CN108666139A - 阳极箔及铝电解电容器制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阳极箔及铝电解电容器制作方法，利用冷喷涂表面处理技术将球形铝粉颗粒喷涂到铝箔基体表面形成铝粉涂层；将喷涂好球形铝粉颗粒的铝箔基体进行化成以制成阳极箔。本发明提供的阳极箔及铝电解电容器制作方法，通过冷喷涂表面处理技术将球形铝粉颗粒直接喷涂到铝箔基体表面以形成铝粉涂层，从而使铝箔基体的比表面积增大，相应的氧化膜比表面积也增大，导致制备出来的阳极箔的比容量增大；并且铝粉的厚度可控，孔隙率可控，可用于制作小体积超大容量的铝电解电容器。
Description
技术领域
本发明涉及电容技术领域，尤其涉及一种阳极箔及铝电解电容器制作方法。
背景技术
制作铝电解电容时，需要制作阳极箔，传统的阳极箔是先在铝基体上腐蚀扩孔，然后对铝箔进行化成制成阳极箔。普通阳极箔因为腐蚀化成的技术限制，铝箔表面氧化膜表面积小，且难以将氧化层做厚，从而导致制作出来的铝电解电容的比容量小。
因此，现有技术中由于腐蚀化成技术制作出来的铝电解电容的比容量小，是一个亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明提出的阳极箔及铝电解电容器制作方法，旨在解决现有技术中由于腐蚀化成技术制作出来的铝电解电容的比容量小的技术问题。
根据本发明的一个方面，提供一种铝电解电容器用阳极箔的制备方法，包括以下步骤：
利用冷喷涂表面处理技术将球形铝粉颗粒喷涂到铝箔基体表面形成铝粉涂层；
将喷涂好球形铝粉颗粒的铝箔基体进行化成以制成阳极箔。
进一步地，利用冷喷涂表面处理技术将球形铝粉颗粒喷涂到铝箔基体表面形成铝粉涂层的步骤中，
球形铝粉颗粒采用纳米球形铝粉颗粒或微米球形铝粉颗粒。
进一步地，球形铝粉颗粒的粒径为0.5~20μm。
进一步地，利用冷喷涂表面处理技术将球形铝粉颗粒喷涂到铝箔基体表面形成铝粉涂层的步骤中，
采用冷喷涂设备将球形铝粉颗粒喷涂到铝箔基体表面。
进一步地，冷喷涂设备包括喷枪，喷涂时喷枪的控制温度为100~600℃；喷枪的控制压力为0.01~100Mpa。
进一步地，喷枪与铝箔基体的喷涂距离为1~50cm。
进一步地，喷枪的送粉速度为0.1~1Kg/min。
进一步地，形成的铝粉涂层的孔隙率为1%~40%。
进一步地，将喷涂好球形铝粉颗粒的铝箔基体进行化成以制成阳极箔的步骤中，
采用化成液对喷涂好球形铝粉颗粒的铝箔基体进行化成处理，化成液为硼酸、己二酸铵、磷酸、磷酸二氢铵中的任意一种或者多种的组合。
根据本发明的另一方面，还提供一种铝电解电容器的制作方法，包括阳极箔制备步骤，其中，所述阳极箔制备步骤具体包括：
利用冷喷涂表面处理技术将球形铝粉颗粒喷涂到铝箔基体表面形成铝粉涂层；
将喷涂好所述球形铝粉颗粒的所述铝箔基体进行化成以制成阳极箔。
本发明所取得的有益效果为：
本发明提供的阳极箔及铝电解电容器制作方法，与现有技术相比，通过冷喷涂表面处理技术将球形铝粉颗粒直接喷涂到铝箔基体表面以形成铝粉涂层，从而使铝箔基体的比表面积增大，相应的氧化膜比表面积也增大，导致制备出来的阳极箔的比容量增大。本发明提供的阳极箔及铝电解电容器制作方法，制备出来的阳极箔比表面积超大、具有超大比容；并且铝粉的厚度可控，孔隙率可控，可用于制作小体积超大容量的铝电解电容器。
附图说明
图1为本发明铝电解电容器用阳极箔的制备方法一优选实施例的流程示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
如图1所示，本发明第一实施例提出一种铝电解电容器用阳极箔的制备方法，包括以下步骤：
步骤S100、利用冷喷涂表面处理技术将球形铝粉颗粒喷涂到铝箔基体表面形成铝粉涂层。
利用冷喷涂表面处理技术采用冷喷涂设备将球形铝粉颗粒均匀喷涂到铝箔基体表面上以形成铝粉涂层。
步骤S200、将喷涂好球形铝粉颗粒的铝箔基体进行化成以制成阳极箔。
采用化成设备将喷涂好球形铝粉颗粒的铝箔基体进行化成，以制成阳极箔。利用化成液对喷涂好球形铝粉颗粒的铝箔基体进行化成处理，化成液为硼酸、己二酸铵、磷酸、磷酸二氢铵中的任意一种或者多种的组合。
本实施例提供的铝电解电容器用阳极箔的制备方法，使用冷喷涂技术，与现有技术相比，将球形铝粉颗粒均匀的喷涂在铝箔基体上。在这种方法下球形铝粉颗粒之间可以相互连接而且铝粉涂层中可以形成自然的孔洞。然后将冷喷涂了铝粉颗粒的铝箔进行化成制备成阳极箔。这种阳极箔因为比表面积超大故具有超大比容的特点，而且铝粉涂层厚度可控，孔隙率可控，从而使制备的阳极箔可用于制备小体积超大容量铝电解电容器。
优选地，球形铝粉颗粒采用纳米球形铝粉颗粒或微米球形铝粉颗粒。具体地，球形铝粉颗粒的粒径为0.1~100μm。
优选地，冷喷涂设备包括喷枪，喷涂时喷枪的控制温度为100~600℃；喷枪的控制压力为0.01~100Mpa。喷枪与铝箔基体的喷涂距离为1~50cm。喷枪的送粉速度为0.1~1Kg/min。形成的铝粉涂层的孔隙率为1%~40%。
本实施例提供的铝电解电容器用阳极箔的制备方法，使用冷喷设备中的喷枪将球形铝粉颗粒均匀喷涂于铝箔基体表面以形成铝粉涂层，使球形铝粉颗粒之间可以相互连接而且在铝粉涂层中形成自然的孔洞。然后将冷喷涂了铝粉颗粒的铝箔进行化成制备成阳极箔。这种阳极箔因为比表面积超大故具有超大比容的特点，而且铝粉涂层厚度可控，孔隙率可控，从而使制备的阳极箔可用于制备小体积超大容量铝电解电容器。本发明提供的铝电解电容器用阳极箔的制备方法，制备出来的阳极箔比表面积超大、具有超大比容；并且铝粉的厚度可控，孔隙率可控，可用于制作小体积超大容量的铝电解电容器。
本实施例还提供一种铝电解电容器的制作方法，包括阳极箔制备步骤，其中，阳极箔制备步骤具体包括：
步骤S1、利用冷喷涂表面处理技术将球形铝粉颗粒喷涂到铝箔基体表面形成铝粉涂层。
利用冷喷涂表面处理技术采用冷喷涂设备将球形铝粉颗粒均匀喷涂到铝箔基体表面上以形成铝粉涂层。其中，球形铝粉颗粒采用纳米球形铝粉颗粒或微米球形铝粉颗粒。具体地，球形铝粉颗粒的粒径为0.5~20μm。优选地，冷喷涂设备包括喷枪，喷涂时喷枪的控制温度为100~600℃；喷枪的控制压力为0.01~100Mpa。喷枪与铝箔基体的喷涂距离为1~50cm。喷枪的送粉速度为0.1~1Kg/min。形成的铝粉涂层的孔隙率为1%~40%。
步骤S2、将喷涂好所述球形铝粉颗粒的所述铝箔基体进行化成以制成阳极箔。
采用化成设备将喷涂好球形铝粉颗粒的铝箔基体进行化成，以制成阳极箔。利用化成液对喷涂好球形铝粉颗粒的铝箔基体进行化成处理，化成液为硼酸、己二酸铵、磷酸、磷酸二氢铵中的任意一种或者多种的组合。
本发明提供的铝电解电容器制作方法，与现有技术相比，通过冷喷涂表面处理技术将球形铝粉颗粒直接喷涂到铝箔基体表面以形成铝粉涂层，从而使铝箔基体的比表面积增大，相应的氧化膜比表面积也增大，导致制备出来的阳极箔的比容量增大。本发明提供的铝电解电容器制作方法，制备出来的阳极箔比表面积超大、具有超大比容；并且铝粉的厚度可控，孔隙率可控，可制作小体积超大容量的铝电解电容器。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种铝电解电容器用阳极箔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
利用冷喷涂表面处理技术将球形铝粉颗粒喷涂到铝箔基体表面形成铝粉涂层；
将喷涂好所述球形铝粉颗粒的所述铝箔基体进行化成以制成阳极箔。
2.根据权利要求1所述的铝电解电容器用阳极箔的制备方法，其特征在于，
所述利用冷喷涂表面处理技术将球形铝粉颗粒喷涂到铝箔基体表面形成铝粉涂层的步骤中，
所述球形铝粉颗粒采用纳米球形铝粉颗粒或微米球形铝粉颗粒。
3.根据权利要求2所述的铝电解电容器用阳极箔的制备方法，其特征在于，
所述球形铝粉颗粒的粒径为0.5~20μm。
4.根据权利要求1所述的铝电解电容器用阳极箔的制备方法，其特征在于，
所述利用冷喷涂表面处理技术将球形铝粉颗粒喷涂到铝箔基体表面形成铝粉涂层的步骤中，
采用冷喷涂设备将所述球形铝粉颗粒喷涂到所述铝箔基体表面。
5.根据权利要求4所述的铝电解电容器用阳极箔的制备方法，其特征在于，
所述冷喷涂设备包括喷枪，喷涂时所述喷枪的控制温度为100~600℃；所述喷枪的控制压力为0.01~100Mpa。
6.根据权利要求5所述的铝电解电容器用阳极箔的制备方法，其特征在于，
所述喷枪与所述铝箔基体的喷涂距离为1~50cm。
7.根据权利要求6所述的铝电解电容器用阳极箔的制备方法，其特征在于，
所述喷枪的送粉速度为0.1~1Kg/min。
8.根据权利要求7所述的铝电解电容器用阳极箔的制备方法，其特征在于，
形成的所述铝粉涂层的孔隙率为1%~40%。
9.根据权利要求1至8任一项所述的铝电解电容器用阳极箔的制备方法，其特征在于，
所述将喷涂好所述球形铝粉颗粒的所述铝箔基体进行化成以制成阳极箔的步骤中，
采用化成液对喷涂好所述球形铝粉颗粒的所述铝箔基体进行化成处理，所述化成液为硼酸、己二酸铵、磷酸、磷酸二氢铵中的任意一种或者多种的组合。
10.一种铝电解电容器的制作方法，其特征在于，包括阳极箔制备步骤，其中，所述阳极箔制备步骤具体包括：
利用冷喷涂表面处理技术将球形铝粉颗粒喷涂到铝箔基体表面形成铝粉涂层；
将喷涂好所述球形铝粉颗粒的所述铝箔基体进行化成以制成阳极箔。
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20181016 |
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