CN108520852A - 一种等离子蚀刻的喷头异常监测系统及方法 - Google Patents
一种等离子蚀刻的喷头异常监测系统及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108520852A CN108520852A CN201810561065.1A CN201810561065A CN108520852A CN 108520852 A CN108520852 A CN 108520852A CN 201810561065 A CN201810561065 A CN 201810561065A CN 108520852 A CN108520852 A CN 108520852A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- monitoring
- subregion
- polymer
- abnormality
- piece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 324
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 title claims abstract description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 104
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 45
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 29
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 14
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 47
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 31
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N norethisterone Chemical group O=C1CC[C@@H]2[C@H]3CC[C@](C)([C@](CC4)(O)C#C)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1 VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
- H01J37/32963—End-point detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
- H01J2237/3343—Problems associated with etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明教示一种等离子蚀刻的喷头异常监测系统及方法。该等离子蚀刻的喷头异常监测方法包括，将监控片固定于等离子体刻蚀机的下电极组件上，并确定所述监控片上的复数个监测点的位置；经喷头流出聚合物反应测试的沉积气体，所述沉积气体沉积在所述监控片上，形成聚合物；分别获得所述监控片中各所述监测点处的所述聚合物的厚度，并将所述聚合物的厚度数据之上传到控制中心，根据所述聚合物的厚度数据来判断是否达到停机条件；当达到停机条件，所述控制中心控制等离子刻蚀机即时停机。利用本发明的技术方案，能够准确的监测喷头异常状况，并根据监测结果实现对等离子体刻蚀机台的控制，实现即时停机，从而降低晶圆的报废，提高产品良率。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体制造领域，特别是涉及一种等离子刻蚀的喷头异常监测系统及方法。
背景技术
在半导体制造领域，随着器件的特征尺寸不断变小，对等离子刻蚀精度的要求也越来越高，多孔性喷头作为等离子体刻蚀机中的关键部件，对于等离子体刻蚀的精度有重要影响。在等离子体刻蚀过程中，由于多孔性喷头长时间与等离子体作用，喷头中的孔洞会发生变形，出现扩孔或者本体脱胶的情况，刻蚀气体就无法以垂直方式均匀流到晶圆相对应的位置，就会出现有区域刻蚀气体变多或变少的情况，出现刻蚀不足(under etch)，过度刻蚀(over etch)的情况，都是让晶圆产生极大的损失，影响产品的良率，尤其是在高深宽比的制程上，影响更是难以估量。
为了控制产品的良率，对于多孔性喷头的异常监测就显得尤为重要，现有技术中监测多孔性喷头的方法是聚合物反应测试(Polymer dump test)，即在等离子体刻蚀机台每次保养或者打开反应室时，利用经过多孔性喷头的气体与动能的反应在监控片(例如裸硅片)上沉积聚合物，人为用肉眼来判断多孔性喷头的异常状态。如图1所示，可以将多孔性喷头31’分为中心区域(center)和边缘区域(donut to edge)，这主要是因为在所述喷头31’没有出现异常的时候，也即所述喷头的中心区域和边缘区域均没有异常时，沉积到监控片2’上的聚合物5’形状是圆形；当所述喷头31’的边缘区域出现异常(存在变形区块311’)时，沉积在所述监控片2’上的所述聚合物5’的形状不再是一个圆形，而是边缘存在突出的异常聚合物6’，据此来判断所述喷头31’边缘区域出现异常；而当所述喷头31’的中心区域出现异常时，由于的孔洞与孔洞之间距离相对较近，经过所述喷头31’中心区域孔洞汇集到所述监控片2’中心区域的气体很密集，所以当所述喷头31’中心区域的所述变形区块311’的形变不大时，沉积到所述监控片2’中心区域的所述聚合物5’的形状也是如图1所示的圆形，而且忧郁所述变形区块311’流出的气体会被所述喷头31’中心区域的其它正常部位的气体覆盖，沉积到所述监控片2’中心区域的所述聚合物5’的均匀性差异也不明显，人为用肉眼判断颜色的色差相当不易。因而，现有技术中的聚合物反应测试，存在以下几个不足之处：①因为每个人的判断标准不同，而有结果上的分歧。②聚合物反应测试主要针对多孔性喷头边缘出现异常的情况比较有效，对多孔性喷头中心区域的异常情况判断很不理想。③聚合物反应测试只能在机台异常处理，产品良率异常以及机台保养开腔时才能测试，对产品的影响范围比较大。
因此，如何即时有效监控等离子体刻蚀机台中喷头的异常，根据喷头的异常实现即时停机，从而降低晶圆的报废，提高产品良率成为本领域技术人员亟需解决的一个重要技术问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种等离子蚀刻的喷头异常监测方法，用于解决现有技术中等离子蚀刻的喷头异常监测方法-聚合物反应测试中，人为判断时因每个人的判断标准不同，而有结果上的分歧的问题；用于解决现有技术中，聚合物反应测试主要针对多孔性喷头边缘出现异常的情况比较有效，对多孔性喷头中心区域的异常情况判断很不理想的问题；用于解决现有技术中聚合物反应测试只能在机台异常处理，产品良率异常以及机台保养开腔时才能测试，对产品的影响范围比较大的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种等离子蚀刻的喷头异常监测方法，所述等离子蚀刻的喷头异常监测方法至少包括：
将监控片固定于等离子体刻蚀机的下电极组件上，并确定所述监控片上的复数个监测点的位置；
经喷头流出聚合物反应测试的沉积气体，所述沉积气体沉积在所述监控片上，以形成聚合物；
分别获得所述监控片中各所述监测点处的所述聚合物的厚度，并将所述聚合物的厚度数据上传到控制中心，根据所述聚合物的厚度数据来判断是否达到停机条件；
当达到停机条件，所述控制中心控制所述等离子刻蚀机即时停机。
作为本发明上述的喷头异常监测方法的改进，获得所述监控片中各所述监测点位置的所述聚合物的厚度的步骤包括：
所述聚合物形成之前，使用膜厚量测机测量所述监控片中各所述监测点处的所述监控片的厚度，并将各所述监测点处的位置信息和厚度数据上传到所述控制中心，作为前值；
所述聚合物形成之后，使用所述膜厚量测机测量所述监控片中各监测点处的所述监控片和所述聚合物的总厚度，并将各所述监测点处的位置信息和厚度数据上传到所述控制中心，作为后值；
使用所述后值中的厚度数据减去所述前值中的厚度数据，以获得所述监控片中各所述监测点位置的所述聚合物的厚度。
作为本发明上述的喷头异常监测方法的改进，各所述监测点的所述前值和所述后值中的厚度数据的可靠性均由所述膜厚量测机自动给出并上传至所述控制中心，以此来判断所述前值和所述后值中的厚度数据是否能作为参考依据。
作为本发明上述的喷头异常监测方法的改进，各监测点所述前值和所述后值的厚度数据的可靠性不低于90％。
作为本发明上述的喷头异常监测方法的改进，确定所述监控片上的复数个所述监测点的位置的步骤包括：
将所述监控片划分为若干分区；
在每个分区分别设置若干的所述监测点。
作为本发明上述的喷头异常监测方法的改进，确定所述监控片上的多个所述监测点的位置的步骤包括：
以所述监控片中心为圆心，将所述监控片划分为多个分区，从圆心到圆周沿半径方向依次至少包括第一分区、第二分区及第三分区，其中，所述第一分区的形状为圆形，所述第二分区和所述第三分区的形状为圆环；
在每个分区内分别设置若干所述监测点。
作为本发明上述的喷头异常监测方法的改进，所述第一分区包括3个或3个以上的个所述监测点，均匀分布在第一分区内，所述第一分区内所述监测点到所述圆心的距离相等；所述第二分区及在所述第二分区外围的其他分区均包括3个或3个以上的所述监测点，每个圆环形分区中的所述监测点均匀分布所述分区对应的圆环区内并到所述圆心的距离相等。
作为本发明上述的喷头异常监测方法的改进，确定所述监控片上的多个所述监测点的位置的步骤包括：
将所述监控片等分为多个相等的扇区；
在每个扇区上沿其对称轴径向设置若干监测点。
作为本发明上述的喷头异常监测方法的改进，任意一个扇区都设置有3个或3个以上的所述监测点，分布在所述扇区对称轴所在的半径上，位于圆心处的所述监测点为各扇区的共用监测点。
作为本发明上述的喷头异常监测方法的改进，判断是否达到停机条件步骤包括：
分别计算每个分区中所有所述监测点的所述聚合物的平均厚度，与对应分区的标准参考值进行比较，以此来判断各分区的所述聚合物的沉积是否出现异常；
根据所述聚合物的沉积出现异常的分区的个数来判定是否达到停机条件。
作为本发明上述的喷头异常监测方法的改进，所述标准参考值的获取步骤包括：
在产品良率正常的情况下，获得同样的工艺条件的若干所述监控片中每个分区的所述聚合物的平均厚度；
通过统计获得所述标准参考值的取值范围。
作为本发明上述的喷头异常监测方法的改进，判断各分区的所述聚合物的沉积是否出现异常的步骤包括：
当某一个分区的所述聚合物的平均厚度介于该分区所述标准参考值的上限和下限之间，则表示该分区的所述聚合物的沉积正常，反之，则表示该分区的所述聚合物的沉积出现异常。
作为本发明上述的喷头异常监测方法的改进，判断各分区的所述聚合物的沉积是否出现异常的步骤包括：
分别求出每个分区中的所述聚合物的平均厚度与该分区所述标准参考值的上限和下限的平均值的差值；
将各分区的所述差值分别与预设阈值比较，当某一个分区的所述差值不超过所述预设阈值，则表示该分区的所述聚合物的沉积正常，反之，则表示该分区的所述聚合物的沉积出现异常。
作为本发明上述的喷头异常监测方法的改进，所述喷头的异常监测周期选自于由固定监测周期和非固定监测周期所构成群组的其中之一。
作为本发明上述的喷头异常监测方法的改进，所述固定监测周期包含每三天监测一次。
作为本发明上述的喷头异常监测方法的改进，所述非固定监测周期包括，根据所述喷头的已使用时间动态调整的监测周期。
作为本发明上述的喷头异常监测方法的改进，所述监控片包括裸硅片晶圆。
作为本发明上述的喷头异常监测方法的改进，在所述喷头异常监测方法中，也根据所述聚合物的沉积速率来判断是否达到停机条件。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种等离子蚀刻的喷头异常监测系统，所述喷头异常监测系统至少包括：
等离子刻蚀腔、控制中心及膜厚量测机，所述等离子刻蚀腔内设置有用于承载监控片的下电极组件和位于所述下电极组件上方的上电极组件，所述上电极组件连接气体输入管路，用于提供聚合物反应测试的沉积气体；
所述上电极组件包括喷头以及与所述喷头相匹配组装的盖组件；
所述气体输入管路与所述上电极组件的所述盖组件相连通，用于将所述沉积气体经由所述喷头输送进所述等离子体刻蚀腔中，以便于所述监控片的上表面形成聚合物；
所述膜厚量测机的测量端设置于所述刻蚀腔中，用于获得所述监控片中各监测点位置的所述监控片的厚度及所述监控片和所述聚合物的总厚度；
所述控制中心与所述膜厚量测机相连，用于接收所述监控片中各所述监测点的位置信息和厚度数据，并以此分析判断是否达到停机条件。
作为本发明上述的喷头异常监测系统的改进，所述气体输入管路包括外管路和内管路；所述外管路与所述盖组件相连通，用于将所述沉积气体经由所述喷头的中心区域输送进所述等离子刻蚀腔中；所述内管路与所述盖组件的相连通，用于将所述沉积气体经由所述喷头的边缘区域输送进所述等离子刻蚀腔中。
作为本发明上述的喷头异常监测系统的改进，所述控制中心定义所述监控片包括若干分区；在每个分区内设置有若干所述监测点。
作为本发明上述的喷头异常监测系统的改进，所述监控片包括多个分区，以所述监控片中心为圆心，从圆心到圆周沿半径方向依次包括第一分区、第二分区及第三分区，其中，所述第一分区的形状为圆形，所述第二分区和所述第三分区的形状为圆环形；在每个分区内分别设置若干所述监测点。
作为本发明上述的喷头异常监测系统的改进，所述第一分区包括3个或3个以上的所述监测点，均匀分布在中心圆上，所述第一分区内所述监测点到所述圆心的距离相等；所述第二分区及在所述第二分区外围的其他分区包括3个或3个以上的所述监测点，每个圆环形分区中的所述监测点均匀分布在所属分区对应的圆环区内，并且与所述圆心的距离相等。
作为本发明上述的喷头异常监测系统的改进，所述监控片包括多个相等的扇区；在每个扇区分别设置若干所述监测点。
作为本发明上述的喷头异常监测系统的改进，任意一个扇区都设置有3个或3个以上的所述监测点，分布在所述扇区对称轴所在的半径上，位于所述扇区顶点处的所述监测点共属于其他扇区。
作为本发明上述的喷头异常监测系统的改进，所述喷头的直径小于所述监控片的直径。
作为本发明上述的喷头异常监测系统的改进，所述监控片包含硅片晶圆。
作为本发明上述的喷头异常监测系统的改进，所述硅片晶圆的直径包括300毫米。
如上所述，本发明等离子蚀刻的喷头异常监测系统及方法，具有以下有益效果：
利用本发明的，能够准确的监测等离子体刻蚀机喷头的异常状况，将现有技术中聚合物反应测试由人工判读改为数据分析，并根据监测结果实现对等离子体刻蚀机台的控制，实现即时停机，大大降低了错误，从而降低晶圆的报废，提高产品良率；本发明的等离子蚀刻的喷头异常监测方法可以同时作用监测多个机台的喷头，实现对多个机台的控制；本发明的等离子蚀刻的喷头异常监测方法可以针对不同的分区与范围定义标准，监测更全面和和具有针对性。
附图说明
图1显示为现有技术中的人工检测喷头异常的示意图。
图2显示为本发明的等离子蚀刻的喷头异常监测系统的示意图。
图3显示为本发明的监控片示意图。
图4显示为图3的所述监控片的被划分为8个扇区以及各扇区上各监测点的分布示意图。
图5显示为图3的所述监控片的被划分为6个分区及各分区上各监测点的分布示意图。
图6显示为本发明的等离子蚀刻的喷头异常检测方法的流程示意图。
图7显示为本发明实施例2中一种停机条件的示意图。
图8显示为本发明实施例2中另一种停机条件的示意图。
图9显示为本发明的喷头异常时异常聚合物在监控片上的一种常见的分布示意图
图10显示为本发明的喷头异常时异常聚合物在监控片上的另外一种常见的分布示意图。
元件标号说明
1 下电极组件
2，2’ 监控片
3 上电极组件
31，31’ 喷头
311’ 变形区块
32 盖组件
4 气体输入管路
41 外管路
42 内管路
5，5’ 聚合物
6，6’ 异常聚合物
7 监测点
8 等离子刻蚀腔
9 膜厚量测机
91 测量端
10 控制中心
Z1～Z6 分区
Sector1～Sector8 扇区
S10～S40 步骤
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1-图10。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
如图2所示，本实施例提供一种等离子蚀刻的喷头异常监测系统，所述喷头的异常监测系统包括，等离子刻蚀腔8，控制中心10及膜厚量测机9，所述等离子刻蚀腔8内设置有用于承载监控片2的下电极组件1和位于所述下电极组件1上方的上电极组件3，所述上电极组件3连接气体输入管路4，用于提供聚合物反应测试的沉积气体；所述上电极组件3包括喷头31以及与所述喷头31相匹配组装的盖组件32；所述气体输入管路4与所述上电极组件3的所述盖组件32相连通，用于将所述沉积气体经由所述喷头31输送进所述等离子刻蚀腔8中，以便于在所述监控片2的上表面形成聚合物5；所述膜厚量测机9的测量端91设置于所述等离子刻蚀腔8中，用于获得所述监控片2中各监测点7位置的所述监控片2的厚度及所述监控片2和所述聚合物5的总厚度；所述控制中心10与所述膜厚量测机9相连，用于接收的所述监控片2中各监测点7的位置信息和厚度数据，并以此分析判断是否达到停机条件。
需要说明的是，在本实施例中，所述控制中心10用于对所述喷头31的状态进行分析评价，根据反馈信息及时发现喷头31出现异常的征兆，从而实现即时停机，更换所述喷头31，使所述喷头31工作在正常状态下，降低晶圆的报废，提高产品良率。
需要说明的是，所述刻蚀气体输入管路4包括外管路41和内管路42；所述外管路41与所述盖组件32相连通，用于将所述沉积气体经由所述喷头31的中心区域输送进所述等离子刻蚀腔8中；所述内管路42与所述盖组件32的相连通，用于将所述沉积气体经由所述喷头31的边缘区域输送进所述等离子刻蚀腔8中。。
需要说明的是，所述监控片2的直径大于所述喷头31的直径。
需要说明的是，在本实施例中，所述采用直径为300毫米单晶裸硅片晶圆作为所述监控片2，也可以采用其他常见诸如多晶硅片，锗片，硅锗合金片等常见的半导体基片作为所述监控片2，不以本实施为限。
需要说明的是，在本实施例中，所述沉积气体为等离子体刻蚀机常用的气体。
具体地，所述控制中心10定义所述监控片2包括若干分区；在每个分区内设置有若干所述监测点。
作为示例，如图4所示，所述监控片2被划分为八个相等的扇区，分别是Sector1-Sector8，在每个扇区分别设置若干所述监测点7。
作为示例，如图4所示，所述监控片2包括49个所述监测点7，其中，任意一个扇区都设置有7个所述监测点7，分布在该扇区对称轴(图4中的单箭头所处的直线，未图示)所在的半径上，位于该扇区顶点处的一个所述监测点7也属于其他七个扇区。
需要说明的是，从图4中可以看出，所述监控片2中存在很大的盲分区是没有所述监测点7分布的，这些盲分区的所述聚合物5的厚度不能被采集，不能完全真实的反应各扇区的所述聚合物5的分布情况，在对刻蚀精度要求比较高，也就是对喷头31的异常允许阈值较低时，分析判断是否达到停机条件时会出现较大误差，会影响产品的良率，增加生产成本。
为了改善这一情况，以成本和产品良率为考量，在一示例中，如图5所示，所述监控片2被划分为六个分区，以所述监控片2中心为圆心，从圆心到圆周沿半径方向依次包括第一分区Z1、第二分区Z2、第三分区Z3、第四分区Z4、第五分区Z5及第六分区Z6，其中，所述第一分区Z1的形状为圆形，所述第二分区Z2～所述第六分区Z6的形状为圆环形；在每个分区内分别设置若干所述监测点7。
作为示例，如图5所示，所述监控片2包括124个所述监测点7，其中，所述第一分区Z1包括4个所述监测点7，均匀分布在中心圆上，所述第一分区Z1内所述监测点7到所述圆心的距离相等；所述第二分区Z2至第六分区Z6均包括24个所述监测点7，每个分区中的24个所述监测点7均匀分布在所属分区对应的圆环区内并与所述圆心的距离相等。
需要说明的是，也可以根据对等离子体刻蚀精度的要求，来灵活调整和划分所述监控片2的分区，以及于各分区设定所述监测点7的位置和个数，不以本实施例为限。
实施例二
如图6所示，本实施例提供一种使用实施例一中所述等离子蚀刻的喷头异常监测系统进行喷头异常监测的方法，所述方法包括：
如图6所示，执行步骤S10，将如图3所述的监控片2固定于等离子体刻蚀机的下电极组件1上，并确定所述监控片2上的复数个监测点7的位置；
需要说明的是，在本实施例中，采用直径为300毫米的裸硅片作为监控片2，也可以采用其他常见诸如多晶硅片，锗片，硅锗合金片等常见的半导体基片作为所述监控片2，不以本实施为限。
具体地，确定所述监控片2上的复数个所述监测点7的位置的步骤包括，将所述监控片2划分为若干分区；在每个分区分别设置若干的所述监测点7。
作为示例，如图4所示，将所述监控片2等分为八个相等的扇区，分别是Sector1-Sector8；在每个扇区上沿其对称轴径向设置若干所述监测点7。作为示例，所述监控片2包括49个所述监测点7，其中，任意一个扇区都设置有7个所述监测点7，分布在该扇区对称轴(图4中的单箭头所处的直线，未图示)所在的半径上，位于圆心处的所述监测点7为各扇区的共用监测点。需要说明的是，也可以根据对等离子体刻蚀精度的要求，来灵活调整所述监控片2的扇区个数，以及各分扇区中所述监测点7的位置和个数，不以本示例为限。
需要说明的是，从图4中可以看出，所述监控片2中存在很大的盲分区是没有所述监测点7存在的，这些盲分区的所述聚合物5的厚度不能被采集，不能完全真实的反应各扇区的所述聚合物5的分布情况，在对刻蚀精度要求比较高，也就是对喷头31的异常允许阈值较低时，分析判断是否达到停机条件时会出现较大误差，会影响产品的良率，增加生产成本。
为了改善这一情况，以成本和良率为考量，作为示例，如图5所示，以所述监控片2中心为圆心，将监控片2划分为六个分区，从圆心到圆周沿半径方向依次包括第一分区Z1、第二分区Z2、第三分区Z3、第四分区Z4、第五分区Z5及第六分区Z6，其中，所述第一分区的形状为圆形，所述第二分区～所述第六分区的形状为圆环形；在每个分区内分别设置若干所述监测点7。作为示例，如图5所示，所述监控片2包括124个所述监测点7，其中，所述第一分区Z1包括4个所述监测点7，均匀分布在第一分区Z1的圆形内，所述第一分区Z1内所述监测点7到所述圆心的距离相等；所述第二分区Z2至第六分区Z6均包括24个监测点7，每个圆环形分区中的24个所述监测点7均匀分布所述分区对应的圆环区内，并且到所述圆心的距离相等。需要说明的是，也可以根据生产工艺中对等离子体刻蚀精度的要求，来灵活调整和划分所述监控片2的分区，以及于各分区设定所述监测点7的位置和个数，不以本实施例为限。
作为示例，表1是图5所示的所述监控片2各分区标准参考值，各分区包含的所述监控点7的编号以及停机条件。其中，Zone代表所述监控片2的分区；Spec代表分区对应的所述标准参考值范围，在下文中详细陈述其获得过程；Point代表分区包含的所述监测点7的编号；Color代表分区的颜色，用户可自行设定，以区别其他分区；Criteria代表停机条件，停机条件根据实际需要来设定，不以本实施例为限。
表1.图5所示监控片中各分区标准参考值，各分区包含的所述监控点编号以及停机条件
如图6所示，执行步骤S20，经喷头31流出聚合物反应测试的沉积气体，所述沉积气体沉积在所述监控片2上，以形成聚合物5。
如图6所示，执行步骤S30，分别获得所述监控片2中各所述监测点7处的所述聚合物5的厚度，并将所述聚合物5的厚度数据之上传到控制中心10，根据所述聚合物5的厚度数据来判断是否达到停机条件。
具体地，获得所述监控片2中各所述监测点7位置的所述聚合物5的厚度的步骤包括，所述聚合物5形成之前，使用膜厚量测机9测量所述监控片2中各所述监测点7处的所述监控片2的厚度，并将各所述监测点7处的位置信息和厚度数据上传到所述控制中心10，作为前值；所述聚合物5形成之后，使用所述膜厚量测机9测量所述监控片2中各监测点7处的所述监控片2和所述聚合物5的总厚度，并将各所述监测点7处的位置信息和厚度数据上传到所述控制中心10，作为后值；使用所述后值中的厚度数据减去所述前值中的厚度数据，获得所述监控片2中各所述监测点7位置的所述聚合物5的厚度。
需要说明的是，为了确保各所述监测点7处厚度数据的可靠性，上传各所述监测点7处的位置信息和厚度数据至所述控制中心10时，也同时上传各监测点7处的厚度数据的可靠性参数，所述可靠性参数由所述膜厚量测机9自动给出；所述可靠性参数使用GOF表示，反应了所述量测机的测量端91的光学探头的聚焦状态。
在本实施例中，当厚度数据的GOF不低于90％时，表示该厚度数据真实可靠，可以当成参考依据，反之则不能当成参考依据；在其他实施例中，可以基于实验精度考虑，调整GOF的正常值范围。
作为示例，表2是一种聚合物厚度数据记录格式。在该示例中，如图4所示，所述监控片2被划分为八个相等的扇区，任意一个扇区都设置有7个所述监测点7，分布在该扇区对称轴(图4中的单箭头所处的直线，未图示)所在的半径上，位于圆心处的一个所述监测点7为各扇区的共用监测点。其中，PLAX001是指所述膜厚测量仪的信息；POINT是指所述监测点7编号；Raw data是指所述监测点7处的厚度数据，所述厚度数据是所述监测点7处所述聚合物5的厚度，单位为埃X axis和Y axis分别所述监测点7的横坐标和纵坐标，单位是毫米，GOF是指所述监测点7的厚度数据的可靠性数据。
如表1所示，第3，第4，第7个所述监测点7的GOF小于90％表示所述膜厚量测机9的聚焦失真，采集到的厚度数据不能当成参考依据。
表2一种聚合物厚度数据记录格式
| Tools | PLAX001 | |||
| POINT | GOF | Raw data | X axis | Y axis |
| 1 | 95％ | 380 | -150 | 0 |
| 2 | 92％ | 356 | -130 | 0 |
| 3 | 80％ | 301 | -110 | 0 |
| 4 | 0％ | 320 | -80 | 0 |
| 5 | 95％ | 340 | -60 | 0 |
| 6 | 95％ | 10 | -30 | 0 |
| 7 | 70％ | 250 | 0 | 0 |
| 8 | 95％ | 294 | 30 | 0 |
| 9 | 95％ | 330 | 60 | 0 |
| … | … | … | … | … |
需要说明的是，当所述监控片的分区及各分区中所述监测点分布如图5以及表1所示时，也可以采用如表1所示的数据记录格式。
具体地，判断是否达到停机条件步骤包括，分别计算每个分区中所有所述监测点7的所述聚合物5的平均厚度，与对应分区的标准参考值进行比较，以此来判断各分区的所述聚合物5的沉积是否出现异常；根据所述聚合物5的沉积出现异常的分区的个数来判定是否达到停机条件。
需要说明的是，所述标准参考值的获取步骤包括，在同样的工艺条件下，在产品良率正常的情况下，获得若干所述监控片2中每个分区的所述聚合物5的平均厚度；通过统计获得所述监控片2中各分区所述标准参考值的取值范围。
需要说明的是，在本实施例中，判断各分区的所述聚合物5的沉积是否出现异常的步骤包括，当某一个分区的所述聚合物5的平均厚度介于该分区所述标准参考值的上限和下限之间，则表示该分区的所述聚合物5的沉积正常，反之，则表示该分区的所述聚合物5的沉积出现异常，所述控制中心10还将各分区的所述聚合物5的平均厚度绘制成如图7所示的图形，当做判断停机的依据，可以大大的提升准确率，图7中每一个点代表一个分区的所述聚合物5的平均厚度，UCL和LCL分别代表所述标准参考值的上限和下限。
在一实施例中，判断各分区的所述聚合物5的沉积是否出现异常的步骤也可以包括，分别求出每个分区中的所述聚合物5的平均厚度与该分区所述标准参考值的上限和下限的平均值的差值，将各分区的所述差值分别与预设阈值比较，当某一个分区的所述差值不超过所述预设阈值，则表示该分区的所述聚合物5的沉积正常，反之，则表示该分区的所述聚合物5的沉积出现异常；所述控制中心10还将各分区的所述差值绘制成如图8所示的图形，当做判断的依据，可以大大的提升准确率，图8中每一个点代表一个分区的所述差值，UCL代表所述预设阈值。
图9和图10是常见的所述喷头31异常时异常聚合物6在所述监控片2上的示意图，可以看出所述异常聚合物6的形状大小各异。在实际判断是否达到停机的条件时，可以灵活的调整分区大小和范围以及各分区设置的所述监测点7个数和位置，不以本实施例为限。
执行步骤S40，当达到停机条件，所述控制中心10控制等离子刻蚀机即时停机。
需要说明的是，所述喷头31的异常监测周期可采用固定监测周期和非固定监测周期。
在本实施例中，所述固定监测周期采用每三天监测一次；也可以根据所述喷头31的已使用时间动态调整的监测周期，使用时间越长，检测周期越短。
需要说明的是，在所述喷头31的异常监测方法中，也可以使用所述聚合物5的沉积速率代替聚合物5的厚度来判断是否达到停机条件，两者的方法相似，在此不做赘述。
综上所述，本发明能够准确的监测等离子体刻蚀机的喷头的异常状况，将现有技术中聚合物反应测试由人工判读改为数据分析，并根据监测结果实现对等离子体刻蚀机台的控制，实现即时停机，大大降低了错误，从而降低晶圆的报废，提高产品良率；本发明的等离子蚀刻的喷头异常监测方法可以同时作用监测多个机台的喷头，实现对多个机台的控制；本发明的等离子蚀刻的喷头异常监测方法可以针对不同的区域与范围定义标准，监测更全面和和具有针对性。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (25)
1.一种等离子蚀刻的喷头异常监测方法，其特征在于，包括：将监控片固定于等离子体刻蚀机的下电极组件上，并确定所述监控片上的复数个监测点的位置；
经喷头流出聚合物反应测试的沉积气体，所述沉积气体沉积在所述监控片上，以形成聚合物；
分别获得所述监控片中各所述监测点处的所述聚合物的厚度，并将所述聚合物的厚度数据上传到控制中心，根据所述聚合物的厚度数据来判断是否达到停机条件；
当达到停机条件，所述控制中心控制所述等离子刻蚀机即时停机。
2.根据权利要求1所述的喷头异常监测方法，其特征在于，获得所述监控片中各所述监测点位置的所述聚合物的厚度的步骤包括：
所述聚合物形成之前，使用膜厚量测机测量所述监控片中各所述监测点处的所述监控片的厚度，并将各所述监测点处的位置信息和厚度数据上传到所述控制中心，作为前值；
所述聚合物形成之后，使用所述膜厚量测机测量所述监控片中各监测点处的所述监控片和所述聚合物的总厚度，并将各所述监测点处的位置信息和厚度数据上传到所述控制中心，作为后值；
使用所述后值中的厚度数据减去所述前值中的厚度数据，以获得所述监控片中各所述监测点位置的所述聚合物的厚度。
3.根据权利要求2所述的喷头异常监测方法，其特征在于，各所述监测点的所述前值和所述后值中的厚度数据的可靠性均由所述膜厚量测机自动给出并上传至所述控制中心，以此来判断所述前值和所述后值中的厚度数据是否能作为参考依据。
4.根据权利要求3所述的喷头异常监测方法，其特征在于，各所述监测点所述前值和所述后值中的厚度数据的可靠性不低于90％。
5.根据权利要求3所述的喷头异常监测方法，其特征在于，确定所述监控片上的多个所述监测点的位置的步骤包括：
将所述监控片划分为若干分区；
在每个分区分别设置若干的所述监测点。
6.根据权利要求5所述的喷头异常监测方法，其特征在于，确定所述监控片上的复数个所述监测点的位置的步骤包括：
以所述监控片中心为圆心，将所述监控片划分为多个分区，从圆心到圆周沿半径方向依次至少包括第一分区、第二分区及第三分区，其中，所述第一分区的形状为圆形区，所述第二分区和所述第三分区的形状为圆环区；
在每个分区内分别设置若干所述监测点。
7.根据权利要求6所述的喷头异常监测方法，其特征在于，所述第一分区包括3个或3个以上的所述监测点，均匀分布在所述第一分区内，所述第一分区内所述监测点到所述圆心的距离相等；所述第二分区及在所述第二分区外围的其他分区均包括3个或3个以上的所述监测点，每个圆环形分区中的所述监测点均匀分布所属分区对应的圆环区内并到所述圆心的距离相等。
8.根据权利要求5所述的喷头异常监测方法，其特征在于，确定所述监控片上的多个所述监测点的位置的步骤包括：
将所述监控片等分为多个相等的扇区；
在每个扇区上沿其对称轴径向设置若干监测点。
9.根据权利要求8所述的喷头的异常监测方法，其特征在于，任意一个扇区都设置有3个或3个以上的所述监测点，分布在所述扇区对称轴所在的半径上，位于圆心处的一个所述监测点为各扇区的共用监测点。
10.根据权利要求5所述的喷头异常监测方法，其特征在于，判断是否达到停机条件步骤包括：
分别计算每个分区中所有所述监测点的所述聚合物的平均厚度，与对应分区的标准参考值进行比较，以此来判断各分区的所述聚合物的沉积是否出现异常；
根据所述聚合物的沉积出现异常的分区的个数来判定是否达到停机条件。
11.根据权利要求10所述的喷头异常监测方法，其特征在于，所述标准参考值的获取步骤包括：
在产品良率正常的情况下，获得相同工艺条件下若干所述监控片中每个分区的所述聚合物的平均厚度；
通过统计获得所述标准参考值的取值范围。
12.根据权利要求11所述的喷头异常监测方法，其特征在于，判断各分区的所述聚合物的沉积是否出现异常的步骤包括：
当某一个分区的所述聚合物的平均厚度介于该分区所述标准参考值的上限和下限之间，则表示该分区的所述聚合物的沉积正常，反之，则表示该分区的所述聚合物的沉积出现异常。
13.根据权利要求11所述的喷头异常监测方法，其特征在于，判断各分区的所述聚合物的沉积是否出现异常的步骤包括：
分别求出每个分区中的所述聚合物的平均厚度与该分区所述标准参考值的上限和下限的平均值的差值；
将各分区的所述差值分别与预设阈值比较，当某一个分区的所述差值不超过所述预设阈值，则表示该分区的所述聚合物的沉积正常，反之，则表示该分区的所述聚合物的沉积出现异常。
14.根据权利要求1所述的喷头异常监测方法，其特征在于，所述喷头的异常监测周期选自于由固定监测周期和非固定监测周期所构成群组的其中之一。
15.根据权利要求14所述的喷头异常监测方法，其特征在于，所述非固定监测周期包括根据所述喷头的已使用时间动态调整的监测周期。
16.根据权利要求1-15任意一项所述的喷头异常监测方法，其特征在于，所述监控片包括裸硅片。
17.一种等离子蚀刻的喷头异常监测系统，其特征在于，包括：
等离子刻蚀腔、控制中心及膜厚量测机，所述等离子刻蚀腔内设有用于承载监控片的下电极组件和位于所述下电极组件上方的上电极组件，所述上电极组件连接气体输入管路，用于提供聚合物反应测试的沉积气体；
所述上电极组件包括喷头以及与所述喷头相匹配组装的盖组件；
所述气体输入管路与所述上电极组件的所述盖组件相连通，用于将所述沉积气体经由所述喷头输送进所述等离子刻蚀腔中，以便于所述监控片的上表面形成聚合物；
所述膜厚量测机的测量端设置于所述等离子刻蚀腔中，用于获得所述监控片中各监测点位置的所述监控片的厚度及所述监控片和所述聚合物的总厚度；
所述控制中心与所述膜厚量测机相连，用于接收所述监控片中各所述监测点的位置信息和厚度数据，并以此分析判断是否达到停机条件。
18.根据权利要求17所述的喷头异常监测系统，其特征在于，所述气体输入管路包括外管路和内管路，所述外管路与所述盖组件相连通，用于将所述沉积气体经由所述喷头的中心区域输送进所述等离子刻蚀腔中；所述内管路与所述盖组件的相连通，用于将所述沉积气体经由所述喷头的边缘区域输送进所述等离子刻蚀腔中。
19.根据权利要求17所述的喷头异常监测系统，其特征在于，所述控制中心定义所述监控片包括若干分区；在每个分区内设置有若干所述监测点。
20.根据权利要求19所述的喷头异常监测系统，其特征在于，所述监控片包括多个分区，以所述监控片中心为圆心，从圆心到圆周沿半径方向依次至少包括第一分区、第二分区及第三分区，其中，所述第一分区的形状为圆形，所述第二分区和所述第三分区的形状为圆环形；在每个分区内分别设置若干所述监测点。
21.根据权利要求20所述的喷头异常监测系统，其特征在于，其中，所述第一分区包括3个或3个以上的所述监测点，均匀分布在中心圆上，所述第一分区内所述监测点到所述圆心的距离相等；所述第二分区及在所述第二分区外围的其他分区均包括3个或3个以上的所述监测点，每个圆环形分区中的所述监测点均匀分布在所属分区对应的圆环区内并与所述圆心的距离相等。
22.根据权利要求19所述的喷头异常监测系统，其特征在于，所述控制中心更定义所述监控片包括多个相等的扇区；在每个扇区分别设置若干所述监测点。
23.根据权利要求22所述的喷头异常监测系统，其特征在于，任意一个扇区都设置有3个或3个以上的所述监测点，分布在所述扇区对称轴所在的半径上，位于所述扇区顶点处的所述监测点共属于其他扇区。
24.根据权利要求19所述的喷头异常监测系统，其特征在于，所述喷头的直径小于所述监控片的直径。
25.根据权利要求17-24任意一项所述的喷头异常监测系统，其特征在于，所述监控片包含硅片晶圆。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810561065.1A CN108520852B (zh) | 2018-06-04 | 2018-06-04 | 一种等离子蚀刻的喷头异常监测系统及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810561065.1A CN108520852B (zh) | 2018-06-04 | 2018-06-04 | 一种等离子蚀刻的喷头异常监测系统及方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108520852A true CN108520852A (zh) | 2018-09-11 |
| CN108520852B CN108520852B (zh) | 2023-06-27 |
Family
ID=63428061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810561065.1A Active CN108520852B (zh) | 2018-06-04 | 2018-06-04 | 一种等离子蚀刻的喷头异常监测系统及方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108520852B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220076969A1 (en) * | 2020-06-16 | 2022-03-10 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Semiconductor equipment regulation method and semiconductor device fabrication method |
| CN115056045A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-09-16 | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 一种晶圆单面抛光装置及方法 |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5232537A (en) * | 1990-10-12 | 1993-08-03 | Seiko Epson Corporation | Dry etching apparatus |
| US5552017A (en) * | 1995-11-27 | 1996-09-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for improving the process uniformity in a reactor by asymmetrically adjusting the reactant gas flow |
| US20010052394A1 (en) * | 2000-06-15 | 2001-12-20 | Soon-Bin Jung | High density plasma processing apparatus |
| US6665623B1 (en) * | 2002-07-31 | 2003-12-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for optimizing downstream uniformity |
| US20050183666A1 (en) * | 2004-02-20 | 2005-08-25 | Asm Japan K.K. | Shower plate having projections and plasma CVD apparatus using same |
| US20070037390A1 (en) * | 2005-08-12 | 2007-02-15 | Asm Japan K.K. | Plasma CVD apparatus for forming uniform film |
| CN102446738A (zh) * | 2011-11-29 | 2012-05-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种等离子体刻蚀装置 |
| US20120315396A1 (en) * | 2011-06-13 | 2012-12-13 | Intermolecular, Inc. | Apparatus and method for combinatorial plasma distribution through a multi-zoned showerhead |
| CN102945802A (zh) * | 2012-11-28 | 2013-02-27 | 上海华力微电子有限公司 | 湿法刻蚀装置及其刻蚀方法 |
| CN103074604A (zh) * | 2012-04-23 | 2013-05-01 | 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 | 用于化学气相沉积工艺的喷淋头和改善工艺均匀性的方法 |
| CN104246009A (zh) * | 2012-04-12 | 2014-12-24 | 等离子瑟姆有限公司 | 在等离子体沉积期间确定薄膜的厚度的方法 |
| CN104347389A (zh) * | 2013-07-23 | 2015-02-11 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体刻蚀方法 |
| CN105132889A (zh) * | 2015-09-14 | 2015-12-09 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 应用于薄膜沉积装置喷淋头中的双气路中心进气结构 |
| CN105280514A (zh) * | 2015-10-14 | 2016-01-27 | 上海华力微电子有限公司 | 一种侦测锗硅残留的方法 |
| CN107342254A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-11-10 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 晶边刻蚀机台的校准方法 |
-
2018
- 2018-06-04 CN CN201810561065.1A patent/CN108520852B/zh active Active
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5232537A (en) * | 1990-10-12 | 1993-08-03 | Seiko Epson Corporation | Dry etching apparatus |
| US5552017A (en) * | 1995-11-27 | 1996-09-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for improving the process uniformity in a reactor by asymmetrically adjusting the reactant gas flow |
| US20010052394A1 (en) * | 2000-06-15 | 2001-12-20 | Soon-Bin Jung | High density plasma processing apparatus |
| US6665623B1 (en) * | 2002-07-31 | 2003-12-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for optimizing downstream uniformity |
| US20050183666A1 (en) * | 2004-02-20 | 2005-08-25 | Asm Japan K.K. | Shower plate having projections and plasma CVD apparatus using same |
| US20070037390A1 (en) * | 2005-08-12 | 2007-02-15 | Asm Japan K.K. | Plasma CVD apparatus for forming uniform film |
| US20120315396A1 (en) * | 2011-06-13 | 2012-12-13 | Intermolecular, Inc. | Apparatus and method for combinatorial plasma distribution through a multi-zoned showerhead |
| CN102446738A (zh) * | 2011-11-29 | 2012-05-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种等离子体刻蚀装置 |
| CN104246009A (zh) * | 2012-04-12 | 2014-12-24 | 等离子瑟姆有限公司 | 在等离子体沉积期间确定薄膜的厚度的方法 |
| CN103074604A (zh) * | 2012-04-23 | 2013-05-01 | 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 | 用于化学气相沉积工艺的喷淋头和改善工艺均匀性的方法 |
| CN102945802A (zh) * | 2012-11-28 | 2013-02-27 | 上海华力微电子有限公司 | 湿法刻蚀装置及其刻蚀方法 |
| CN104347389A (zh) * | 2013-07-23 | 2015-02-11 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体刻蚀方法 |
| CN105132889A (zh) * | 2015-09-14 | 2015-12-09 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 应用于薄膜沉积装置喷淋头中的双气路中心进气结构 |
| CN105280514A (zh) * | 2015-10-14 | 2016-01-27 | 上海华力微电子有限公司 | 一种侦测锗硅残留的方法 |
| CN107342254A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-11-10 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 晶边刻蚀机台的校准方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220076969A1 (en) * | 2020-06-16 | 2022-03-10 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Semiconductor equipment regulation method and semiconductor device fabrication method |
| CN115056045A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-09-16 | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 一种晶圆单面抛光装置及方法 |
| CN115056045B (zh) * | 2022-06-30 | 2023-10-20 | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 一种晶圆单面抛光装置及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108520852B (zh) | 2023-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100523780C (zh) | 粒子监测装置和真空处理装置 | |
| CN108520852A (zh) | 一种等离子蚀刻的喷头异常监测系统及方法 | |
| CN108960306B (zh) | 基于smt大数据的锡膏检测阈值优化方法 | |
| CN104360677B (zh) | 一种卷烟加工过程质量评价与诊断方法 | |
| CN102566505B (zh) | 一种数控机床的智能故障诊断方法 | |
| CN208225840U (zh) | 一种等离子蚀刻的喷头异常监测系统 | |
| CN103838202B (zh) | 参数控制方法和参数控制系统 | |
| CN101222729B (zh) | 基于路测数据的网络优化告警方法和装置 | |
| CN103987118B (zh) | 基于接收信号强度信号ZCA白化的接入点k‑means聚类方法 | |
| CN104778525A (zh) | 利用测试数据进行品管方法 | |
| TW201301074A (zh) | 半導體製程之失效偵測方法及執行此方法之系統架構 | |
| CN101378024B (zh) | 晶圆缺陷的检测方法 | |
| CN105930302A (zh) | 一种基于快速遗传算法和灰箱模型的磨煤机故障诊断方法 | |
| CN104268416A (zh) | 一种冷链物流车厢温度监控方法及系统 | |
| CN116825169A (zh) | 一种基于测试设备的异常存储芯片检测方法 | |
| CN109816191A (zh) | 多工作站系统的质量预测方法及其系统 | |
| CN111575681B (zh) | 一种板式pecvd设备中单管镀膜效果的检测方法 | |
| CN205115683U (zh) | 一种干喷湿纺喷丝装置 | |
| CN101930938A (zh) | 监测膜厚均匀性的方法 | |
| CN108242411B (zh) | 用于管控线上缺陷的方法和系统 | |
| AU2019100265A4 (en) | A petal-type fixed mass division device | |
| US20220043051A1 (en) | Testing method and testing system | |
| TW201935021A (zh) | 晶圓再驗之方法 | |
| CN104656059A (zh) | 一种改进的测向定位方法 | |
| CN110925182B (zh) | 热轧产线除鳞泵振动劣化的预警方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20181015 Address after: 230601 room 630, Hai Heng mansion 6, Cui Wei Road, Hefei economic and Technological Development Zone, Anhui Applicant after: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, Inc. Address before: 230000 room 526, Hai Heng mansion 6, Cui Wei Road, Hefei economic and Technological Development Zone, Anhui Applicant before: INNOTRON MEMORY CO.,Ltd. |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |