CN108573903B - 一种改进型的多样品并行去封装方法 - Google Patents

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    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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Abstract

本发明公开了一种改进型的多样品并行去封装方法，包括步骤S1：提供一烧杯，并制备若干隔板薄片；步骤S2：将若干隔板薄片放入烧杯的内部，使烧杯的内部分隔为若干空间；步骤S3：将若干待处理芯片分别放入若干空间内；步骤S4：对若干待处理芯片同时进行去封装处理。步骤S4包括：步骤S4.1：向烧杯的内部加入去封装溶剂，并加热；步骤S4.2：在若干待处理芯片的封装介质被完全溶解后，将烧杯的内部的溶液倒出；步骤S4.3：取出处理好的芯片。通过本发明的方法可以实现多个样品的并行去封装处理，一次处理即可完成3个以上乃至7个甚至更多个封装芯片的去封装处理。

Description

一种改进型的多样品并行去封装方法
技术领域
本发明涉及芯片去封装处理的技术领域，尤其涉及一种多样品并行去封装方法。
背景技术
在半导体行业，经常遇到芯片在封装后的实际使用中失效的情况，澄清这类失效就必须对封装的样品去封装后，再对其进行去层、SEM、TEM观察等物理失效分析。目前业界常用的去封装手段之一，是将封装的芯片在发烟硝酸中加热，使封装介质在发烟硝酸的作用下分解，从而暴露出芯片。实际应用中，经常遇到有不止一个芯片要分析的情况。比如某一封装芯片失效的原因尚不明确，需要去封装多个失效芯片对其进行试探性的分析。再比如，某一封装芯片失效的原因基本明确，但需要与参照的未失效芯片的切片结果进行对比，确认是否关键尺寸有差异。在这些情况下，就必须对多个封装芯片进行去封装。按照现有的方法，需要逐次对多个封装芯片进行去封装处理，每次处理耗时在15分钟以上。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种改进型的多样品并行去封装方法，适用的技术节点为>＝130nm、90nm、65/55nm、45/40nm、32/28nm、22/20nm、<＝16nm，所述并行去封装方法可以广泛应用于半导体行业的芯片失效分析，以及其他行业的类似用途。
为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：
一种改进型的多样品并行去封装方法，其中，包括：
步骤S1：提供一烧杯，并制备若干隔板薄片；
步骤S2：将若干所述隔板薄片放入所述烧杯的内部，使所述烧杯的内部分隔为若干空间；
步骤S3：将若干待处理芯片分别放入若干所述空间内；
步骤S4：对若干所述待处理芯片同时进行去封装处理。
上述的改进型的多样品并行去封装方法，其中，所述步骤S4包括：
步骤S4.1：向所述烧杯的内部加入去封装溶剂，并加热；
步骤S4.2：在若干所述待处理芯片的封装介质被完全溶解后，将所述烧杯的内部的溶液倒出；
步骤S4.3：取出处理好的芯片。
上述的改进型的多样品并行去封装方法，其中，若干所述隔板薄片包括若干第一隔板薄片和若干第二隔板薄片，若干所述第一隔板薄片呈弧形地放置在所述烧杯的内部，若干所述第一隔板薄片的两端均抵于所述烧杯的侧壁。
上述的改进型的多样品并行去封装方法，其中，若干所述第二隔板薄片呈半圆形地放置在所述烧杯的内部，若干所述第二隔板薄片放置于两相邻的所述第一隔板薄片之间，每一所述第二隔板薄片的两端均抵于两所述第一隔板薄片。
上述的改进型的多样品并行去封装方法，其中，所述隔板薄片的宽度大于所述烧杯的内径。
上述的改进型的多样品并行去封装方法，其中，所述隔板薄片的高度小于所述烧杯的高度。
上述的改进型的多样品并行去封装方法，其中，所述隔板薄片为特氟龙薄片。
上述的改进型的多样品并行去封装方法，其中，所述去封装溶剂为发烟硝酸。
本发明由于采用了上述技术，使之与现有技术相比具有的积极效果是：
(1)通过本发明的方法可以实现多个样品的并行去封装处理，一次处理即可完成3个以上乃至7个甚至更多个封装芯片的去封装处理。
(2)本发明可以根据实际使用需要，灵活放置2片或者更多的特氟龙薄片，放置的特氟龙薄片越多，能够并行处理的样品也越多。制备的特氟龙薄片可以反复使用。
附图说明
图1是本发明的改进型的多样品并行去封装方法的示意图。
图2是本发明的改进型的多样品并行去封装方法的流程图。
附图中：1、烧杯；2、隔板薄片；21、第一隔板薄片；22、第二隔板薄片；3、空间。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
图1是本发明的改进型的多样品并行去封装方法的示意图，图2是本发明的改进型的多样品并行去封装方法的流程图，请参见图1、图2所示，示出了一种较佳实施例的改进型的多样品并行去封装方法，包括：
步骤S1：提供一烧杯1，并制备若干隔板薄片2；
步骤S2：将若干隔板薄片2放入烧杯1的内部，使烧杯1的内部分隔为若干空间3；
步骤S3：将若干待处理芯片分别放入若干空间3内；
步骤S4：对若干待处理芯片同时进行去封装处理。
进一步，作为一种较佳的实施例，步骤S4包括：
步骤S4.1：向烧杯1的内部加入去封装溶剂，并加热；
步骤S4.2：在若干待处理芯片的封装介质被完全溶解后，将烧杯1的内部的溶液倒出；
步骤S4.3：取出处理好的芯片。
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围。
本发明在上述基础上还具有如下实施方式：
本发明的进一步实施例中，请继续参见图1所示，若干隔板薄片2包括若干第一隔板薄片21和若干第二隔板薄片22，若干第一隔板薄片21呈弧形地放置在烧杯的内部，若干第一隔板薄片21的两端均抵于烧杯1的侧壁。
本发明的进一步实施例中，若干第二隔板薄片22呈半圆形地放置在烧杯1的内部，若干第二隔板薄片22放置于两相邻的第一隔板薄片21之间，每一第二隔板薄片22的两端均抵于两第一隔板薄片21。
本发明的进一步实施例中，隔板薄片2的宽度大于烧杯1的内径，当隔板薄片2放入薄片时，由于烧杯1内壁的限制，使得隔板薄片2能够完全呈不同的弧度，并且对烧杯的内壁形状形成自适应性。通过若干不同弧度的隔板薄片2使烧杯1的内部分隔出若干空间3。
本发明的进一步实施例中，隔板薄片2的高度略小于烧杯1的高度，以保证在步骤S4中，芯片不会因为溶液沸腾而越过隔板薄片2。
本发明的进一步实施例中，隔板薄片2为特氟龙薄片，特氟龙薄片具有耐酸且柔韧的特性，适用于作为发烟硝酸的隔离介质。
本发明的进一步实施例中，隔板薄片2的数量可以根据实际需要选择2片、4片或者更多。
本发明的进一步实施例中，去封装溶剂优选为发烟硝酸。
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。

Claims (7)

1.一种改进型的多样品并行去封装方法，其特征在于，包括：
步骤S1：提供一烧杯，并制备若干隔板薄片；
步骤S2：将若干所述隔板薄片放入所述烧杯的内部，使所述烧杯的内部分隔为若干空间；
步骤S3：将若干待处理芯片分别放入若干所述空间内；
步骤S4：对若干所述待处理芯片同时进行去封装处理；
若干所述隔板薄片包括若干第一隔板薄片和若干第二隔板薄片，若干所述第一隔板薄片呈弧形地放置在所述烧杯的内部，若干所述第一隔板薄片的两端均抵于所述烧杯的侧壁。
2.根据权利要求1所述改进型的多样品并行去封装方法，其特征在于，所述步骤S4包括：
步骤S4.1：向所述烧杯的内部加入去封装溶剂，并加热；
步骤S4.2：在若干所述待处理芯片的封装介质被完全溶解后，将所述烧杯的内部的溶液倒出；
步骤S4.3：取出处理好的芯片。
3.根据权利要求1所述改进型的多样品并行去封装方法，其特征在于，若干所述第二隔板薄片呈半圆形地放置在所述烧杯的内部，若干所述第二隔板薄片放置于两相邻的所述第一隔板薄片之间，每一所述第二隔板薄片的两端均抵于两所述第一隔板薄片。
4.根据权利要求1所述改进型的多样品并行去封装方法，其特征在于，所述隔板薄片的宽度大于所述烧杯的内径。
5.根据权利要求1所述改进型的多样品并行去封装方法，其特征在于，所述隔板薄片的高度小于所述烧杯的高度。
6.根据权利要求1所述改进型的多样品并行去封装方法，其特征在于，所述隔板薄片为特氟龙薄片。
7.根据权利要求1所述改进型的多样品并行去封装方法，其特征在于，所述去封装溶剂为发烟硝酸。
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