CN108736739B - 具有改进几何形状的堆叠连接板的功率半导体装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及功率半导体装置，具有多个并联连接的、布置成一排的功率半导体开关元件，每个功率半导体开关元件具有用于负载电流输入的和用于负载电流输出的负载电流接头，相同负载电流方向的负载电流接头布置在一个共同的假想线上，功率半导体装置在每个负载电流方向上具有连接板以分别用于负载电流输入和负载电流输出的相同负载电流方向的所有负载电流接头的共同电接触和固定，借助于在相同负载电流方向的相邻负载电流接头之间延伸的狭槽将至少一个连接板多次开槽，使得连接板分别形成由狭槽限定的分别对应于一个负载电流接头的区段，相邻的区段仅在馈电侧导电地连接；和/或连接板中的至少一个沿纵向边缘朝另一连接板的方向通过构造角部而弯边。

Description

具有改进几何形状的堆叠连接板的功率半导体装置
技术领域
本发明涉及电力电子学领域。本发明涉及一种功率半导体装置，其具有多个并联连接的相似的功率半导体开关元件，这些功率半导体开关元件优选相同地构造并且布置成行。每个开关元件设置有用于负载电流输入的负载电流接头和用于负载电流输出的负载电流接头。为了快速且低损耗地切换电流，在能源技术、成型技术和传输技术中通常使用功率晶体管，特别是绝缘栅双极晶体管(IGBT)。为了能够接通高电流(特别是大于等于1kA的数量级)，在此大量单个功率半导体元件(以下也称为功率晶体管)并联电连接。在此，功率晶体管通常组合在模块中，这尤其可在安装和更换时简化处理，允许限定且优化的冷却，用于一系列安全方面等。在此，在模块内，元件组或子模块通常由所述多个功率晶体管的一部分形成。
背景技术
就功率半导体装置的开关特性而言，通常希望尽可能快地接通或断开电流。特别是在压控功率晶体管的情况下(其中借助于施加在第一功率电极和控制电极之间的控制电压可在第一功率电极和第二功率电极之间接通电流)，这尤其受到电感效应的阻碍。这些电感效应不仅影响控制电压而导致有效控制电压与预定控制电压的偏差，而且还影响负载电流耗散和负载电流输入。
由此，由于所谓的互感，由流过其余功率晶体管的时变电流进一步产生电感影响。此外，在电流流经的导体中，从而也在负载电流接头的周围形成磁场。在接头中流动的电流促使形成磁通量。这些磁场如何在载流导体周围的空间中传播以及由此产生的磁通量变得多大取决于周围环境的磁特性。在此，不仅周围环境中的材料的磁特性，而且由其他负载电流接头引起的额外磁场的存在也起到决定性作用。通过至少两个功率半导体开关元件的并联连接产生对各个引导负载电流的路径的磁性影响，使得其电感可能剧烈变化。这导致不均匀的电流分布，也称为不对称电流分布，尤其是在开关瞬间，从而整个功率半导体装置的开关特性都受到这种影响。
事实表明，可借助功率半导体开关元件的接触方式通过以下方式来解决电流不对称的问题，即，例如可通过接头舌片的不同几何构造和/或通过一个或多个功率半导体开关元件的单独屏蔽来使电感“对称”，并且可大大消除在功率半导体开关元件开关期间的电流不对称性。
然而，此外也已表明，所谓的集肤效应会导致电流分布不均匀，特别是在开关过程期间有高频电流分量的情况下，因为高频电流分量的散布靠近表面并且特别是靠近边缘。在每个负载电流方向通过公共连接板接触的多个功率半导体开关元件中，这导致位于外部的功率半导体开关元件具有较高的总换向电感，位于内部的功率半导体开关元件具有较低的总换向电感。
发明内容
在此背景下，现在本发明所基于的目的在于，提供一种功率半导体装置，其具有多个并联连接的、优选为构造相同的且布置成一排的功率半导体开关元件，其开关特性得到改善，特别是其中各个功率半导体开关元件的开关特性更好地彼此适配。该目的通过根据本发明所述的功率半导体装置来实现。应注意的是，权利要求中单独列出的特征可以任何技术上有意义的方式相互组合并且表明本发明的其他设计方案。特别是结合附图的说明附加地表征和指定了本发明。
本发明涉及一种功率半导体装置，其具有多个并联连接的、布置成一排的、相似的功率半导体开关元件。每个功率半导体开关元件在每个负载电流方向上具有一个负载电流接头，即，用于负载电流输入的负载电流接头和用于相反的负载电流方向、即用于负载电流输出的负载电流接头。这些接头也被称为DC+和DC-接头。另外，根据本发明可设置其他接头，例如至少一个用于交流电的相接头。换言之，在一个设计方案中，通过前述负载电流接头提供给每个功率半导体开关元件的电能通过其他接头例如在电流转换下被输出。此外，根据本发明不应排除的是，每个功率半导体开关元件也提供相同负载电流方向的多个负载电流接头。由此，从整个功率半导体装置上观察，在负载电流输入和负载电流输出的每个负载电流方向上得到多个负载电流接头。术语“相似”应被广义地解释，并且其例如意指结构类型上的一致性，但不一定指相同的开关特性。术语“功率半导体开关元件”同样应被广泛地解释，并且每个开关元件可包括单个或多个半导体器件。“功率半导体开关元件”在下文中也称为模块，其例如通过螺钉固定在散热器上并且通过螺钉经由接触装置进行电接触。
此外，也可以是不封闭的功率半导体开关元件。相应地优选为封闭的、即具有模块壳体的功率半导体开关元件。模块壳体例如分别由塑料制成，优选由纤维增强塑料(例如玻璃纤维增强热塑性塑料)制成。例如，功率半导体开关元件分别为IGBT(绝缘栅双极晶体管)或分别为MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。此外，特别是在设计为或设计用于桥式或半桥式电路的功率半导体开关元件中，可设置第二(不同或相同)数量的反并联连接的二极管，其特别是作为保护二极管(“续流”、“缓冲器”或“回扫”二极管)。
根据本发明，功率半导体装置相应地还具有连接板作为每个负载电流方向上的电接触装置的一部分，以用于在负载电流输入或负载电流输出的相同负载电流方向上的多个、特别是所有负载电流接头的电接触和固定。因此，分别设置有一个用于负载电流输入的连接板和一个用于负载电流输出的连接板。连接板例如分别由金属或金属合金等导电材料制成。优选地，连接板分别由激光切割金属板或冲压金属板(例如铜板)制成。
连接板布置成彼此电绝缘。例如，连接板通过气隙和/或由电介质构成的绝缘层彼此间隔开地布置。此外，连接板在堆叠方向上堆叠地布置。固定意指例如借助于一个或多个螺纹紧固件固定在对应的负载电流接头处。连接板可理解为接触装置的一部分，其至少代表相应接触装置的用于与对应的负载电流接头直接相邻布置的特定区段。优选地，接触装置在每个负载电流方向上具有一个或多个上游导体，并且连接板始终构成在该导体和相关负载电流接头之间的“路径”的最后一块，并用于流向或流出对应的负载电流接头的电流分配。
每个连接板均沿着第一延伸方向从馈电边缘延伸到端部边缘。术语“边缘”应被宽泛地解释，并且不一定意指相应边缘的直线走向，该走向优选为直线。替代地，馈电边缘也被称为馈电侧。在此，连接板在第一延伸方向上延伸超过对应的负载电流接头，其中这些负载电流接头被相应的连接板接触，以用于紧固和电接触。连接板优选形成与端部边缘对置的馈电边缘。此外，每个连接板分别在优选彼此平行延伸的两个纵向边缘之间沿着垂直于第一延伸方向且平行于假想线的第二延伸方向延伸。
馈电侧或馈电边缘可理解为通过其向所有相关负载电流接头提供负载电流或通过其从所有相关负载电流接头输出负载电流的侧或边缘。例如是连接板的侧面，特别是边缘，其构造用于与其他导体或电气部件(例如中间电路的部件)连接。
为了改善开关特性，提出了两种措施，而根据本发明其可替代地被组合使用：
根据第一种措施，至少一个连接板、优选两个连接板借助于在相同负载电流方向的相邻负载电流接头之间延伸的狭槽被多次开槽，使得相应的连接板分别形成由狭槽限定的、分别对应于负载电流接头的区段，并且相邻区段仅在馈电侧、优选仅在馈电边缘导电地连接。由于集肤效应，通过多个狭槽增大了由狭槽限定的边缘区域中的高频开关电流分量的电流密度。结果，与无槽设计相比，可降低由无槽设计产生的电感不对称性和由此导致的换向电感。
根据第二措施，通过构造角部将连接板的其中一个沿着纵向边缘朝另一连接板的方向弯边。这均应理解为相应连接板纵向侧的跨接另一连接板的部分，该部分相对于两个延伸方向成角度地、优选正交地布置并且朝向相邻的连接板，而不接触该连接板。例如，连接板的通过弯边限定的末端边缘设置在由另一连接板限定的平面中，或者由弯边产生的部分优选地延伸超过由另一连接板限定的平面。由此，例如由集肤效应引起的高开关电流密度在不同负载电流方向的突出边缘处通过电磁相互作用而减小。
由于通过该措施改变了不同负载电流方向的连接板的外边缘的相对位置，与连接板作为一叠平面连接板的构造方式相比较，会促使在该构造方式中存在的电感不对称性减小。
上述两种措施可单独使用或组合使用。
根据一种设计方案，相应开槽的连接板从馈电边缘连续地开槽到对置的端部边缘。例如分别通过一个或多个单独的导体部分提供馈电侧区段之间的电连接。在此，这些区段通过狭槽机械地分开并且必要时设置用于在由电绝缘材料制成的公共载体上的机械稳定。
为了简化生产，优选地规定，狭槽从端部边缘朝馈电边缘的方向延伸到由相关连接板形成的其余连接片，而不会因此到达馈电边缘，从而连接板均不是连续地开槽。由此，连接片由连接板的材料构成，并且在连接板的制造步骤中例如通过激光或冲压而被引入其中。连接片例如相应地邻近并沿着馈电边缘延伸。
所述第一措施的狭槽例如可倾斜于第一和第二延伸方向延伸。根据一个优选的设计方案，狭槽分别平行于纵向边缘延伸。更优选的是，这些狭槽彼此平行且各自沿着在相反负载电流方向的最近的相邻负载电流接头之间的几何中心线延伸。
优选地规定，负载电流接头分别布置成离对应的端部边缘比离馈电边缘更靠近。例如，由负载电流接头定义的线路平行于端部边缘延伸。例如，该线路与端部边缘之间的距离在0.5cm至3.0cm的范围内，优选在1.0cm至2.5cm的范围内。
优选地，连接板具有相互平行延伸的狭槽。更优选地，连接板沿堆叠方向重合并且具有全等延伸的狭槽。
根据一个优选设计方案，为了实现特别均匀的电流分布，优选对于两个负载电流方向，相关连接板的分别由狭槽限定且分别与负载电流接头对应的区段全等地构造，即，至少关于它们在第一和第二延伸方向上的尺寸一致。
优选地，狭槽沿其走向具有小于5.0mm(如2.5mm)、更优选小于1mm的最大净宽间距，即最大狭槽宽度。优选地，净宽间距在狭槽的走向上是恒定的。连接板的狭槽可具有一致的净宽间距。在一个优选设计方案中，不同负载电流方向的连接板可具有不同的净宽间距，其中属于相应连接板的狭槽具有相同的净宽间距。例如，靠近功率半导体开关元件布置的连接板所具有的狭槽比属于更远离开关元件的连接板的狭槽具有更大的净宽间距。
优选地，狭槽具有大于2.5cm至10.0cm、优选大于3.5cm至8.0cm的长度。
优选地，连接片分别具有由狭槽长度限定的宽度，该宽度小于1.5cm，优选小于1.0cm。
根据具有第一和第二措施的组合的优选设计方案，狭槽限定相关的狭槽边缘，并且通过构造所述角部将连接板的其中一个沿着狭槽边缘朝另一连接板的方向弯边。例如延伸穿过相应另一连接板，即，设置用于相反电流方向的连接板的在堆叠方向上最邻近的狭槽。
优选地，连接板的其中一个具有多个通孔，这些通孔分别设置用于负载电流接头的引线和/或通向另一连接板的负载电流接头的其中一个。在此，通孔分别限定封闭的周向通孔边缘，并且优选地设置为偏离相应连接板的边缘，例如纵向边缘、馈电边缘、端部边缘和狭槽边缘。通孔边缘的轮廓例如为椭圆形、圆形、近似矩形。近似矩形可理解为具有圆角的矩形轮廓。通孔通过其与连接板边缘的偏离而区别于连接板的侧向凹槽，从而不会妨碍根据本发明的理论所预期的高频电流分量沿连接板边缘的电流分布。
优选地，功率半导体装置的模块壳体构造相同。连接板优选地构造为覆盖模块壳体。
根据一个优选设计方案，模块壳体具有长侧和短侧，其设置成使得除了最外面的模块壳体的一个侧面外，模块壳体的长侧分别布置为与另一模块壳体的一个侧面紧邻，例如邻接。
根据一个优选设计方案，连接板布置成使得其将围绕功率半导体装置的所有模块壳体的冷却装置(例如液体冷却装置)桥接。例如，馈电边缘位于由冷却装置限定的外周的外部。
此外，本发明还涉及前述实施方式之一中的功率半导体装置作为变流器的用途。变流器可理解为用于将馈入的电流形式(直流、交流)变换成相应的另一种电流形式或用于改变如电压和频率等特性参数的静止电气设备或设施(即没有移动部件，但不一定是固定的)。优选地，其用作逆变器，例如用作电流中间电路逆变器，更优选地用作电压中间电路逆变器。
附图说明
本发明的这些和其他目的、优点和特征将由以下对本发明优选实施例的详细说明结合附图得到。
图1示出了根据本发明的功率半导体装置的第一实施方式的俯视图；
图2示出了图1的根据本发明的实施方式的垂直剖视图；
图3示出了根据本发明的第二实施方式的剖视图；
图4示出了根据本发明的第三实施方式的连接板的剖视图；
图5示出了根据本发明的第四实施方式的连接板的剖视图；
图6示出了根据本发明的第五实施方式的连接板的剖视图；
图7示出了根据本发明的第六实施方式的连接板的剖视图；
图8示出了根据本发明的第七实施方式的连接板的剖视图；
图9示出了设计为半桥的功率半导体开关元件的等效电路图。
具体实施方式
图1示出了根据本发明的第一功率半导体装置1的俯视图。为了进一步解释，图2的相应剖视图附加作为沿图1的直线L的截面。在下文中，只要没有另行说明，则参考这两个附图。功率半导体装置包括多个构造相同的容纳在相对应的模块壳体中的半桥2a、2b，2c、2d，这些半桥以其较长的纵向侧彼此平行地布置。这些半桥在其上侧具有用于负载电流输入的负载电流接头3a和用于负载电流输出的负载电流接头3b以及相接头7。所有负载电流接头3a、3b都布置在假想线L上。这些接头3a和3b通过螺纹接合与相对应的连接板4a和4b电连接，即，设置用于负载电流输出的负载接头3b与相对应的连接板4b连接，而设置用于负载电流输入的负载电流接头3a与相对应的连接板4a连接。用于负载电流输出的连接板4b布置在用于负载电流输入的连接板4a的上方。
两者在堆叠方向R3上彼此堆叠，并且相互平行且由于气隙间距彼此电绝缘地布置。如图1和图2所示，连接板4a、4b全等地构造，从而具有一致的外部尺寸。它们仅部分覆盖半桥2a、2b、2c、2d的模块壳体。在此，它们分别沿第一延伸方向R1从馈电边缘EK延伸到相对应的负载电流接头3a或3b，以便与其接触，并且继续延伸到端部边缘FK。在此，连接板4b通过力配合连接与相对应的负载电流接头3b接触，并且连接板4a通过力配合连接与相对应的负载电流接头3a接触，并且负载电流接头3a或3b分别布置得离端部边缘FK比离馈电边缘EK更近。馈电边缘EK不一定具有直线走向，而是连接板4a、4b的边缘，借助于该边缘输入或输出整个负载电流。例如，分别通过与半桥2a、2b、2c、2d并联连接的未详细示出的电容器利用其接头输入或输出电流。
连接板4a、4b沿与第一延伸方向正交的第二延伸方向在平行的纵向边缘LK之间延伸，纵向边缘LK位于装置1的外部模块壳体的纵向边沿的高度上。连接板4a和4b分别桥接冷却装置8，冷却装置8与模块2a、2b、2c、2d的下侧邻接地布置，并且其外周在侧向突出。除了分别保留在相应狭槽S和连接板4a、4b的馈电边缘EK之间的连接片10之外，两个连接板4a、4b通过狭槽S被“分段”成全等的区段SC1、SC2、SC3、SC4。在此，保留的连接片10在馈电边缘EK处形成将区段SC1、SC2、SC3、SC4连接的元件，该馈电边缘EK设置在相应连接板4a或4b的限定所谓的馈电侧的一侧。
两个连接板4a、4b中的狭槽S设计为全等并重合地布置。它们各自沿着在紧邻的相对电流接头之间的几何中心线，从端部边缘FK朝馈电边缘EK的方向延伸到连接片10，由此不会完全穿过连接板4a、4b。在每一个区段SC1、SC2、SC3、SC4中设置有相对应的负载电流方向的负载接头，在连接板4b的情况下设置有负载接头3b，其中，为了通过上部连接板4b引线或通过上部连接板4b通向下部连接板4a的负载接头3a，其分别具有圆形通孔6a或6b，这些通孔与所有边缘、端部边缘FK、馈电边缘EK和由狭槽S限定的狭槽边缘有间距地布置。例如，通孔到相应端部边缘的间距为0.5cm到1.0cm。
图3示出了根据本发明的功率半导体装置1的第二实施方式。其与图1和图2所示的实施方式的区别在于，设置用于负载电流输出的连接板4b通过构造正交于第二延伸方向延伸的角部5b而沿着两个纵向边缘弯边。在此，角部5b延伸超过用于负载电流输入的连接板4a，而不与其接触。相应地同样设置有前文参考图1和图2的第一实施方式设置的狭槽S。
借助图4说明的根据本发明的功率半导体装置的第三实施方式仅参考连接板4a、4b的图示得以说明。连接板4a和4b再次设置用于多个半桥2a、2b、2c、2d的电接触，亦即设置用于负载电流输入的负载电流接头的连接板4a和设置用于负载电流输出的负载电流接头的连接板4b。在本实施方式中，省去了连接板4a、4b中狭槽的构造。然而在此规定，设置用于负载电流输出的连接板4b通过构造正交于第二延伸方向延伸的角部5b沿着两个纵向边缘弯边。在此，角部5b延伸超过用于负载电流输入的连接板4a，而不与其接触。
图5提供的根据本发明的功率半导体装置的第四实施方式同样仅参考连接板4a、4b的图示得以说明。连接板4a和4b再次设置用于多个半桥2a、2b、2c、2d的电接触，亦即用来与设置用于负载电流输入的负载电流接头接触的连接板4a和用来与设置用于负载电流输出的负载电流接头接触的连接板4b。在第四实施方式中，省去了接线板4a、4b中狭槽的构造。然而在此规定，设置用于负载电流输出的连接板4b通过构造正交于第二延伸方向延伸的角部5b而沿着两个纵向边缘弯边。在此，角部利用其部段7b包围布置在其下方的设置用于负载电流输入的连接板4a，而不与其接触。
图6所示的根据本发明的功率半导体装置的第五实施方式同样仅参考连接板4a、4b的图示得以说明。连接板4a和4b再次设置用于多个半桥2a、2b、2c、2d的电接触，亦即用来与设置用于负载电流输入的负载电流接头接触的连接板4a和用来与设置用于负载电流输出的负载电流接头接触的连接板4b。在此，如前文说明的第四实施方式所规定的，设置用于负载电流输出的连接板4b通过构造正交于第二延伸方向延伸的角部5b而沿着两个纵向边缘弯边。在此，角部利用其部段7b包围布置在其下方的设置用于负载电流输入的连接板4a，而不与其接触。除了该措施之外，在两个连接板4a、4b中附加地设置从第一实施方式中已知的狭槽S，这些狭槽平行于纵向边缘从馈电边缘延伸到保留的连接片。两个连接板4a和4b中的狭槽全等地构造并重合地布置。
以图7说明的根据本发明的功率半导体装置的第六实施方式同样仅参考连接板4a、4b的图示得以说明。连接板4a和4b再次设置用于多个半桥2a、2b、2c、2d的电接触，亦即用来与设置用于负载电流输入的负载电流接头接触的连接板4a和用来与设置用于负载电流输出的负载电流接头接触的连接板4b。连接板4a和4b又具有用于连接板4a和4b的分段分割的狭槽S或S'。设置用于负载电流输入的连接板4a的狭槽S'比在设置用于负载电流输出的连接板4b中引入的狭槽S具有更大的宽度，即狭槽边缘之间的净宽间距。在此又规定，设置用于负载电流输出的连接板4b通过构造正交于第二延伸方向延伸的角部5b而沿着两个纵向边缘弯边。此外，由弯边产生的角部设置在限定狭槽的狭槽边缘处从而设置在两侧。在此，角部5b穿过布置在其下方的连接板4a的狭槽S'。
图8所示的根据本发明的功率半导体装置的第七实施方式同样仅参考连接板4a、4b的图示得以说明。连接板4a和4b再次设置用于多个半桥2a、2b、2c、2d的电接触，亦即用来与设置用于负载电流输入的负载电流接头接触的连接板4a和用来与设置用于负载电流输出的负载电流接头接触的连接板4b。连接板4a和4b又具有用于连接板4a和4b的分段分割的狭槽S或S'。设置用于负载电流输入的连接板4a的狭槽S'比在设置用于负载电流输出的连接板4b中引入的狭槽S具有更大的间隙宽度。在此又规定，设置用于负载电流输出的连接板4b通过构造正交于第二延伸方向延伸的角部5b沿着两个纵向边缘弯边。此外，由弯边产生的角部设置在限定狭槽的狭槽边缘处从而设置在两侧。在此，角部5b不仅穿过布置在其下方的连接板4a的狭槽S'，而且利用其部段7b包围布置在其下方的设置用于负载电流输入的连接板4a，而不与其接触。
图9示出了半桥的电子电路图。其具有一方面用于负载电流输出另一方面用于负载电流输入的两个负载电流接头DC+和DC-以及相接头AC。所示半桥具有两个直流斩波器，其分别具有IGBT和反向并联的二极管。通过栅极接头GT1和GT2以互补的方式控制IGBT T1和T2：当T1导通时，T2必须阻断，反之亦然，从而根据开关状态从所施加的负载电流DC+和DC-在相接头AC处输出交流电。
与那些其中一个负载电流方向的负载接头分别通过利用气隙间隔开的常规连接板来接触的实施方式相比，所有从上述实施方式中得到的措施以单独或组合地形式用于消除或至少减小特别是在高频开关过程中产生的电感不对称性。应再次明确指出的是，附图中所示的设置用于负载电流输出的上部连接板4b的弯边可替代地实施在设置用于负载电流输入的下部连接板4a处。

Claims (27)

1.一种功率半导体装置(1)，具有多个并联连接的、布置成一排的、相似的功率半导体开关元件(2a、2b、2c、2d)，其中每个功率半导体开关元件(2a、2b、2c、2d)具有用于负载电流输入的负载电流接头(3a)和用于负载电流输出的负载电流接头(3b)，并且负载电流输入和负载电流输出的相同负载电流方向的负载电流接头分别布置在一个共同的假想线(L)上，其中所述功率半导体装置(1)分别还在每个负载电流方向上具有连接板(4a、4b)，以分别用于负载电流输入和负载电流输出的相同负载电流方向的所有负载电流接头(3a、3b)的共同电接触和固定，其中所述连接板(4a、4b)相互电绝缘，彼此间隔开并且在堆叠方向(R)上堆叠地布置，并且每个连接板(4a、4b)分别从馈电边缘(EK)延伸超过相对应的负载电流接头(3a、3b)并且与所述负载电流接头接触地沿着第一延伸方向延伸到与所述馈电边缘对置的端部边缘(FK)以便所述电接触，并且沿着正交于所述第一延伸方向且平行于所述假想线(L)的第二延伸方向在两个纵向边缘(LK)之间延伸，其中
借助于在相同负载电流方向的相邻负载电流接头(3a、3b)之间延伸的狭槽(S)，所述连接板(4a、4b)中的至少一个连接板被多次开槽，使得所述连接板(4a、4b)分别形成由所述狭槽(S)限定的分别对应于一个负载电流接头(3a、3b)的区段(SC1、SC2、SC3、SC4)，并且相邻的区段(SC1、SC2、SC3、SC4)仅在馈电侧导电地连接；和/或
所述连接板(4a、4b)中的至少一个连接板沿着所述纵向边缘(LK)朝另一连接板的方向通过构造角部(5b)而弯边。
2.根据权利要求1所述的功率半导体装置(1)，其中所述狭槽(S)从所述端部边缘(FK)开始朝所述馈电边缘(EK)的方向延伸到由所述连接板(4a、4b)形成的用于使所述区段导电连接的连接片(10)。
3.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述狭槽(S)分别相互平行且分别沿着在负载电流方向相反的紧邻的负载电流接头(3a、3b)之间的几何中心线延伸。
4.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述负载电流接头(3a、3b)分别布置成离相应的所述端部边缘(FK)比离所述馈电边缘(EK)更临近。
5.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述连接板(4a、4b)具有平行延伸的狭槽(S)。
6.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中各个相应的所述连接板(4a、4b)的区段(SC1、SC2、SC3、SC4)全等地构造。
7.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述狭槽(S)沿其走向具有小于5mm的最大净宽间距。
8.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述狭槽(S)具有大于2.5cm直至10.0cm的长度。
9.根据权利要求2所述的功率半导体装置(1)，其中所述连接片(10)具有小于1.5cm的宽度。
10.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述狭槽(S)限定相应的狭槽边缘，并且所述连接板中的至少一个连接板沿着所述狭槽边缘朝另一连接板通过构造角部而弯边。
11.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述连接板(4a、4b)分别由激光切割的或冲压的金属板制造。
12.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述连接板(4a、4b)中的至少一个连接板具有多个通孔(6a、6b)，所述多个通孔分别设置用于引线和/或通向所述负载电流接头(3a、3b)的其中一个负载电流接头，并且其中所述通孔(6a、6b)分别限定封闭环绕的通孔边缘。
13.根据权利要求1所述的功率半导体装置(1)，其中所述功率半导体开关元件(2a、2b、2c、2d)分别具有模块壳体。
14.根据权利要求13所述的功率半导体装置(1)，其中所述功率半导体装置(1)的模块壳体构造相同。
15.根据权利要求13或14所述的功率半导体装置(1)，其中所述连接板(4a、4b)布置有桥接包围所述功率半导体装置(1)的所有模块壳体的冷却装置。
16.根据权利要求13或14所述的功率半导体装置(1)，其中所述模块壳体具有长侧和短侧，所述长侧和所述短侧被设置为使得除了最外部的模块壳体的侧面以外，模块壳体的长侧分别布置为与另一模块壳体的侧面紧邻。
17.根据权利要求16所述的功率半导体装置(1)，其中所述狭槽(S)从所述端部边缘(FK)开始朝所述馈电边缘(EK)的方向延伸到由所述连接板(4a、4b)形成的用于使所述区段导电连接的连接片(10)，其中所述馈电边缘(EK)布置在所述模块壳体的短侧上，并且所述连接片(10)分别布置在所述模块壳体的对置的短侧上。
18.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述功率半导体开关元件(2a、2b、2c、2d)分别构造为半桥。
19.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述连接板(4a、4b)具有在堆叠方向(R)上重合且全等延伸的狭槽(S)。
20.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述狭槽(S)沿其走向具有小于5mm的在其走向上保持不变的最大净宽间距。
21.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述狭槽(S)沿其走向具有2.5mm的最大净宽间距。
22.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述狭槽(S)沿其走向具有小于1mm的最大净宽间距。
23.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述狭槽(S)具有大于3.5cm直至8.0cm的长度。
24.根据权利要求2所述的功率半导体装置(1)，其中所述连接片(10)具有小于1.0cm的宽度。
25.一种根据权利要求1至24中任一项所述的功率半导体装置(1)的用途，所述功率半导体装置用作变流器。
26.根据权利要求25所述的用途，其中所述功率半导体装置用作逆变器。
27.根据权利要求25所述的用途，其中所述功率半导体装置用作电压中间电路逆变器。
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