CN108735913A - 显示设备 - Google Patents

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display equipment
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buffer layer
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蔡奇哲
林柏青
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Abstract

一种显示设备，包括一第一基板；一第二基板，与第一基板对应设置；一间隙体，设置于第一基板与第二基板之间并对应于第一基板与第二基板的外围；一硅烷化合物，至少设置于间隙体与第一基板之间并接触第一基板的下表面；以及一显示面板单元，设置于第二基板上方，其中间隙体系包围显示面板单元。

Description

显示设备
技术领域
本揭露是有关于一种显示设备，且特别是有关于一种显示设备的封装。
背景技术
具显示器的电子产品已是现代人不论在工作处理学习上、或是个人休闲娱乐上，不可或缺的必需品，包括智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Pad)、笔记本电脑(Notebook)、显示器(Monitor)到电视(TV)等许多相关产品。而消费者除了追求电子产品本身的电子特性可更优异，如显示效果高质量、操作时其应答速度更快速、使用寿命长和稳定度高等，在功能上也期待可更加丰富和多样化。
而随着电子产品朝向更人性化和更多元化发展的同时，组件设计愈精密，对于水气/氧气的阻抗需求也相对的随之提升。渗入电子组件的水气/氧气量如超过该组件的可接受量值，将会使组件氧化而退化，影响显示质量，缩短电子组件的操作寿命。一般用来判定水气/氧气阻障层能力的指标为水气穿透率(Water Vapor Transmission Rate，WVTR，g/m2/day)，与氧气穿透率(Oxygen Transmission Rate，OTR，cm3/m2/day)。各种显示器有其可接受的湿气渗入量值。例如，液晶显示器(LCD)的基板阻隔层至少须具有约0.1cm3/m2/day的氧气穿透率(OTR)和约0.1g/m2/day的水气穿透率(WVTR)。对有机发光二极管显示器(OLED)来说，对水氧的渗透率的要求最为严苛，一般需要1×10-6g/m2/day的水气穿透率(WVTR)和10-5至10-3cm3/m2/day的氧气渗入率(OTR)。
发明内容
本揭露系有关于一种显示设备，藉由间隙体与硅烷化合物的结构设计而完成上下基板的封装。
根据本揭露，系提出一种显示设备，包括一第一基板；一第二基板，与第一基板对应设置；一间隙体，设置于第一基板与第二基板之间并对应于第一基板与第二基板的外围；一硅烷化合物，至少设置于间隙体与第一基板之间并接触第一基板的下表面；以及一显示面板单元，设置于第二基板上方，其中间隙体系包围显示面板单元。
为了对本揭露的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
附图说明
图1系为本揭露第一实施例的一显示设备的剖面图。
图2系为本揭露第二实施例的一显示设备的剖面图。
图3为本揭露一实施例的一种硅烷化合物与间隙体间作用力的示意图。
图4为图2的间隙体与硅烷化合物的局部放大图。
符号说明
1、2：显示设备
10：第一基板
101：第一基材
103：第一缓冲层
103a：第一基板的下表面
20：第二基板
201：第二基材
203：第二缓冲层
30：间隙体
302a：间隙体的下表面
302b：间隙体的上表面
302c：间隙体的侧壁
40、42：硅烷化合物
422a：硅烷化合物的下表面
DU：显示面板单元
50：薄膜晶体管组件
60：显示单元
D1：第一方向
t1：第一厚度
t2：第二厚度
tS1：第一基材的厚度
tS2：第二基材的厚度
箭头P：水气渗透路径
具体实施方式
本揭露的实施例系提出一显示设备，利用间隙体与硅烷化合物的封装结构设计，以有效阻挡水气及氧气进入破坏显示组件(例如有机发光二极管组件)，进而延长显示设备的使用寿命。再者，实施例可应用的显示设备态样十分广泛，特别是适合应用于需低温对组的基板例如塑料基板，而无高温对组会使塑料基板变形的疑虑。因此实施例的封装结构设计可使应用的显示设备达高产品良率，进而使应用的显示设备达到稳定优异的显示质量，且制程简易，适合量产。
本揭露的实施例例如是应用于一具软性基板的显示设备，但本揭露并不以此为限，具刚性基板的显示设备或是上下基板其中一者为软性基板的显示设备等亦可应用。再者，本揭露的实施例例如是应用于一显示设备具有有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic light-emitting diode，AMOLED)或具有无源矩阵有机发光二极管(Passive-matrix organic light-emitting diode，PMOLED)的基板外围封装，但其他显示形态的装置亦可以应用。另外，显示设备的基板处的开关组件例如是(但不限制是)薄膜晶体管，其形态亦没有限制，例如背通道蚀刻(back channel etch)、蚀刻阻挡层(etch-stoplayer)、顶部栅极(top-gate)、底部栅极(bottom-gate)等形态的薄膜晶体管亦可应用。薄膜晶体管的半导体层材料，亦没有限制，例如非晶硅、多晶硅、金属氧化物等皆可应用。以下系参照所附图式详细叙述本揭露的多种实施态样。需注意的是，实施例所提出的实施态样的结构、制程和内容仅为举例说明之用，本揭露欲保护的范围并非仅限于所述的态样。需注意的是，本揭露并非显示出所有可能的实施例，相关领域者可在不脱离本揭露的精神和范围内对实施例的结构和制程加以变化与修饰，以符合实际应用所需。因此，未于本揭露提出的其他实施态样也可能可以应用。再者，实施例中相同或类似的标号系用以标示相同或类似的部分。
再者，说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”、“第三”等的用词，是为了修饰权利要求的组件，其本身并不意含及代表该请求组件有任何之前的序数，也不代表某一请求组件与另一请求组件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一请求组件得以和另一具有相同命名的请求组件能作出清楚区分。另外，当述及一第一材料层位于一第二材料层上、之上或上方时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。而关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构系直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。
<第一实施例>
图1系为本揭露第一实施例的一显示设备的剖面图。第一实施例的显示设备1包括一第一基板10、一第二基板20与第一基板10对应设置、位于两基板间的一显示面板单元DU、一间隙体(spacing body)30设置于第一基板10与第二基板20之间且对应两基板的外围、一硅烷化合物(silane compound)40至少设置于间隙体30与第一基板10之间并接触第一基板10的下表面103a。其中第一基板10和第二基板20系沿一第一方向D1(例如Z方向)对应设置，间隙体30于第一方向D1上具有一第一厚度t1，硅烷化合物40在间隙体30与第一基板10之间于第一方向D1上系具有一第二厚度t2，第二厚度t2小于第一厚度t1，如图1所示。
一实施例中，显示面板单元DU系设置于第二基板20上方，其中间隙体30系包围显示面板单元DU。在一实施例中，间隙体30包围显示面板单元DU可代表间隙体30至少包围显示面板单元DU的显示区，但本揭露不限于此，在其他实施例中，间隙体30可包围显示面板单元DU的外围区。一实施例中，硅烷化合物40至少形成于间隙体30的上表面302b。
一实施例中，一显示面板单元DU系包括一薄膜晶体管组件(TFT array)50设置于第二基板20的上方，以及一显示单元(display unit)60设置于薄膜晶体管组件50上方。因此，本实施例的基板显示区周围系设置有间隙体30与硅烷化合物40，其中间隙体30与至少形成于间隙体30的上表面302b的硅烷化合物40系包围显示面板单元DU。藉由硅烷化合物40的固化(curing，例如以雷射快速低温固化)可使两基板结合，而产生一封闭空间阻挡水气侵入显示设备而破坏显示面板单元DU。换句话说，第一基板10与第二基板20系藉由间隙体30与硅烷化合物40而封装。其中，显示单元60例如可包含液晶(liquid crystal，LC)、有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)、量子点(quantum dot，QD)、荧光分子(fluorescence molecule)、磷光分子(phosphor)、发光二极管(light-emitting diode，LED)、微发光二极管(micro light-emitting diode，micro LED)或其他显示介质，但本揭露并不以此为限。一实施例中，显示单元60例如是包括有机发光二极管，而实施例的间隙体30与硅烷化合物40的结构可作为有机发光二极管组件的封装(encapsulation)结构，有效阻挡水气及氧气进入破坏有机发光二极管组件，而可延长显示设备的使用寿命。
实施例中，设置于第二基板20上方的显示面板单元DU其薄膜晶体管组件50可具有多个薄膜晶体管、多个扫描线、多个数据线、多个电极、多个被动组件(例如电容、电阻等)、配向层或多个驱动线路等结构，但本揭露不以此为限。实施例中，薄膜晶体管组件50可为显示区内的薄膜晶体管组件，也可为外围区的电路设计中的组件。而显示设备的第一基板10例如是一彩色滤光片基板可具有多个彩色滤光片、电极、黑色矩阵、配向层、间隙子或其他保护膜层等结构，但本揭露不以此为限。第一基板10与第二基板中未与实施例的间隙体30和硅烷化合物40相关的组件系于图式中省略，以利清楚显示实施例的内容。
第一基板10例如是包括一第一基材101与一第一缓冲层(buffer layer)103，硅烷化合物40则接触和黏附第一缓冲层103；第二基板10例如是包括一第二基材201与一第二缓冲层203，间隙体30的下表面302a设置于第二缓冲层203上。如图1所示，实施例的硅烷化合物40例如是可利用共价键结附着于间隙体30，或利用氢键等作用力与第一缓冲层103作用，但本揭露并不以此为限。在其他实施例中，硅烷化合物40也可利用其他作用力附着于间隙体30或第一缓冲层103。另外，虽然图式中仅绘示单层无机膜为示例说明，但本揭露并不以此为限，实施例的第一缓冲层103或第二缓冲层203可以是单层结构(例如单层无机膜)、多层结构(例如多层无机膜、或复合层式的多层无机膜)、或由其他阻水氧的材质所形成的单层结构或多层结构，皆属本揭露的应用。第一缓冲层103与第二缓冲层203至少其中一者例如是包括氧化物、氮化物、或前述两者材料所形成的多层膜的堆叠结构。
于一实施例中，可在制作薄膜晶体管组件50时一起完成间隙体30的制作，例如利用薄膜晶体管中的第一金属层、第二金属层或绝缘层来同时制作。因此，间隙体30的材料例如是和薄膜晶体管组件50的金属层(例如第一金属层或第二金属层)或绝缘层的材料相同，换句话说，间隙体30的材料是与部分薄膜晶体管组件50的材料相同。在其他实施例中，间隙体30也可以与薄膜晶体管组件50分开制作和另选适合材料，本揭露对此并没特别限制。一实施例中，间隙体30的材料系包括(但不限制于)金属、金属氧化物、金属氮化物、非金属、非金属的氧化物或非金属的氮化物。实施例中，间隙体的材料可具有极低的水气穿透率(Water Vapor Transmission Rate,WVTR)，例如水气穿透率小于1×10-6g/m2/day。
再者，一实施例中，硅烷化合物40系包括一种或多种硅氧烷耦合剂(silanecoupling agent)，其硅氧烷耦合剂具有有机官能基，例如是(但不限制是)包括乙烯基(Vinyl group)、环氧基(Epoxy group)、苯乙烯基(Styryl group)、甲基丙烯酰氧基(Methacryloxy group)、丙烯酰氧基(Acryloxy group)、或氨基(Amino group)。一实施例中，硅氧烷耦合剂例如(但不限制是)包括乙烯基三氯硅烷(Vinyltrichlorosilane)、乙烯基三甲氧基硅烷(Vinyltrimethoxysilane)、乙烯基三乙氧基硅烷(Vinyltriethoxysilane)、2-(3，4-环氧环己基)-乙基三甲氧基硅烷(2-(3,4epoxycyclohexyl)-ethyltrimethoxysilane)、3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷(3-glycidoxypropyl trimethoxysilane)、3-环氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷(3-glycidoxypropyl methyldiethoxysilane)、3-环氧丙氧丙基三乙氧基硅烷(3-glycidoxypropyl triethoxysilane)、p-苯乙烯基三甲氧基硅烷(p-Styryltrimethoxysilane)、3-甲基丙烯酰氧丙基甲基二甲氧基硅烷(3-methacryloxypropyl methyldimethoxysilane)、3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷(3-methacryloxypropyl trimethoxysilane)、3-甲基丙烯酰氧丙基甲基二乙氧基硅烷(3-methacryloxypropyl methyldiethoxysilane)、3-甲基丙烯酰氧丙基三乙氧基硅烷(3-methacryloxypropyl triethoxysilane)、3-丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷(3-acryloxypropyl trimethoxysilane)、N-2(氨乙基)3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷(N-2(aminoethyl)3-amino propylmethyldimethoxysilane)、N-2(氨乙基)3-氨丙基三甲氧基硅烷(N-2(aminoethyl)3-amino propyltrimethoxysilane)、N-2(氨乙基)3-氨丙基三乙氧基硅烷(N-2(aminoethyl)3-amino propyltriethoxysilane)、3-氨丙基三甲氧基硅烷(3-aminopropyl trimethoxysilane)、3-氨丙基三乙氧基硅烷(3-aminopropyltriethoxysilane)、3-三乙氧基甲硅烷基-N-(1，3-二甲基-亚丁基)丙胺(3-triethoxysilyl-N-(1,3dimethyl-butyliden)propylamine)、或N-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷(N-phenyl-3-aminopropyl trimethoxysilane)。实施例中，硅烷化合物40可具有极低的水气穿透率(WVTR)，例如小于1×10-6g/m2/day。
再者，本揭露可应用于可挠性显示设备或非可挠性显示设备，并没有特别限制。因此就可挠性而言，第一基板10与第二基板20可以是可挠性基板、非可挠性基板或两者的组合，皆可应用本揭露。第一基材101与第二基材201例如可分别独立地选自软性基材或刚性基材，例如两基材皆为软性基材、或两基材皆为刚性基材、或是一基材为软性基材另一基材者为刚性基材，皆可应用。
另外，就材料本身而言。实施例中的第一基材101与第二基材201并不特别限制材质，可以是金属、塑料、树脂、玻璃纤维、碳纤维或是其他高分子材料皆可应用。于一实施例中，塑料基材的材料例如是包括聚奈二甲酸二乙酯塑料(PEN，PolyethyleneNaphthalate)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET，polyethyleneterephthalate)、聚碳酸酯(PC，polycarbonate)、聚酰亚胺(PI，polyimide)或聚环烯烃高分子(COP，cycloolefinpolymer)。对于塑料(或高分子)基材而言，使用玻璃胶(Frit)进行封装(需要进行例如约400℃-600℃的雷射熔融固化)时，塑料(或高分子)基材于高温制程下容易产生变形。而应用本揭露的一实施例以对组基板时，可利用雷射对于硅烷化合物40进行快速局部加热，仅需相对低的加热温度(例如约100多度左右)，和相对短的加热时间(例如是大约几秒钟至约10多秒钟的时间)，即可完成固化(curing)和附着，因此可应用的基材材料并没有特别限制，不论是耐高温的基材(例如玻璃)、或是不耐高温的基材(例如塑料)，都可应用本揭露。
实际应用时，基板上各层材料的材质，包括基材101或基材201的材料应可视应用需求而做适当选择，例如依据欲制得的显示设备的可挠性、韧性与刚性的需求而选择适当的上下基材材料，无论是非可挠性的基材(例如厚玻璃)，或是可挠性的基材(例如塑料、薄玻璃或超薄玻璃)，皆可经稍加修饰与变化而应用本揭露的技术手段。第一基材101与第二基材201的材料可以相同或不同，第一基材101与第二基材201的厚度(分别为厚度tS1和tS2)亦可相同或不同，本揭露对此亦无特别限制。于一实施例中，例如第一基材101与第二基材201分别为一玻璃基板；或是第一基材101与第二基材201分别为一塑料基材；或是第一基材101与第二基材201分别为一塑料基材和一玻璃基材，其中玻璃基材可以是具不可挠性的厚玻璃基材或是具可挠性的薄玻璃基材或超薄玻璃基材。
于一实施例中，第一基材101与第二基材201可例如分别为一超薄玻璃基材，此处超薄玻璃基材的厚度例如是大于或等于0.001mm且小于或等于0.2mm，厚度可例如是0.15mm、0.1mm、0.05mm、0.01mm或其他厚度。超薄玻璃基材具有最佳的可挠性(flexibility)与最轻量的特性可作为薄型显示设备及可挠式显示设备的基底材料。于其他实施例中，第一基材101与第二基材201亦可分别为一薄玻璃基材，薄玻璃基材厚度系大于0.2mm且小于或等于0.3mm，厚度可例如是0.3mm、0.25mm或其他厚度。薄玻璃基材具有一般的可挠性(flexibility)与一般轻量特性可作为薄型显示设备及可挠式显示设备的基底材料。于另一实施例中，第一基材101与第二基材201可分别为一厚玻璃基材，厚玻璃基材厚度系大于0.3mm且小于1mm，例如是0.5mm、0.7mm或其他厚度。厚玻璃基材具有较佳的韧性(toughness)及较高的刚性(stiffness)，可符合一般生产机台与流程的需求。在一实施例中，第一基材101与第二基材201可分别为超薄玻璃基材、薄玻璃基材、厚玻璃基材、塑料基材或其他基材的其中一者，第一基材101与第二基材201的材料可不同，第一基材101或第二基材201可以是具不可挠性的基材或是具不可挠性的基材，视情况搭配选用，都可应用本揭露。
根据上述，由于硅烷化合物40是用来提供作用力以结合上下基板，因此厚度不需要太厚，再加上硅烷化合物40相对于间隙体30而言阻挡水气的能力较差，因此本揭露可藉由减小硅烷化合物40的厚度(例如小于1微米)而使显示设备的上下基板能结合且同时具备抗水氧的能力。如图1所示，由于实施例的硅烷化合物40的厚度(例如第二厚度t2)小于间隙体30的厚度(例如第一厚度t1)，因而可大幅度减小水气渗透进入显示设备内部的截面积，而使显示设备达成极低的水气穿透率，例如小于1×10-6g/m2/day。本揭露适用于不同形态的基板，例如不仅适合应用在高温对组的玻璃基板，更适合应用在低温对组的基板例如塑料基板，无高温对组会使塑料基板变形的疑虑。
<第二实施例>
图2系为本揭露第二实施例的一显示设备的剖面图。第一实施例和第二实施例的显示设备1和显示设备2的结构相似，其不同处为第二实施例的显示设备2中硅烷化合物42更设置于间隙体30的侧壁302c并接触第二缓冲层203。两实施例结构中相同和/或相似组件系沿用相同和/或相似标号。因此第二实施例中基板的相关膜层与部件的细节，包括组件/层及其空间安排等，请参照第一实施例的内容，在此不再赘述。
如图2所示，第二实施例的显示设备2同样包括一第一基板10、一第二基板20与第一基板10对应设置、位于两基板间的一显示面板单元DU、一间隙体30设置于第一基板10与第二基板20之间且对应两基板的外围、一硅烷化合物42至少设置于间隙体30与第一基板10之间并接触第一基板10的下表面103a、以及显示面板单元DU，设置于第二基板20上方，其中间隙体30系包围显示面板单元DU。另外，间隙体30的下表面302a设置于第二基板20的一第二缓冲层203上，且硅烷化合物42更设置于间隙体30的上表面302b、至少部分侧壁302c和接触第二缓冲层203。在本实施例中，硅烷化合物42大致上覆盖间隙体30的上表面302b和所有侧壁302c。包覆间隙体30的硅烷化合物42除了附着于第一基板10的一第一缓冲层103，更可附着于第二基板20的第二缓冲层203，以完成紧密连接与封装。藉由硅烷化合物42的固化(例如以雷射快速低温固化)和附着使两基板结合而产生一封闭空间，使显示面板单元DU可较不容易受侵入的水气或氧气的破坏而影响显示设备的使用寿命。如图2所示，硅烷化合物42的下表面422a与间隙体30的下表面302a皆接触或附着于第二缓冲层203，间隙体30的上表面302b与上方的第一缓冲层103之间并没有直接接触而是被硅烷化合物42所隔开。
实施例中，第一缓冲层103与第二缓冲层203可以是单层结构(例如单层无机膜)、复合层式的多层结构(例如多层无机膜、或复合层式的多层无机膜)、或由其他阻水氧的材质所形成的单层结构或多层结构，皆属本揭露的应用。第一缓冲层103与第二缓冲层203至少其中一者例如是包括氧化物、氮化物、或前述两者材料所形成的多层膜的堆叠结构。其他可应用的基材材料、间隙物30与硅烷化合物42的可应用的部分示例材料，请参照第一实施例，在此不再赘述。
于一实施例中，硅烷化合物40(例如上述的硅氧烷耦合剂)可利用例如氢键的方式接触和黏附于第一缓冲层103与第二缓冲层203，硅烷化合物40也可透过其他作用力黏附于第一缓冲层103与第二缓冲层203，本揭露并不限定。图3为本揭露一实施例的一种硅烷化合物与间隙体间作用力的示意图。一实施例中，接触第一缓冲层103(例如包括氮化物)的硅烷化合物40(例如硅氧烷耦合剂)的官能基(例如氨基)系与第一基材101上的第一缓冲层103(例如SiNx)利用例如氢键的方式附着，而硅烷化合物40的材料本身或水解后的OH基系与间隙子30产生例如共价键的方式附着，如图3所示。
图4为图2的间隙体与硅烷化合物的局部放大图。如图4所示，由于实施例的硅烷化合物42的厚度(例如第二厚度t2)小于间隙体30的厚度(例如第一厚度t1)，因而可大幅度减小水气或氧气渗透进入显示设备内部的截面积，进而使显示设备达成极低的水气穿透率。图4中的箭头P系例如为水气渗透路径，实施例中的硅烷化合物42其相对窄小的截面积使水气并不容易渗透进入显示设备内部。
另外，虽然上述实施例的图式中仅绘示单层无机膜为示例说明，但本揭露并不以此为限，实施例的第一缓冲层103与第二缓冲层203可以是单层无机膜、复合层式的多层无机膜、或由其他阻水氧的材质所形成，皆属本揭露的应用。另外，虽然上述实施例的图式中仅绘示硅烷化合物40设置在间隙体30的上表面302b，或是硅烷化合物42设置在间隙体30的上表面302b及所有侧壁302c，但本揭露并不以此为限，实施例的硅烷化合物亦可视情况设置于间隙体30的下表面302a或部分侧壁302c。举例来说，硅烷化合物可设置于间隙体30的至少部分上表面302b、间隙体30的至少部分下表面302a、间隙体30的至少部分侧壁302c或上述情况的任意搭配，皆属本揭露的应用。
综上所述，实施例所提出的显示设备，系包括如上述的间隙体30与硅烷化合物40/42作为封装(encapsulation)结构，应用于封装一显示面板单元(例如薄膜晶体管组件以及显示单元)时，可有效阻挡水气或氧气进入而破坏显示面板单元。因此本揭露的实施例可做为对水气或氧气含量敏感的有机发光二极管的显示设备的封装结构，有效阻挡水气或氧气进入而破坏有机发光二极管组件，其水气穿透率(WVTR)可达到小于1×10-6g/m2/day，进而延长显示设备的使用寿命。再者，实施例可应用于可挠性或非可挠性的显示设备/基板/基材，本揭露对此并没有特别限制；可应用的基材材料亦无特别限制材质，不论是耐高温的玻璃或其他材质的基材、或是不耐高温的塑料或其他材质的基材，都可应用本揭露。因此本揭露可应用的显示设备态样十分广泛，尤其十分适合应用于需低温对组的基板例如塑料基板，而无高温对组会使塑料基板变形的疑虑。因此实施例的封装结构设计可使应用的显示设备达高产品良率，进而使应用的显示设备达到稳定优异的显示质量，且制程简易，适合量产。
其他实施例，例如组件的已知构件有不同的设置与排列等，亦可能可以应用，系视应用时的实际需求与条件而可作适当的调整或变化。因此，说明书与图式中所示的结构仅作说明之用，并非用以限制本揭露欲保护的范围。另外，相关技艺者当知，实施例中构成部件的形状和位置亦并不限于图标所绘的态样，亦是根据实际应用时的需求和/或制造步骤在不悖离本揭露的精神的情况下而可作相应调整。
综上所述，虽然本揭露已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本揭露。本揭露所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本揭露的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本揭露的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (10)

1.一种显示设备，包括：
一第一基板；
一第二基板，与该第一基板对应设置；
一间隙体，设置于该第一基板与该第二基板之间并对应于该第一基板与该第二基板的外围；
一硅烷化合物，至少设置于该间隙体与该第一基板之间并接触该第一基板的下表面；以及
一显示面板单元，设置于该第二基板上方，其中该间隙体包围该显示面板单元。
2.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第一基板和该第二基板沿一第一方向对应设置，该间隙体于该第一方向上具有一第一厚度，该硅烷化合物在该间隙体与该第一基板之间于该第一方向上具有一第二厚度，该第二厚度小于该第一厚度。
3.如权利要求2所述的显示设备，其特征在于，该第二厚度小于1微米。
4.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第一基板更包括一第一缓冲层，该硅烷化合物与该第一缓冲层接触。
5.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第二基板更包括一第二缓冲层，该间隙体的下表面设置于该第二缓冲层上。
6.如权利要求5所述的显示设备，其特征在于，该硅烷化合物更设置于该间隙体的侧壁并接触该第二缓冲层。
7.如权利要求5所述的显示设备，其特征在于，该第一缓冲层或该第二缓冲层为多层结构。
8.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该显示面板单元包括一薄膜晶体管组件设置于该第二基板上方，以及一显示单元设置于该薄膜晶体管组件上方。
9.如权利要求8所述的显示设备，其特征在于，该间隙体的材料与部分该薄膜晶体管组件的材料相同。
10.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该硅烷化合物为硅氧烷耦合剂。
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