指标要求则判定该通道合格,最后统计合格通道的数量,记为A。对于光开关,规定的合格通道数量记为B,则在统计合格通道数量A后,还需判断合格通道数量A是否满足规定的合格通道数量B,如果A小于B,则证明所使用的光开关不合格,直接终止该智能选择方法;如果A大于或等于B,则可继续执行下述步骤30。一般来说,对于1×16光开关,规定的合格通道数量B为8,则筛选出的合格通道数量A需不少于8;对于1×25光开关,规定的合格通道数量B为16,则筛选出的合格通道数量A需不少于16。其中,所述指标包括插入损耗、回损、串扰、温度相关损耗以及重复性中的一项或多项。
步骤30,通过最优组合选择,从A个合格通道中优先选择B个通道,并记录B个通道点的二维电压值坐标;具体如图4所示,包括以下步骤:
步骤301,从A个合格通道中获取M种不同的B个通道的组合,并对M种组合随机依次编号为1~M;其中,在本发明实施例中,以规定的合格通道数量B为准进行Hitless点的选择,则需在A个合格通道中任意选择出B个通道,总共有M种选择方法,则总共可得到M种不同的组合,每个组合中均含有B个合格通道,为方便后续遍历使用,对M种组合随机依次编号,分别记为组合1、组合2、.....、组合M。比如,当A=6,B=5时,需要在6个合格通道中任意选出5个合格通道,此时则总共的选择方式有6种,得到6个组合。
步骤302,从组合1开始,依次递增遍历各组合,直至遍历至满足优选条件的组合时,则停止遍历,并记录下该组合中B个通道点的二维电压值坐标;其中,所述优选条件为:对于组合中的B个通道点,每个通道点均未被其余通道点包裹。在该步骤中,判断某个通道点Ci是否被其余通道点包裹的方法具体为:分别计算通道点Ci与其余B-1个通道点间的夹角;其中,Ci(xi,yi)与其余任一通道点Cm(xm,ym)间的夹角为或将位于通道点Ci同一方向上的各夹角进行比较,进而获取Ci在上下左右四个方向上与各通道点Cm夹角中的最大夹角,得到4个最大夹角值;将上述得到的4个最大夹角值分别与第一角度阈值比较,如果4个夹角值均大于第一角度阈值,则通道点Ci被其余通道点包裹;如果存在一个或多个夹角值小于第一角度阈值,则通道点Ci未被其余通道点包裹。在计算通道点Ci与其余任一通道点Cm间的夹角时,如果通道点Cm位于Ci上方或下方,则夹角如果通道点Cm位于Ci左侧或右侧,则夹角此处的i和m均为自然数,代表不同的通道点标识,i,m∈{1,2,...,B},且i≠m。
结合本发明实施例,还存在一种优选的实现方案,如果依次遍历完M种组合后仍不能筛选出满足优选条件的组合,则将第一角度阈值增加一预设值,根据新的第一角度阈值,重新依次递增遍历各组合;每遍历完M种组合一次,将第一角度阈值增加一个预设值,重新依次递增遍历各组合,直至遍历筛选出满足优选条件的组合。
在现有的人工筛选方法中,将A个合格通道的二维电压坐标值绘制成散点图,通过肉眼识别选择散点图中连线近似为凸多边形的B个光通道点,在本发明实施例中,通过依次增大设置的第一角度阈值,依次判断每个组合的B个通道点中每个通道点是否被其他通道点包裹,以此可优先选择出排列近似为凸多边形的B个光通道点,保证了B个通道的筛选组合的最优;其中,选择排列近似为凸多边形的光通道点可减少通道切换路径上存在干扰通道点的几率。
比如,当规定的合格通道数量B为5时,每个组合中含有5个通道点,具体遍历过程如下:首先设置第一角度阈值的大小,此处以设置10°为例。从组合1开始,对于组合1中的5个通道点,依次判断每个通道点是否被其他4个通道点包裹。参考图5,假设组合1中的5个通道点分别为C1、C2、C3、C4和C5,首先可判断通道点C1是否被其他4个通道点包裹:计算得到通道点C1分别与通道点C2、C3、C4和C5间的夹角θ12、θ13、θ14和θ15,其中,C2位于C1的左上方,则θ12包括分别按照C1上方和C1左侧计算的两个角度,分别为以及同理地,θ13包括θ13L和θ13D,θ14包括θ14L和θ14D,θ15包括θ15D和θ15R;根据上述各夹角值,确定C1四个方向上的最大夹角θUmax、θDmax、θLmax、θRmax。由图知,位于C1上方的夹角有θ12U,位于C1下方的夹角有θ13D、θ14D和θ15D,位于C1左方的夹角有θ12L、θ13L和θ14L,位于C1右方的夹角有θ12L、θ13L和θ14L,则C1上下左右四个方向上的最大夹角分别为θUmax=θ12U,θDmax=θ14D,θLmax=θ13L,θRmax=θ15R。如果上述4个最大夹角值均大于第一角度阈值,则认为通道点C1被通道点C2、C3、C4、C5包裹;如果4个最大夹角值中存在一个或多个夹角值小于第一角度阈值,则认为通道点C1未被包裹。如果C1被包裹,则组合1已经不满足组合的优选条件“每个通道点均未被其余通道点包裹”,则可不必再去判断其他通道点是否被包裹,直接放弃组合1,继续依次遍历组合2、组合3....;如果通道点C1未被包裹,则可继续依次判断C2、C3、C4和C5是否被包裹,进而判断组合1是否满足优选条件。图5示出的为组合1中的通道点C1被包裹的情况,在坐标图中表现为,通道点C1位于其余通道点连线形成区域的内部,此时继续依次遍历组合2、组合3....。直至遍历至某个组合时,参考图6,假设该组合中的5个通道点分别为C2、C3、C4、C5和C6,通道点C6与其余各通道点间的夹角如图,位于C6上方的夹角有θ62U,位于C6下方的夹角有θ63D、θ64D和θ65D,位于C6左方的夹角有θ62L、θ63L和θ64L,位于C6右方的夹角有θ12L、θ13L和θ14L,则C6上下左右四个方向上的最大夹角分别为θUmax=θ62U,θDmax=θ64D,θLmax=θ63L,θRmax=θ65R,θUmax小于10°,则C6未被包裹;且通过计算得到每个通道点均未被其余通道点包裹,在坐标图中表现为,该组合中的5个通道点近似呈凸多边形,满足组合的优选条件,则停止遍历,优先选择当前组合中的5个通道点。在本发明实施例中,设置的第一角度阈值越小,筛选条件相当于越苛刻,最终得到满足优选条件的组合中B个通道点就越近似为凸多边形,因此,如果以第一角度阈值10°遍历完M种组合后,仍然不能筛选出满足优选条件的组合,则可将第一角度阈值的限定要求放宽,即将第一角度阈值增加,此处可先由10°增加到20°,以20°来判断各通道点是否被包裹,重复上述步骤进行组合的递增遍历,如果遍历完M种组合仍不能筛选出满足优选条件的组合,则继续将第一角度阈值增加到30°,以此类推,直至筛选出满足优选条件的组合,第一角度阈值最大可增加到60°。在本发明实施例中,第一角度阈值每次递增10°,在此基础上,还可每次递增5°、8°、15°等,均在本发明的保护范围之内,此处不再赘述。
步骤40,根据B个通道点的二维电压值坐标,确定Hitless点的二维电压值坐标。以图6所示的5个通道点为例,根据5个通道点的坐标值,在5个通道点的内部确定一质心点,以此作为Hitless点H。通过步骤10-步骤40,完成了对二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择。
本发明实施例提供的一种二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法中,根据最优B个通道的选择规律以及Hitless点的选择规律,使计算机可快速智能地自动选择最优B个通道,并确定B个通道的Hitless点,替代了传统的人工手动筛选过程,极大地提高了筛选效率和准确性,并降低人工筛选的劳动强度,可实现大批量生产。
经过上述步骤10-步骤40,可快速智能地选择出Hitless点,但是可能会存在当前选择的Hitless点距离其中某个通道点太近,从而对该通道点产生光信号干扰的情况,为防止这种情况的发生,可在选择出Hitless点后,增加对Hitless点的检验步骤,如图7所示:
步骤50,通过预设间距阈值,检验得到的Hitless点是否合格,具体如图8,又包括以下步骤:
步骤501,根据Hitless点的二维电压值坐标以及各通道点的二维电压值坐标,计算得到Hitless点与各通道点之间的间距;比如,参考图6,Hitless点H与通道点C2之间的间距,即线段HC2的长度,根据点H和点C2的坐标值即可计算得到。
步骤502,将上述计算得到的各间距值分别与预设间距阈值比较,如果各间距值均大于预设间距阈值,则所述Hitless点合格;如果存在一个或多个间距值小于预设间距值,则所述Hitless点不合格,则从A个合格通道中重新选择B个通道并确定其Hitless点,直至检验到合格的Hitless点。其中,所述预设间距阈值可提前进行标定测试:经过多次试验,确定Hitless点不会对通道点产生光信号干扰的距离,以此作为预设间距阈值。如果判断Hitless点合格,则直接结束;如果判断Hitless点不合格,则继续返回步骤30,按照顺序循环操作步骤30-步骤50,直至得到满足预设间距阈值的Hitless点。
通过设置预设距离阈值对Hitless点检验,可在Hitless点不合格的情况下重新进行选择,进一步确保了Hitless点选择过程的准确性和严谨性,大大降低了Hitless点对B个通道点的光信号干扰。
实施例2:
在上述实施例1的基础上,本发明实施例还提供了另一种二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法,与实施例1的主要区别在于增加了识别干扰通道点并设置中转点的步骤,适用于从Hitless点到其中某个通道点的切换路径上存在干扰通道点的情况,通过设置中转点,可实现从Hitless点以折线路径的方式绕过干扰通道点切换到其他通道点,避免了通道切换过程中光信号干扰的出现,保证切换响应时间的同时也提高了光开关模块筛选成品率。
如图9所示,本发明实施例提供的Hitless点智能选择方法具体包括以下步骤:
步骤10,读取各通道点Cn对应的二维电压值坐标(xn,yn);其中,n为自然数,代表通道点标识;
步骤20,筛选各通道的指标并确定满足指标要求的合格通道;其中,合格通道数量为A;
步骤30,通过最优组合选择,从A个合格通道中优先选择B个通道,并记录B个通道点的二维电压值坐标;
步骤40,根据B个通道点的二维电压值坐标,确定Hitless点的二维电压值坐标;
步骤50,通过预设间距阈值,检验得到的Hitless点是否合格;
其中,步骤10-步骤50的具体实施方法可参考实施例1中的相关介绍,此处不再赘述。
步骤60,识别Hitless点到各通道点的切换路径上的干扰通道点;该步骤是在上述步骤50检测Hitless点合格的前提下进行,Hitless点到各通道点的切换路径为直线路径,可以直接用Hitless点H与各通道点Cn之间的连线表示。具体如图10,该步骤又包括以下步骤:
步骤601,分别获取Hitless点与各通道点连线间的夹角;参考图11,以1×16光开关为例,B=8,其中的8个通道点分别记为C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7和C8,分别将Hitless点H与各通道点连线,获取线段HC1、HC2、HC3、HC4、HC5、HC6、HC7与HC8中任意两条线段间的夹角;其中,HC1与HC2之间的夹角记为α12,HC1与HC8之间的夹角记为α18,以此类推。
步骤602,将得到的每个夹角值分别与第二角度阈值比较,如果存在任意两条连线间的夹角小于第二角度阈值,则记录两条连线对应的两个通道点Cp、Cq;其中,此处的p和q均为自然数,代表不同的通道点标识,p,q∈{1,2,...,B},且p≠q。所述第二角度阈值可提前进行标定测试,经过多次试验确定,本发明实施例中设置为20°,但并不用以限制本发明。参考图11,仍以1×16光开关为例,假设经比较后发现,α18小于20°,则记录下α18对应的通道点C1和C8,
步骤603,将Hitless点与两个通道点之间的间距进行比较,与Hitless点间距较小的通道点Cq为Hitless点与通道点Cp切换路径上的干扰通道点。参考图11,由于线段HC8长度小于线段HC1长度,则通道点C8为Hitless点到通道点C1切换路径上的干扰通道点,在从Hitless点到通道点C1的光路切换过程中,会有光信号瞬时串扰到干扰通道点C8对应的干扰通道上,对光路切换产生影响。
步骤70,以干扰通道点为原点,以规定步长进行回字搜索,确定切换路径上的中转点。参考图11,以干扰通道点C8作为原点,在干扰通道点C8周围搜索,按照规定步长进行回字形的遍历搜索,每完成一个步长的搜索,就进行一次中转点的检验,确认当前搜索到的点是否满足合格条件,如果满足,则停止回字搜索,将该点确认为中转点T;如果不满足,则继续进行回字搜索,直至搜索到满足合格条件的点,停止回字搜索,将该点确认为中转点T。如此一来,在从Hitless点H切换到通道点C1时,不再按照线段HC1表示的直线路径进行切换,而是通过HT-TC1的折线路径进行切换,从而避开了通道点C8对切换路径HC1的影响。当存在其他干扰通道点时,确定中转点的方法相同,此处不再赘述。
其中,在每完成一个步长搜索时,判断当前搜索到的中转点是否合格的条件有3个,分别为:
所述中转点和所述Hitless点的连线分别与所述Hitless点和各通道点的连线间的夹角均大于所述第二角度阈值;比如,参考图11,即线段HT分别与线段HC1、HC2、HC3、HC4、HC5、HC6、HC7、HC8间的夹角,均需大于20°,以确保中转点T不会位于从Hitless点到任一通道点的切换路径上,从而中转点T不会对其他8个通道点的光路切换产生光信号干扰;
所述中转点与通道点Cp的连线分别与所述中转点和其余B-1个通道点的连线间的夹角均大于所述第二角度阈值;比如,参考图11,即线段TC1分别与线段TC2、TC3、TC4、TC5、TC6、TC7、TC8间的夹角,均需大于20°,以确保从中转点T到通道点C1的切换路径上不存在其他任何一个通道点,即中转点T到通道点C1的切换路径上不存在干扰通道点;
所述中转点与各通道点间的间距以及所述中转点与所述Hitless点的间距均大于所述预设间距阈值;比如,参考图11,即线段TC1、TC2、TC3、TC4、TC5、TC6、TC7、TC8以及线段HT均大于所述预设间距阈值,以确保中转点T不会距任一通道点过近而产生光信号干扰;
当同时满足以上3个阈值条件时,则判定当前搜索到的中转点合格,停止回字搜索。
结合本发明实施例,还存在一种优选的实现方案,在步骤70中,以干扰通道点为原点,以规定步长进行螺旋形搜索,每完成一个步长的搜索,就进行一次中转点的检验,直至搜索到满足合格条件的点。
通过设置中转点,可在存在干扰通道点的情况下,实现从Hitless点以折线路径的方式绕过干扰通道点后切换到其他通道点,避免通道切换过程中光信号干扰的出现,保证切换响应时间的同时也提高了光开关模块筛选成品率;而且通过回字形搜索或螺旋形搜索的方式,可在干扰通道点周围准确、快速地找到中转点,大大提高了搜索效率。
实施例3:
在实施例1和实施例2提供的一种二维MEMS OSW光开关Hitless点智能选择方法的基础上,本发明还提供了一种运用上述方法对二维MEMS OSW光开关Hitless点进行智能选择的装置,如图12所示,是本发明实施例的装置架构示意图。本实施例的二维MEMS OSW光开关Hitless点智能选择装置包括一个或多个处理器21以及存储器22。其中,图12中以一个处理器21为例。
所述处理器21和所述存储器22可以通过总线或者其他方式连接,图12中以通过总线连接为例。
所述存储器22作为一种二维MEMS OSW光开关Hitless点智能选择方法和装置非易失性计算机可读存储介质,可用于存储非易失性软件程序、非易失性计算机可执行程序以及模块,如实施例1或实施例2中的二维MEMS OSW光开关Hitless点智能选择方法。所述处理器21通过运行存储在所述存储器22中的非易失性软件程序、指令以及模块,从而执行二维MEMS OSW光开关Hitless点智能选择装置的各种功能应用以及数据处理,即实现实施例1或实施例2的二维MEMS OSW光开关Hitless点智能选择方法。
所述存储器22可以包括高速随机存取存储器,还可以包括非易失性存储器,例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非易失性固态存储器件。在一些实施例中,所述存储器22可选包括相对于所述处理器21远程设置的存储器,这些远程存储器可以通过网络连接至所述处理器21。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
所述程序指令/模块存储在所述存储器22中,当被所述一个或者多个处理器21执行时,执行上述实施例1和实施例2中的二维MEMS OSW光开关Hitless点智能选择方法,例如,执行以上描述的图1、图4、图7、图8、图9和图10所示的各个步骤。
本领域普通技术人员可以理解实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成,该程序可以存储于一计算机可读存储介质中,存储介质可以包括:只读存储器(ROM,Read Only Memory)、随机存取存储器(RAM,RandomAccessMemory)、磁盘或光盘等。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法,其特征在于,包括:
读取各通道点Cn对应的二维电压值坐标(xn,yn);其中,n为自然数,代表通道点标识;
筛选各通道的指标并确定满足指标要求的合格通道;其中,合格通道数量为A;
通过最优组合选择,从A个合格通道中优先选择B个通道,并记录B个通道点的二维电压值坐标;
根据B个通道点的二维电压值坐标确定质心点,进而确定Hitless点的二维电压值坐标。
2.根据权利要求1所述的二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法,其特征在于,所述通过最优组合选择,从A个合格通道中优先选择B个通道,并记录B个通道点的二维电压值坐标,具体包括:
从A个合格通道中获取M种不同的B个通道的组合,并对M种组合随机依次编号为1~M;其中,
从组合1开始,依次递增遍历各组合,直至遍历至满足优选条件的组合时,则停止遍历,并记录下当前组合中B个通道点的二维电压值坐标;
其中,所述优选条件为:对于组合中的B个通道点,每个通道点均未被其余B-1个通道点包裹。
3.根据权利要求2所述的二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法,其特征在于,判断某个通道点Ci是否被其余通道点包裹的方法具体为:
分别计算通道点Ci与其余B-1个通道点间的夹角;其中,Ci(xi,yi)与其余任一通道点Cm(xm,ym)间的夹角为或
将位于通道点Ci同一方向上的各夹角进行比较,进而获取Ci在上下左右四个方向上与各通道点Cm夹角中的最大夹角,得到4个最大夹角值;
将上述得到的4个最大夹角值分别与第一角度阈值比较,如果4个夹角值均大于第一角度阈值,则通道点Ci被其余通道点包裹;如果存在一个或多个夹角值小于第一角度阈值,则通道点Ci未被其余通道点包裹。
4.根据权利要求3所述的二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法,其特征在于,如果依次遍历完M种组合后仍不能筛选出满足优选条件的组合,则将第一角度阈值增加一预设值,根据新的第一角度阈值,重新依次递增遍历各组合;每遍历完M种组合一次,将第一角度阈值增加一个预设值,重新依次递增遍历各组合,直至遍历筛选出满足优选条件的组合。
5.根据权利要求1所述的二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法,其特征在于,在确定Hitless点的二维电压值坐标之后,所述方法还包括:通过预设间距阈值,检验得到的Hitless点是否合格,具体为:
根据Hitless点的二维电压值坐标以及各通道点的二维电压值坐标,计算得到Hitless点与各通道点之间的间距;
将上述计算得到的各间距值分别与预设间距阈值比较,如果各间距值均大于预设间距阈值,则所述Hitless点合格;如果存在一个或多个间距值小于预设间距值,则所述Hitless点不合格,从A个合格通道中重新选择B个通道并确定其Hitless点,直至检验到合格的Hitless点。
6.根据权利要求1所述的二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法,其特征在于,所述方法还包括:
识别Hitless点到各通道点的切换路径上的干扰通道点;
以干扰通道点为原点,以规定步长进行回字搜索,确定切换路径上的中转点。
7.根据权利要求6所述的二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法,其特征在于,所述识别Hitless点到各通道点的切换路径上的干扰通道点,具体包括:
分别获取Hitless点与各通道点连线间的夹角;
将得到的每个夹角值分别与第二角度阈值比较,如果存在任意两条连线间的夹角小于第二角度阈值,则记录两条连线对应的两个通道点Cp、Cq;
将Hitless点与两个通道点之间的间距进行比较,与Hitless点间距较小的通道点Cq为Hitless点与通道点Cp切换路径上的干扰通道点。
8.根据权利要求6所述的二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法,其特征在于,在所述以干扰通道点为原点,以规定步长进行回字搜索,确定切换路径上的中转点步骤中,每完成一个步长的搜索,就进行一次中转点检验,直至搜索到合格的中转点,停止回字搜索。
9.根据权利要求8所述的二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法,其特征在于,判断所述中转点合格的条件为:
所述中转点和所述Hitless点的连线分别与所述Hitless点和各通道点的连线间的夹角均大于所述第二角度阈值;
所述中转点与通道点Cp的连线分别与所述中转点和其余B-1个通道点的连线间的夹角均大于所述第二角度阈值;
所述中转点与各通道点间的间距以及所述中转点与所述Hitless点的间距均大于所述预设间距阈值。
10.一种二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择装置,其特征在于,包括至少一个处理器和存储器,所述至少一个处理器和存储器之间通过数据总线连接,所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令在被所述处理器执行后,用于完成权利要求1-9任一所述的二维MEMS OSW光开关Hitless点的智能选择方法。
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