CN108698401B - 流体喷射装置、流体喷射芯片及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种流体喷射芯片包括衬底，该衬底包括喷嘴的阵列。

Description

流体喷射装置、流体喷射芯片及其制造方法

背景技术

例如打印头芯片之类的流体喷射芯片由衬底和薄膜层构成。薄膜层被设置在衬底上，并且可以包括至少一个腔室层和具有喷嘴的喷嘴板。例如热电阻器之类的致动器被设置在腔室层的喷射腔室中，以通过喷嘴将流体从腔室中喷出。衬底被掺杂，并且薄膜电路在整个薄膜层中图案化。

柔性电路可以围绕或紧邻芯片延伸，以连接到芯片的接合焊盘。该柔性电路可以将电连接路由到例如控制器之类的另一打印机电路。在典型的打印头中，柔性电路和芯片之间的电连接的一部分被设置在芯片的头侧上，例如使用靠近衬底的边缘的接合焊盘。

流体供应槽穿过衬底延伸。这些流体供应槽将流体供应到薄膜层中的通道和腔室。通道可包括歧管，以将流体供应槽流体连接到各个喷射腔室。在流体喷射期间，流体流过这些槽、歧管通道，并进入到喷射腔室中。热电阻器加热腔室中的流体，从而形成蒸汽泡，这些蒸汽泡将流体从喷嘴中推出。喷嘴板可以具有保护涂层，以防止机械或化学损伤，例如来自墨、结皮墨(crusted ink)、维修、擦拭等的损伤。

附图说明

图1图示了流体喷射芯片的一个示例的示图。

图2图示了流体喷射装置的一个示例的示图。

图3图示了流体喷射芯片的一个示例的一部分的透视图。

图4图示了图3的示例性流体喷射芯片的一部分的不同的局部剖视的透视图。

图5图示了图3和图4的示例性流体喷射芯片的一部分的局部剖视的顶视图。图5A示出了直列式歧管通道和腔室之间的连接关系。

图6图示了图3-5的示例性流体喷射芯片的流体路径和电阻器的侧视图。

图7-10图示了包括电阻器和喷嘴的液滴发生器的不同的示例性构型的示图。

图11图示了制造流体喷射芯片的方法。

图12图示了用于制造流体喷射芯片的晶片和薄膜层的示例。

图13图示了在后面的制造阶段中的图12的示例性晶片和薄膜层。

图14图示了处于封装件中的流体喷射芯片的一个示例的示图。

具体实施方式

本申请教导具有倒置结构的流体喷射芯片。图1图示了流体喷射芯片1的一个示例的示图。在一个示例中，该流体喷射芯片是MEMS(微机电系统，Micro-ElectromechanicalSystem)。芯片1包括衬底3和至少一个薄膜层5。该至少一个薄膜层5被设置在衬底3上。该至少一个薄膜层5可以是包括薄膜电路和流体通道的薄膜层堆叠，从而形成MEMS。在一个示例中，衬底3包括硅，并且所述至少一个薄膜层5包括SU8、电介质、聚酰胺、金属或其他聚合物材料。

衬底3包括喷墨喷嘴7的喷嘴阵列。薄膜层5包括流体通道，其包括喷射腔室9。喷射腔室9流体连接到喷嘴7。薄膜层5包括流体喷射电路。该流体喷射电路包括薄膜流体喷射致动器11，以通过喷嘴7从外部喷射流体。致动器11被设置在腔室9中、喷嘴7的上游。在每个腔室9中设置至少一个致动器11。至少一个致动器11与每个喷嘴7相关联。所述流体喷射电路还可以包括连接到致动器11的电驱动电路，例如火线等。如流体流动方向13和流体滴15所示，流体通过衬底3中的喷嘴7从所述至少一个薄膜层5中的流体腔室9和/或通道被喷射。

不同的效果可以与这样的流体喷射芯片1相关联，其中，衬底3被设置在所述至少一个薄膜层5的下游。在一个示例中，芯片1的电接合焊盘或接触件可以被设置在与头表面(head surface)19相对的衬底3的上游侧17处。由此，可以阻止从头表面19突出的电接触件或电路。而且，由于衬底3可以代替薄膜层形成喷嘴板，因此与由薄膜层堆叠形成的头表面相比，这种新型喷嘴板可以有利于相对平坦的流体喷射芯片的头表面19。因此，头表面19可以是相对平坦的，这是由于以下原因中的一者或两者，即：(i)不存在从头表面突出的电互连部件；以及(ii)可以作为喷嘴板表面的硅衬底。

另一个示例性效果是衬底3作为防护件，例如用于它之后的薄膜电路，该防护件例如在头表面上需要很少或不需要附加的层来保护它，但是也可以出于不同的原因提供保护涂层。在其中衬底3主要由硅构成的示例中，衬底3针对例如墨之类的所喷射流体的潜在负面化学影响可以是相对坚固耐用的，而不需要附加的涂层。而且，衬底3可以提供相对耐热的喷嘴板，这可以有利于在相对热的环境中起作用。在一个示例中，衬底喷嘴板可以是比SU8薄膜喷嘴板更耐热的。在另一个示例中，由硅衬底3形成的头表面可以固有地是针对机械处理强健的，所述机械处理例如诸如擦拭之类的维修程序等，或者可以是针对喷嘴带移除更加强健的。例如玻璃之类的其他衬底材料可具有类似的效果。

在一个示例中，衬底3可以是相对薄的衬底3，和/或衬底3。在另一个示例中，与用于产生衬底的原始晶片的原始厚度相比，衬底3可以具有减小的厚度。在一个示例中，较薄的衬底3可以有利于喷嘴的适当深度，以有利于适当的喷嘴功能。作为结果，芯片1也可以相对薄。例如，芯片1的总厚度t可为大约500微米或更小、大约300微米或更小、大约200微米或更小或者大约150微米或更小。在一个示例中，这样的相对薄的芯片1被称为薄条片(sliver)芯片。例如，芯片可以是相对柔性的，并且可能需要用于支撑和/或增强的封装件。

衬底3的厚度t2可以大于薄膜层5的总厚度t1，其中，这些厚度t1、t2的和形成芯片1的总厚度t。在一个示例中，在上游侧17和头表面19之间穿过衬底3形成的每个喷嘴7的深度D大于芯片1的薄膜层堆叠5的总厚度t1。

图2图示了包括流体喷射芯片101的流体喷射装置121的一个示例的示图。流体喷射芯片101可包括参考图1的示例性芯片论述的所有特征。在图2的示例中，芯片101通过例如封装件123之类的承载结构来支撑，或被嵌入该承载结构中。封装件123还嵌入或支撑另外的电子部件125，例如用于芯片101的驱动电路等。芯片101在其衬底103的上游侧117上包括接触件127。该接触件127被线连接到另外的电气部件125，即从上游衬底侧117到部件125，从而阻止例如线路131之类的电互连件从装置121的头表面119突出。所有电互连件可以被衬底103和/或封装件123完全地屏蔽。例如，电互连线路131可以被嵌入封装件123中。接触件127可以被直接设置在衬底103的上游侧117上，例如紧邻薄膜层105，例如靠近衬底103的边缘129。在另一个示例中，接触件127可以被设置在薄膜层105上，例如靠近薄膜层105的边缘和/或衬底103。

封装件123还可以包括流体供应槽133，以将流体供应到薄膜层105的流体通道和/或腔室109。腔室109中的致动器111将通过衬底103中的喷嘴107来喷射供应的流体。薄膜层105在封装件123和衬底103之间和/或在流体供应槽133和衬底103之间延伸，使得在使用中，流体从封装件123流动到薄膜层105，从而接合第一封装件壁123，并且随后，接合薄膜层壁，例如腔室或通道壁。如以流体流动方向箭头113所示，流体从薄膜层105流出喷射腔室109，流过衬底103。喷嘴107穿过衬底103设置，该喷嘴107流体连接到腔室109，以借助致动器111的致动通过喷嘴107将流体喷出。致动器111的致动可以通过电气部件125的驱动电路和/或薄膜层105中的驱动电路来驱动。

在芯片101被放置在封装件123中或放置在封装件123上的情况下，粘合剂可以围绕至少一个流体供应槽133设置在芯片101和封装件123之间。粘合剂可以在一侧上粘附到薄膜层105，并且在另一侧上粘附到封装件123。电互连线路131可以至少部分地延伸通过粘合剂和/或包封。在另一个示例中，芯片101可以被直接包覆模制在封装件123中。电互连线路131和/或电气部件125可以与芯片101一起被直接包覆模制在封装件123中。代替封装件123，可以使用任何其他合适的承载结构。

图3-5图示了示例性流体喷射芯片201的一部分。示例性芯片201被图示为具有图4和图5中的示例性封装件223。图6图示了相应的流体流动路径。流体喷射芯片201可以用于喷射单一流体类型，例如单色墨，其中，所示的两个喷嘴列可以喷射通过相同的流体槽233提供的相同的流体。

芯片201包括衬底203和处于衬底203上的流体薄膜层205A、205B。衬底203包括穿过衬底203的整个厚度的喷嘴207。薄膜腔室层205A可以被设置到衬底203上。薄膜腔室层205包括腔室209的阵列，例如两列腔室209。腔室209被流体连接到喷嘴207。例如热电阻器之类的致动器211可以被设置在腔室层205中的每个腔室209中。流体供应层205B在腔室层205A的上游延伸。例如歧管通道235之类的流体供应通道延伸通过流体供应层205B和腔室层205A，以将外部的流体供应槽233流体连接到每个腔室209。所示的相对歧管通道235连接到相同的流体供应槽233。在其他示例中，代替连接到整列腔室209的单个歧管通道235，单个离散的流体供应孔可以被设置在流体供应层205B中，以将外部的流体供应槽233连接到各个腔室209。在再其他的示例中，多个离散的歧管通道连接到整列腔室内的较小的腔室组。

入口237被设置在歧管通道235和腔室209的相应列的每个腔室209之间。在该示例中，入口237横向延伸到歧管通道235的长度，并且横向延伸到腔室209的列的长度。连接到腔室列的歧管通道235沿腔室列的外侧延伸，使得两个腔室列在歧管通道235之间延伸。此外，与相应的腔室列相关联的喷嘴列在歧管通道235的内侧处延伸，如从顶视图(图5)所见。因此，在芯片201内，流体从分开的流体通道235被供应到每个喷嘴列207A，所述分开的流体通道235在喷嘴列的横向外侧处延伸。

致动器211可以在入口237和喷嘴207之间延伸。在示例性流体喷射场景中，流体可以从流体槽233向下流动到歧管通道235中。流体流可以分成多个流，以进入多个平行的歧管通道235，其中两个歧管通道235在图3-5的芯片中示出。参照图6，流体可以向下流过每个歧管通道235，如流体流动方向FF所示。在每个歧管通道235的底部处，流体改变路线，从而在相应的致动器211之上横向流动到各个腔室209中。每个致动器211可以对腔室209中的流体加压，例如通过热或振动，由此流体被从腔室209中推出，再次改变路线，这次沿向下的方向通过衬底203中的喷嘴开口207，从那里它从芯片201中被喷出。如图6中所示，相对的喷嘴列的相对的喷嘴207可以比相对的腔室列的相对的腔室209和相对的流体供应入口237更靠近彼此地延伸。歧管通道235可以在所示的相对流体路径的横向外侧处延伸。两个分开的流体路径通过入口237和腔室209彼此分岔到相对的喷嘴列。在其他示例中，可以设置不同于纵向歧管通道的某些流体供应通道，例如离散流体供应孔的列，每个流体供应孔连接到腔室，并且腔室列和流体供应孔列彼此平行地延伸，其中，流体供应孔列可以类似地沿腔室列横向和外部地延伸。

在所示示例中，致动器211在腔室209的入口237和喷嘴207之间延伸。喷嘴207通向腔室209的壁243，从而在所述壁243中形成喷嘴入口207A。致动器211被设置在衬底203上，紧邻喷嘴入口207A并且与该喷嘴入口207A处于相同的腔室壁243上。在其中芯片201可以被构造成用于向下的流体喷射的所示示例中，致动器211和喷嘴入口207A被相应地设置在喷射腔室209的底板上和底板中。例如，电极迹线或另外的薄膜层部分可以在致动器211和衬底203之间延伸。例如钝化层之类的至少一个其他薄膜层可以在电阻器211之上延伸。

在所示示例中，腔室209的流体入口237在歧管通道235和腔室209之间包括突出部237A，该突出部237A延伸到歧管通道235和腔室209之间的流体通道中。这些突出部限定并缩小了入口宽度Wi。入口237的处于突出部237A之间的宽度Wi可以小于腔室209的平均腔室宽度Wc，其中，腔室209的宽度Wc被限定为平行于宽度Wi。

如上面所解释的，代替单个歧管通道235，其他流体供应通道布置结构也可被用于将流体从芯片201外部的流体供应槽233供应到各个腔室209。如图5A中所示，平行于腔室列的多个直列式歧管通道235A可沿一个轴线L彼此成直线地延伸，其中，每个直列式歧管通道235A流体连接到腔室209A的子列，并且其中，每个子列241是腔室209A的同一较大列的一部分。因此，每个子列241在芯片201内流体分离。每个子列241可包含至少两个腔室209A。在再一个不同的示例中，分立的流体供应孔穿过薄膜层205形成，以将流体从外部的流体供应槽引导到每个分立的腔室，由此流体供应孔可以在芯片201内流体分离。

图7-10图示了液滴发生器345、445、545、645的顶视图的不同示例的示图，每个液滴发生器345、445、545、645包括喷射腔室309、409、509、609、喷嘴307、407、507、607、腔室入口337、437、537、637、入口突出部337A、437A、537A、637A以及至少一个致动器311、411、511、611。在一个示例中，致动器311、411、511、611被设置在与喷嘴307、407、507、607的入口相同的壁上。在一个示例中，致动器311、411、511、611是加热流体以喷射流体的热敏电阻器。喷嘴307、407、507、607穿过衬底延伸，如本公开的其他示例中所述。流体供应通道335、435、535、635将通过相应的入口337、437、537、637向每个腔室309、409、509、609提供流体。至少一个薄膜层305、405、505、605围绕腔室309、409、509、609和入口/通道337、437、537、637、335、435、535、635延伸。顶视图可以是在衬底的上游侧上，所述至少一个薄膜层305、405、505、605和致动器311、411、511、611被设置到该上游侧上。作为入口突出部337A、437A、537A、637A的替代或补充，可以在入口337、437、537、637中或附近形成挡板、气泡容忍架构(bubble tolerant architecture)和颗粒容忍架构(particle tolerant architecture)中的至少一者。

图7图示了液滴发生器345的一个示例，其中，致动器311围绕喷嘴307设置，为基本上环形的，从而覆盖几乎整个圆，其中相对的端部311A断开。这些端部311A可以彼此靠近地延伸。电极可以接触致动器311的每个端部用于致动。在不同的示例中，致动器311可以围绕喷嘴307覆盖至少270度，或者至少345度，并且小于大约358度，或者小于大约350度。在另一个示例中，致动器311可以是圆形的并且覆盖整个圆，由此相对的电极可以接触致动器311的内边缘和外边缘，或者接触处于喷嘴307的相对侧上的致动器311的相对的外边缘。

图8图示了液滴发生器445的一个示例，其中，喷嘴407是非圆形的。例如，喷嘴407是沿纵向轴线L对称的。喷嘴407可以具有沿所述轴线L的基本上纵向的形状，和/或椭圆形状，由此椭圆的长度方向沿纵向轴线L延伸。致动器411可以围绕喷嘴407延伸，其中，致动器411的内边缘和外边缘可以与喷嘴407的入口的周界偏置。在不同的示例中，致动器411可以完全或部分地围绕喷嘴407延伸。例如，致动器411可以被打断，以便由四个单独的致动器411来限定。

图9图示了一个示例，其中，致动器511在喷嘴507的相对于腔室入口537的相对侧上靠近喷嘴507延伸。在另一个示例中，两个电阻器可以沿喷嘴507的相对侧设置，例如，如图9中所示的一个电阻器和处于喷嘴507与入口537之间的另一个电阻器，如图5中所示。在又一个示例中，单个电阻器可以沿喷嘴507的一侧在喷嘴507和入口537之间延伸，如图5中所示。图10图示了其中致动器611在喷嘴607的相对侧上延伸的示例。致动器611可以相对于入口637中的流体流入方向Fi横向延伸到喷嘴607。在其他示例中，多于两个单独的致动器可以在喷嘴的不同侧处围绕喷嘴延伸。在再其他的示例中，可以选择致动器的不同形状、数量和位置，以紧邻和/或至少部分地围绕单个喷嘴并且在与喷嘴入口相同的壁上延伸。

图11图示了制造本公开的流体喷射芯片701的示例性方法的流程图。图12和图13图示了该方法的中间产物的示例。图10的方法包括在晶片751中形成穿过晶片751的厚度T的一部分的孔阵列753(框100)。在一个示例中，晶片751包括硅。在一个示例中，孔阵列通过如下方式形成，即：通过使用光致抗蚀剂在晶片中限定喷嘴图案，并且随后干法蚀刻，例如通过深反应离子蚀刻。

所述方法还包括将至少一个薄膜层705设置到晶片751上(框110)。所述方法还包括在所述至少一个薄膜层705中图案化流体致动器的阵列和流体腔室709/通道，使得腔室709/通道流体连接到孔阵列753(框120)。形成流体腔室709和通道可以通过图案化和蚀刻来实现，例如在用诸如蜡或其他材料之类的保护性牺牲材料填充孔阵列753之后，在所述填充之后，至少一个薄膜可以被层压在保护性材料之上和/或之间。

各自由所述薄膜层705形成的分开的薄膜装置705A可以像网格一样散布在晶片751之上，以连接到相对应的分开的孔阵列753，并形成相应的流体喷射芯片701的一部分。图12图示了所述制造方法的该阶段中的中间产物的图解示例。在另一个示例中，电路被图案化在薄膜层705中/上，其中，电路可以包括电接合焊盘727，该电接合焊盘727紧邻薄膜层705延伸，例如靠近晶片751的切割线755，以稍后连接到芯片701外部的另外的电气部件。

所述方法还包括减小晶片751在相对侧719(下游侧)处的厚度T，该相对侧719即相对于所述至少一个薄膜层705是相对的。在所述方法中，可以减小厚度T，直到孔在所述相对侧719处完全暴露，使得孔完全延伸穿过晶片751以形成喷射喷嘴707(框130)。在一个示例中，晶片751被研磨至其最终厚度。在另一个示例中，下游晶片侧719于它在厚度上被减小之后利用干式抛光完成。在一个示例中，衬底703的厚度和相应的喷嘴707的深度在大约10微米和大约100微米之间，例如在12微米和80微米之间，例如在15微米和60微米之间，或者例如在大约20微米和大约40微米之间。在某些示例中，喷嘴在它们的出口周围具有埋头孔，即阶梯式出口，以例如相对于减薄的衬底的厚度T减小喷嘴的有效深度。

在一个示例中，至少一个薄膜层705在喷嘴707之上延伸，从而例如在喷嘴707之上形成喷射腔室709的顶部。所述方法还包括在所述切割线755之上切割晶片751，以形成多个流体喷射芯片701(框140)。在一个示例中，晶片751在薄膜流体装置705A之间被切割，例如靠近电接触垫727，该电接触垫727在切割之后将靠近每个流体喷射芯片701的边缘延伸。图13图示了在这样的切割之后的中间产物的图解示例。

本公开的一些示例是薄的条片芯片，其具有厚度减小的衬底和相对薄的薄膜层堆叠，该衬底具有减小的厚度t2、T(例如，图1、图13)。衬底t2、T和薄膜层t1的组合厚度t(例如，图1、图13)可小于大约300微米、小于大约200微米或小于大约100微米。如图14所示，具有作为喷嘴板的衬底803的本公开的薄的条片芯片801可具有相对窄的宽度Ws，例如小于5毫米、小于3毫米、小于1.5毫米、小于1毫米或小于0.5毫米。芯片801的比率长度Ls∶宽度Ws可以是相对较高的，例如为至少大约50∶1。长度Ls和宽度Ws可以在芯片衬底803的外边缘之间测量。至少一个喷嘴列807B可以平行于长度方向延伸。所示的示例性芯片801包括穿过衬底807B的两个喷嘴列807B。薄的芯片801可以通过封装件823来增强，例如通过将芯片801嵌入或包覆模制在封装化合物中。

本公开的流体MEMS可具有所描述的特征和效果的任何组合。在一个方面，MEMS可包括芯片。该芯片可以包括：(i)衬底，其包括延伸穿过该衬底的喷嘴阵列；以及(ii)处于该衬底上的薄膜层，该薄膜层包括与喷嘴相关联的流体喷射致动器。所述薄膜层可以包括与喷嘴相关联的喷射腔室。所述薄膜层还可以包括流体入口的阵列，以将流体供应到这些腔室。

所述衬底可以形成或支撑所述喷射腔室的壁，其中，喷嘴入口开口形成在所述壁中。每个致动器可以被设置在与所述喷嘴入口开口相同的壁上，例如紧邻所述喷嘴入口开口。在一个示例中，所述致动器是热电阻，以在流体中形成蒸汽泡。在其他示例中，所述致动器可以是任何其他类型的流体分配致动器，例如压电致动器等。例如，所述致动器的至少一部分被设置在腔室入口和喷嘴入口之间。在另一个示例中，所述致动器至少部分地围绕所述喷嘴入口开口设置，或被设置在所述喷嘴入口开口的多个侧面处。

在另一个示例中，所述衬底包括两个平行的喷嘴列，其中，分开的喷射腔室和流体供应入口的列与每个喷嘴列相关联，并且其中，这些列在所述芯片中彼此流体分离。在一个示例中，每个喷射腔室的流体供应入口在喷射腔室列的横向外侧处延伸。例如，流体供应孔可以在入口列的横向外侧处延伸，穿过薄膜层，以通过每个入口将流体供应到所述腔室。

在一个示例中，所述薄膜层包括：(i)电路；以及(ii)连接到所述电路的电接触件，用于连接到所述芯片外部的驱动电路。所述电接触件可以被设置在所述衬底的薄膜层侧处，例如靠近所述衬底的至少一个边缘，以容易地将所述电路连接到所述外部驱动电路。在另一个示例中，提供封装件来封装所述芯片。所述封装件可以包括至少一个流体供应槽，以将流体供应到流体供应入口。例如，流体供应孔可以将所述槽流体连接到所述入口。薄膜层在以下各项中的至少一者之间延伸，即：(i)封装件和衬底，以及(ii)流体供应槽和衬底。在另一个示例中，外部驱动电路被设置在所述封装件中或所述封装件上。

在另一个示例中，所述芯片包括：(i)喷射流体的平行的一对喷嘴列；(ii)至少一个第一流体供应孔，其使流体进入到所述芯片中，以将流体供应到与所述一对喷嘴列中的第一个喷嘴列相关联的至少一个喷射腔室；以及(iii)至少一个第二供应孔，其使流体进入到所述芯片中，以将流体供应到与所述一对喷嘴列中的第二个喷嘴列相关联的喷射腔室。所述第一流体供应孔和第二流体供应孔被流体连接到相同的至少一个流体供应槽。在一个示例中，所述喷嘴列之间的横向距离小于所述第一流体供应孔和所述第二流体供应孔之间的横向距离。与第一喷嘴列相关联的第一流体供应孔可以是：(i)连接到单一腔室入口或腔室入口的子组的一列离散供应孔；或(ii)连接到一列腔室入口的单一细长流体供应孔。图3-5的示例中所示的歧管通道235是薄膜层中的细长流体供应孔的一个示例。在不同的示例中，封装件的流体供应槽可以将流体供应到薄膜层中的至少一个流体供应孔。

在一个示例中，所述喷嘴的深度大于所述薄膜层的厚度，并且该深度和厚度的和近似等于所述芯片的总厚度。在另一个示例中，所述芯片的厚度小于大约300微米。

在另一方面，本公开提供了一种制造流体喷射芯片的方法。该方法可包括：(i)在晶片中穿过所述晶片的厚度的一部分形成孔阵列；(ii)在所述晶片之上设置至少一个薄膜层；(iii)在所述至少一个薄膜层中图案化流体致动器的阵列和流体腔室/通道，以流体连接到所述孔阵列；(iv)减小所述晶片在相对于所述至少一个薄膜层的相对侧处的厚度，直到孔完全穿过所述晶片延伸，以形成喷射喷嘴，以及(v)切割所述晶片，以形成多个流体喷射芯片。

Claims (12)

1.一种流体喷射芯片，包括：

衬底，其包括延伸穿过所述衬底的喷嘴的阵列，

处于所述衬底上的薄膜层，所述薄膜层包括与所述喷嘴相关联的流体喷射致动器，

所述薄膜层包括与所述喷嘴相关联的喷射腔室，

所述薄膜层包括流体入口的阵列，以将流体供应到所述腔室，

所述衬底形成或支撑所述喷射腔室的壁，所述喷射腔室在所述壁中具有喷嘴入口开口。

2.如权利要求1所述的流体喷射芯片，其特征在于，每个致动器被设置在所述壁上。

3.如权利要求2所述的流体喷射芯片，其特征在于，每个致动器紧邻所述喷嘴入口开口设置。

4.如权利要求3所述的流体喷射芯片，其特征在于，每个致动器至少部分地围绕所述喷嘴入口开口设置，或被设置在所述喷嘴入口开口的多个侧面处。

5.如权利要求1所述的流体喷射芯片，包括两个平行的喷嘴列，所述两个平行的喷嘴列具有与每个喷嘴列相关联的分开的一组喷射腔室和流体供应入口，其中，分开的多组喷射腔室和流体供应入口在所述芯片中彼此流体分离。

6.如权利要求1所述的流体喷射芯片，其特征在于，所述喷射腔室的流体供应入口在所述喷射腔室的横向外侧处延伸。

7.如权利要求1所述的流体喷射芯片，其特征在于，

所述薄膜层包括电路，以及

用于连接到所述芯片外部的驱动电路的连接到所述电路的电接触件被设置在所述衬底的薄膜层侧处。

8.如权利要求1所述的流体喷射芯片，其特征在于，所述喷嘴的深度大于所述薄膜层的厚度，并且所述深度和所述厚度的和近似等于所述芯片的总厚度。

9.如权利要求1所述的流体喷射芯片，其特征在于，所述芯片的厚度小于300微米。

10.包括如权利要求1所述的流体喷射芯片的流体喷射装置，包括：

封装所述芯片的封装件，所述封装件包括至少一个流体供应槽，以将流体供应到流体供应入口，

薄膜层在以下各项中的至少一者之间延伸，即：

所述封装件和衬底，以及

所述流体供应槽和所述衬底。

11.如权利要求10所述的流体喷射装置，包括：

喷射流体的平行的一对喷嘴列，

至少一个第一流体供应孔，该至少一个第一流体供应孔使流体进入到所述芯片中，以将流体供应到与所述一对喷嘴列中的第一个喷嘴列相关联的至少一个喷射腔室；至少一个第二供应孔，该至少一个第二供应孔使流体进入到所述芯片中，以将流体供应到与所述一对喷嘴列中的第二个喷嘴列相关联的喷射腔室，所述第一流体供应孔和第二流体供应孔流体连接到相同的至少一个流体供应槽，其中，所述喷嘴列之间的横向距离小于所述第一流体供应孔和所述第二流体供应孔之间的横向距离。

12.一种制造流体喷射芯片的方法，包括：

在晶片中穿过所述晶片的厚度的一部分形成孔阵列，

在所述晶片之上设置至少一个薄膜层，

在所述至少一个薄膜层中图案化流体致动器的阵列和流体腔室/通道，以流体连接到所述孔阵列，

减小所述晶片在相对于所述至少一个薄膜层的相对侧处的厚度，直到孔完全穿过所述晶片延伸，以形成喷射喷嘴，以及

切割所述晶片，以形成多个流体喷射芯片。

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