CN108538980A - 一种背面电流阻挡层的led芯片及制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种背面电流阻挡层的LED芯片及其制备方法,该LED芯片包括外延层,外延层的正面设置有电极,外延层的背面设置有背金,外延层与背金之间设置有背面电流阻挡层,形成自上而下正面电极、外延层、背面阻挡层和背金的结构;其制备方法包括以下步骤:(1)对外延层的背面减薄;(2)在外延层的背面光刻出背面挖洞图形;(3)制备出背面空洞;(4)在整个外延层背面制备绝缘层;(5)对外延层的背面进行二次微减薄,背面空洞区域内的绝缘层作为背面电流阻挡层;(6)在外延层的正面蒸镀金属;(7)制备出正面电极;(8)在外延层的背面蒸镀一层ITO;(9)蒸镀背金;(10)合金。本发明能够有效提高电流扩展,提高LED芯片光电转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED(发光二极管)芯片的设计及其制备方法,尤其涉及一种背面电路阻挡层的芯片设计及其制备方法,属于发光二极管制造技术领域。
背景技术
随着MOCVD的技术成熟和广泛应用,LED目前已经广泛应用,尤其是在显示屏、亮化和照明市场占据着及其重要的位置。人们对LED的光电转换效率也越来越关注,国家也颁布的相应的用于电器的节能标准。人们也针对如何提高LED的出光效率提出了诸多提升方法。比如表面粗化技术、剥离与透明衬底技术、改变芯片的形状等。
目前的LED芯片设计,电极下的电流密度是最大的,但是因为电极的遮挡发光,电流不能有效利用,致使电流密度最大的有源区发光后,不能有效提取出来。电极下的大电流密度,虽不能对光提取效率做出贡献,但会影响其他区域的电流利用效率,同时电极下的有源区因为大电流密度的长期使用,在恶劣条件下对LED的可靠性和寿命均会产生不利影响。
CN102903802A公开的具有DBR型电流阻挡层的LED芯片及其制作方法、CN105514226A公开的《一种具有电流阻挡层的发光二极管及其制作方法》以及CN103066175A公开的《一种具有电流阻挡层的发光二极管及其制备方法》都是在外延层正面设置电流阻挡层。
发明内容
本发明针对现有LED芯片结构存在的不足,提出一种能够提高电流扩展和光电转换效率的背面电流阻挡层的LED芯片,同时提供一种该背面电流阻挡层LED芯片的制备方法。
本发明的背面电流阻挡层的LED芯片,包括外延层,外延层的正面设置有电极,外延层的背面设置有背金,外延层与背金之间设置有背面电流阻挡层,形成自上而下正面电极、外延层、背面阻挡层和背金的结构。
上述背面电流阻挡层的LED芯片的制备方法,包括以下步骤:
(1)对外延层的背面减薄;
所述步骤(1)中的减薄厚度100-300微米。
(2)在外延层的背面进行光刻,光刻出背面挖洞图形,该背面挖洞图形作为背面电流阻挡层所在的区域;
背面图形可以为圆形、矩形、多边形,但是不仅限于这些形状。
(3)对光刻出的背面图形腐蚀挖洞,制备出背面空洞;
所述步骤(3)中腐蚀所用的腐蚀液为双氧水与氨水按体积比1:1-1:10配制的混合液,或者是磷酸与双氧水按体积比1:1-1:10配制的混合液,或者是硫酸与双氧水按体积比1:1-1:10配制的混合液,或者是王水。
所述步骤(3)中的腐蚀时间为10s-300s。
所述步骤(3)中制备出的背面空洞的深度为0.1-2μm。
(4)在整个外延层背面制备绝缘层;
所述步骤(4)中的绝缘层厚度为1-5μm。
绝缘层可以选择二氧化硅、氮化硅、环氧树脂或绝缘玻璃胶等,以上材料可以采用PECVD的方法生长,也可以采用粉末调配后涂覆。
(5)对外延层的背面进行二次微减薄,磨掉背面空洞区域以外的绝缘层,背面空洞区域内的绝缘层作为背面电流阻挡层;
(6)在外延层的正面蒸镀金属;
所述步骤(6)中蒸镀金属的厚度为1.5-3.5微米。蒸镀金属为Au、AuBe、Al、Ti等。
(7)在外延层的正面光刻金属电极图形,金属电极图形与步骤(2)中的背面挖洞图形的中心对准,制备出正面电极;
(8)在外延层的背面蒸镀一层ITO(氧化铟锡,作为欧姆接触的制备);
所述步骤(8)中ITO厚度为0.2-0.5微米;
(9)蒸镀背金(背面金属);
(10)合金。
所述步骤(10)中合金温度300-500℃,合金时间5-30分钟。
所述步骤(9)蒸镀背金之后,可以腐蚀掉覆盖在背面电流阻挡层上的背金。具体是,进行光刻背金,光刻出背面腐蚀图形,背面腐蚀图形的中心与步骤(2)中的背面挖洞图形的中心对准,然后腐蚀掉光刻出的背面腐蚀图形内的背金。根据电压情况选择背面腐蚀图形的尺寸,对电压要求严格,可以选择不腐蚀掉覆盖在背面电流阻挡层上的背金。
对芯片进行半切、测试、全切。
上述技术方案中未做详细说明和限定的,均参照发光二极管制作的现有技术,如外延层。
本发明在外延层背面设置电流阻挡层,背面电流阻挡层的制备采用背面挖洞,填充绝缘材料后蒸镀背金,背金根据电压的控制情况采用挖洞等工艺,能够有效提高电流扩展,提高LED芯片光电转换效率。其中背面电流阻挡层的制备可以直接采用涂覆或者生长的方法,无需光刻和化学腐蚀,通过研磨厚度差去除多余绝缘材料,去除干净,方法简单,成本较低,特别适合批量化生产。
附图说明
图1是本发明背面电流阻挡层LED芯片的结构示意图。
其中:1、电极;2、外延层;3、背面电流阻挡层;4、背面金属。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步说明,但不限于此。实施例中使用的材料及设备均为现有技术。
实施例1
如图1所示,本发明背面电流阻挡层的LED芯片,包括外延层2,外延层2的正面设置有电极1,外延层2的背面设置有背金4,外延层2与背金4之间设置有背面电流阻挡层3,自上而下形成正面电极1、外延层2、背面阻挡层3和背金4的结构。
上述背面电流阻挡层的LED芯片的制备方法,包括以下步骤:
(1)对外延层2的背面减薄,减薄厚度100-300微米。
可以采用磨料减薄,也可以采用砂轮盘减薄,或者化学减薄,或其它放法。
(2)采用光刻技术,在外延层2的背面进行光刻,光刻出背面挖洞图形。该背面挖洞图形作为背面电流阻挡层3所在的区域,与所要制备的背面电流阻挡层3的形状一致。
背面挖洞图形可以采用圆形、矩形及其变形、三角形等形状;
(3)采用湿法化学腐蚀方法,按照光刻出的背面挖洞图形腐蚀出背面空洞。
腐蚀液可以选取双氧水与氨水按体积比1:1-1:10配制的混合液,磷酸与双氧水按体积比1:1-1:10配制的混合液,硫酸与双氧水按体积比1:1-1:10配制的混合液,,也可以采用王水,腐蚀时间为10s-300秒,腐蚀出的背面空洞深度为0.1-2μm。
(4)在外延层2的整个背面制备绝缘层,绝缘层厚度为1-5μm。
绝缘层可以选择二氧化硅、氮化硅、环氧树脂或绝缘玻璃胶等,以上材料可以采用PECVD的方法生长,也可以采用粉末调配后使用甩胶机涂覆。
(5)对外延层的背面进行二次微减薄,磨掉背面空洞区域以外的绝缘层,背面空洞区域内的绝缘层作为背面电流阻挡层3;
可以采用磨料减薄,也可以采用砂轮盘减薄,方法不限于以上两种方法,
(6)在外延层2的正面蒸镀金属,厚度为1.5-3.5微米。
金属可以是Au、AuBe、Al或Ti等。
(7)在外延层的正面光刻金属电极图形,金属电极图形和背面挖洞图形的中心对准,制备出正面电极1。
本发明使用的电极形状比背面形状小,但是根据电极形状的设计,不仅限于此。
(8)在外延层2的背面蒸镀一层厚度为0.2-0.5微米ITO(氧化铟锡,作为欧姆接触)。
(9)蒸镀背金4,可以是为Ni、Ge或Au等金属。
(10)合金,合金温度300-500℃,合金时间5-30分钟。
对芯片进行半切、测试和全切。
本实施例在步骤(9)蒸镀背金之后,直接进行合金,而不是腐蚀掉覆盖在背面电流阻挡层3上的背金。
实施例2
本实施例与实施例1的区别在于步骤(4),并在步骤(9)和(10)之间增加一个步骤。
本实施例中的步骤(4)是使用PECVD在外延层2的背面生长二氧化硅、氮化硅等绝缘材料。
本实施例在步骤(9)和(10)之间增加以下步骤:
蒸镀背金之后,进行光刻背金,光刻出背面腐蚀图形,背面腐蚀图形的中心与步骤(2)中的背面挖洞图形的中心对准,然后腐蚀掉光刻出的背面腐蚀图形内的背金。
Claims (10)
1.一种背面电流阻挡层的LED芯片,包括外延层,外延层的正面设置有电极,其特征是:外延层的背面设置有背金,外延层与背金之间设置有背面电流阻挡层,形成自上而下正面电极、外延层、背面阻挡层和背金的结构。
2.一种权利要求1所述背面电流阻挡层的LED芯片的制备方法,其特征是:包括以下步骤:
(1)对外延层的背面减薄;
(2)在外延层的背面进行光刻,光刻出背面挖洞图形,该背面挖洞图形作为背面电流阻挡层所在的区域;
(3)对光刻出的背面图形腐蚀挖洞,制备出背面空洞;
(4)在整个外延层背面制备绝缘层;
(5)对外延层的背面进行二次微减薄,磨掉背面空洞区域以外的绝缘层,背面空洞区域内的绝缘层作为背面电流阻挡层;
(6)在外延层的正面蒸镀金属;
(7)在外延层的正面光刻金属电极图形,金属电极图形与步骤(2)中的背面挖洞图形的中心对准,制备出正面电极;
(8)在外延层的背面蒸镀一层ITO;
(9)蒸镀背金;
(10)合金。
3.根据权利要求2所述的背面电流阻挡层的LED芯片的制备方法,其特征是:所述步骤(1)中的减薄厚度100-300微米。
4.根据权利要求2所述的背面电流阻挡层的LED芯片的制备方法,其特征是:所述步骤(3)中的腐蚀时间为10s-300s。
5.根据权利要求2所述的背面电流阻挡层的LED芯片的制备方法,其特征是:所述步骤(3)中制备出的背面空洞的深度为0.1-2μm。
6.根据权利要求2所述的背面电流阻挡层的LED芯片的制备方法,其特征是:所述步骤(4)中的绝缘层厚度为1-5μm。
7.根据权利要求2所述的背面电流阻挡层的LED芯片的制备方法,其特征是:所述步骤(6)中蒸镀金属的厚度为1.5-3.5微米。
8.根据权利要求2所述的背面电流阻挡层的LED芯片的制备方法,其特征是:所述步骤(8)中ITO厚度为0.2-0.5微米。
9.根据权利要求2所述的背面电流阻挡层的LED芯片的制备方法,其特征是:所述步骤(10)中合金温度300-500℃,合金时间5-30分钟。
10.根据权利要求2所述的背面电流阻挡层的LED芯片的制备方法,其特征是:所述步骤(9)蒸镀背金之后,腐蚀掉覆盖在背面电流阻挡层上的背金。
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JP2001111103A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Korai Kagi Kofun Yugenkoshi | 領域電流密度を制御可能なled |
JP2004047760A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及び発光ダイオード |
US20110233516A1 (en) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | Stanley Electric Co., Ltd. | Optical semiconductor device including protrusion structure of parallelogram cells and its manufacturing method |
KR20130006952A (ko) * | 2011-06-27 | 2013-01-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
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