CN108538741A - 干刻蚀设备腔体气体侦测系统 - Google Patents

干刻蚀设备腔体气体侦测系统 Download PDF

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李伟华
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Abstract

本发明提供一种干刻蚀设备腔体气体侦测系统。该干刻蚀设备腔体气体侦测系统包括：腔体、设于所述腔体内的侦测传感器以及设于所述腔体外并与侦测传感器电性连接的监控设备；所述侦测传感器用于侦测腔体内干刻蚀气体的浓度，并反馈给监控设备；所述监控设备用于显示腔体内干刻蚀气体的浓度，方便作业人员确定腔体内干刻蚀气体的浓度，当腔体内干刻蚀气体的浓度低于一危险浓度，才可以打开腔体进行作业，防止腔体内的干刻蚀气体对作业人员产生危害，保证作业人员在确定干刻蚀气体的浓度合规的情况下进行作业，提高作业的安全系数。

Description

干刻蚀设备腔体气体侦测系统
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种干刻蚀设备腔体气体侦测系统。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。
薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种，低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)材料是其中较为优选的一种，由于低温多晶硅的原子规则排列，载流子迁移率高，对电压驱动式的LCD而言，LTPS TFT由于其具有较高的迁移率，可以使用体积较小的TFT实现对液晶分子的偏转驱动，在很大程度上缩小了TFT所占的体积，增加透光面积，得到更高的亮度和解析度；对于电流驱动式的AMOLED而言，LTPS TFT可以更好的满足驱动电流的要求。
在LTPS工艺中，氯气常常被用作多晶硅、栅极线(Gate line)和数据线(Dataline)的干蚀刻制程气体，在制程结束后，干刻蚀设备腔体内仍会存有少量氯气及其产物挥发物，由于干蚀刻设备需要定期更换腔体内的零件(Parts)，这样残留在腔体内的氯气在开腔时就会进入车间(Fab)环境，由于氯气是一种剧毒气体，对人体呼吸系统及眼部存在严重的腐蚀危害，职业病防治中将氯气残存量小于1mg/m3作为车间作业严卡标准，因此作业前侦测干蚀刻设备腔体内的氯气含量尤为重要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种干刻蚀设备腔体气体侦测系统，方便作业人员确定腔体内干刻蚀气体的浓度，保证作业人员在确定干刻蚀气体的浓度合规的情况下进行作业，提高作业的安全系数。
为实现上述目的，本发明提供了一种干刻蚀设备腔体气体侦测系统，包括：腔体、设于所述腔体内的侦测传感器以及设于所述腔体外并与侦测传感器电性连接的监控设备；所述腔体内具有干刻蚀气体；
所述侦测传感器用于侦测腔体内干刻蚀气体的浓度，并反馈给监控设备；
所述监控设备用于显示腔体内干刻蚀气体的浓度。
所述腔体的一端设有至少一个抽气孔；所述抽气孔用于持续向腔体外抽出位于腔体内的干刻蚀气体。
所述腔体的另一端设有至少一个进气孔；所述进气孔用于持续向腔体内通入稀释气体。
所述腔体内还设有一包覆侦测传感器的保护罩。
所述保护罩的下方开设有侦测孔。
所述保护罩的材料为蓝宝石玻璃。
所述干刻蚀气体为氯气。
所述稀释气体为氮气。
所述腔体内设有一显示面板的下电极，所述干刻蚀气体用于对下电极进行干蚀刻。
所述保护罩下方的侦测孔与下电极的上表面在同一水平面。
本发明的有益效果：本发明的干刻蚀设备腔体气体侦测系统包括：腔体、设于所述腔体内的侦测传感器以及设于所述腔体外并与侦测传感器电性连接的监控设备；所述侦测传感器用于侦测腔体内干刻蚀气体的浓度，并反馈给监控设备；所述监控设备用于显示腔体内干刻蚀气体的浓度，方便作业人员确定腔体内干刻蚀气体的浓度，当腔体内干刻蚀气体的浓度低于一危险浓度，才可以打开腔体进行作业，防止腔体内的干刻蚀气体对作业人员产生危害，保证作业人员在确定干刻蚀气体的浓度合规的情况下进行作业，提高作业的安全系数。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明的干刻蚀设备腔体气体侦测系统的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明的干刻蚀设备腔体气体侦测系统包括：腔体10、设于所述腔体10内的侦测传感器20以及设于所述腔体10外并与侦测传感器20电性连接的监控设备30；所述腔体10内具有干刻蚀气体11；
所述侦测传感器20用于侦测腔体10内干刻蚀气体11的浓度，并反馈给监控设备30；
所述监控设备30用于显示腔体10内干刻蚀气体11的浓度，方便作业人员确定腔体10内干刻蚀气体11的浓度。
需要说明的是，本发明的干刻蚀设备腔体气体侦测系统通过在腔体10内设置侦测传感器20以及在腔体10外设置与侦测传感器20电性连接的监控设备30，所述侦测传感器20实时侦测腔体10内干刻蚀气体11的浓度，并反馈给监控设备30，所述监控设备30显示腔体10内干刻蚀气体11的浓度。由于干刻蚀气体11通常对人体具有危害，当作业人员需要打开干刻蚀设备腔体进行保养等作业时，通过监控设备30可以确定腔体10内干刻蚀气体11的浓度，当腔体10内干刻蚀气体11的浓度低于一危险浓度，才可以打开腔体10进行作业，防止腔体10内的干刻蚀气体11对作业人员产生危害，保证作业人员在确定干刻蚀气体11的浓度合规的情况下进行作业，提高作业的安全系数。
具体地，所述腔体10的一端设有至少一个抽气孔12；该抽气孔12可设于腔体10的下端部；所述抽气孔12用于持续向腔体10外抽出位于腔体10内的干刻蚀气体11，当干刻蚀气体11的浓度低于一危险浓度，所述抽气孔12停止抽气。
具体地，所述腔体10的另一端设有至少一个进气孔13；该进气孔13可设于腔体10的上端部，与抽气孔12相对设置；所述进气孔13用于持续向腔体10内通入稀释气体14，所述稀释气体14进一步稀释腔体10内的干刻蚀气体11的浓度。
具体地，所述腔体10内还设有一包覆侦测传感器20的保护罩21，防止干刻蚀气体11对侦测传感器20造成损害，提高侦测传感器20的耐高温、耐腐蚀以及抗轰击的特性。
进一步地，由于所述干刻蚀气体11在腔体10内的作用方向主要为自上而下，因此为了提高侦测传感器20的侦测精度，同时对侦测传感器20进行保护，本发明在保护罩21的下方开设有侦测孔22。
优先地，所述保护罩21的材料为抗离子轰击的蓝宝石玻璃。
优先地，所述干刻蚀气体11为氯气(Cl2)。
优先地，所述稀释气体14为氮气(N2)。
具体地，所述腔体10内设有一显示面板的下电极15，所述干刻蚀气体11对下电极15进行干蚀刻形成实际需要的电极图案。
优选地，所述保护罩21下方的侦测孔22与下电极15的上表面在同一水平面，由于在干刻蚀过程中，干刻蚀气体11集中在下电极15的上表面对下电极15进行干刻蚀，因此侦测孔22与下电极15的上表面设置在同一水平面，可以进一步提高侦测传感器20的侦测精度。
综上所述，本发明的干刻蚀设备腔体气体侦测系统包括：腔体、设于所述腔体内的侦测传感器以及设于所述腔体外并与侦测传感器电性连接的监控设备；所述侦测传感器用于侦测腔体内干刻蚀气体的浓度，并反馈给监控设备；所述监控设备用于显示腔体内干刻蚀气体的浓度，方便作业人员确定腔体内干刻蚀气体的浓度，当腔体内干刻蚀气体的浓度低于一危险浓度，才可以打开腔体进行作业，防止腔体内的干刻蚀气体对作业人员产生危害，保证作业人员在确定干刻蚀气体的浓度合规的情况下进行作业，提高作业的安全系数。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种干刻蚀设备腔体气体侦测系统，其特征在于，包括：腔体(10)、设于所述腔体(10)内的侦测传感器(20)以及设于所述腔体(10)外并与侦测传感器(20)电性连接的监控设备(30)；所述腔体(10)内具有干刻蚀气体(11)；
所述侦测传感器(20)用于侦测腔体(10)内干刻蚀气体(11)的浓度，并反馈给监控设备(30)；
所述监控设备(30)用于显示腔体(10)内干刻蚀气体(11)的浓度。
2.如权利要求1所述的干刻蚀设备腔体气体侦测系统，其特征在于，所述腔体(10)的一端设有至少一个抽气孔(12)；所述抽气孔(12)用于持续向腔体(10)外抽出位于腔体(10)内的干刻蚀气体(11)。
3.如权利要求1所述的干刻蚀设备腔体气体侦测系统，其特征在于，所述腔体(10)的另一端设有至少一个进气孔(13)；所述进气孔(13)用于持续向腔体(10)内通入稀释气体(14)。
4.如权利要求1所述的干刻蚀设备腔体气体侦测系统，其特征在于，所述腔体(10)内还设有一包覆侦测传感器(20)的保护罩(21)。
5.如权利要求4所述的干刻蚀设备腔体气体侦测系统，其特征在于，所述保护罩(21)的下方开设有侦测孔(22)。
6.如权利要求4所述的干刻蚀设备腔体气体侦测系统，其特征在于，所述保护罩(21)的材料为蓝宝石玻璃。
7.如权利要求1所述的干刻蚀设备腔体气体侦测系统，其特征在于，所述干刻蚀气体(11)为氯气。
8.如权利要求3所述的干刻蚀设备腔体气体侦测系统，其特征在于，所述稀释气体(14)为氮气。
9.如权利要求5所述的干刻蚀设备腔体气体侦测系统，其特征在于，所述腔体(10)内设有一显示面板的下电极(15)，所述干刻蚀气体(11)用于对下电极(15)进行干蚀刻。
10.如权利要求9所述的干刻蚀设备腔体气体侦测系统，其特征在于，所述保护罩(21)下方的侦测孔(22)与下电极(15)的上表面在同一水平面。
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