CN108768366A - 一种mos管驱动电路 - Google Patents

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向东方
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Abstract

本发明公开一种MOS管驱动电路，具有精简现有MOS管驱动电路的技术效果，包括UC3843和PMOS管，所述PMOS管的源极与电源正极电连接；所述UC3843的OUT引脚串联第五电阻(R5)后与所述PMOS管的栅极电连接；所述PMOS管的源极串联第九电阻(R9)后与所述PMOS管的栅极电连接；电路输出电压反馈信号(VF)通过第一电阻(R1)与所述UC3843的VFB引脚电连接；所述UC3843的VREF引脚仅与第一电阻(R1)、第二电阻(R2)依次串联后与所述UC3843的VFB引脚电连接；所述UC3843的COMP引脚通过并联连接的第十电阻(R10)、第一电容(C1)与所述VFB引脚电连接。本发明解决了在UC3843的OUT端需额外使用升压模块，以及输入输出之间压差过大的问题。

Description

一种MOS管驱动电路
技术领域
本发明涉及MOS管驱动技术领域，尤其涉及一种MOS管驱动电路。
背景技术
NMOS管导通的必要条件是其栅极电压高于源极电压一定值。图1所示，现有技术中的，NMOS管驱动电路，电路工作时，NMOS管Q1的源极电压近似为VCC电压，UC3843的OUT端6输出的PWM波为高电平时，通过二极管D1、电容C8组成自举升压电路，MOS管栅极电压为VCC电压与PWM波高电平电压叠加，NMOS管满足栅极电压高于源极电压一定值而导通。上述驱动电路中，NMOS管导通还需要在其OUT端6增加一个升压模块，致使电路过于复杂，对MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流也会带来附加的不良影响，会增加MOS管的导通损失。进一步地，额外增加的升压模块对MOS管的开关损失亦会造成不良影响，致使导通瞬间电压和电流的乘积过大，升压模块不能使NMOS一直处于导通状态，电路输入输出之间形成过大的压差。
因此，提供一种MOS管驱动电路，以克服上述技术缺陷中的至少一种，就成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种MOS管驱动电路，具有精简现有MOS管驱动电路的技术效果。
为了实现上述目的，本发明提供一种MOS管驱动电路，包括UC3843和PMOS管，其特征在于，所述PMOS管的源极与电源正极电连接；所述UC3843的OUT引脚串联第五电阻R5后与所述PMOS管的栅极电连接；所述PMOS管的源极串联第九电阻R9后与所述PMOS管的栅极电连接；电路输出电压反馈信号VF通过第一电阻R1与所述UC3843的VFB引脚电连接；所述UC3843的VREF引脚仅与第一电阻R1、第二电阻R2依次串联后与所述UC3843的VFB引脚电连接；所述UC3843的COMP引脚通过并联连接的第十电阻R10、第一电容C1与所述VFB引脚电连接。
优选地，所述UC3843的引脚包括：COMP1、VFB2、VREF3、RT/CT4、GND5、ISEN6和OUT7。
本发明所提供的MOS管驱动电路优点如下：
本发明通过将NMOS管替换为PMOS管，将PMOS管Q1源极接在电源正极，使用UC3843芯片OUT端口的输出PWM波作为驱动PMOS管Q1的栅极电压，电路输出电压反馈信号VF通过电阻R1接到UC3843的VFB端，UC3843的VREF端通过电阻R1、R2接到UC3843的VFB端。无电压反馈信号VF时，光耦OP1中内部三极管等效的电阻阻值无穷大，此时VREF端5V电压加载到VFB端，OUT端输出的PWM波占空比较低，PMOS管Q1导通时间长；当有电压反馈信号VF时，由于光耦OP1中内部的三极管等效于一个电阻，此时VFB端电压被此电阻拉低至0V电压，OUT端输出的PWM波占空比增大，PMOS管Q1导通时间缩短。通过用UC3843驱动PMOS管不需要在UC3843的OUT端使用升压模块。本发明通过翻转UC3843的采样电压信号，从而将UC3843的OUT端输出的PWM波翻转，达到用UC3843驱动PMOS管的效果,解决了在UC3843的OUT端使用升压模块的问题。此外，本发明上述电路PMOS管Q1始终处于导通状态，有效的解决了电路中输入输出之间压差过大的问题。
附图说明
图1为现有技术中NMOS管驱动电路的结构示意图；
图2为本发明实施例中PMOS管驱动电路的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
图2所示，本实施例中本发明提供一种MOS管驱动电路，包括UC3843和PMOS管，所述PMOS管的源极与电源正极电连接；所述UC3843的OUT引脚串联第五电阻R5后与所述PMOS管的栅极电连接；所述PMOS管的源极串联第九电阻R9后与所述PMOS管的栅极电连接；电路输出电压反馈信号VF通过第一电阻R1与所述UC3843的VFB引脚电连接；所述UC3843的VREF引脚仅与第一电阻R1、第二电阻R2依次串联后与所述UC3843的VFB引脚电连接；所述UC3843的COMP引脚通过并联连接的第十电阻R10、第一电容C1与所述VFB引脚电连接。
进一步地，在本实施例的其中一个优选技术方案中，所述UC3843的引脚包括：COMP1、VFB2、VREF3、RT/CT4、GND5、ISEN6和OUT7。
本发明通过将NMOS管替换为PMOS管，将PMOS管Q1源极接在电源正极，使用UC3843芯片OUT端口的输出PWM波作为驱动PMOS管Q1的栅极电压，电路输出电压反馈信号VF通过电阻R1接到UC3843的VFB端，UC3843的VREF端通过电阻R1、R2接到UC3843的VFB端。无电压反馈信号VF时，光耦OP1中内部三极管等效的电阻阻值无穷大，此时VREF端5V电压加载到VFB端，OUT端输出的PWM波占空比较低，PMOS管Q1导通时间长；当有电压反馈信号VF时，由于光耦OP1中内部的三极管等效于一个电阻，此时VFB端电压被此电阻拉低至0V电压，OUT端输出的PWM波占空比增大，PMOS管Q1导通时间缩短。通过用UC3843驱动PMOS管不需要在UC3843的OUT端使用升压模块。本发明通过翻转UC3843的采样电压信号，从而将UC3843的OUT端输出的PWM波翻转，达到用UC3843驱动PMOS管的效果,解决了在UC3843的OUT端使用升压模块的问题。此外，本发明上述电路PMOS管Q1一直处于导通状态，有效的解决了电路中输入输出之间压差大的问题。
上述各实施例仅是本发明的优选实施方式，在本技术领域内，凡是基于本发明技术方案上的变化和改进，不应排除在本发明的保护范围之外。

Claims (2)

1.一种MOS管驱动电路，包括UC3843和PMOS管，其特征在于，所述PMOS管的源极与电源正极电连接；所述UC3843的OUT引脚串联第五电阻(R5)后与所述PMOS管的栅极电连接；所述PMOS管的源极串联第九电阻(R9)后与所述PMOS管的栅极电连接；电路输出电压反馈信号(VF)通过第一电阻(R1)与所述UC3843的VFB引脚电连接；所述UC3843的VREF引脚仅与第一电阻(R1)、第二电阻(R2)依次串联后与所述UC3843的VFB引脚电连接；所述UC3843的COMP引脚通过并联连接的第十电阻(R10)、第一电容(C1)与所述VFB引脚电连接。
2.根据权利要求1所述的MOS管驱动电路，其特征在于，所述UC3843的引脚包括：COMP(1)、VFB(2)、VREF(3)、RT/CT(4)、GND(5)、ISEN(6)和OUT(7)。
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