CN108630784A - 一种耐用型电池板及其制造方法 - Google Patents
一种耐用型电池板及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108630784A CN108630784A CN201810424107.7A CN201810424107A CN108630784A CN 108630784 A CN108630784 A CN 108630784A CN 201810424107 A CN201810424107 A CN 201810424107A CN 108630784 A CN108630784 A CN 108630784A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- glue
- line
- heat
- solar cell
- glass cover
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 64
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 64
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 35
- 241000446313 Lamella Species 0.000 claims abstract description 19
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 19
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 14
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 7
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 6
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000005000 backing coat Substances 0.000 claims description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 5
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000011490 mineral wool Substances 0.000 claims description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920006335 epoxy glue Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 3
- 239000010451 perlite Substances 0.000 claims description 3
- 235000019362 perlite Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000010455 vermiculite Substances 0.000 claims description 3
- 229910052902 vermiculite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000019354 vermiculite Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 claims 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 abstract description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 abstract 1
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N propyl ethylene Natural products CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/052—Cooling means directly associated or integrated with the PV cell, e.g. integrated Peltier elements for active cooling or heat sinks directly associated with the PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种耐用型电池板及其制造方法，该方法包括以下步骤：依次层叠太阳能电池树脂背板、第一EVA封装胶层、乙烯‑1‑丁烯‑4‑甲基‑1‑戊烯共聚物封装胶层、第一导热封装胶层、太阳能电池片层、第一隔热封装胶层、EVA封装胶层、第二隔热封装胶层以及第一玻璃盖板，并进行层压处理；接着在所述太阳能电池树脂背板的背面开设多个凹孔，每个所述凹孔中均镶嵌一金属导热柱，在所述太阳能电池树脂背板的下表面形成环氧树脂胶以及氟碳树脂层，并使得每个所述金属导热柱的底表面的一部分裸露；然后通过一环形密封圈将所述第一玻璃盖板和所述第二玻璃盖板粘结在一起，且在第一玻璃盖板和所述第二玻璃盖板之间形成真空间隙。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种耐用型电池板及其制造方法。
背景技术
现有的太阳能电池板的制备过程中，通常是先在太阳能电池背板上依次铺设第一EVA封装胶层、太阳能电池片层、第二EVA封装胶层以及透明钢化玻璃层，然后通过层压工艺以形成太阳能电池板。太阳能电池板各层紧密接触，在实际使用过程中，一方面，太阳光照射透明钢化玻璃的过程中，未透过透明钢化玻璃的太阳能将转化为热量，进而使得透明钢化玻璃温度升高；另一方面，太阳能电池片在进行光电转换的过程中也会产生热量，进而使得整个太阳能电池板的工作温度较高，且太阳能电池板常在户外使用，空气中存在大量的水蒸气，EVA封装胶层长期处于高温湿热的环境中容易老化变黄，进而导致EVA封装胶层的透光率大幅度下降，进而导致太阳能电池片的光电转换效率下降，从而影响太阳能电池板的输出功率。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种耐用型电池板及其制造方法。
为实现上述目的，本发明提出的一种耐用型电池板的制造方法，包括以下步骤：
1)提供一太阳能电池树脂背板，在所述太阳能电池树脂背板上铺设第一EVA封装胶层；
2)在所述第一EVA封装胶层上铺设乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封装胶层；
3)在所述乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封装胶层上铺设第一导热封装胶层，所述第一导热封装胶层包括EVA以及相对于所述EVA100重量份为10-20重量份的导热纳米颗粒；
4)在所述第一导热封装胶层上铺设太阳能电池片层；
5)在所述太阳能电池片层上铺设第一隔热封装胶层，在所述第一隔热封装胶层上铺设EVA封装胶层，在所述EVA封装胶层上铺设第二隔热封装胶层，所述第一隔热封装胶层和所述第二隔热封装胶层均包括EVA以及相对于所述EVA100重量份为20-25重量份的隔热材料；
6)在第一玻璃盖板的上表面的四周边缘形成第一环形沟槽，接着在所述第二隔热封装胶层上铺设所述第一玻璃盖板，接着进行层压处理；
7)在所述太阳能电池树脂背板的背面开设多个凹孔，每个所述凹孔中均镶嵌一金属导热柱，并使得每个所述金属导热柱的下端暴露于所述太阳能电池树脂背板，在所述太阳能电池树脂背板的下表面涂覆环氧树脂胶以完全覆盖所述金属导热柱，在所述环氧树脂胶下表面粘结氟碳树脂层，去除部分的氟碳树脂层和部分的环氧树脂胶，以使得每个所述金属导热柱的底表面的一部分裸露；
8)在第二玻璃盖板的下表面的四周边缘形成与所述第一环形沟槽相对设置的第二环形沟槽，通过一环形密封圈将所述第一玻璃盖板和所述第二玻璃盖板粘结在一起，所述环形密封圈上设置有抽气口，利用所述抽气口将所述第一玻璃盖板和所述第二玻璃盖板之间的间隙抽至真空状态，然后利用密封胶密封所述抽气口。
作为优选，所述太阳能电池树脂背板的材质为PET、PEN以及PBT中的一种，所述太阳能电池树脂背板的厚度为600-900微米。
作为优选，所述第一EVA封装胶层的厚度为200-400微米，所述乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封装胶层的厚度为100-300微米，所述第一导热封装胶层的厚度为200-300微米。
作为优选，所述第一导热纳米颗粒的材质为氧化铝、氮化硼、氧化镁、氮化铝以及碳化硅中的一种，所述第一导热纳米颗粒的粒径为100-200纳米。
作为优选，所述太阳能电池片层包括多个呈阵列排布的太阳能电池片，所述太阳能电池片为单晶硅电池、多晶硅电池、非晶硅电池、砷化镓电池以及铜铟镓硒电池中的一种。
作为优选，所述第一隔热封装胶层的厚度为80-100微米，所述EVA封装胶层的厚度为300-400微米，所述第二隔热封装胶层的厚度为60-90微米，所述隔热材料为膨胀珍珠岩粉末、玻璃棉粉末、膨胀蛭石粉末以及硅酸盐粉末中的一种。
作为优选，所述凹孔的顶表面暴露所述第一导热封装胶层，所述凹孔和所述金属导热柱的直径均为3-6毫米，相邻凹孔之间的间距为5-10毫米，所述环氧树脂胶层的厚度为300-500微米，所述氟碳树脂层的厚度为100-150微米，所述金属导热柱的底表面的裸露部分为圆形孔，所述圆形孔的直径为1-3毫米。
作为优选，所述间隙的高度2-5毫米。
本发明还提供了一种耐用型电池板，所述耐用型电池板为采用上述方法制备形成的。
本发明的耐用型电池板中，太阳能电池树脂背板上铺设第一EVA封装胶层、乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封装胶层以及第一导热封装胶层，且层压处理后在所述太阳能电池树脂背板的背面开设多个凹孔，并嵌入一金属导热柱，可以确保太阳能电池片在发电过程中产生的热量可以快速通过导热封装胶层传导至金属导热柱，进而传导至空气中，同时通过在所述太阳能电池树脂背板的下表面形成环氧树脂胶和氟碳树脂层，并使得每个所述金属导热柱的底表面的一部分裸露，可以确保优异导热性的同时，提高整个电池板的密封性。
太阳能电池片层上设置有第一隔热封装胶层、EVA封装胶层以及所述第二隔热封装胶层，两层较薄的隔热封装胶层夹持一较厚的EVA封装胶层，可以阻挡光伏电池片在发电过程中产生的热量传导至EVA封装胶层，同时由于第一玻璃盖板和第二玻璃盖板之间真空间隙的存在，太阳光照射第一玻璃盖板产生的热量难以传导至第二玻璃盖板，进而使得EVA封装胶层的工作温度较低，可以长时间工作而不会老化变黄，进而提高了电池板的工作稳定性。此外，本发明的制备方法简单易行，可以与现有的太阳能电池板的制备工序兼容，易于工业化生产，且在层压处理后进行凹孔的开设以及金属导热柱的镶嵌，与常规太阳能电池板的制备工序相比，本发明的太阳能电池板的密封性能更优。
附图说明
图1为本发明的耐用型电池板的结构示意图。
图2为本发明的第一玻璃盖板的俯视结构图。
图3为本发明的第二玻璃盖板的仰视结构图。
图4为本发明的耐用型电池板的俯视结构图。
具体实施方式
本发明具体实施例提出的一种耐用型电池板的制造方法，包括以下步骤：
1)提供一太阳能电池树脂背板，在所述太阳能电池树脂背板上铺设第一EVA封装胶层；
2)在所述第一EVA封装胶层上铺设乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封装胶层；
3)在所述乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封装胶层上铺设第一导热封装胶层，所述第一导热封装胶层包括EVA以及相对于所述EVA100重量份为10-20重量份的导热纳米颗粒；
4)在所述第一导热封装胶层上铺设太阳能电池片层；
5)在所述太阳能电池片层上铺设第一隔热封装胶层，在所述第一隔热封装胶层上铺设EVA封装胶层，在所述EVA封装胶层上铺设第二隔热封装胶层，所述第一隔热封装胶层和所述第二隔热封装胶层均包括EVA以及相对于所述EVA100重量份为20-25重量份的隔热材料；
6)在第一玻璃盖板的上表面的四周边缘形成第一环形沟槽，接着在所述第二隔热封装胶层上铺设所述第一玻璃盖板，接着进行层压处理；
7)在所述太阳能电池树脂背板的背面开设多个凹孔，每个所述凹孔中均镶嵌一金属导热柱，并使得每个所述金属导热柱的下端暴露于所述太阳能电池树脂背板，在所述太阳能电池树脂背板的下表面涂覆环氧树脂胶以完全覆盖所述金属导热柱，在所述环氧树脂胶下表面粘结氟碳树脂层，去除部分的氟碳树脂层和部分的环氧树脂胶，以使得每个所述金属导热柱的底表面的一部分裸露；
8)在第二玻璃盖板的下表面的四周边缘形成与所述第一环形沟槽相对设置的第二环形沟槽，通过一环形密封圈将所述第一玻璃盖板和所述第二玻璃盖板粘结在一起，所述环形密封圈上设置有抽气口，利用所述抽气口将所述第一玻璃盖板和所述第二玻璃盖板之间的间隙抽至真空状态，然后利用密封胶密封所述抽气口。
进一步的，所述太阳能电池树脂背板的材质为PET、PEN以及PBT中的一种，所述太阳能电池树脂背板的厚度为600-900微米。
进一步的，所述第一EVA封装胶层的厚度为200-400微米，所述乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封装胶层的厚度为100-300微米，所述第一导热封装胶层的厚度为200-300微米。
进一步的，所述第一导热纳米颗粒的材质为氧化铝、氮化硼、氧化镁、氮化铝以及碳化硅中的一种，所述第一导热纳米颗粒的粒径为100-200纳米。
进一步的，所述太阳能电池片层包括多个呈阵列排布的太阳能电池片，所述太阳能电池片为单晶硅电池、多晶硅电池、非晶硅电池、砷化镓电池以及铜铟镓硒电池中的一种。
进一步的，所述第一隔热封装胶层的厚度为80-100微米，所述EVA封装胶层的厚度为300-400微米，所述第二隔热封装胶层的厚度为60-90微米，所述隔热材料为膨胀珍珠岩粉末、玻璃棉粉末、膨胀蛭石粉末以及硅酸盐粉末中的一种。
进一步的，所述凹孔的顶表面暴露所述第一导热封装胶层，所述凹孔和所述金属导热柱的直径均为3-6毫米，相邻凹孔之间的间距为5-10毫米，所述环氧树脂胶层的厚度为300-500微米，所述氟碳树脂层的厚度为100-150微米，所述金属导热柱的底表面的裸露部分为圆形孔，所述圆形孔的直径为1-3毫米。
进一步的，所述间隙的高度2-5毫米。
本发明还提供了一种耐用型电池板，所述耐用型电池板为采用上述方法制备形成的。如图1-4所示，所述耐用型电池板包括太阳能电池树脂背板1、第一EVA封装胶层2、乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封装胶层3、第一导热封装胶层4、太阳能电池片层5、第一隔热封装胶层6、EVA封装胶层7、第二隔热封装胶层8、第一玻璃盖板9以及第二玻璃盖板10，其中所述太阳能电池树脂背板1的背面开设多个凹孔11，所述凹孔11的顶表面暴露所述第一导热封装胶层4，每个所述凹孔11中均镶嵌一金属导热柱12，并使得每个所述金属导热柱12的下端暴露于所述太阳能电池树脂背板1，在所述太阳能电池树脂背板1的下表面形成有环氧树脂胶13以及氟碳树脂层14，且每个所述金属导热柱12的底表面的一部分裸露，所述金属导热柱12的底表面的裸露部分为圆形孔15，在第一玻璃盖板9的上表面的四周边缘形成有第一环形沟槽91，在第二玻璃盖板10的下表面的四周边缘形成与所述第一环形沟槽91相对设置的第二环形沟槽101，通过一环形密封圈92将所述第一玻璃盖板9和所述第二玻璃盖板10粘结在一起，所述环形密封圈92上设置有抽气口(未图示)，利用所述抽气口将所述第一玻璃盖板9和所述第二玻璃盖板10之间的间隙110抽至真空状态，然后利用密封胶密封所述抽气口。
实施例1：
一种耐用型电池板的制造方法，包括以下步骤：
1)提供一太阳能电池树脂背板，在所述太阳能电池树脂背板上铺设第一EVA封装胶层；
2)在所述第一EVA封装胶层上铺设乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封装胶层；
3)在所述乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封装胶层上铺设第一导热封装胶层，所述第一导热封装胶层包括EVA以及相对于所述EVA100重量份为15重量份的导热纳米颗粒；
4)在所述第一导热封装胶层上铺设太阳能电池片层；
5)在所述太阳能电池片层上铺设第一隔热封装胶层，在所述第一隔热封装胶层上铺设EVA封装胶层，在所述EVA封装胶层上铺设第二隔热封装胶层，所述第一隔热封装胶层和所述第二隔热封装胶层均包括EVA以及相对于所述EVA100重量份为22重量份的隔热材料；
6)在第一玻璃盖板的上表面的四周边缘形成第一环形沟槽，接着在所述第二隔热封装胶层上铺设所述第一玻璃盖板，接着进行层压处理；
7)在所述太阳能电池树脂背板的背面开设多个凹孔，每个所述凹孔中均镶嵌一金属导热柱，并使得每个所述金属导热柱的下端暴露于所述太阳能电池树脂背板，在所述太阳能电池树脂背板的下表面涂覆环氧树脂胶以完全覆盖所述金属导热柱，在所述环氧树脂胶下表面粘结氟碳树脂层，去除部分的氟碳树脂层和部分的环氧树脂胶，以使得每个所述金属导热柱的底表面的一部分裸露；
8)在第二玻璃盖板的下表面的四周边缘形成与所述第一环形沟槽相对设置的第二环形沟槽，通过一环形密封圈将所述第一玻璃盖板和所述第二玻璃盖板粘结在一起，所述环形密封圈上设置有抽气口，利用所述抽气口将所述第一玻璃盖板和所述第二玻璃盖板之间的间隙抽至真空状态，然后利用密封胶密封所述抽气口。
其中，所述太阳能电池树脂背板的材质为PET，所述太阳能电池树脂背板的厚度为700微米。所述第一EVA封装胶层的厚度为300微米，所述乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封装胶层的厚度为200微米，所述第一导热封装胶层的厚度为250微米。所述第一导热纳米颗粒的材质为氧化铝，所述第一导热纳米颗粒的粒径为150纳米。所述太阳能电池片层包括多个呈阵列排布的太阳能电池片，所述太阳能电池片为单晶硅电池。所述第一隔热封装胶层的厚度为95微米，所述EVA封装胶层的厚度为380微米，所述第二隔热封装胶层的厚度为80微米，所述隔热材料为玻璃棉粉末。所述凹孔的顶表面暴露所述第一导热封装胶层，所述凹孔和所述金属导热柱的直径均为5毫米，相邻凹孔之间的间距为8毫米，所述环氧树脂胶层的厚度为400微米，所述氟碳树脂层的厚度为120微米，所述金属导热柱的底表面的裸露部分为圆形孔，所述圆形孔的直径为2毫米。所述间隙的高度3.5毫米。
实施例2：
一种耐用型电池板的制造方法，包括以下步骤：
1)提供一太阳能电池树脂背板，在所述太阳能电池树脂背板上铺设第一EVA封装胶层；
2)在所述第一EVA封装胶层上铺设乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封装胶层；
3)在所述乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封装胶层上铺设第一导热封装胶层，所述第一导热封装胶层包括EVA以及相对于所述EVA100重量份为20重量份的导热纳米颗粒；
4)在所述第一导热封装胶层上铺设太阳能电池片层；
5)在所述太阳能电池片层上铺设第一隔热封装胶层，在所述第一隔热封装胶层上铺设EVA封装胶层，在所述EVA封装胶层上铺设第二隔热封装胶层，所述第一隔热封装胶层和所述第二隔热封装胶层均包括EVA以及相对于所述EVA100重量份为20重量份的隔热材料；
6)在第一玻璃盖板的上表面的四周边缘形成第一环形沟槽，接着在所述第二隔热封装胶层上铺设所述第一玻璃盖板，接着进行层压处理；
7)在所述太阳能电池树脂背板的背面开设多个凹孔，每个所述凹孔中均镶嵌一金属导热柱，并使得每个所述金属导热柱的下端暴露于所述太阳能电池树脂背板，在所述太阳能电池树脂背板的下表面涂覆环氧树脂胶以完全覆盖所述金属导热柱，在所述环氧树脂胶下表面粘结氟碳树脂层，去除部分的氟碳树脂层和部分的环氧树脂胶，以使得每个所述金属导热柱的底表面的一部分裸露；
8)在第二玻璃盖板的下表面的四周边缘形成与所述第一环形沟槽相对设置的第二环形沟槽，通过一环形密封圈将所述第一玻璃盖板和所述第二玻璃盖板粘结在一起，所述环形密封圈上设置有抽气口，利用所述抽气口将所述第一玻璃盖板和所述第二玻璃盖板之间的间隙抽至真空状态，然后利用密封胶密封所述抽气口。
其中，所述太阳能电池树脂背板的材质为PBT，所述太阳能电池树脂背板的厚度为900微米。所述第一EVA封装胶层的厚度为200微米，所述乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封装胶层的厚度为100微米，所述第一导热封装胶层的厚度为200微米。所述第一导热纳米颗粒的材质为碳化硅，所述第一导热纳米颗粒的粒径为100纳米。所述太阳能电池片层包括多个呈阵列排布的太阳能电池片，所述太阳能电池片为多晶硅电池，所述第一隔热封装胶层的厚度为100微米，所述EVA封装胶层的厚度为400微米，所述第二隔热封装胶层的厚度为90微米，所述隔热材料为硅酸盐粉末。所述凹孔的顶表面暴露所述第一导热封装胶层，所述凹孔和所述金属导热柱的直径均为4毫米，相邻凹孔之间的间距为8毫米，所述环氧树脂胶层的厚度为300微米，所述氟碳树脂层的厚度为100微米，所述金属导热柱的底表面的裸露部分为圆形孔，所述圆形孔的直径为1.5毫米。所述间隙的高度2毫米。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种耐用型电池板的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)提供一太阳能电池树脂背板，在所述太阳能电池树脂背板上铺设第一EVA封装胶层；
2)在所述第一EVA封装胶层上铺设乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封装胶层；
3)在所述乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封装胶层上铺设第一导热封装胶层，所述第一导热封装胶层包括EVA以及相对于所述EVA100重量份为10-20重量份的导热纳米颗粒；
4)在所述第一导热封装胶层上铺设太阳能电池片层；
5)在所述太阳能电池片层上铺设第一隔热封装胶层，在所述第一隔热封装胶层上铺设EVA封装胶层，在所述EVA封装胶层上铺设第二隔热封装胶层，所述第一隔热封装胶层和所述第二隔热封装胶层均包括EVA以及相对于所述EVA100重量份为20-25重量份的隔热材料；
6)在第一玻璃盖板的上表面的四周边缘形成第一环形沟槽，接着在所述第二隔热封装胶层上铺设所述第一玻璃盖板，接着进行层压处理；
7)在所述太阳能电池树脂背板的背面开设多个凹孔，每个所述凹孔中均镶嵌一金属导热柱，并使得每个所述金属导热柱的下端暴露于所述太阳能电池树脂背板，在所述太阳能电池树脂背板的下表面涂覆环氧树脂胶以完全覆盖所述金属导热柱，在所述环氧树脂胶下表面粘结氟碳树脂层，去除部分的氟碳树脂层和部分的环氧树脂胶，以使得每个所述金属导热柱的底表面的一部分裸露；
8)在第二玻璃盖板的下表面的四周边缘形成与所述第一环形沟槽相对设置的第二环形沟槽，通过一环形密封圈将所述第一玻璃盖板和所述第二玻璃盖板粘结在一起，所述环形密封圈上设置有抽气口，利用所述抽气口将所述第一玻璃盖板和所述第二玻璃盖板之间的间隙抽至真空状态，然后利用密封胶密封所述抽气口。
2.根据权利要求1所述的耐用型电池板的制造方法，其特征在于：所述太阳能电池树脂背板的材质为PET、PEN以及PBT中的一种，所述太阳能电池树脂背板的厚度为600-900微米。
3.根据权利要求1所述的耐用型电池板的制造方法，其特征在于：所述第一EVA封装胶层的厚度为200-400微米，所述乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封装胶层的厚度为100-300微米，所述第一导热封装胶层的厚度为200-300微米。
4.根据权利要求3所述的耐用型电池板的制造方法，其特征在于：所述第一导热纳米颗粒的材质为氧化铝、氮化硼、氧化镁、氮化铝以及碳化硅中的一种，所述第一导热纳米颗粒的粒径为100-200纳米。
5.根据权利要求1所述的耐用型电池板的制造方法，其特征在于：所述太阳能电池片层包括多个呈阵列排布的太阳能电池片，所述太阳能电池片为单晶硅电池、多晶硅电池、非晶硅电池、砷化镓电池以及铜铟镓硒电池中的一种。
6.根据权利要求1所述的耐用型电池板的制造方法，其特征在于：所述第一隔热封装胶层的厚度为80-100微米，所述EVA封装胶层的厚度为300-400微米，所述第二隔热封装胶层的厚度为60-90微米，所述隔热材料为膨胀珍珠岩粉末、玻璃棉粉末、膨胀蛭石粉末以及硅酸盐粉末中的一种。
7.根据权利要求6所述的耐用型电池板的制造方法，其特征在于：所述凹孔的顶表面暴露所述第一导热封装胶层，所述凹孔和所述金属导热柱的直径均为3-6毫米，相邻凹孔之间的间距为5-10毫米，所述环氧树脂胶层的厚度为300-500微米，所述氟碳树脂层的厚度为100-150微米，所述金属导热柱的底表面的裸露部分为圆形孔，所述圆形孔的直径为1-3毫米。
8.根据权利要求1所述的耐用型电池板的制造方法，其特征在于：所述间隙的高度2-5毫米。
9.一种耐用型电池板，其特征在于，采用权利要求1-8任一项所述的方法制备形成的。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810424107.7A CN108630784B (zh) | 2018-05-07 | 2018-05-07 | 一种电池板及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810424107.7A CN108630784B (zh) | 2018-05-07 | 2018-05-07 | 一种电池板及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108630784A true CN108630784A (zh) | 2018-10-09 |
| CN108630784B CN108630784B (zh) | 2020-02-07 |
Family
ID=63695619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810424107.7A Active CN108630784B (zh) | 2018-05-07 | 2018-05-07 | 一种电池板及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108630784B (zh) |
-
2018
- 2018-05-07 CN CN201810424107.7A patent/CN108630784B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108630784B (zh) | 2020-02-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA3131439A1 (en) | Power-generating building materials and preparation process thereof | |
| CN104064613B (zh) | 一种高散热型太阳能电池用一体化背板及其制造方法 | |
| CN205542827U (zh) | 一种带有散热背板的光伏组件 | |
| CN110047966A (zh) | 一种柔性基底cigs太阳能电池及其制备方法 | |
| CN104112783B (zh) | 高性能绝缘太阳能光伏光热一体化板芯及其制备方法 | |
| CN202633353U (zh) | 一种硅胶密封封装的光伏电池封装板 | |
| CN202957275U (zh) | 一种光伏-热电一体化组件 | |
| CN107275427A (zh) | 一种基于金属型材基底的复合型光伏光热一体化构件 | |
| CN108565308B (zh) | 一种光伏电池组件及其制造方法 | |
| CN109192803B (zh) | 一种太阳能电池组件 | |
| CN108630784A (zh) | 一种耐用型电池板及其制造方法 | |
| CN204834643U (zh) | 一种太阳能光伏光热建筑一体化模块 | |
| CN209357736U (zh) | 一种双玻光伏组件背面玻璃及双玻光伏组件 | |
| CN201508845U (zh) | 一种无铝边框太阳能电池组件 | |
| CN207425881U (zh) | 一种抗震防摔的太阳能电池片 | |
| CN202871837U (zh) | 一种光伏光热集热组件 | |
| CN202678369U (zh) | 背接触式太阳能电池的太阳能背板 | |
| CN108321235A (zh) | 一种高性能光伏组件及其制备方法 | |
| CN109524554A (zh) | 钙钛矿/硅叠层太阳能电池组件的去湿除氧封装方法 | |
| CN112909112B (zh) | 一种提高光电转换效率的光伏组件及其制备方法 | |
| CN201913849U (zh) | 背板材料及使用背板材料的光伏组件 | |
| CN106452353A (zh) | 一种太阳能光热光电综合利用装置 | |
| CN205845972U (zh) | 抗电位诱发衰减效应的太阳能电池组件 | |
| CN108389923A (zh) | 一种单晶硅电池组件 | |
| CN109560205A (zh) | 一种钙钛矿/硅叠层太阳能电池组件的去湿除氧封装方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20191230 Address after: 518000, Guangdong, Shenzhen province Baoan District manhole street and a community and two industrial zone Xingye Road, No. 8 Applicant after: Shenzhen Jove Enterprise Ltd. Address before: No. 1701 Binhe Road, Suzhou High-tech Zone, Suzhou City, Jiangsu Province Applicant before: Suzhou Bao Lan environmental protection & Technology Co., Ltd. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 518000, Guangdong, Shenzhen province Baoan District manhole street and a community and two industrial zone Xingye Road, No. 8 Applicant after: Shenzhen Zhongfu circuit Co., Ltd Address before: 518000, Guangdong, Shenzhen province Baoan District manhole street and a community and two industrial zone Xingye Road, No. 8 Applicant before: Shenzhen Jove Enterprise Ltd. |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |