CN108735580A - 一种半导体芯片生产用物理气相沉积装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种半导体芯片生产用物理气相沉积装置，包括支撑座、连接框、放置框、第一洗涤仓和内壳，所述支撑座的上端设置有支撑架，所述连接框固定在液压缸的下端，且连接框的内侧设置有第一电机，并且连接框的下端安装有挡板，所述第一电机的下端设置转轴，所述放置框的外侧预留有透水孔，所述第一洗涤仓安装在支撑架的内侧底端，所述内壳安装在外壳的内端，所述旋转块的下端安装有第二电机，且第二电机的外侧设置有防水罩，所述集水箱的顶端两侧预留有凹槽。该半导体芯片生产用物理气相沉积装置在运行时，通过液压缸的伸缩提高了对半导体芯片的清洗速度，而且分开洗涤对于清洗的效果也得到了提高，操作简单，节省了人力。

Description

一种半导体芯片生产用物理气相沉积装置
技术领域
本发明涉及半导体芯片生产加工技术领域，具体为一种半导体芯片生产用物理气相沉积装置。
背景技术
物理气相沉积是技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。
然而，现在现有的半导体芯片生产用物理气相沉积装置，在半导体芯片时，多采用真空蒸镀的方法，真空蒸镀前需要对半导体芯片进行清洗，现有的设备在清洗时清洗不干净，手工清洗麻烦，效率低，影响生产的进度，针对上述问题，急需在原有的半导体芯片生产用物理气相沉积装置上进行创新设计。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体芯片生产用物理气相沉积装置，以解决上述背景技术中提出半导体芯片生产用物理气相沉积装置清洗不干净和效率低的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体芯片生产用物理气相沉积装置，包括支撑座、连接框、放置框、第一洗涤仓和内壳，所述支撑座的上端设置有支撑架，且支撑架的顶端安装有丝杆，并且丝杆的前端面设置有液压缸，所述连接框固定在液压缸的下端，且连接框的内侧设置有第一电机，并且连接框的下端安装有挡板，所述第一电机的下端设置转轴，且转轴的底端固定有放置框，所述放置框的外侧预留有透水孔，且放置框的内侧固定有隔板，所述第一洗涤仓安装在支撑架的内侧底端，且第一洗涤仓的一端设置有第二洗涤仓，并且第二洗涤仓的外侧设置有外壳，所述内壳安装在外壳的内端，且内壳的中间下端安装有旋转块，并且旋转块的两侧下端安装有转轮，所述旋转块的下端安装有第二电机，且第二电机的外侧设置有防水罩，并且第二电机安装在集水箱的内侧顶端，所述集水箱的顶端两侧预留有凹槽。
优选的，所述液压缸滑动的距离与第一洗涤仓和第二洗涤仓之间的距离相等。
优选的，所述隔板等间距分布在放置框内部，且隔板所隔开的空间和透水孔相对应。
优选的，所述第一洗涤仓和第二洗涤仓的大小相等，且第一洗涤仓的长度和挡板的长度相等。
优选的，所述外壳的高度大于内壳的高度，且外壳和内壳之间的距离和凹槽相对应，并且凹槽的形状设计为半圆形。
优选的，所述内壳的底端中心轴对称设置有2个大小相等的转轮。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：该半导体芯片生产用物理气相沉积装置在运行时，通过液压缸的伸缩提高了对半导体芯片的清洗速度，而且分开洗涤对于清洗的效果也得到了提高，操作简单，节省了人力，丝杆的作用，方便液压缸在丝杆上移动，便于带动放置槽移动到合适的洗涤仓进行清洗，第一洗涤仓的作用，将洗涤剂倒进去，便于洗涤半导体芯片的脏污，第二洗涤仓的作用，方便冲刷半导体芯片上留下的脏污和泡沫，达到二次清洗效果，便于接下来的流程进行，转轮的作用，辅助内壳运转，同时起到支撑的作用。
附图说明
图1为本发明正视结构示意图；
图2为本发明第一洗涤仓俯视结构示意图；
图3为本发明放置框放大结构示意图。
图中：1、支撑座；2、支撑架；3、丝杆；4、液压缸；5、连接框；6、第一电机；7、挡板；8、转轴；9、放置框；10、透水孔；11、隔板；12、第一洗涤仓；13、第二洗涤仓；14、外壳；15、内壳；16、旋转块；17、转轮；18、第二电机；19、防水罩；20、凹槽；21、集水箱。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-3，本发明提供一种技术方案：一种半导体芯片生产用物理气相沉积装置，包括支撑座1、支撑架2、丝杆3、液压缸4、连接框5、第一电机6、挡板7、转轴8、放置框9、透水孔10、隔板11、第一洗涤仓12、第二洗涤仓13、外壳14、内壳15、旋转块16、转轮17、第二电机18、防水罩19、凹槽20和集水箱21，支撑座1的上端设置有支撑架2，且支撑架2的顶端安装有丝杆3，并且丝杆3的前端面设置有液压缸4，连接框5固定在液压缸4的下端，且连接框5的内侧设置有第一电机6，并且连接框5的下端安装有挡板7，第一电机6的下端设置转轴8，且转轴8的底端固定有放置框9，放置框9的外侧预留有透水孔10，且放置框9的内侧固定有隔板11，第一洗涤仓12安装在支撑架2的内侧底端，且第一洗涤仓12的一端设置有第二洗涤仓13，并且第二洗涤仓13的外侧设置有外壳14，内壳15安装在外壳14的内端，且内壳15的中间下端安装有旋转块16，并且旋转块16的两侧下端安装有转轮17，旋转块16的下端安装有第二电机18，且第二电机18的外侧设置有防水罩19，并且第二电机18安装在集水箱21的内侧顶端，集水箱21的顶端两侧预留有凹槽20。
液压缸4滑动的距离与第一洗涤仓12和第二洗涤仓13之间的距离相等，方便液压缸4在丝杆3上进行左右移动，带动放置框9在合适的仓内进行清洗，
隔板11等间距分布在放置框9内部，且隔板11所隔开的空间和透水孔10相对应，方便将隔板11上的半导体芯片进行清洗，同时减小半导体芯片的碰撞，避免造成损坏，
第一洗涤仓12和第二洗涤仓13的大小相等，且第一洗涤仓12的长度和挡板7的长度相等，方便将挡板7伸进第一洗涤仓12，进行清洗，
外壳14的高度大于内壳15的高度，且外壳14和内壳15之间的距离和凹槽20相对应，并且凹槽20的形状设计为半圆形，方便避免在清洗时，水溅到第一洗涤仓12和第二洗涤仓13的外侧，同时凹槽20的实际减小水在内壳15下面积存，
内壳15的底端中心轴对称设置有2个大小相等的转轮17，有利于增加内壳15在转动时的平衡性，同时起到辅助支撑作用。
工作原理：该设备在运行时，首先将半导体芯片放置到放置框9内的隔板11上，隔板11将放置框9分隔几个区域，并且每个区域都有相对应透水孔10，既能减小半导体芯片在洗涤时的碰撞，同时不影响洗涤的效果，往第一洗涤仓12和第二洗涤仓13内注水，同时第一洗涤仓12加入洗涤剂，通过丝杆3调节液压缸4的位置，使液压缸4的中心对着第一洗涤仓12的中心，往下伸缩，运行第一电机6，第一电机6带动放置框9旋转，同时运行第一洗涤仓12下的第二电机18，第二电机18带动第一洗涤仓12朝相反的方向运转，对放置框9内的半导体芯片进行清洗，同时隔板11减小水外溅，第一洗涤仓12完毕，升起液压缸4，液压缸4带动放置框9上升，通过丝杆3右移液压缸4，使液压缸4的中心和第二洗涤仓13的中心相对，同时将放置框9伸进第二洗涤仓13，通过清水对半导体芯片进行二次清洗，洗涤完毕，将半导体芯片取出，通过电磁阀出口将水放置集水箱21，凹槽20的设计减小水流到内壳15底部积存。
最后应当说明的是，以上内容仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，本领域的普通技术人员对本发明的技术方案进行的简单修改或者等同替换，均不脱离本发明技术方案的实质和范围。

Claims (6)

1.一种半导体芯片生产用物理气相沉积装置，包括支撑座(1)、连接框(5)、放置框(9)、第一洗涤仓(12)和内壳(15)，其特征在于：所述支撑座(1)的上端设置有支撑架(2)，且支撑架(2)的顶端安装有丝杆(3)，并且丝杆(3)的前端面设置有液压缸(4)，所述连接框(5)固定在液压缸(4)的下端，且连接框(5)的内侧设置有第一电机(6)，并且连接框(5)的下端安装有挡板(7)，所述第一电机(6)的下端设置转轴(8)，且转轴(8)的底端固定有放置框(9)，所述放置框(9)的外侧预留有透水孔(10)，且放置框(9)的内侧固定有隔板(11)，所述第一洗涤仓(12)安装在支撑架(2)的内侧底端，且第一洗涤仓(12)的一端设置有第二洗涤仓(13)，并且第二洗涤仓(13)的外侧设置有外壳(14)，所述内壳(15)安装在外壳(14)的内端，且内壳(15)的中间下端安装有旋转块(16)，并且旋转块(16)的两侧下端安装有转轮(17)，所述旋转块(16)的下端安装有第二电机(18)，且第二电机(18)的外侧设置有防水罩(19)，并且第二电机(18)安装在集水箱(21)的内侧顶端，所述集水箱(21)的顶端两侧预留有凹槽(20)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产用物理气相沉积装置，其特征在于：所述液压缸(4)滑动的距离与第一洗涤仓(12)和第二洗涤仓(13)之间的距离相等。
3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产用物理气相沉积装置，其特征在于：所述隔板(11)等间距分布在放置框(9)内部，且隔板(11)所隔开的空间和透水孔(10)相对应。
4.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产用物理气相沉积装置，其特征在于：所述第一洗涤仓(12)和第二洗涤仓(13)的大小相等，且第一洗涤仓(12)的长度和挡板(7)的长度相等。
5.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产用物理气相沉积装置，其特征在于：所述外壳(14)的高度大于内壳(15)的高度，且外壳(14)和内壳(15)之间的距离和凹槽(20)相对应，并且凹槽(20)的形状设计为半圆形。
6.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产用物理气相沉积装置，其特征在于：所述内壳(15)的底端中心轴对称设置有2个大小相等的转轮(17)。
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