CN108575403A - 一种薰衣草种子培植装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种薰衣草种子培植装置及方法,包括培育箱,所述培育箱的外侧设置滑槽,滑槽位于培育箱的四侧中央;所述培育箱的外侧设置有集水槽架;所述培育箱的底端四侧开设有排水口,培育箱的内部底端设置有支撑架,培育箱内设置有培育盆,培育盆的接触安装在支撑架上,培育盆的底端固定安装有隔网,隔网的上端接触安装有滤布;所述培育盆内铺设有土壤层,土壤层的上端面铺设有细土。本发明提出的薰衣草种子培植装置及方法,通过培育箱可为薰衣草提供良好的培植环境,土壤层排水性良好,避免积水烂根,调节温度并置于光照的环境中,促进生长发育以及芳香油的形成;整体可使薰衣草健康快速的生长、开花,生产芳香油。
Description
技术领域
本发明涉及到农业技术领域,特别涉及一种薰衣草种子培植装置及方法。
背景技术
众所周知,薰衣草为一种香氛植物,具有怡神、清心、止痛、助眠、美容、舒缓压力等功效,但是薰衣草同样可以作为药用,薰衣草作为药用有利湿、健胃、清脑、除风寒等作用,可用于风寒感冒、湿痹关节痛、胸腹胀满、心悸气短、头痛头晕等疾病;目前薰衣草一般用于以下几个方面,外用:适合任何皮肤,促进细胞再生、加速伤口愈合,改善粉刺、脓肿、湿疹、平衡皮脂分泌,对烧烫灼晒伤有奇效,可抑制细菌、减少疤痕;茎和叶都可入药,有健胃、发汗、止痛之功效,是治疗伤风感冒、腹痛、湿疹的良药;全株均具芳香,植株晾干后香气不变,花朵还可做香包,其香气能醒脑明目,使人舒适,还能驱除蚊蝇;近期有学者发现薰衣草有改善心肌功能作用,可增加冠脉血流量,研究表明患者通过闻薰衣草香味进行芳香疗法,可以改善心肌功能,不依靠药物治疗也能使心脏病患者减轻病情;薰衣草尚有降脂、利尿降压、钙通道阻滞等作用,对于心脏功能欠佳患者,可进行薰衣草芳香疗法,以达到改善心脏功能,增加冠脉供血的作用,心脏不好,闻闻草,可降低血脂,可利尿降压,可有钙通道阻滞作用,可增加冠脉供血,改善心脏功能,一味草,兼具多种药物功效,可减少心脏疾病患者日服大量药物的痛苦,可改善心脏疾病患者的焦虑心情,可给心脏病患者提供一种放松舒适、清心享受的心境,薰衣草栽种量随着需求量的增大而增大,为更快的培养出更好的薰衣草,因此提出一种薰衣草培植装置及方法。
发明内容
为这解决现有薰衣草培植过程中易出现烂根死亡,生长慢,产量低的问题,本发明的目的在于提供一种薰衣草种子培植装置及方法,可使薰衣草健康快速的生长、开花,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种薰衣草种子培植装置,包括培育箱,所述培育箱的外侧设置滑槽,滑槽位于培育箱的四侧中央;所述培育箱的外侧设置有集水槽架,集水槽架活动安装在滑槽上;所述培育箱的底端四侧开设有排水口,集水槽架与排水口的下端;所述培育箱的内部底端设置有支撑架,支撑架的侧端与培育箱固定焊接;所述培育箱内设置有培育盆,培育盆的接触安装在支撑架上;所述培育盆的上端两侧设置安装有提手,提手采用螺钉与培育盆固定连接;所述培育盆的底端固定安装有隔网,隔网的上端接触安装有滤布;所述培育盆内铺设有土壤层,土壤层的底端与滤布上端面接触连接,土壤层的上端面铺设有细土;所述培育箱的侧端安装有温度计,培育箱的上端内侧排布安装有发热电阻,培育箱的外侧固定安装有开关和电源接口,发热电阻、开关和电源接口依次串接。
优选的,所述土壤层采用1/3的珍珠石、1/3的蛭石和1/3的泥炭苔均匀混合而成,PH值为7-8。
一种薰衣草种子培植方法,包括如下步骤:
S1:在种子萌发阶段将温度调节到15℃-20℃;
S2:在播种前,对土壤层上浇水,待水透过滤布和隔网渗透至培育箱底端,通过排水口流至集水槽架内;
S3:将种子均匀的播撒在水下渗后的土壤层上端面,然后再盖上一层细土,细土的厚度为种子的2-3倍,将培育箱放置在无光环境中;
S4:待种子萌发后,将幼苗移至光照的环境下,将温度调节在15-25度之间,待土壤层干燥后(即土壤层表面干燥,内部湿润,叶子轻微萎焉时),避开阳光,在早上浇透水,将幼苗移至全日照环境下进行培养,夏季阳光遮半,在幼苗期,施用花宝二号肥料,成株后,施加磷肥较高的肥料,如花宝三号,在其生长迅速的春季(3月-5月),按月追施氮、磷、钾复合肥,配制溶液浇灌,浓度为1%,采用多菌灵和百菌清800倍溶液灌根,每月一次;
S5:开花后,在花下第一个节处剪去,并随便将植株修剪成半球型,平时,随时剪去干枯的枝条,控制植株的高度,得到更好的植株,在夏末秋初,适当重剪,促发新枝,当苗子过密时可适当剪苗,待苗高出10cm左右时,可移栽,并更换培育箱。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明提出的薰衣草种子培植装置及方法,通过设置的培育箱可培植薰衣草种子,其中通过将培育盆放置在支撑架上,使其处于悬空的状态,并在底端安装隔网和滤布,可使土壤层内的水分渗出,保证土壤层湿润的同时又不会产生积水而使薰衣草烂根,排除的水可积留在集水槽架内,集水槽架内带有肥料的水可收集起来重新利用,通过发热电阻及温度计可将温度控制在合理的范围内,为薰衣草种子提供了良好的培植环境;土壤层采用1/3的珍珠石、1/3的蛭石和1/3的泥炭苔均匀混合而成,排水性良好,避免积水烂根,在不同的萌发阶段及生长阶段调节其温度,可加快其生长速度,采用多菌灵和百菌清800倍溶液灌根,避免出现根腐病,提供充足的光照可促进生长发育以及芳香油的形成,整体可使薰衣草健康快速的生长、开花。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图;
图2为本发明的俯视图;
图3为本发明的主向剖视图。
图中;1培育箱、2滑槽、3集水槽架、4排水口、5支撑架、6培育盆、7提手、8隔网、9滤布、10土壤层、11细土、12温度计、13发热电阻、14开关、15电源接口。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-3,一种薰衣草种子培植装置,包括培育箱1,培育箱1的外侧设置滑槽2,滑槽2位于培育箱1的四侧中央;培育箱1的外侧设置有集水槽架3,集水槽架3活动安装在滑槽2上;培育箱1的底端四侧开设有排水口4,集水槽架3与排水口4的下端;培育箱1的内部底端设置有支撑架5,支撑架5的侧端与培育箱1固定焊接;培育箱1内设置有培育盆6,培育盆6的接触安装在支撑架5上;培育盆6的上端两侧设置安装有提手7,提手7采用螺钉与培育盆5固定连接;培育盆5的底端固定安装有隔网8,隔网8的上端接触安装有滤布9;培育盆5内铺设有土壤层10,土壤层10的底端与滤布9上端面接触连接,土壤层10采用1/3的珍珠石、1/3的蛭石和1/3的泥炭苔均匀混合而成,排水性能佳,避免水分积留,PH值为6-8,土壤层10的上端面铺设有细土11;培育箱1的侧端安装有温度计12,培育箱1的上端内侧排布安装有发热电阻13,培育箱1的外侧固定安装有开关14和电源接口15,发热电阻13、开关14和电源接口15依次串接;该薰衣草种子培植装置通过将培育盆6放置在支撑架5上,使其处于悬空的状态,并在底端安装隔网8和滤布9,可使土壤层10内的水分渗出,保证土壤层10湿润的同时又不会产生积水而使薰衣草烂根,排除的水可积留在集水槽架3内,集水槽架3内带有肥料的水可收集起来重新利用,通过安装的发热电阻13可对培育箱1内部进行升温,通过温度计12可实时观察内部温度,调节开关14使温度控制在合理的范围内。
一种薰衣草种子培植方法,包括如下步骤:
第一步:在种子萌发阶段将温度调节到15℃-20℃,15℃-20℃为薰衣草种子萌发的最适温度;
第二步:在播种前,对土壤层10上浇水,待水透过滤布9和隔网8渗透至培育箱1底端,通过排水口4流至集水槽架3内,保持土壤层10的湿润,土壤层10采用1/3的珍珠石、1/3的蛭石和1/3的泥炭苔均匀混合而成,排水性良好;
第三步:将种子均匀的播撒在水下渗后的土壤层10上端面,然后再盖上一层细土,细土的厚度为种子的2-3倍,将培育箱1放置在无光环境中,等待种子发芽;
第四步:待种子萌发后,将幼苗移至光照的环境下,将温度调节在15-25度之间,15-25度为幼苗及成株生产的最适温度,待土壤层10干燥后(即土壤层10表面干燥,内部湿润,叶子轻微萎焉时),避开阳光,在早上浇透水,将幼苗移至全日照环境下进行培养,夏季阳光遮半,薰衣草为长日照植物,充足的光照可促进薰衣草的生长发育以及芳香油的形成,在幼苗期,施用花宝二号肥料,成株后,施加磷肥较高的肥料,如花宝三号,在其生长迅速的春季(3月-5月),按月追施氮、磷、钾复合肥,配制溶液浇灌,浓度为1%,过多的氮肥易造成徒长,施肥宜少不宜多,避免出现烧根的现象,采用多菌灵和百菌清800倍溶液灌根,每月一次,减少虫害,避免出现根腐病;
第五步:开花后,摘下花朵或花序,然后在花下第一个节处剪去,并随便将植株修剪成半球型,平时,随时剪去干枯的枝条,控制植株的高度,得到更好的植株,在夏末秋初,适当重剪,促发新枝,当苗子过密时可适当剪苗,待苗高出10cm左右时,可移栽,并更换培育箱1,依次循环,即可不断培植薰衣草。
综上所述,本发明提出的薰衣草种子培植装置及方法,通过设置的培育箱1可培植薰衣草种子,其中通过将培育盆6放置在支撑架5上,使其处于悬空的状态,并在底端安装隔网8和滤布9,可使土壤层10内的水分渗出,保证土壤层10湿润的同时又不会产生积水而使薰衣草烂根,排除的水可积留在集水槽架3内,集水槽架3内带有肥料的水可收集起来重新利用,通过安装的发热电阻13可对培育箱1内部进行升温,通过温度计12可实时观察内部温度,调节开关14使温度控制在合理的范围内,为薰衣草种子提供了良好的培植环境;土壤层10采用1/3的珍珠石、1/3的蛭石和1/3的泥炭苔均匀混合而成,排水性良好,避免积水烂根,在不同的萌发阶段及生长阶段调节其温度,可加快其生长速度,采用多菌灵和百菌清800倍溶液灌根,避免出现根腐病,提供充足的光照可促进生长发育以及芳香油的形成,整体可使薰衣草健康快速的生长、开花。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种薰衣草种子培植装置,其特征在于,包括培育箱(1),所述培育箱(1)的外侧设置滑槽(2),滑槽(2)位于培育箱(1)的四侧中央;所述培育箱(1)的外侧设置有集水槽架(3),集水槽架(3)活动安装在滑槽(2)上;所述培育箱(1)的底端四侧开设有排水口(4),集水槽架(3)与排水口(4)的下端;所述培育箱(1)的内部底端设置有支撑架(5),支撑架(5)的侧端与培育箱(1)固定焊接;所述培育箱(1)内设置有培育盆(6),培育盆(6)的接触安装在支撑架(5)上;所述培育盆(6)的上端两侧设置安装有提手(7),提手(7)采用螺钉与培育盆(5)固定连接;所述培育盆(5)的底端固定安装有隔.网(8),隔网(8)的上端接触安装有滤布(9);所述培育盆(5)内铺设有土壤层(10),土壤层(10)的底端与滤布(9)上端面接触连接,土壤层(10)的上端面铺设有细土(11);所述培育箱(1)的侧端安装有温度计(12),培育箱(1)的上端内侧排布安装有发热电阻(13),培育箱(1)的外侧固定安装有开关(14)和电源接口(15),发热电阻(13)、开关(14)和电源接口(15)依次串接。
2.如权利要求1所述的一种薰衣草种子培植装置及方法,其特征在于:所述土壤层(9)采用1/3的珍珠石、1/3的蛭石和1/3的泥炭苔均匀混合而成,PH值为6-8。
3.一种薰衣草种子培植方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1:在种子萌发阶段将温度调节到15℃-20℃;
S2:在播种前,对土壤层(10)上浇水,待水透过滤布(9)和隔网(8)渗透至培育箱(1)底端,通过排水口(4)流至集水槽架(3)内;
S3:将种子均匀的播撒在水下渗后的土壤层(10)上端面,然后再盖上一层细土,细土的厚度为种子的2-3倍,将培育箱(1)放置在无光环境中;
S4:待种子萌发后,将幼苗移至光照的环境下,将温度调节在15-25度之间,待土壤层(10)干燥后(即土壤层(10)表面干燥,内部湿润,叶子轻微萎焉时),避开阳光,在早上浇透水,将幼苗移至全日照环境下进行培养,夏季阳光遮半,在幼苗期,施用花宝二号肥料,成株后,施加磷肥较高的肥料,如花宝三号,在其生长迅速的春季(3月-5月),按月追施氮、磷、钾复合肥,配制溶液浇灌,浓度为1%,采用多菌灵和百菌清800倍溶液灌根,每月一次;
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