CN108530666A - 一种碳纳米管硅胶导静电保护膜及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种碳纳米管硅胶导静电保护膜及制备方法，制备方法包括步骤：A、将硅胶、溶剂、固化剂、交联剂、附着剂按照1‑15:30‑120:0.005‑1:0.005‑1:0.005‑1的质量比混合，并进行超声搅拌；B、再加入碳纳米管，并进行超声搅拌得到碳纳米管涂布液；C、通过涂布机在原料膜上进行导电液涂布，然后使用碳纳米管涂布液进行涂布，最后进行覆膜处理。本发明的制备方法所制备的碳纳米管硅胶导静电保护膜，去导电效果好，在撕开薄膜的时候，通过导电层，经过碳纳米管本身具有的性能导走静电，避免产生撕膜电压。

Description

一种碳纳米管硅胶导静电保护膜及制备方法
技术领域
本发明涉及电子产品保护膜领域，尤其涉及一种碳纳米管硅胶导静电保护膜及制备方法。
背景技术
传统的电子产品保护膜，存在着较大的静电，并且在保护膜使用过程中会产生较多的静电，例如在撕开保护膜的时候会产生大量的静电，静电过高，不但对电子产品起不了保护作用，还容易损坏精密电子元器件。
所以现有技术存在的问题是：
1、保护膜静电过高，容易损坏电子元器件；
2、抗静电效果低，在保护膜撕开的时候，静电量会显著增加。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种碳纳米管硅胶导静电保护膜及制备方法，旨在解决现有保护膜静电过高的问题。
本发明的技术方案如下：
一种碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其中，包括步骤：
A、将硅胶、溶剂、固化剂、交联剂、附着剂按照1-15:30-120:0.005-1:0.005-1:0.005-1的质量比混合，并进行超声搅拌；
B、再加入碳纳米管，并进行超声搅拌得到碳纳米管涂布液；
C、通过涂布机在原料膜上进行导电液涂布，然后使用碳纳米管涂布液进行涂布，最后进行覆膜处理。
所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其中，导电液涂布的速度为60米/分钟；碳纳米管涂布的速度为28米/分钟。
所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其中，所述步骤A中的搅拌时间为10分钟。
所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其中，所述固化剂为铂金固化剂。
所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其中，所述导电液中的导电物质为聚噻吩。
所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其中，所述碳纳米管与硅胶的质量比为1:1-10。
所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其中，所述导电液中的溶剂为水和异丙醇。
所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其中，所述原料膜的材质为PVC或PET。
所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其中，所述步骤A中的溶剂为乙酯。
一种碳纳米管硅胶导静电保护膜，其中，采用如上所述的制备方法制成。
有益效果：本发明的制备方法所制备的碳纳米管硅胶导静电保护膜，去导电效果好，在撕开薄膜的时候，通过导电层，经过碳纳米管本身具有的性能导走静电，避免产生撕膜电压。
具体实施方式
本发明提供一种碳纳米管硅胶导静电保护膜及制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明所提供的一种碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，包括步骤：
S1、将硅胶、溶剂、固化剂、交联剂、附着剂按照1-15:30-120:0.005-1:0.005-1:0.005-1的质量比混合，并进行超声搅拌；
S2、再加入碳纳米管，并进行超声搅拌得到碳纳米管涂布液；
S3、通过涂布机在原料膜上进行导电液涂布，然后使用碳纳米管涂布液进行涂布，最后进行覆膜处理。
本发明的制备方法所制备的碳纳米管硅胶导静电保护膜，去导电效果好，在撕开薄膜的时候，通过导电层，经过碳纳米管本身具有的性能导走静电，避免产生撕膜电压。
具体地，在所述步骤S1中，先将硅胶、溶剂、固化剂、交联剂、附着剂按照预定的比例混合。
其中，所述硅胶可以是道康宁7657和/或道康宁7651，当然还可以其他类型的硅胶产品。
所述溶剂可以是乙酯等有机溶剂。
固化剂是一类增进或控制固化反应的物质或混合物。固化是通过添加固化剂来完成的，固化剂是必不可少的添加物。固化剂的品种对固化物的力学性能、耐热性、耐水性、耐腐蚀性等都有很大影响。本发明中，所述固化剂优选为铂金固化剂，也可以称为铂金催化剂。
所述交联剂主要用在高分子材料（橡胶与热固性树脂）中。因为高分子材料的分子结构就象一条条长的线，没交联时强度低，易拉断，且没有弹性，交联剂的作用就是在线型的分子之间产生化学键，使线型分子相互连在一起，形成网状结构，这样提高橡胶的强度和弹性。本发明中，所述交联剂可以是过氧化二异丙苯、过氧化苯甲酰或过氧化氢二异丙苯等等。
所述附着剂的作用是提高保护膜的粘着力，所述附着剂可以是氰基丙烯酸酯等材料。
在将上述各物质混合后，可进行超声搅拌，即可以通过超声波分散机进行搅拌，处理时间优选为5~30分钟，例如10分钟。
在所述步骤S2中，在上面的混合物中再加入碳纳米管。
其中的碳纳米管作为一维纳米材料，重量轻，六边形结构连接完美，具有许多异常的力学、电学和化学性能。碳纳米管，又名巴基管，是一种具有特殊结构（径向尺寸为纳米量级，轴向尺寸为微米量级，管子两端基本上都封口）的一维量子材料。碳纳米管主要由呈六边形排列的碳原子构成数层到数十层的同轴圆管。层与层之间保持固定的距离，约0.34nm，直径一般为2~20 nm。并且根据碳六边形沿轴向的不同取向可以将其分成锯齿形、扶手椅型和螺旋型三种。其中螺旋型的碳纳米管具有手性，而锯齿形和扶手椅型碳纳米管没有手性。
碳纳米管具有良好的导电性能，由于碳纳米管的结构与石墨的片层结构相同，所以具有很好的电学性能。理论预测其导电性能取决于其管径和管壁的螺旋角。当CNTs的管径大于6nm时，导电性能下降；当管径小于6nm时，CNTs可以被看成具有良好导电性能的一维量子导线。本发明正是利用碳纳米管的导电作用来降低保护膜的静电。
优选的，所述碳纳米管与硅胶的质量比为1:1-10，例如所述碳纳米管与硅胶的质量比为1:5，这样的效果更佳。
在加入碳纳米管后，同样进行超声搅拌，即可以通过超声波分散机进行搅拌，处理时间优选为5~30分钟，例如更优选的是15分钟，最后得到碳纳米管涂布液。
在所述步骤S3中，先通过涂布机在原料膜上进行导电液涂布，从而得到导电层。
其中，所述导电液中的导电物质为聚噻吩，其是一种导电物质。
其中，所述导电液中的溶剂为水和异丙醇。
优选的，聚噻吩：水：异丙醇的质量比为1:1~5:1~5，例如在一个具体的实例中，聚噻吩：水：异丙醇的质量比为1:3.5: 3.5。
进一步，所述原料膜的材质为PVC或PET，当然还可以是其他任何需要抗静电处理的膜材质。
然后通过涂布机在导电层上进行涂布，具体是使用碳纳米管涂布液进行涂布，从而得到碳纳米管层。
进一步，导电液涂布的速度为40~80米/分钟，例如60米/分钟；碳纳米管涂布的速度为20~40米/分钟，例如28米/分钟。
本发明优选的是，使用V槽网纹棍涂布处理。
最后进行覆膜处理，从而得到覆膜层。
本发明还提供一种碳纳米管硅胶导静电保护膜，采用如上所述的制备方法制成。
实施例1
1a、将硅胶、溶剂、固化剂、交联剂、附着剂按照10:99.9:0.01:0.01:0.08的质量比混合，并进行超声搅拌，搅拌时间为10分钟；其中，硅胶为道康宁7657和道康宁7651，并且道康宁7657和道康宁7651的质量比为2:40。溶剂为乙酯。固化剂为铂金固化剂。交联剂为过氧化二异丙苯。附着剂为氰基丙烯酸酯。
1b、再加入碳纳米管，并进行超声搅拌得到碳纳米管涂布液，搅拌时间为15分钟；所述碳纳米管与硅胶的质量比为1:5。
1c、通过涂布机在PET原料膜上进行导电液涂布（涂布速度为60米/分钟），然后使用碳纳米管涂布液进行涂布（涂布速度为28米/分钟），最后进行覆膜处理。按质量比计，其中的导电液成分为如下：聚噻吩：水：异丙醇的质量比为1:3.5:3.5。
实施例2
2a、将硅胶、溶剂、固化剂、交联剂、附着剂按照1:30:0.005:1:1的质量比混合，并进行超声搅拌，搅拌时间为30分钟；其中，硅胶为道康宁7657和道康宁7651，并且道康宁7657和道康宁7651的质量比为3.5:35。溶剂为乙酯。固化剂为铂金固化剂。交联剂为过氧化苯甲酰。附着剂为氰基丙烯酸酯。
2b、再加入碳纳米管，并进行超声搅拌得到碳纳米管涂布液，搅拌时间为30分钟；所述碳纳米管与硅胶的质量比为1:7。
2c、通过涂布机在PET原料膜上进行导电液涂布（涂布速度为60米/分钟），然后使用碳纳米管涂布液进行涂布（涂布速度为28米/分钟），最后进行覆膜处理。按质量比计，其中的导电液成分为如下：聚噻吩：水：异丙醇的质量比为1:1:5。
实施例3
3a、将硅胶、溶剂、固化剂、交联剂、附着剂按照15:120:1:0.005:0.005的质量比混合，并进行超声搅拌，搅拌时间为5分钟；其中，硅胶为道康宁7657和道康宁7651，并且道康宁7657和道康宁7651的质量比为1.5:45。溶剂为乙酯。固化剂为铂金固化剂。交联剂为过氧化氢二异丙苯。附着剂为氰基丙烯酸酯。
3b、再加入碳纳米管，并进行超声搅拌得到碳纳米管涂布液，搅拌时间为5分钟；所述碳纳米管与硅胶的质量比为1:3。
3c、通过涂布机在PVC原料膜上进行导电液涂布（涂布速度为60米/分钟），然后使用碳纳米管涂布液进行涂布（涂布速度为28米/分钟），最后进行覆膜处理。按质量比计，其中的导电液成分为如下：聚噻吩：水：异丙醇的质量比为1: 5:1。
本发明的制备方法所制备的碳纳米管硅胶导静电保护膜，去导电效果好，在撕开薄膜的时候，通过导电层，经过碳纳米管本身具有的性能导走静电，避免产生撕膜电压。通过本发明的方法，可避免产生撕膜电压，一般保护膜表面电阻值为10的7-9次方，而本发明所制备的保护膜由于涂布了导电层加上增加碳纳米管材料，表面电阻测试仪测到数据为10的4-5次方；因此本发明可在撕膜的时候导走静电，类似于用静电刷在表面吸附走了静电。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护。

Claims (10)

1.一种碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
A、将硅胶、溶剂、固化剂、交联剂、附着剂按照1-15:30-120:0.005-1:0.005-1:0.005-1的质量比混合，并进行超声搅拌；
B、再加入碳纳米管，并进行超声搅拌得到碳纳米管涂布液；
C、通过涂布机在原料膜上进行导电液涂布，然后使用碳纳米管涂布液进行涂布，最后进行覆膜处理。
2.根据权利要求1所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其特征在于，导电液涂布的速度为60米/分钟；碳纳米管涂布的速度为28米/分钟。
3.根据权利要求1所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其特征在于，所述步骤A中的搅拌时间为10分钟。
4.根据权利要求1所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其特征在于，所述固化剂为铂金固化剂。
5.根据权利要求1所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其特征在于，所述导电液中的导电物质为聚噻吩。
6.根据权利要求1所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管与硅胶的质量比为1:1-10。
7.根据权利要求1所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其特征在于，所述导电液中的溶剂为水和异丙醇。
8.根据权利要求1所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其特征在于，所述原料膜的材质为PVC或PET。
9.根据权利要求1所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其特征在于，所述步骤A中的溶剂为乙酯。
10.一种碳纳米管硅胶导静电保护膜，其特征在于，采用如权利要求1~9任一项所述的制备方法制成。
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