CN108573986A - 一种背照式宽动态范围cmos图像传感器的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及了CMOS图像传感器领域，尤其是涉及了一种背照式款动态范围图像传感器的制作方法。本发明通过在背面制作深槽隔离和P阱注入，减小了器件间像素单元的电光学串扰，增大了器件的满井容量，同时在背面进行离子注入减小背面照光后扩散电子引起的电学串扰。而CMOS像素单元结构采用5T有源像素结构作为单元结构，五管有源像素由于采用全并行曝光模式，像素势阱很快被填满，提高了图像传感器的动态范围。
Description
技术领域
本发明涉及CMOS图像传感器领域，特别是涉及一种减小背照式CMOS图像传感器串扰的制作方法。
背景技术
眼睛是人的视觉图像来源，而人类通过视觉系统获得的信息量约占总获取信息量的80%以上。而图像传感器（Image Sensor）就是视频采集设备的图像接受装置，类似人类的眼睛。图像传感器在如今电子数码产品中屡见不鲜，发挥着重要的作用。CMOS图像传感器可应用于PC终端摄像头、数码相机、手机及平板电脑监控摄像头、工业摄像机、可视门铃、汽车尾视、汽车防盗、机器视觉、安防监控等领域。在纵横交错的信息世界里，图像传感器作为图像信息采集系统的“视网膜”，因其能实现图像信息的实时采集、数字形式多层次呈现，在信息时代发挥着不可替代的作用。
半导体图像传感器包括电荷耦合器件图像传感器（Charge CoupledDevice,CCD）和互补金属氧化物半导体图像传感器（CMOS Image Sensor,CIS）。其中CMOS 图像传感器是指基于 CMOS 工艺制造的图像传感器，是将模拟光信号转化为数字电信号的器件单元。先，外界光源通过光学器件，将图像汇聚到 CMOS图像传感器感光区域像素阵列上。像素阵列将接收到的光信号转化为模拟电信号，并经过放大、去噪送到模数转换器（Analog-to-DigitalConverter, ADC）中数字化。最后，数字化的信号经过图像处理芯片运算得到一幅清晰真实的图像。
背照式（Back-Side illuminated sensor,BSI）CMOS 图像传感器的发展受到了诸多因素的限制，如因像素尺寸缩减而造成的满阱容量的过小、背照式技术下严重的短波串扰等问题。这对小尺寸背照式图像传感器，尤其是像素部分的设计提出了更苛刻的要求。因此，改善小尺寸像素的满阱容量与BSI 像素的电学串扰是本发明需要解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种减小背照式CMOS图像传感器串扰的制作方法。本发明的特点是通过改进传统光电二极管PPD结构来实现满阱容量(FWC)扩展的和正面浅沟槽隔离STI技术、背面沟槽隔离的BTI防串扰的方法。
本发明提供一种减小背照式CMOS图像传感器串扰的制作方法，包括：
提供了一种P型外延片，在P型外延片上制作T4型像素单元结构；
所述的半导体外延层上的每个像素单元内具有一个T5型像素单元结构；
所述的T5型像素单元结构包括光电二极管（PPD）和5个MOS管构成；
所述的四个MOS管分别指传输管 TX、复位管 RST、源极跟随器 SF、行选管SEL和信号开关选择管PR；
所述P型半导体外延层制作浅槽，所述浅槽位于相邻像素单元之间，称为正面浅沟槽隔离STI技术；
所述P半导体衬底制作深沟槽，所述深沟槽位于相邻像素单元感光面之间，称为背面沟槽隔离的BTI；
所述半导体外延层上制作T5型有源像素APS光电二极管；
进一步在半导体像素器件正面淀积绝缘层，在绝缘层内形成接触孔，为多晶硅与金属层提供电学连接；
最后在背面形成感光层，完成背照式像素结构的制作方法。
附图说明
图1为一实施例中的传统T4型有源像素APS结构；
图2为本发明为背照式CMOS图像传感器完成背面保护结构；
图3为本发明为背照式CMOS图像传感器完成标记定位；
图4为本发明为背照式CMOS图像传感器完成背面沟槽隔离的BTI结构及槽内填充；
图5为本发明为背照式CMOS图像传感器完成抗反射层淀积；
图6为本发明为背照式CMOS图像传感器完成背面沟槽（BPW）结构；
图7为本发明为背照式CMOS图像传感器完成晶圆进行绑定及正面减薄；
图8为本发明为背照式CMOS图像传感器完成正面的浅沟槽隔STI 结构；
图9为本发明为背照式CMOS图像传感器完成正面PPD的PN结和浮空所散区FD；
图10为本发明为背照式CMOS图像传感器完成正面PN结隔离区P+和浅沟槽隔STI的P阱；
图11为本发明为背照式CMOS图像传感器完成正面多晶硅栅型传输管TCK管；
图12为本发明为背照式CMOS图像传感器完成CMOS器件的复位管 RST、源极跟随器 SF和行选管 SEL、开关信号管、及电容C1、C2电路结构；
图13为本发明为背照式CMOS图像传感器工作时序图；
具体实施方法
本发明提供一种减小背照式CMOS图像传感器串扰的制作方法。下面结合附图进行具体的说明，通过对传统的T5型有源像素APS结构进行结构优化和像素单元工之间进行工艺处理，使背照式CMOS图像传感串扰最小、提高像素满阱容量，提高传感器的探测效率。
本发明提供一种减小背照式CMOS图像传感器串扰的制作方法共分为两部分：器件背面结构和器件正面结构。
CMOS图像传感器件背面结构具体步骤如下：
首先，在器件P型硅片背面和正面进行场氧化SiO2和化学气相淀积方法淀积一层Si3N4，目的是保护作为器件制作对齐标记和衬底的保护层，如图2；
进一步制作器件正反对齐标志，改对齐标志深度为最终器件厚度，作为器件后续制作掩膜版对准标记，如图3；
进一步制作背面沟槽隔离的BTI。沟槽深度为器件总厚度的60%～75%，深度过低会对器件串扰其不到隔离作用；宽度一般为2um，宽度过款会影响器件的填充因子和光响应。
进一步对沟槽利用高密度等离子体淀积法积SiO2，并使用快速热退火（RTA）消除因轰击造成的缺陷，如图4；
进一步对背面进行化学平坦化处理后，对背面进行淀积氧化层与氮化层作为抗反射层，这两层薄膜将有助于改善量子效率，如图5；
进一步在器件背面一侧，注入一层高浓度的 P+薄层，该注入层会因形成的浓度梯度产生内建电场，可以提高光生电子的收集效率；
进一步利用背面 P+阱掩膜版从背面注入杂质 Boron 将背面沟槽完全包埋（BPW），P阱可以利用高势垒阻挡光生电子的横向电学串扰，如图6；
进一步背面器件将做好的晶圆与另一个晶圆进行绑定（Carrier Wafer），对器件晶圆正面进行减薄到器件层最终的厚度，在整个减薄过程中，Carrier Wafer 作为临时载体为BSI 硅片提供了高强度的机械支撑，如图7。
以上就是背照式CMOS图像传感器背面结构。
CMOS图像传感器件正面结构具体步骤如下：
首先，如图,8所示，正面生成的浅沟槽隔STI 结构与背面生成的沟槽隔离坐标位置相同，主要用于器件层正面有源区的隔离；
进一步进行N+注入，注入杂质为砷，形成器件正面的N阱，目的是实现PPD管的PN结结构和器件的浮空所散区FD，如图9；
进一步进行P+的注入，注入杂质为硼，在 N+区中注入 P+层对其下的 PN 结实现隔离，光生电荷的收集远离周期性结构受到破坏、容易产生暗电流的半导体表面，从而极大地减小了暗电流，同时形成P 阱可以利用高势垒阻挡光生电子的横向电学串扰,如图10；
进一步进行图像传感器的栅极的制作，即在器件层正面淀积一层新的栅氧层，然后在该栅氧层上淀积一层多晶硅。随后经过栅掩膜版对特定区域进行定向刻蚀，形成多晶硅栅型传输管TCK，如图11;
进一步生成CMOS器件的复位管 RST、源极跟随器 SF和行选管 SEL、开关信号管、及电容C1、C2，最好取得背面晶圆绑定，如图12。
如图13所示，像素操作采用全并行曝光方式（global shutter），首先全局置位信号 PR为高电平，清空所有像素的光敏感节点PD，随后 PR 置为低电平曝光过程开始。当曝光结束后，TCK 信号置为高电平，将积分得到的光强信号传输到 FD 节点，TCK 变为低电平标志着完成了一次积分。
Claims (7)
1.一种背照式宽动态范围CMOS图像传感器的制作方法，所述背照式CMOS图像传感器采用5T有源像素结构和背面深槽、正面浅槽隔离技术，太高满井容量和减小像素间电、光学串扰。
2.根据权利要求1所述的一种背照式宽动态范围CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述的背照式是采用背面照光的一种探测方式。
3.根据权利要求1所述的一种背照式宽动态范围CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，背面采用深槽隔离BTI和P阱隔离BPW技术,减小背面电、光学串扰。
4.根据权利要求1所述的一种背照式宽动态范围CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，晶圆进行绑定（Carrier Wafer）技术，对器件晶圆正面进行减薄到器件层最终的厚度，提供了高强度的机械支撑。
5.根据权利要求1所述的一种背照式宽动态范围CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，正面采用浅槽隔离STI和P阱隔离BPW技术，减小正面电、光学串扰。
6.根据权利要求1所述的一种背照式宽动态范围CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，采用P+扩散对其下的 PN 结实现隔离，从而极大地减小了暗电流。
7.根据权利要求1所述的一种背照式宽动态范围CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，采用5T有源像素结构作为背照式CMOS图像传感器单元结构，并采用全并行曝光模式，曝光操作和像素读出操作可以并行，能够达到很高的帧频，满足监控系统的高速要求。
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|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110400815A (zh) * | 2019-08-07 | 2019-11-01 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其形成方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1832187A (zh) * | 2005-02-14 | 2006-09-13 | 豪威科技有限公司 | 采用深沟槽隔离的图像传感器 |
| CN1921131A (zh) * | 2005-08-22 | 2007-02-28 | 东部电子有限公司 | Cmos图像传感器及其制造方法 |
| CN102237382A (zh) * | 2010-04-27 | 2011-11-09 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 有源像素单元及在基板上形成有源像素单元的方法 |
| CN102709304A (zh) * | 2012-06-26 | 2012-10-03 | 天津大学 | 提高图像传感器满阱容量与量子效率光电二极管及方法 |
| CN103094290A (zh) * | 2011-11-07 | 2013-05-08 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 采用共形掺杂的图像传感器沟槽隔离 |
| CN203661181U (zh) * | 2012-11-07 | 2014-06-18 | 半导体元件工业有限责任公司 | 图像传感器 |
| CN104580952A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-04-29 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种全局像元cmos图像传感器系统架构及其信号传输方法 |
| CN105428379A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-03-23 | 格科微电子（上海）有限公司 | 提高背照式红外图像传感器性能的方法 |
| CN105681695A (zh) * | 2014-11-17 | 2016-06-15 | 北京计算机技术及应用研究所 | 一种cmos图像传感器像素电路及其控制方法 |
-
2017
- 2017-03-14 CN CN201710149265.1A patent/CN108573986A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1832187A (zh) * | 2005-02-14 | 2006-09-13 | 豪威科技有限公司 | 采用深沟槽隔离的图像传感器 |
| CN1921131A (zh) * | 2005-08-22 | 2007-02-28 | 东部电子有限公司 | Cmos图像传感器及其制造方法 |
| CN102237382A (zh) * | 2010-04-27 | 2011-11-09 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 有源像素单元及在基板上形成有源像素单元的方法 |
| CN103094290A (zh) * | 2011-11-07 | 2013-05-08 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 采用共形掺杂的图像传感器沟槽隔离 |
| CN102709304A (zh) * | 2012-06-26 | 2012-10-03 | 天津大学 | 提高图像传感器满阱容量与量子效率光电二极管及方法 |
| CN203661181U (zh) * | 2012-11-07 | 2014-06-18 | 半导体元件工业有限责任公司 | 图像传感器 |
| CN105681695A (zh) * | 2014-11-17 | 2016-06-15 | 北京计算机技术及应用研究所 | 一种cmos图像传感器像素电路及其控制方法 |
| CN104580952A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-04-29 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种全局像元cmos图像传感器系统架构及其信号传输方法 |
| CN105428379A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-03-23 | 格科微电子（上海）有限公司 | 提高背照式红外图像传感器性能的方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 孙权: "CMOS图像传感器像素与处理电路优化研究", 《中国博士学位论文全文数据库 信息科学辑》 * |
| 孙羽: "小尺寸背照式CMOS图像传感器像素结构研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 信息科学辑》 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110400815A (zh) * | 2019-08-07 | 2019-11-01 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20180925 |