CN108598281B - 掩膜板及其制作方法、显示基板及其封装方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种掩膜板及其制作方法、显示基板及其封装方法、显示装置，涉及掩膜板技术领域，为解决在对显示器件封装的过程中，由于产生的Under Coating的厚度较厚，导致显示器件的封装效果受到影响的问题。所述掩膜板，包括掩膜框架和设置在所述掩膜框架上的多个掩膜条，所述掩膜条包括沿第一方向延伸的第一掩膜条和沿第二方向延伸的第二掩膜条，所述第一掩膜条和第二掩膜条交叉设置并限定出多个开口区，所述开口区用于形成膜层图案；所述掩膜条朝向待形成的膜层一侧上设置有凸起的挡块结构。本发明提供的掩膜板用于封装显示器件。
Description
技术领域
本发明涉及掩膜板技术领域，尤其涉及一种掩膜板及其制作方法、显示基板及其封装方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，有机发光二极管(英文：Organic Light-EmittingDiode，以下简称OLED)显示器件以其自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，逐渐受到人们的广泛的关注。这种OLED显示器件采用较薄的有机材料涂层和玻璃基板制作，当有电流通过时，OLED显示器件中的有机材料就会发光，从而实现OLED显示器件的显示功能。
由于OLED显示器件中的有机材料容易与空气中的水和氧气发生反应，为了保证OLED显示器件的使用寿命，对OLED显示器件的封装技术逐渐成为了研究热点。传统的制作OLED显示器件的方式，主要是先形成包括多个OLED显示器件的母板，然后对OLED显示器件的母板整体进行封装，在完成封装后，再对封装好的OLED显示器件的母板进行切割，形成封装好的独立的OLED显示器件。
目前，在对OLED显示器件的母板进行封装时，一般利用与母板相匹配的掩膜板与母板对位，通过掩膜板来限制母板中包括的各OLED显示器件的封装边界，然后通过化学气相沉积法(英文：Chemical Vapor Deposition，简称CVD)在母板上与掩膜板的开口区对应的区域沉积封装材料，以实现对OLED显示器件的封装。然而在实际沉积的过程中发现，在母板上由掩膜板的非开口区遮住的部分依然沉积上了封装材料，这部分封装材料被称为较低的涂层(以下简称：Under Coating)，Under Coating的覆盖范围从掩膜板的开口处的边缘开始，一直延伸至与该开口对应的OLED显示器件的边缘，且从开口处的边缘至OLED显示器件的边缘，Under Coating的厚度逐渐减薄。
在完成对母板的封装后，一般利用激光对母板进行切割，而在切割的过程中，Under Coating在OLED显示器件的边缘处的厚度会对切割操作的良率产生影响，具体地，当Under Coating在OLED显示器件的边缘处的厚度太厚时，切割操作容易使得Under Coating中产生裂纹，而该裂纹容易进一步扩展进入OLED显示器件的显示区，导致影响OLED显示器件的使用寿命。
发明内容
本发明的目的在于提供一种掩膜板及其制作方法、显示基板及其封装方法、显示装置，用于解决在对显示器件封装的过程中，由于产生的Under Coating的厚度较厚，导致显示器件的封装效果受到影响的问题。
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
本发明的第一方面提供一种掩膜板，包括掩膜框架和设置在所述掩膜框架上的多个掩膜条，所述掩膜条包括沿第一方向延伸的第一掩膜条和沿第二方向延伸的第二掩膜条，所述第一掩膜条和所述第二掩膜条交叉设置并限定出多个开口区，所述开口区用于形成膜层图案；其特征在于，所述掩膜条朝向待形成的膜层一侧设置有凸起的挡块结构。
进一步地，所述挡块结构包括多个相互独立的挡块图形，所述挡块图形与所述开口区一一对应，每一所述挡块图形包围对应的所述开口区。
进一步地，所述挡块图形位于所述掩膜条靠近所述开口区的边缘。
进一步地，所述挡块图形在垂直于所述掩膜框架所在平面的方向上的厚度在20um-60um之间。
进一步地，所述挡块图形包括金属挡块图形。
进一步地，所述挡块图形在垂直于所述掩膜条延伸方向上的截面包括梯形或矩形。
基于上述掩膜板的技术方案，本发明的第二方面提供一种掩膜板的制作方法，用于制作上述掩膜板，所述制作方法包括：
提供一掩膜板本体，所述掩膜板本体包括多个开口区；
在所述掩膜板本体的一侧表面上形成凸起的挡块结构。
进一步地，在所述掩膜板本体的一侧表面上形成凸起的挡块结构的步骤具体包括：
采用光刻工艺，在所述掩膜板本体上限定出用于形成所述挡块结构的挡块形成区域；
采用电镀工艺，在所述挡块形成区域形成所述挡块结构。
进一步地，所述采用光刻工艺，在所述掩膜板本体上限定出用于形成所述挡块结构的挡块形成区域的步骤具体包括：
在所述掩膜板本体上涂覆光刻胶，使所述光刻胶完全包覆所述掩膜板本体；
对所述光刻胶进行曝光，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，所述光刻胶去除区域对应所述挡块形成区域，所述光刻胶保留区域对应除所述挡块形成区域之外的区域；
去除位于所述光刻胶去除区域的光刻胶，形成所述挡块形成区域。
进一步地，所述采用电镀工艺，在所述挡块形成区域形成所述挡块结构的步骤具体包括：
采用电镀活化工艺，对所述挡块形成区域暴露出的掩膜板本体进行活化处理；
将活化处理后的所述掩膜板本体和电镀靶放置在盛装有电镀液的电镀池中，将所述掩膜板本体与直流电源的负极连接，并将所述电镀靶与所述直流电源的正极连接，通过所述直流电源为所述掩膜板本体和所述电镀靶施加电信号；
在所述电信号的作用下，所述电镀液中的金属阳离子在所述挡块形成区域暴露出的掩膜板本体上发生电沉积，以形成位于所述挡块形成区域的挡块结构。
进一步地，在所述掩膜板本体的一侧表面上形成凸起的挡块结构的步骤具体包括：
采用光刻工艺，在所述掩膜板本体上限定出用于形成所述挡块结构的挡块形成区域；
采用化学镀工艺或气相沉积工艺，在所述挡块形成区域形成所述挡块结构。
基于上述掩膜板的技术方案，本发明的第三方面提供一种显示基板的封装方法，包括如下步骤：
将上述掩膜板与待封装的显示基板进行对位，所述掩膜板设置有挡块结构的一面朝向所述显示基板；
进行无机封装材料的沉积，所述无机封装材料通过所述掩膜板上的开口区沉积在所述显示基板上，形成封装薄膜。
进一步地，将所述掩膜板与所述显示基板对位的步骤具体包括：
将所述掩膜板与所述显示基板对位，并使所述掩膜板中的掩膜条与所述显示基板之间的距离在50um-250um之间。
基于上述显示基板的封装方法的技术方案，本发明的第四方面提供一种显示基板，采用上述显示基板的封装方法封装得到。
基于上述显示基板的技术方案，本发明的第五方面提供一种显示装置，包括上述显示基板。
本发明提供的技术方案中，在用于限定开口区的掩膜条上形成了凸起的挡块结构，该挡块结构能够限定在待形成膜层的基板中，由掩膜板的非开口区遮住的部分上形成的膜层的厚度和覆盖范围，因此在将本发明提供的掩膜板应用在制作封装层图案中时，该挡块结构能够限定形成的Under Coating的厚度，以及Under Coating的覆盖范围，使得在后续对显示器件的母板进行切割时，Under Coating中不易产生裂纹，从而保证了显示器件的封装效果，而且，由于Under Coating的厚度较薄，可进一步设置显示器件具有较窄的边框宽度，从而满足超窄边框的设计需求。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为利用现有技术中的掩膜板进行封装工艺的示意图；
图2为本发明实施例提供的掩膜板的示意图；
图3为利用本发明实施例提供的掩膜板进行封装工艺的示意图；
图4为本发明实施例提供的掩膜板中的挡块图形的示意图；
图5a-图5f为本发明实施例提供的挡块结构的制作流程图。
附图标记：
1-掩膜板， 10-掩膜框架，
11-掩膜条， 12-开口区，
13-封装层图案， 14-挡块结构，
141-挡块图形， 15-Under Coating，
2-显示器件的母板， 3-光刻胶，
4-挡块形成区域， 5-电镀池，
6-直流电源， 7-掩膜板本体，
8-电镀靶， 91-第一方向，
92-第二方向。
具体实施方式
为了进一步说明本发明实施例提供的掩膜板及其制作方法、显示基板及其封装方法、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。
如背景技术所述，请参阅图1，现有技术中在对显示器件进行封装时，在显示器件的母板2上由掩膜板1的非开口区遮住的部分会形成Under Coating15，且Under Coating15的覆盖范围从掩膜板1的开口处的边缘开始，一直延伸至与该开口对应的显示器件的边缘，且从开口处的边缘至显示器件的边缘，Under Coating15的厚度逐渐减薄；一旦UnderCoating15在显示器件的边缘处的厚度太厚时，在进行激光切割时，容易使得UnderCoating15中产生裂纹，而该裂纹容易进一步扩展进入显示器件的显示区，导致影响显示器件的使用寿命。
为了解决上述问题，传统的解决方法一般是在进行显示器件的边框设计时，设置较宽的边框，以保障Under Coating15在到达显示器件的边缘时已经减薄到了一定程度，这样在后续的切割工艺中，就能够很好的避免裂纹的产生，从而保证了显示器件的使用寿命。
但是由于上述传统的解决方法中需要设置较宽的边框，无法满足显示器件的超窄边框的设计，因此，如何在满足超窄边框的设计的同时，减小、减薄Under Coating15成为亟需解决的问题。
基于上述问题的存在，如图2和图3所示，本发明实施例提供了一种掩膜板，该掩膜板包括掩膜框架10和设置在掩膜框架10上的多个掩膜条11，多个掩膜条11包括沿第一方向91延伸的第一掩膜条和沿第二方向92延伸的第二掩膜条，第一掩膜条和第二掩膜条交叉设置并限定出多个开口区12，开口区12用于形成膜层图案；掩膜条11朝向待形成的膜层一侧设置有凸起的挡块结构14。
具体地，上述掩膜板的具体结构多种多样，下面举例一种具体的掩膜板结构，并对其应用方法进行详细说明。例如：在上述掩膜板中，多个掩膜条11为一体的结构，掩膜框架10围成矩形形状的区域，设置在掩模框架上的多个掩膜条11横纵交错设置(例如：第一掩膜条可选为沿水平方向延伸，第二掩膜条可选为沿与水平方向垂直的方向延伸)，能够在矩形形状的区域内限定出多个开口区12，所述开口区12用于形成膜层图案，在各掩膜条11上设置有凸起的挡块结构14，该挡块结构14能够限制在待形成膜层的基板中，由掩膜板的非开口区遮住的部分上形成的膜层的厚度和覆盖范围。需要说明，图2中示出的挡块结构14是虚线框部分沿A1A2方向的截面示意图。
值得注意，利用上述掩膜板可制作多种膜层图案，下面以利用上述掩膜板形成封装层图案13为例，对形成封装层图案13的具体过程进行说明。首先将掩膜板与待封装的显示器件的母板2进行对位，使得掩膜板设置有挡块结构14的一面朝向显示器件的母板2，并使得掩膜板上的多个开口区12与显示器件的母板2上的多个显示器件一一对应，每一个开口区12限制对应的显示器件的封装边界；然后通过化学气相沉积法，在显示器件的母板2上与各开口区12对应的区域沉积封装材料，在封装的过程中，由于挡块结构14设置在掩膜板和显示器件的母板2之间，限制了封装材料在掩膜板和显示器件的母板2之间的间隙中的流动性，从而减小了形成的Under Coating15的厚度，以及Under Coating15的覆盖范围。
根据上述掩膜板的具体结构和应用方法可知，本发明实施例提供的掩膜板中，在用于限定开口区12的掩膜条11上形成了凸起的挡块结构14，该挡块结构14能够限定在待形成膜层的基板中，由掩膜板的非开口区遮住的部分上形成的膜层的厚度和覆盖范围，因此在将本发明实施例提供的掩膜板应用在制作封装层图案13中时，该挡块结构14能够限定形成的Under Coating15的厚度，以及Under Coating15的覆盖范围，使得在后续对显示器件的母板2进行切割时，Under Coating15中不易产生裂纹，从而保证了显示器件的封装效果，而且，由于Under Coating15的厚度较薄，可进一步设置显示器件具有较窄的边框宽度，从而满足超窄边框的设计需求。
进一步地，上述挡块结构14具有多种结构，可选的，如图4所示，上述挡块结构14包括多个相互独立的挡块图形141，挡块图形141与开口区12一一对应，每一挡块图形141包围对应的开口区12。
具体地，每一个挡块图形141设置在所对应的开口区12的边缘的掩膜条11上，并能够包围对应的开口区12，例如：掩膜条11围成矩形的开口区12，则挡块图形141位于用于形成矩形的开口区12的掩膜条11上，将矩形的开口区12包围。
上述结构的挡块结构14使得各开口区12均设置有挡块图形141，且挡块图形141均能够将对应的开口区12包围，使得在利用该掩膜板进行封装操作时，挡块图形141能够在开口区12的各个位置均限定Under Coating15的厚度以及覆盖范围，更好的保证了对显示器件的封装效果，以及满足超窄边框的设计需求。
进一步地，可设置挡块图形141位于掩膜条11靠近开口区12的边缘。
具体地，将挡块图形141设置在掩膜条11靠近开口区12的边缘，能够使得挡块图形141更好的限制封装材料的流动区域，从而进一步限定了Under Coating15的厚度以及覆盖范围，保证了显示器件的封装效果以及超窄边框的设计需求。
进一步地，上述挡块图形141在垂直于掩膜框架10所在平面的方向上的厚度可设置在20um-60um之间。
具体地，由于在利用掩膜板进行封装工艺时，在将掩膜板与待封装的显示器件的母板2进行对位后，掩膜板与待封装的显示器件的母板2之间的间隙一般在50um-250um之间，因此设置挡块图形141在垂直于掩膜框架10所在平面的方向上的厚度在20um-60um之间，并使得挡块图形141的厚度小于掩膜板与待封装的显示器件的母板2之间的间隙，不仅使得挡块图形141不会对掩膜板与待封装的显示器件的母板2之间的间隙产生影响，还保证了挡块图形141能够很好的限制封装材料在掩膜板与待封装的显示器件的母板2之间的间隙的流动性。
进一步地，上述挡块图形141的材质多种多样，例如：挡块图形141包括金属挡块图形。
具体地，当上述挡块图形141包括金属挡块图形时，可通过电镀工艺来形成挡块图形141，而由于电镀工艺能够形成较高精度的图形，并能够很好的控制所形成的图形的厚度，使得所形成的金属挡块图形具有较高的图形精度，在利用包括该金属挡块图形的掩膜板进行封装工艺时，更好的保证了封装效果。
进一步地，上述挡块图形141在垂直于掩膜条11延伸方向上的截面包括梯形或矩形。
具体地，上述挡块图形141可形成为多种形状，例如：可形成为梯形结构的挡块图形141或矩形结构的挡块图形141，值得注意的是，无论所形成的挡块图形141为何种结构，均应满足所形成的挡块图形141在掩膜条11上的正投影位于掩膜条11的内部，这样在利用掩膜板进行封装时，掩膜板上的挡块图形141不会对开口区12形成的封装层图案13产生影响，从而很好的保证了封装效果。
本发明实施例还提供了一种掩膜板的制作方法，用于制作上述实施例提供的掩膜板，该制作方法包括：
步骤101，提供一掩膜板本体，掩膜板本体包括多个开口区12；
具体地，如图2和图3所示，上述掩膜板本体包括掩膜框架10和设置在掩膜框架10上的多个掩膜条11，多个掩膜条11限定出多个开口区12，开口区12用于形成封装层图案13。
步骤102，在掩膜板本体的一侧表面上形成凸起的挡块结构14。
具体地，在掩膜板本体中的掩膜条11上形成凸起的挡块结构14，且该挡块结构14位于掩膜板本体的一侧表面上。
根据上述制作掩膜板的具体过程可知，本发明实施例提供的掩膜板的制作方法中，在包括多个开口区12的掩膜板本体上形成了凸起的挡块结构14，该挡块结构14能够限定在待形成膜层的基板中，由掩膜板的非开口区遮住的部分上形成的膜层的厚度和覆盖范围。在利用由本发明实施例提供的掩膜板的制作方法制作的掩膜板进行封装时，可先将掩膜板与待封装的显示器件的母板2进行对位，使得掩膜板设置有挡块结构14的一面朝向显示器件的母板2，然后通过化学气相沉积法，在显示器件的母板2上与各开口区12对应的区域沉积封装材料，在封装的过程中，由于挡块结构14设置在掩膜板和显示器件的母板2之间，限制了封装材料在掩膜板和显示器件的母板2之间的间隙中的流动性，从而减小了形成的Under Coating15的厚度，以及Under Coating15的覆盖范围；可见，在利用由本发明实施例提供的掩膜板的制作方法制作的掩膜板进行封装后，在对封装好显示器件的母板2进行切割时，Under Coating15中不易产生裂纹，从而保证了显示器件的封装效果，而且，由于Under Coating15的厚度较薄，可进一步设置显示器件具有较窄的边框宽度，从而满足超窄边框的设计需求。
进一步地，上述步骤102中，在掩膜板本体的一侧表面上形成凸起的挡块结构14的步骤具体包括：
步骤1021，采用光刻工艺，在掩膜板本体上限定出用于形成挡块结构14的挡块形成区域4，如图5a-图5c所示；
具体地，可先在掩膜板本体上涂覆光刻胶3，使光刻胶3完全包覆掩膜板本体；然后对光刻胶3进行曝光，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，光刻胶去除区域对应挡块形成区域4，光刻胶保留区域对应除挡块形成区域4之外的区域；去除位于光刻胶去除区域的光刻胶3，形成挡块形成区域4。
更详细地说，利用浸涂法在掩膜板本体的四周形成光刻胶涂层，该光刻胶涂层能够将掩膜板本体完全包覆，然后利用另一个用于形成挡块形成区域4的掩膜板对光刻胶涂层进行曝光处理，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，其中光刻胶去除区域对应的光刻胶涂层未被光照射，可通过显影液清洗掉，而光刻胶保留区域对应的光刻胶涂层由于受到照射而发生固化，继续包覆在掩膜板本体上，因此，上述采用光刻工艺能够在掩膜板本体上限定出精确的挡块形成区域4。
步骤1022，采用电镀工艺，在挡块形成区域4形成挡块结构14，如图5d-图5f所示。
具体地，可先采用电镀活化工艺，对挡块形成区域4暴露出的掩膜板本体7进行活化处理；将活化处理后的掩膜板本体7和电镀靶8放置在盛装有电镀液的电镀池5中，将掩膜板本体7与直流电源6的负极连接，并将电镀靶8与直流电源6的正极连接，通过直流电源6为掩膜板本体7和电镀靶8施加电信号；在电信号的作用下，电镀液中的金属阳离子在挡块形成区域4暴露出的掩膜板本体7上发生电沉积，以形成位于挡块形成区域4的挡块结构14。
更详细地说，上述采用电镀活化工艺，对挡块形成区域4暴露出的掩膜板本体进行活化处理的具体方法多种多样，例如：可通过打磨操作改变挡块形成区域4暴露出的掩膜板本体的表面粗糙度，使得打磨后的掩膜板本体的表面被活化激活；或者可以根据掩膜板本体的材料，利用相应的化学试剂对挡块形成区域4暴露出的掩膜板本体进行活化激活。无论采用哪种方式对掩膜板本体进行活化激活，都只是对挡块形成区域4暴露出的掩膜板本体进行活化处理，而对于掩膜板本体上除挡块形成区域4之外的其它区域，由于被包覆的光刻胶涂层保护而不会被激活。
在将活化处理后的掩膜板本体7放置在盛装有电镀液的电镀池5中时，由于掩膜板本体7上除挡块形成区域4外，均包覆有光刻胶涂层，因此在电镀过程中，只有挡块形成区域4暴露出的掩膜板本体7上能够生长镀层，其它地方无法生长，从而获得了高精度定位的挡块结构14。
另外，采用电镀工艺在挡块形成区域4形成挡块结构14时，可通过控制电镀的时间来控制所形成的挡块结构14的厚度，例如：将掩膜板本体7放置在电镀池5中的时间在1h～2h之间，可形成厚度在20um-60um之间的挡块结构14。值得注意的是，一般施镀1小时所生长的镀层厚度可达到20um-40um，在利用掩膜板对显示基板的母板进行封装时，在将掩膜板与显示器件的母板2进行对位后，掩膜板上的掩膜条11与显示器件的母板2之间的间隙一般在50um-250um的范围内，可见，利用电镀工艺形成的挡块结构14的厚度能够很好的匹配掩膜板上的掩膜条11与显示器件的母板2之间的间隙的数量级，从而很好的限制了形成的UnderCoating15的厚度和覆盖范围。
此外，由于采用电镀工艺生长的镀层，主体成分可控，例如：可选用铁基，镍基，铜基，铝基等作为主体成分，且形成的镀层中合金元素种类和含量均可控，故整个镀层在成分、性质上的调控程度很大，因此采用电镀工艺形成的挡块结构14能够很好的匹配掩膜板本体7中掩膜条11所要求的性质。
根据上述实施例提供的制作挡块结构14的具体过程可知，上述实施例提供的掩膜板的制作方法中，能够先利用光刻工艺精确的限定出用于形成挡块结构14的挡块形成区域4，然后通过电镀工艺在挡块形成区域4形成高精度的挡块结构14，因此，在利用由上述实施例提供的制作方法制作的掩膜板进行封装工艺时，能够很好的限制形成的UnderCoating15的厚度，以及Under Coating15的覆盖范围。
进一步地，上述步骤102中，在掩膜板本体的一侧表面上形成凸起的挡块结构14的步骤还可以具体包括：采用光刻工艺，在掩膜板本体上限定出用于形成挡块结构的挡块形成区域；采用化学镀工艺或气相沉积工艺，在挡块形成区域形成挡块结构。
具体地，在采用光刻工艺在掩膜板本体上限定出挡块形成区域后，可通过多种方法进一步制作挡块结构，除上述采用的电镀工艺外，还可采用化学镀工艺或气相沉积工艺在挡块形成区域形成挡块结构，当然，形成挡块结构的方法不仅限于给出的这几种方式。
进一步地，如图4所示，上述步骤1022中，在挡块形成区域4形成挡块结构14的步骤可具体包括：形成多个相互独立的挡块图形141，挡块图形141与开口区12一一对应，每一挡块图形141包围对应的开口区12。
具体地，先采用光刻工艺在掩膜板本体上形成多个相互独立的挡块形成区域4，该挡块形成区域4与开口区12一一对应，且每一挡块形成区域4包围对应的开口区12；然后采用电镀工艺，在多个挡块形成区域4上一一对应形成多个挡块图形141，所形成的多个挡块图形141相互独立，且挡块图形141与开口区12一一对应，每一挡块图形141包围对应的开口区12。
采用上述实施例提供的制作方法制作的掩膜板中，形成在掩膜板本体上的挡块结构14包括多个挡块图形141，且各挡块图形141均能够将对应的开口区12包围，使得在利用该掩膜板进行封装操作时，挡块图形141能够在开口区12的各个位置均限定UnderCoating15的厚度以及覆盖范围，更好的保证了对显示器件的封装效果，以及满足超窄边框的设计需求。
本发明实施例还提供了一种显示基板的封装方法，包括如下步骤：
步骤201，将上述实施例提供的掩膜板与待封装的显示基板进行对位，掩膜板设置有挡块结构14的一面朝向显示基板；
具体地，将掩膜板与待封装的显示器件的母板2进行对位，使得掩膜板设置有挡块结构14的一面朝向显示器件的母板2，并使得掩膜板上的多个开口区12与显示器件的母板2上的多个显示器件一一对应，每一个开口区12限制对应的显示器件的封装边界。
步骤202，进行无机封装材料的沉积，无机封装材料通过掩膜板上的开口区12沉积在显示基板上，形成封装薄膜。
具体的，可选用SiON和SiNx等无机材料作为封装材料，通过掩膜板上的开口区12，在显示基板上沉积形成封装薄膜。
由于本发明实施例提供的显示基板的封装方法中采用了上述实施例提供的掩膜板进行封装，因此，采用本发明实施例提供的封装方法封装的显示基板上，形成的UnderCoating15具有较薄的厚度和较小的覆盖范围，使得封装后的显示基板不仅具有良好的封装效果，而且能够满足超窄边框的设计需求。
进一步地，上述步骤201中，将掩膜板与显示基板对位的步骤具体包括：将掩膜板与显示基板对位，并使掩膜板中的掩膜条11与显示基板之间的距离在50um-250um之间。
具体地，在将掩膜板与显示基板对位时，设置掩膜板中的掩膜条11与显示基板之间的距离在50um-250um之间，不仅能够很好的在显示器件上形成封装薄膜，还保证了在掩膜板上形成的厚度在20um-60um之间的挡块结构14能够很好的限制Under Coating15的厚度以及覆盖范围。
本发明实施例还提供了一种显示基板，采用上述实施例提供的显示基板的封装方法封装得到。
由于本发明实施例提供的显示基板采用上述实施例提供的显示基板的封装方法封装得到，因此，本发明实施例提供的显示基板上形成的Under Coating具有较薄的厚度和较小的覆盖范围，使得封装后的显示基板不仅具有良好的封装效果，而且能够满足超窄边框的设计需求。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的显示基板。
由于本发明实施例提供的显示装置包括上述实施例提供的显示基板，因此，本发明实施例提供的显示装置同样具有良好的封装效果，而且能够满足超窄边框的设计需求。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件″上″或″下″时，该元件可以″直接″位于另一元件″上″或″下″，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (15)
1.一种掩膜板，包括掩膜框架和设置在所述掩膜框架上的多个掩膜条，所述掩膜条包括沿第一方向延伸的第一掩膜条和沿第二方向延伸的第二掩膜条，所述第一掩膜条和所述第二掩膜条交叉设置并限定出多个开口区，所述开口区用于形成膜层图案；其特征在于，所述掩膜条朝向待形成的膜层一侧设置有凸起的挡块结构。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述挡块结构包括多个相互独立的挡块图形，所述挡块图形与所述开口区一一对应，每一所述挡块图形包围对应的所述开口区。
3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述挡块图形位于所述掩膜条靠近所述开口区的边缘。
4.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述挡块图形在垂直于所述掩膜框架所在平面的方向上的厚度在20um-60um之间。
5.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述挡块图形包括金属挡块图形。
6.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述挡块图形在垂直于所述掩膜条延伸方向上的截面包括梯形或矩形。
7.一种掩膜板的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1～6任一项所述的掩膜板，所述制作方法包括：
提供一掩膜板本体，所述掩膜板本体包括多个开口区；
在所述掩膜板本体的一侧表面上形成凸起的挡块结构。
8.根据权利要求7所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，在所述掩膜板本体的一侧表面上形成凸起的挡块结构的步骤具体包括：
采用光刻工艺，在所述掩膜板本体上限定出用于形成所述挡块结构的挡块形成区域；
采用电镀工艺，在所述挡块形成区域形成所述挡块结构。
9.根据权利要求8所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，所述采用光刻工艺，在所述掩膜板本体上限定出用于形成所述挡块结构的挡块形成区域的步骤具体包括：
在所述掩膜板本体上涂覆光刻胶，使所述光刻胶完全包覆所述掩膜板本体；
对所述光刻胶进行曝光，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，所述光刻胶去除区域对应所述挡块形成区域，所述光刻胶保留区域对应除所述挡块形成区域之外的区域；
去除位于所述光刻胶去除区域的光刻胶，形成所述挡块形成区域。
10.根据权利要求8所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，所述采用电镀工艺，在所述挡块形成区域形成所述挡块结构的步骤具体包括：
采用电镀活化工艺，对所述挡块形成区域暴露出的掩膜板本体进行活化处理；
将活化处理后的所述掩膜板本体和电镀靶放置在盛装有电镀液的电镀池中，将所述掩膜板本体与直流电源的负极连接，并将所述电镀靶与所述直流电源的正极连接，通过所述直流电源为所述掩膜板本体和所述电镀靶施加电信号；
在所述电信号的作用下，所述电镀液中的金属阳离子在所述挡块形成区域暴露出的掩膜板本体上发生电沉积，以形成位于所述挡块形成区域的挡块结构。
11.根据权利要求7所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，在所述掩膜板本体的一侧表面上形成凸起的挡块结构的步骤具体包括：
采用光刻工艺，在所述掩膜板本体上限定出用于形成所述挡块结构的挡块形成区域；
采用化学镀工艺或气相沉积工艺，在所述挡块形成区域形成所述挡块结构。
12.一种显示基板的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
将如权利要求1～6中的任一项所述的掩膜板与待封装的显示基板进行对位，所述掩膜板设置有挡块结构的一面朝向所述显示基板；
进行无机封装材料的沉积，所述无机封装材料通过所述掩膜板上的开口区沉积在所述显示基板上，形成封装薄膜。
13.根据权利要求12所述的显示基板的封装方法，其特征在于，将所述掩膜板与所述显示基板对位的步骤具体包括：
将所述掩膜板与所述显示基板对位，并使所述掩膜板中的掩膜条与所述显示基板之间的距离在50um-250um之间。
14.一种显示基板，其特征在于，采用如权利要求12或13所述的显示基板的封装方法封装得到。
15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求14所述的显示基板。
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