CN108736836A - 低噪声放大电路和射频接收前端电路 - Google Patents

低噪声放大电路和射频接收前端电路 Download PDF

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Abstract

一种低噪声放大电路和射频接收前端电路，低噪声放大电路包括：第一放大部件，其第一输入端接入射频输入信号并进行放大；第二放大部件，其第一输入端接入所述射频输入信号并进行放大；第一选择电路，所述第一放大部件的输出端经由所述第一选择电路连接第一负载端或第二负载端；第二选择电路，所述第二放大部件的输出端经由所述第二选择电路连接所述第一负载端或第二负载端；电感器件，其一端耦接所述第一放大部件和第二放大部件的第二输入端，其另一端接地；电感调节电路，耦接所述电感器件，适于调节所述电感器件的电感值。通过本发明技术方案可以提高低噪声放大电路在载波聚合工作模式下的增益和噪声性能。

Description

低噪声放大电路和射频接收前端电路
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种低噪声放大电路和射频接收前端电路。
背景技术
为满足用户峰值速率和系统容量提升的要求，通信终端采取载波聚合(CarrierAggregation,CA)技术来增加系统传输带宽，如长期演进技术升级版(LTE-Advanced)系统。现有射频前端电路一般采取低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)放大信号来抑制后级电路噪声贡献，且自身贡献较少的噪声；带退化电感(Degeneration Inductor)的LNA结构能够同时实现噪声匹配和增益匹配，因此低噪声放大器普遍采取该结构。
为实现载波聚合功能，以双载波为例，低噪声放大器接收到的信号放大后能够送往两路后级通道处理。在带外非连续载波聚合时，输入信号载波分别为不同频段，可以采取两个LNA和两路通道实现；在带内连续载波聚合时，输入信号载波频段相同，基带信号都在带宽内，可以采取该频段LNA和一路通道实现；在带内非连续载波聚合时，输入信号载波频段相同，基带信号分布超出单一带宽，需要采取两路通道来实现。在实际中进行LNA设计时，可采取开关切换来实现载波聚合功能。图1是现有技术一种低噪声放大电路的结构示意图。继续以双载波为例，并结合图1，对载波聚合的工作模式描述如下：开关S1和开关S3闭合，开关S2和开关S4关断为CA1模式，应用于带内连续载波聚合和带外非连续载波聚合；开关S1和开关S3关断，开关S2和开关S4闭合为CA2模式，应用于带内连续载波聚合和带外非连续载波聚合；开关S1和开关S4闭合，开关S2和开关S3断开为CA12模式，应用于带内非连续载波聚合。开关S2和开关S3闭合，开关S1和开关S4断开为CA21模式，应用于带内非连续载波聚合。
但是，图1所示电路结构工作在CA12或CA21模式(带内非连续载波聚合)模式时，相比于CA1/CA2(带内连续和带外非连续载波聚合)工作模式，其增益和噪声性能恶化严重。
发明内容
本发明解决的技术问题是如何提高低噪声放大电路在载波聚合工作模式下的增益和噪声性能。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种低噪声放大电路，低噪声放大电路包括：
第一放大部件，其第一输入端接入射频输入信号并进行放大；第二放大部件，其第一输入端接入所述射频输入信号并进行放大；第一选择电路，所述第一放大部件的输出端经由所述第一选择电路连接第一负载端或第二负载端；第二选择电路，所述第二放大部件的输出端经由所述第二选择电路连接所述第一负载端或第二负载端；电感器件，其一端耦接所述第一放大部件和第二放大部件的第二输入端，其另一端接地或者接电源；电感调节电路，耦接所述电感器件，适于调节所述电感器件的电感值。
可选的，所述低噪声放大电路还包括：阻抗匹配网络，所述第一放大部件和第二放大部件的第一输入端经由所述阻抗匹配网络接入所述射频输入信号。
可选的，所述电感器件包括第一电感和第二电感；所述第一电感的一端耦接所述第一放大部件和第二放大部件的第二输入端；所述第二电感的一端耦接所述第一电感的另一端，所述第二电感的另一端接地或者接电源。
可选的，所述电感调节电路包括第一开关；所述第一开关的一端耦接所述第一放大部件和第二放大部件的第二输入端，另一端耦接所述第一电感的另一端。
可选的，所述电感器件包括第三电感；所述第三电感一端耦接所述第一放大部件和第二放大部件的第二输入端，其另一端接地。
可选的，所述第三电感包括抽头；所述电感调节电路包括第二开关；所述第二开关的一端耦接所述第一放大部件和第二放大部件的第二输入端，另一端耦接所述抽头。
可选的，所述第三电感包括抽头；所述电感调节电路包括第四开关；所述第四开关的一端接地或接入电源，另一端耦接所述第三电感的抽头端。
可选的，所述电感调节电路包括第三开关；所述第三开关的一端接地或接入电源，另一端耦接所述第二电感的一端。
可选的，在带内非连续工作模式下，所述第一放大部件的输出端经由所述第一选择电路连接所述第一负载端，所述第二放大部件的输出端经由所述第二选择电路连接所述第二负载端，或者第一放大部件的输出端经由第一选择电路连接所述第二负载端，所述第二放大部件的输出端经由所述第二选择电流连接所述第一负载端，则所述电感调节电路调节所述电感器件的电感值为预设总电感值的一部分。
可选的，在带内连续工作模式或带外非连续工作模式下，所述第一放大部件的输出端与所述第二放大部件的输出端连接所述第一负载端或所述第二负载端，所述电感调节电路调节所述电感器件的电感值为所述电感器件的预设总电感值。
本发明实施例还公开了一种射频接收前端电路，射频接收前端电路包括：至少两个所述低噪声放大电路，所述至少两个低噪声放大电路包括第一低噪声放大电路和第二低噪声放大电路，所述第一低噪声放大电路和第二低噪声放大电路共用同一组第一负载端和第二负载端；第一信号处理电路，其输入端耦接所述第一负载端；第二信号处理电路，其输入端耦接所述第二负载端。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
本发明技术方案的低噪声放大电路包括第一放大部件，其第一输入端接入射频输入信号并进行放大；第二放大部件，其第一输入端接入所述射频输入信号并进行放大；第一选择电路，所述第一放大部件的输出端经由所述第一选择电路连接第一负载端或第二负载端；第二选择电路，所述第二放大部件的输出端经由所述第二选择电路连接所述第一负载端或第二负载端；电感器件，其一端耦接所述第一放大部件和第二放大部件的第二输入端，其另一端接地或者接电源VDD；电感调节电路，耦接所述电感器件，适于调节所述电感器件的电感值。本发明技术方案通过电感调节电路，可以在低噪声放大电路处于不同载波聚合模式时，调节所述电感器件的电感值，从而在没有增加功耗的前提下提高增益以及降低噪声系数，进而可以调节低噪声放大电路在不同载波聚合模式下的增益和噪声性能，保证了低噪声放大电路的性能稳定。
进一步，所述电感调节电路包括第一开关，所述第一开关的一端耦接所述第一放大部件和第二放大部件的第二输入端，另一端耦接所述第一电感的另一端。或者，所述电感调节电路包括第三开关，所述第三开关的一端接地或接入电源，另一端耦接所述第二电感的一端。本发明技术方案通过配置第一开关或第三开关，可以在低噪声放大电路在不同载波聚合模式时，旁路第一电感或第二电感，从而达到调节电感值的目的，进而调节低噪声放大电路在不同载波聚合模式下的增益和噪声性能。
进一步，所述第三电感包括抽头；所述电感调节电路包括第二开关；所述第二开关的一端耦接所述第一放大部件和第二放大部件的第二输入端，另一端耦接所述抽头。或，所述第三电感包括抽头；所述电感调节电路包括第四开关；所述第四开关的一端接地或接入电源，另一端耦接所述第三电感的抽头端。本发明技术方案中第三电感包括抽头，实现两个电感的串联连接，减少了电感的面积。第二开关或第四开关通过旁路第三电感的上部分或者下部分实现电感值调节作用，减少了低噪声放大电路的面积。
附图说明
图1是现有技术一种低噪声放大电路的结构示意图；
图2是图1所示低噪声放大电路在带内非连续载波聚合模式时的等效电路示意图；
图3是本发明实施例一种低噪声放大电路的结构示意图；
图4是本发明实施例另一种低噪声放大电路的结构示意图；
图5是本发明实施例又一种低噪声放大电路的结构示意图；
图6是本发明实施例再一种低噪声放大电路的结构示意图；
图7是本发明实施例再一种低噪声放大电路的结构示意图；
图8是本发明实施例一种射频接收前端电路的结构示意图。
具体实施方式
如背景技术中所述，图1所示电路结构工作在CA12或CA21模式(也即，带内非连续载波聚合)模式时，相比于CA1/CA2(也即，带内连续和带外非连续载波聚合)工作模式，其增益和噪声性能恶化严重。
本申请发明人针对现有技术中的低噪声放大电路进行了如下分析：继续参照图1，低噪声放大电路在带内非连续载波聚合模式时，此时低噪声放大电路的等效电路如图2所示。此时退化电感Ls从共模位置等效至单端时为电感值变化为2Ls，因此单端低噪声放大电路等效电导Gm2为：其中，gm为MOS管的电导，2Ls为电感的电感值。
输入信号VIN的有效信号Vs和噪声信号Vn，对应输出端的有效信号电流和噪声信号电流分别如下：因此输出端的噪声系数F的计算公式如下： 其中，表示MOS管沟道电流热噪声，表示负载支路在低噪声放大电路输出端的噪声电流，λ表示MOS管热噪声参数，K表示波尔兹曼常数，T表示绝对温度，Δf表示带宽。
本领域技术人员应当理解的是，噪声系数F的计算公式忽略了栅噪声及闪烁噪声等其它次要噪声。
低噪声放大电路工作在带内连续载波聚合模式或带外非连续载波聚合模式时，等效电导Gm1为：也就是说，低噪声放大电路工作在带内非连续载波聚合模式时，其等效电导Gm2只相当于等效电导Gm1的一半，其增益将会下降6dB。而噪声系数F的计算公式也表明过小的等效Gm2不足以抑制噪声和MOS沟道电流热噪声对噪声系数的贡献，因此低噪声放大电路工作在带内非连续载波聚合模式时，其增益和噪声系数恶化很严重。
为了改善带内非连续载波聚合模式时增益和噪声性能，很明显需要增大LNA的等效电导，可以增大MOS管的电导gm。而MOS管的电导gm与电流的平方根大小正相关，通过增大电流方式来增大MOS管的电导gm并不可取，因为电流需要增大很多，会极大增加电路功耗；并且短沟道时MOS管还需要消耗更多的电流。
因此，为了缓解低噪声放大电路工作在带内非连续载波聚合模式时的增益和噪声恶化程度，本发明技术方案通过配置电感调节电路，可以在低噪声放大电路工作在不同载波聚合模式时，调节所述电感器件的电感值，从而在没有增加功耗的前提下提高增益以及降低噪声系数，进而可以调节低噪声放大电路在不同载波聚合模式下的增益和噪声性能，保证了低噪声放大电路的性能稳定。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图3是本发明实施例一种低噪声放大电路的结构示意图。
图3所示的低噪声放大电路3可以包括：第一放大部件31，其第一输入端接入射频输入信号VIN并进行放大；
第二放大部件32，其第一输入端接入所述射频输入信号VIN并进行放大；
第一选择电路33，所述第一放大部件31的输出端经由所述第一选择电路33连接第一负载端37或第二负载端38；
第二选择电路34，所述第二放大部件32的输出端经由所述第二选择电路34连接所述第一负载端37或第二负载端38；
电感器件35，其一端耦接所述第一放大部件31和第二放大部件32的第二输入端，其另一端接地或接入电源；
电感调节电路36，耦接所述电感器件35，适于调节所述电感器件35的电感值。
本领域技术人员可以理解的是，第一放大部件31和第二放大部件32可以是任意可实施的可以对射频输入信号进行放大的器件，例如MOS管、放大器，本发明实施例对此不做限制。
具体实施中，根据低噪声放大电路3工作模式的不同，所述第一放大部件31的输出端经由所述第一选择电路33连接第一负载端37或第二负载端38；同理，根据低噪声放大电路3工作模式的不同，第二放大部件32的输出端经由所述第二选择电路34连接所述第一负载端37或第二负载端38。具体地，低噪声放大电路3在带外非连续载波聚合模式或带内连续载波聚合模式时，第一放大部件31的输出端和第二放大部件32的输出端连接同一负载端；在带内非连续载波聚合模式时，第一放大部件31的输出端和第二放大部件32的输出端连接不同的负载端。
具体实施中，电感器件35具备电感值，电感调节电路36可以调节所述电感器件35的电感值的大小，使得电感器件35作用在低噪声放大电路3中的电感值的大小不同。
也就是说，由前述分析可知，在带内非连续载波聚合工作模式下，为了降低噪声系数F，需要增大低噪声放大电路3的等效电导Gm2，等效电导Gm2的计算公式为：而增大放大部件(也即第一放大部件31和第二放大部件32)的电导gm的方式不可取，故，可以采取降低电感器件35的电感值的方式。
优选地，电感器件35的电感值大小可以为预设总电感值。低噪声放大电路3在带内非连续工作模式下，所述第一放大部件31的输出端经由所述第一选择电路33连接所述第一负载端37，所述第二放大部件32的输出端经由所述第二选择电路34连接所述第二负载端38，所述电感调节电路36调节所述电感器件35的电感值为预设总电感值的一部分。相对于现有技术，本发明实施例通过电感调节电路36可以减小在带内非连续工作模式时的电感值，在没有增加功耗的前提下提高了增益和降低了噪声系数，缓解了该模式下增益和噪声性能恶化的程度。
需要说明的是，低噪声放大电路3在带内非连续工作模式下，所述第一放大部件31的输出端也可以经由所述第一选择电路33连接所述第二负载端38，所述第二放大部件32的输出端经由所述第二选择电路34连接所述第一负载端37。
优选地，低噪声放大电路3在带内连续工作模式或带外非连续工作模式下，所述第一放大部件31的输出端与所述第二放大部件32的输出端连接所述第一负载端37或所述第二负载端38，所述电感调节电路36调节所述电感器件35的电感值为所述电感器件35的预设总电感值。
需要说明的是，本实施例中的低噪声放大电路3可以实现双载波信号的放大处理；同理，在实现更多数量的载波信号放大处理时，可以相应地增加放大部件和选择电路的数量，例如，在实现三路载波信号的放大处理时，可以增加第三放大部件和第三选择电路，第三放大部件的第一输入端接入所述射频输入信号并进行放大，所述第三放大部件的输出端经由所述第三选择电路连接所述第一负载端、第二负载端或第三负载端。本发明实施例对此不做限制。
本发明实施例通过电感调节电路36还可以调节低噪声放大电路在带内连续工作模式或带外非连续工作模式时的电感值，或者说，与现有技术中带内连续工作模式或带外非连续工作模式时的电感值相同，从而使得电路增益和噪声性能可以保持稳定。
优选地，图3所示的低噪声放大电路3还可以包括阻抗匹配网络(图未示)，所述第一放大部件31和第二放大部件32的第一输入端经由所述阻抗匹配网络接入所述射频输入信号VIN。阻抗匹配网络可以对低噪声放大电路3及其前级电路的阻抗进行匹配。
图4是本发明实施例另一种低噪声放大电路的结构示意图。
本实施例中，如图4所示，低噪声放大电路4中第一放大部件和第二放大部件分别为MOS管M1和MOS管M2。MOS管M1和MOS管M2的栅极接入所述射频输入信号VIN并进行放大。
第一选择电路为开关S1和开关S2，第二选择电路为开关S3和开关S4。
需要说明的是，第一选择电路和第二选择电路也可以是其他任意可实施通断功能的电路器件，例如MOS管，本发明实施例对此不做限制。
本实施例中，电感器件可以包括第一电感Ls1和第二电感Ls2。所述第一电感Ls1的一端耦接所述第一放大部件和第二放大部件的第二输入端。所述第二电感Ls2的一端耦接所述第一电感Ls1的另一端，所述第二电感Ls2的另一端接地。
具体而言，第一电感Ls1的一端耦接MOS管M1和MOS管M2的第二输入端。本实施例中，MOS管M1和MOS管M2为NMOS管，则第一电感Ls1的一端耦接MOS管M1和MOS管M2的源极，第二电感Ls2的一端耦接第一电感Ls1，第二电感Ls2的另一端接地。
类似地，如果MOS管M1和MOS管M2为PMOS管，则第一电感Ls1的一端耦接MOS管M1和MOS管M2的源极，第二电感Ls2的一端耦接第一电感Ls1，第二电感Ls2的另一端接入电源。
优选地，电感调节电路包括第一开关sw。第一开关sw的一端耦接所述第一放大部件和第二放大部件的第二输入端，另一端耦接所述第一电感Ls1的另一端。具体而言，第一开关sw的一端耦接MOS管M1和MOS管M2的第二输入端。
需要说明的是，电感调节电路也可以是其他任意可实施通断功能的电路器件，例如MOS管，本发明实施例对此不做限制。
具体实施中，低噪声放大电路4在带内非连续工作模式下，第一开关sw闭合，此时第一电感Ls1被短路，电感器件的电感值仅为第二电感Ls2的电感值，第二电感Ls2的电感值小于第一电感Ls1的电感值和第二电感Ls2的电感值之和，从而减小了低噪声放大电路4在带内非连续工作模式时的电感值。如前述，等效电导Gm2的计算公式为：进而增大了低噪声放大电路4的等效电导，实现了在没有增加功耗的前提下提高了增益和降低了噪声系数，缓解了该模式下增益和噪声性能恶化的程度。
相应地，低噪声放大电路4在带内连续工作模式或带外非连续工作模式下，第一开关sw断开，此时电感器件的电感值为第一电感Ls1的电感值和第二电感Ls2的电感值之和。
优选地，所述第二电感Ls2的电感值小于所述第一电感Ls1的电感值。换言之，通过配置第二电感Ls2的电感值小于所述第一电感Ls1的电感值，可以使得在不影响低噪声放大电路4在带内连续工作模式或带外非连续工作模式下的功能的同时，还可以使得其在带内非连续工作模式下的噪声性能更优。
可以理解的是，本实施例中第一电感Ls1的电感值可以小于第二电感Ls2的电感值，第一电感Ls1的电感值也可以等于第二电感Ls2的电感值，本发明实施例对此不做限制。
图5是本发明实施例又一种低噪声放大电路的结构示意图。
一并参照图4，本实施例中低噪声放大电路5与图4所示的低噪声放大电路4相比，其区别在于，低噪声放大电路5中电感器件包括第三电感Ls。所述第三电感Ls一端耦接所述第一放大部件和第二放大部件的第二输入端，其另一端接地。具体而言，第三电感Ls一端耦接MOS管M1和MOS管M2的第二输入端。
第三电感Ls包括抽头(图未示)；所述电感调节电路包括第二开关sp；所述第二开关sp的一端耦接所述第一放大部件和第二放大部件的第二输入端，另一端耦接所述抽头。具体而言，第二开关sp的一端耦接MOS管M1和MOS管M2的第二输入端。
具体地，第三电感Ls在片上可以采取绕线方式来实现，可以包括单层或者多层金属叠层的实现方式。由于第三电感Ls的电感值和其绕线的圈数有关，因此可以将第三电感Ls的某个位置的绕线抽出来，作为抽头，与第二开关sp连接，来实现调节第三电感Ls的电感值。
需要说明的是，抽头的位置可以根据实际的应用环境进行适应性的调整，本发明实施例对此不做限制。
具体实施中，低噪声放大电路5在带内非连续工作模式下，第二开关sp闭合，此时第三电感Ls的抽头耦接MOS管M1和MOS管M2的第二输入端，电感器件的电感值仅为第三电感Ls总电感值的一部分，从而减小了低噪声放大电路5在带内非连续工作模式时的电感值。如前述，等效电导Gm2的计算公式为：进而增大了低噪声放大电路5的等效电导，实现了在没有增加功耗的前提下提高了增益和降低了噪声系数，缓解了该模式下增益和噪声性能恶化的程度。
相应地，低噪声放大电路5在带内连续工作模式或带外非连续工作模式下，第二开关sp断开，此时电感器件的电感值为第三电感Ls的总电感值。
关于所述低噪声放大电路5的工作原理、工作方式的更多内容，可以参照图3至图4中的相关描述，这里不再赘述。
图6是本发明实施例再一种低噪声放大电路的结构示意图。
一并参照图5，本实施例中低噪声放大电路6与图5所示的低噪声放大电路5相比，其区别在于，低噪声放大电路6中所述电感调节电路包括第四开关sn；所述第四开关sn的一端接地，另一端耦接第三电感Ls的抽头。
本发明实施例低噪声放大电路6在带内非连续工作模式下，第四开关sn闭合，此时第三电感Ls的抽头接地，电感器件的电感值仅为第三电感Ls总电感值的一部分(也即第三电感Ls的上部分的电感值)，从而减小了低噪声放大电路6在带内非连续工作模式时的电感值。
可以理解的是，本实施例中，MOS管M1和MOS管M2为NMOS管，则第三电感Ls的一端耦接MOS管M1和MOS管M2的源极，第三电感Ls的另一端接地。类似地，如果MOS管M1和MOS管M2为PMOS管，则第三电感Ls的一端耦接MOS管M1和MOS管M2的源极，第三电感Ls的另一端接入电源。
图7是本发明实施例再一种低噪声放大电路的结构示意图。
一并参照图4，本实施例中低噪声放大电路7与图4所示的低噪声放大电路4相比，其区别在于，低噪声放大电路7中所述电感调节电路包括第三开关sq。第三开关sq的一端接地，另一端耦接所述第二电感Ls2的一端。
需要说明的是，电感调节电路也可以是其他任意可实施通断功能的电路器件，例如MOS管，本发明实施例对此不做限制。
具体实施中，低噪声放大电路7在带内非连续工作模式下，第三开关sq闭合，此时第二电感Ls2被短路，电感器件的电感值仅为第一电感Ls1的电感值，从而减小了低噪声放大电路7在带内非连续工作模式时的电感值，进而增大了低噪声放大电路7的等效电导，实现了在没有增加功耗的前提下提高了增益和降低了噪声系数，缓解了该模式下增益和噪声性能恶化的程度。
本实施例中，MOS管M1和MOS管M2为NMOS管，则第一电感Ls1的一端耦接MOS管M1和MOS管M2的源极，第二电感Ls2的一端耦接第一电感Ls1，第二电感Ls2的另一端接地。类似地，如果MOS管M1和MOS管M2为PMOS管，则第一电感Ls1的一端耦接MOS管M1和MOS管M2的源极，第二电感Ls2的一端耦接第一电感Ls1，第二电感Ls2的另一端接入电源。
关于所述低噪声放大电路7的工作原理、工作方式的更多内容，可以参照图3至图6中的相关描述，这里不再赘述。对图4至图7实施例中的电路进行仿真，得到如表1所示的仿真结果，以频率F＝1GHz工作频段为例。
表1
如表1所示，在开关(也即第一开关sw、第二开关sp、第三开关sq或第四开关sn)断开时，在CA12或CA21模式(也即带内非连续载波聚合模式)下，低噪声放大电路在第一放大部件和第二放大部件的两个输出端Path1和Path2测得的电流Id为4.1mA，增益Gain分别为41dB和41.1dB，噪声系数分别为3.61dB和3.6dB。而开关闭合时，在CA12模式下，低噪声放大电路在第一放大部件和第二放大部件的两个输出端Path1和Path2测得的电流Id为4.2mA，增益Gain分别为43.8dB和44dB，噪声系数分别为2.5dB和2.5dB。由此可见，通过增加开关，在不增加功耗的前提下，可以显著地提高低噪声放大电路在带内非连续载波聚合模式下的增益，降低噪声，很大程度上缓解带内非连续载波聚合工作模式下增益和噪声性能恶化程度。
本发明实施例还公开了一种射频接收前端电路。如图8所示，图8是本发明实施例一种射频接收前端电路的结构示意图。
射频接收前端电路可以包括至少两个低噪声放大电路，所述至少两个低噪声放大电路包括第一低噪声放大电路LNA1和第二低噪声放大电路LNA2，所述第一低噪声放大电路LNA1和第二低噪声放大电路LNA2共用同一组第一负载端61和第二负载端62；第一信号处理电路63，其输入端耦接所述第一负载端61；第二信号处理电路64，其输入端耦接所述第二负载端62。
具体实施中，射频接收前端电路可以对射频输入信号VIN进行载波聚合处理。在射频输入信号VIN为带内连续信号时，射频接收前端电路可以仅有一路通道执行工作，也即第一低噪声放大电路LNA1、第一负载端61和第一信号处理电路63执行工作，或者第二低噪声放大电路LNA2、第二负载端62和第二信号处理电路64执行工作。
在射频输入信号VIN为带外非连续信号时，射频接收前端电路两路通道同时执行工作，也即第一低噪声放大电路LNA1、第一负载端61、第一信号处理电路63、第二低噪声放大电路LNA2、第二负载端62和第二信号处理电路64同时执行工作。
在射频输入信号VIN为带内非连续信号时，仅有第一低噪声放大电路LNA1或第二低噪声放大电路LNA2执行工作，且第一低噪声放大电路LNA1或第二低噪声放大电路LNA2输出两路信号，分别输出至第一负载端61和第二负载端62进行后续处理。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (11)

1.一种低噪声放大电路，其特征在于，包括：
第一放大部件，其第一输入端接入射频输入信号并进行放大；
第二放大部件，其第一输入端接入所述射频输入信号并进行放大；
第一选择电路，所述第一放大部件的输出端经由所述第一选择电路连接第一负载端或第二负载端；
第二选择电路，所述第二放大部件的输出端经由所述第二选择电路连接所述第一负载端或第二负载端；
电感器件，其一端耦接所述第一放大部件和第二放大部件的第二输入端，
其另一端接地或接入电源；
电感调节电路，耦接所述电感器件，适于调节所述电感器件的电感值。
2.根据权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，还包括：
阻抗匹配网络，所述第一放大部件和第二放大部件的第一输入端经由所述阻抗匹配网络接入所述射频输入信号。
3.根据权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述电感器件包括第一电感和第二电感；
所述第一电感的一端耦接所述第一放大部件和第二放大部件的第二输入端；
所述第二电感的一端耦接所述第一电感的另一端，所述第二电感的另一端接地或接入电源。
4.根据权利要求3所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述电感调节电路包括第一开关；
所述第一开关的一端耦接所述第一放大部件和第二放大部件的第二输入端，另一端耦接所述第一电感的另一端。
5.根据权利要求3所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述电感调节电路包括第三开关；
所述第三开关的一端接地或接入电源，另一端耦接所述第二电感的一端。
6.根据权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述电感器件包括第三电感；
所述第三电感一端耦接所述第一放大部件和第二放大部件的第二输入端，
其另一端接地或接入电源。
7.根据权利要求6所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述第三电感包括抽头；所述电感调节电路包括第二开关；
所述第二开关的一端耦接所述第一放大部件和第二放大部件的第二输入端，另一端耦接所述抽头。
8.根据权利要求6所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述第三电感包括抽头；所述电感调节电路包括第四开关；所述第四开关的一端接地或接入电源，另一端耦接所述抽头。
9.根据权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，在带内非连续工作模式下，所述第一放大部件的输出端经由所述第一选择电路连接所述第一负载端，所述第二放大部件的输出端经由所述第二选择电路连接所述第二负载端，或者，所述第一放大部件的输出端经由所述第一选择电路连接所述第二负载端，所述第二放大部件的输出端经由所述第二选择电流连接所述第一负载端，则所述电感调节电路调节所述电感器件的电感值为预设总电感值的一部分。
10.根据权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，在带内连续工作模式或带外非连续工作模式下，所述第一放大部件的输出端与所述第二放大部件的输出端连接所述第一负载端或所述第二负载端，所述电感调节电路调节所述电感器件的电感值为所述电感器件的预设总电感值。
11.一种射频接收前端电路，其特征在于，包括：
至少两个如权利要求1至10任一项所述的低噪声放大电路，所述至少两个低噪声放大电路包括第一低噪声放大电路和第二低噪声放大电路，所述第一低噪声放大电路和第二低噪声放大电路共用同一组第一负载端和第二负载端；
第一信号处理电路，其输入端耦接所述第一负载端；第二信号处理电路，其输入端耦接所述第二负载端。
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