CN108732638B - 离子通道路径系统的校正检测方法 - Google Patents
离子通道路径系统的校正检测方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108732638B CN108732638B CN201810483319.2A CN201810483319A CN108732638B CN 108732638 B CN108732638 B CN 108732638B CN 201810483319 A CN201810483319 A CN 201810483319A CN 108732638 B CN108732638 B CN 108732638B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- path system
- ion channel
- channel path
- ion
- plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
- G01V8/00—Prospecting or detecting by optical means
- G01V8/10—Detecting, e.g. by using light barriers
- G01V8/20—Detecting, e.g. by using light barriers using multiple transmitters or receivers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Geophysics (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
本发明提供了一种离子通道路径系统的校正检测方法,所述离子通道路径系统的校正检测方法包括:从离子通道路径系统的一端的多个设置点发射激光,在所述离子通道路径系统的另一端的多个对应点处检测所述激光,若检测到所述激光被接收,则离子通道路径系统校正成功,若检测到所述激光未被接收,则离子通道路径系统校正失败。
Description
技术领域
本发明涉及离子注入技术领域,特别涉及一种离子通道路径系统的校正检测方法。
背景技术
离子注入机有其独特的离子通道路径系统,起到一个加、减速和衔接的作用。离子经过质量分析,偏转后通过具有加/减速功能的离子通道路径系统。为将离子加速或减速到指定能量,离子通道路径系统具有一定长度,甚至可达4米。若不能及时有效的发现离子通道路径系统的异常状况,如其中某个电极变形,石墨脱落等备件异常导致通道部分被挡住或安装不水平的现象,则离子束流无法有效通过离子通道路径系统,离子通道路径系统是否保持畅通和水平是能否获得满足工艺条件的离子束流的关键。
发明内容
本发明的目的在于提供一种离子通道路径系统的校正检测方法,以实现离子通道路径系统保持畅通。
为解决上述技术问题,本发明提供一种离子通道路径系统的校正检测方法,所述离子通道路径系统的校正检测方法包括:
从离子通道路径系统的一端的多个设置点发射激光,在所述离子通道路径系统的另一端的多个对应点处检测所述激光,若检测到所述激光被接收,则离子通道路径系统校正成功,若检测到所述激光未被接收,则离子通道路径系统校正失败。
可选的,在所述的离子通道路径系统的校正检测方法中,一离子发射装置与所述离子通道路径系统相连的平面为第一平面,多个所述设置点均位于所述第一平面上,一离子接收装置与所述离子通道路径系统相连的平面为第二平面,多个所述对应点均位于所述第二平面上。
可选的,在所述的离子通道路径系统的校正检测方法中,所述离子通道路径系统包括离子通道路径系统本体,所述激光沿所述离子通道路径系统本体的轴向穿过所述离子通道路径系统本体,所述第一平面和所述第二平面均垂直于所述离子通道路径系统本体的轴向。
可选的,在所述的离子通道路径系统的校正检测方法中,所述设置点的数量等于所述对应点的数量,且每个所述设置点和一个所述对应点能够通过所述离子通道路径系统本体的轴向相连接。
可选的,在所述的离子通道路径系统的校正检测方法中,所述离子发射装置和所述离子接收装置均包括偏转磁场。
可选的,在所述的离子通道路径系统的校正检测方法中,所述离子发射装置包括第一盖板,从离子通道路径系统的一端的多个设置点发射激光时,打开所述第一盖板,所述激光通过所述第一盖板穿过所述离子发射装置。
可选的,在所述的离子通道路径系统的校正检测方法中,所述离子发射装置还包括第二盖板,所述第二盖板位于所述第一平面上,所述第二盖板上具有第一开口。
可选的,在所述的离子通道路径系统的校正检测方法中,所述离子接收装置还包括第三盖板,所述第三盖板位于所述第二平面上,所述第三盖板上具有第二开口。
可选的,在所述的离子通道路径系统的校正检测方法中,所述设置点和所述对应点的数量均为5个,其中,一个所述设置点位于所述第一开口的中心、四个所述设置点分别位于所述第一开口的边缘,一个所述对应点位于所述第二开口的中心、四个所述对应点分别位于所述第二开口的边缘。
可选的,在所述的离子通道路径系统的校正检测方法中,所述第一开口和所述第二开口的直径小于所述离子通道路径系统本体的直径。
在本发明提供的离子通道路径系统的校正检测方法中,通过多点式的激光校正检测方法,能有效发现离子通道路径系统的异常状况,如其中某个电极变形,石墨脱落等备件异常导致通道部分被挡住或安装不水平的现象。从离子通道路径系统的一端的多个设置点发射激光,在所述离子通道路径系统的另一端的多个对应点处检测所述激光,若检测到所述激光被接收,则离子通道路径系统校正成功,若检测到所述激光未被接收,则离子通道路径系统校正失败。即将多点式激光校正器的发射部分和接收部分分别放置在离子通道路径系统两端,如果发射部分发出的激光能到达接受部分相应位置,说明离子通道路径系统畅通并水平。反之,则有异常。
另外,使用离子注入机原有的离子发射装置和离子接收装置的两支架分别固定五点式激光校正器的发射部分和接收部分,做简单校正保持激光水平。
进一步的,本发明提出了5点式的激光校正检测方法,中心点加上可调节的边缘4点,相应的五点式激光校正器的发射部分和接收部分分别有可调节5孔,且由于第一开口的直径小于所述离子通道路径系统本体的直径,可以防止校正结果出现误差。
附图说明
图1是本发明一实施例离子注入机示意图;
图2~3是本发明一实施例离子通道路径系统的校正检测方法示意图;
图4~5是本发明一实施例离子通道路径系统本体示意图;
图6是本发明一实施例离子通道路径系统的四极聚焦镜及其等效电路示意图;
图中所示:10-离子通道路径系统;11-离子通道路径系统本体;12-线性加速桶;13-四极聚焦镜;20-离子发射装置;21-第一盖板;22-第二盖板;30-离子接收装置;31-第三盖板;40-偏转磁场。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的离子通道路径系统的校正检测方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明的核心思想在于提供一种离子通道路径系统的校正检测方法,以实现离子通道路径系统保持畅通。
为实现上述思想,本发明提供了一种离子通道路径系统的校正检测方法,所述离子通道路径系统的校正检测方法包括:从离子通道路径系统的一端的多个设置点发射激光,在所述离子通道路径系统的另一端的多个对应点处检测所述激光,若检测到所述激光被接收,则离子通道路径系统校正成功,若检测到所述激光未被接收,则离子通道路径系统校正失败。
本实施例提供一种离子通道路径系统10的校正检测方法,如图1~3所示,所述离子通道路径系统10的校正检测方法包括:从离子通道路径系统10的一端的多个设置点(例如,如图3中的1、2、3、4、5)发射激光,在所述离子通道路径系统10的另一端的多个对应点(也如图3中的1、2、3、4、5)处检测所述激光,若检测到所述激光被接收,则离子通道路径系统10校正成功,若检测到所述激光未被接收,则离子通道路径系统10校正失败。所述离子通道路径系统10位于一离子注入机中。
具体的,在所述的离子通道路径系统10的校正检测方法中,一离子发射装置20与所述离子通道路径系统10相连的平面为第一平面,多个所述设置点均位于所述第一平面上,一离子接收装置30与所述离子通道路径系统10相连的平面为第二平面,多个所述对应点均位于所述第二平面上。
如图4所示,在所述的离子通道路径系统10的校正检测方法中,所述离子通道路径系统10包括离子通道路径系统本体11,所述激光沿所述离子通道路径系统本体11的轴向穿过所述离子通道路径系统本体11,所述第一平面和所述第二平面均垂直于所述离子通道路径系统本体11的轴向。所述设置点的数量等于所述对应点的数量,且每个所述设置点和一个所述对应点能够通过所述离子通道路径系统本体11的轴向相连接。
如图1、4~6所示,所述离子通道路径系统10还包括线性加速桶12和四极聚焦镜13,线性加速桶的等效电路为一个电阻、一个电容和一个电感串联。
如图1~2所示,所述离子发射装置20和所述离子接收装置30均包括偏转磁场40,所述离子发射装置20包括第一盖板21,从离子通道路径系统10的一端的多个设置点发射激光时,打开所述第一盖板21,所述激光通过所述第一盖板21穿过所述离子发射装置20,并进一步发射至离子通道路径系统10。所述离子发射装置20还包括第二盖板22,所述第二盖板22位于所述第一平面上,所述第二盖板22上具有第一开口。所述离子接收装置30还包括第三盖板31,所述第三盖板31位于所述第二平面上,所述第三盖板31上具有第二开口。所述设置点和所述对应点的数量均为5个,其中,一个所述设置点位于所述第一开口的中心(即图3中的点“3”)、四个所述设置点分别位于所述第一开口的边缘(即图3中的点“1”、“2”、“4”和“5”),一个所述对应点位于所述第二开口的中心(即图3中的点“3”)、四个所述对应点分别位于所述第二开口的边缘(即图3中的点“1”、“2”、“4”和“5”)。所述第一开口和所述第二开口的直径(即点“2”至点“4”的距离)小于所述离子通道路径系统本体11的直径。
在本发明提供的离子通道路径系统10的校正检测方法中,通过多点式的激光校正检测方法,能有效发现离子通道路径系统10的异常状况,如其中某个电极变形,石墨脱落等备件异常导致通道部分被挡住或安装不水平的现象。从离子通道路径系统10的一端的多个设置点发射激光,在所述离子通道路径系统10的另一端的多个对应点处检测所述激光,若检测到所述激光被接收,则离子通道路径系统10校正成功,若检测到所述激光未被接收,则离子通道路径系统10校正失败。即将多点式激光校正器的发射部分和接收部分分别放置在离子通道路径系统10两端,如果发射部分发出的激光能到达接受部分相应位置,说明离子通道路径系统10畅通并水平。反之,则有异常。
另外,使用离子注入机原有的离子发射装置20和离子接收装置30的两支架分别固定五点式激光校正器的发射部分和接收部分,做简单校正保持激光水平。
进一步的,本发明提出了5点式的激光校正检测方法,中心点加上可调节的边缘4点,相应的五点式激光校正器的发射部分和接收部分分别有可调节5孔,且由于第一开口的直径小于所述离子通道路径系统本体11的直径,可以防止校正结果出现误差。
本发明提出了5点式的激光校正检测方法,是激光先检测离子通道路径系统是否通畅,如果不通畅,则检查离子通道路径系统内元件,等到解决问题后,再通过本发明的校正检测方法进行复查检测,如果通畅就完成。
就离子通道路径系统来说,本方法具有广泛的意义。在本实施例中,是以“S”型离子通道路径系统来检测,只有一个通道需要检测;在另一实施例中,还有”U”离子通道路径系统,则一个通道需要分2次来检测,分别通过本发明的激光校正检测方法来检测U型离子通道路径系统的两侧边。
综上,上述实施例对离子通道路径系统的校正检测方法的不同方案进行了详细说明,当然,本发明包括但不局限于上述实施中所列举的方案,任何在上述实施例提供的方案基础上进行变换的内容,均属于本发明所保护的范围。本领域技术人员可以根据上述实施例的内容举一反三。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述,并非对本发明范围的任何限定,本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰,均属于权利要求书的保护范围。
Claims (7)
1.一种离子通道路径系统的校正检测方法,其特征在于,所述离子通道路径系统的校正检测方法包括:
从离子通道路径系统的一端的多个设置点发射激光,在所述离子通道路径系统的另一端的多个对应点处检测所述激光,若检测到所述激光被接收,则离子通道路径系统校正成功,若检测到所述激光未被接收,则离子通道路径系统校正失败;
一离子发射装置与所述离子通道路径系统相连的平面为第一平面,多个所述设置点均位于所述第一平面上,一离子接收装置与所述离子通道路径系统相连的平面为第二平面,多个所述对应点均位于所述第二平面上;
所述离子通道路径系统包括离子通道路径系统本体,所述激光沿所述离子通道路径系统本体的轴向穿过所述离子通道路径系统本体,所述第一平面和所述第二平面均垂直于所述离子通道路径系统本体的轴向;
所述离子发射装置包括第一盖板,从离子通道路径系统的一端的多个设置点发射激光时,打开所述第一盖板,所述激光通过所述第一盖板穿过所述离子发射装置。
2.如权利要求1所述的离子通道路径系统的校正检测方法,其特征在于,所述设置点的数量等于所述对应点的数量,且每个所述设置点和一个所述对应点能够通过所述离子通道路径系统本体的轴向相连接。
3.如权利要求1所述的离子通道路径系统的校正检测方法,其特征在于,所述离子发射装置和所述离子接收装置均包括偏转磁场。
4.如权利要求1所述的离子通道路径系统的校正检测方法,其特征在于,所述离子发射装置还包括第二盖板,所述第二盖板位于所述第一平面上,所述第二盖板上具有第一开口。
5.如权利要求4所述的离子通道路径系统的校正检测方法,其特征在于,所述离子接收装置还包括第三盖板,所述第三盖板位于所述第二平面上,所述第三盖板上具有第二开口。
6.如权利要求5所述的离子通道路径系统的校正检测方法,其特征在于,所述设置点和所述对应点的数量均为5个,其中,一个所述设置点位于所述第一开口的中心、四个所述设置点分别位于所述第一开口的边缘,一个所述对应点位于所述第二开口的中心、四个所述对应点分别位于所述第二开口的边缘。
7.如权利要求6所述的离子通道路径系统的校正检测方法,其特征在于,所述第一开口和所述第二开口的直径小于所述离子通道路径系统本体的直径。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810483319.2A CN108732638B (zh) | 2018-05-18 | 2018-05-18 | 离子通道路径系统的校正检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810483319.2A CN108732638B (zh) | 2018-05-18 | 2018-05-18 | 离子通道路径系统的校正检测方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108732638A CN108732638A (zh) | 2018-11-02 |
CN108732638B true CN108732638B (zh) | 2020-07-17 |
Family
ID=63938607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810483319.2A Active CN108732638B (zh) | 2018-05-18 | 2018-05-18 | 离子通道路径系统的校正检测方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108732638B (zh) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN202693661U (zh) * | 2012-06-27 | 2013-01-23 | 中国科学院动物研究所 | 一种检测细胞通道电流的装置 |
JP2013152860A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | イオンビーム計測装置、イオンビーム計測方法、及びイオン注入装置 |
CN104576275A (zh) * | 2013-10-24 | 2015-04-29 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种离子注入机的均匀性校正控制系统 |
CN105698687A (zh) * | 2016-04-12 | 2016-06-22 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 飞秒激光等离子体通道长度的测量装置与方法 |
WO2017158534A1 (en) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | Dh Technologies Development Pte. Ltd. | Systems and methods for multi-channel differential mobility spectrometry |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102252626B (zh) * | 2011-06-24 | 2013-02-13 | 中冶建筑研究总院有限公司 | 一种管道有效内径的检测装置 |
CN202171445U (zh) * | 2011-06-24 | 2012-03-21 | 中冶建筑研究总院有限公司 | 一种管道有效内径的检测装置 |
-
2018
- 2018-05-18 CN CN201810483319.2A patent/CN108732638B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013152860A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | イオンビーム計測装置、イオンビーム計測方法、及びイオン注入装置 |
CN202693661U (zh) * | 2012-06-27 | 2013-01-23 | 中国科学院动物研究所 | 一种检测细胞通道电流的装置 |
CN104576275A (zh) * | 2013-10-24 | 2015-04-29 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种离子注入机的均匀性校正控制系统 |
WO2017158534A1 (en) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | Dh Technologies Development Pte. Ltd. | Systems and methods for multi-channel differential mobility spectrometry |
CN105698687A (zh) * | 2016-04-12 | 2016-06-22 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 飞秒激光等离子体通道长度的测量装置与方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108732638A (zh) | 2018-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101015033B (zh) | 测量垂直扫描束或带状束平面的束角和散度的装置和方法 | |
US10269549B2 (en) | Time of flight mass spectrometer | |
US5933211A (en) | Charged beam lithography apparatus and method thereof | |
US7435977B2 (en) | Ion beam angle measurement systems and methods for ion implantation systems | |
CN109216143A (zh) | 带电粒子束装置和对样本进行成像或照明的方法件 | |
US10354835B2 (en) | Ion implanter, ion beam irradiated target, and ion implantation method | |
US9564292B2 (en) | Ion beam measuring device and method of measuring ion beam | |
TWI732305B (zh) | 帶電粒子射束設備、場曲校正器、及操作帶電粒子射束設備的方法 | |
JP5415083B2 (ja) | イオン注入システムのための多様な角度のスロットアレーを用いたイオンビームの角度測定システムおよび方法 | |
CN102460629A (zh) | 在不利条件下执行均匀的剂量注入的系统和方法 | |
US10205937B2 (en) | Controlling lens misalignment in an imaging system | |
US6525327B1 (en) | Ion implanter and beam stop therefor | |
EP1221172A1 (en) | Determining beam alignment in ion implantation using rutherford back scattering | |
CN108732638B (zh) | 离子通道路径系统的校正检测方法 | |
EP2566305B1 (en) | Charged particle accelerator and charged particle acceleration method | |
TW202226312A (zh) | 具對比校正透鏡系統之多粒子束系統 | |
US10222400B2 (en) | Beam current measuring device and charged particle beam irradiation apparatus | |
US9263230B2 (en) | Method for transmitting a broadband ion beam and ion implanter | |
CN110137067B (zh) | 离子注入装置及测定装置 | |
JP2014089953A (ja) | 粒子ビーム・カラムと一体のリターディング電界型分析器 | |
US11217421B2 (en) | Adjustment method and electron beam device | |
TW202027120A (zh) | 離子植入裝置及測定裝置 | |
WO2013098611A1 (en) | High resolution time-of-flight mass spectrometer | |
EP3979296A2 (en) | Method and system for correcting two-fold, fifth-order parasitic aberrations in charged particle systems | |
US20020125441A1 (en) | Methods and apparatus for determining blur of an optical system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |