CN108511142A - 一种基于巨磁热La-Fe-Co-Si的多铁复合材料及其制备方法和用途 - Google Patents

一种基于巨磁热La-Fe-Co-Si的多铁复合材料及其制备方法和用途 Download PDF

Info

Publication number
CN108511142A
CN108511142A CN201810398161.9A CN201810398161A CN108511142A CN 108511142 A CN108511142 A CN 108511142A CN 201810398161 A CN201810398161 A CN 201810398161A CN 108511142 A CN108511142 A CN 108511142A
Authority
CN
China
Prior art keywords
composite materials
iron composite
magnetic
pmn
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810398161.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108511142B (zh
Inventor
刘瑶
胡凤霞
乔凯明
梁飞翔
王晶
孙继荣
沈保根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Physics of CAS
Original Assignee
Institute of Physics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Physics of CAS filed Critical Institute of Physics of CAS
Priority to CN201810398161.9A priority Critical patent/CN108511142B/zh
Publication of CN108511142A publication Critical patent/CN108511142A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108511142B publication Critical patent/CN108511142B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C33/00—Making ferrous alloys
    • C22C33/04—Making ferrous alloys by melting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/005—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing rare earths, i.e. Sc, Y, Lanthanides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/02—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/10—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/012—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials adapted for magnetic entropy change by magnetocaloric effect, e.g. used as magnetic refrigerating material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/012—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials adapted for magnetic entropy change by magnetocaloric effect, e.g. used as magnetic refrigerating material
    • H01F1/015—Metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)
  • Hard Magnetic Materials (AREA)

Abstract

本发明提供一种在室温附近兼具磁制冷、电控磁和磁记忆效应的多铁复合材料及其制备方法和应用。该多铁复合材料包括铁电PMN‑PT单晶衬底和具有巨磁热效应的La‑Fe‑Co‑Si铁磁合金层，其中，所述PMN‑PT单晶衬底的两个表面均蒸镀有金属电极，并且通过胶粘剂与所述La‑Fe‑Co‑Si铁磁合金层粘结形成所述多铁复合材料。本发明的多铁复合材料的优势在于室温附近具有可观的电控磁效应，并表现出脉冲电压诱导的磁记忆效应。同时，由于该结构的铁磁层具有巨大的磁热效应，从而提供一种用磁制冷来克服存储器件发热的新模型。本发明对于发展兼具磁制冷和磁记忆效应的新型多功能复合器件具有重要实际意义。

Description

一种基于巨磁热La-Fe-Co-Si的多铁复合材料及其制备方法 和用途
技术领域
本发明涉及一种由巨磁热La-Fe-Co-Si材料和弛豫性铁电衬底(1-x)Pb(Mg1/ 3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-PT)构成的具有磁记忆效应的多铁复合材料及其制备方法和用途。
背景技术
多铁材料是指两种以上的有序相(铁磁、铁电、铁弹)共存的材料体系。在该类材料体系中可以实现磁电耦合或者逆磁电耦合效应，也即加磁场导致物质的电极化状态发生变化或者加电场导致物质的磁化状态发生变化。
信息存储技术领域的发展对于存储密度和速度的提高，以及降低能耗都有越来越高的要求。传统的磁存储材料多数采用磁场或者电流写入的模式，这一模式既不利于提高存储密度和速度，也具有很大的能耗。通过电场去控制磁性则有利于解决这一问题，除此之外，电控磁效应还可以广泛的用于逻辑器件、探测器件、能量转换器件等等。这使得对于多铁材料，特别是室温附近多铁材料及其电控磁效应的探索显得尤为重要。
现有的具有磁电耦合的单相多铁材料包括BiFeO3、Cr2O3、TbMnO3、YMnO3、MnWO4等。这类材料种类比较少，铁电性和铁磁性都比较弱，并且其磁电耦合作用也比较弱，而且其电磁耦合效应一般都发生在低温区域，不能实现室温附近的电控磁效应。针对这些问题，人们发现通过一些手段人为的将铁电材料和铁磁材料结合起来形成的人工复合物即可实现磁电耦合效应。其形式包括三维颗粒复合的核壳结构和二维片状复合结构，还有一种就是通过薄膜生长的方式将铁电材料和铁磁材料进行复合。通过简单的方法将铁电材料和铁磁材料结合起来并且能够实现磁电耦合效应，特别是室温附近的磁电耦合效应仍然显得尤为重要。
具有NaZn13(1:13)结构的La(Fe,Si)13基化合物由于其巨大磁热效应被人们广为熟知，其可作为磁制冷工质获得磁制冷。除此之外，该材料还具有磁弹耦合的特征。随着温度升高，在其磁相变温度处伴随着一个反常的晶格畸变，这就决定了该材料对外加的应力特别敏感。通过Co替代Fe，可以调控该材料的相变温度到室温附近。然而由于1:13相是亚稳相，形成1:13相往往需要高的退火温度和长的退火时间(需要一个月)。本发明人的研究发现可以通过快淬甩带的方法制备厚度小于22μm的La-Fe-Co-Si快淬薄带，所得快淬带形成1:13相，相对于块材成相所需的一个月的退火时间，只需要退火15min～1h便可以形成干净的1:13相，没有其它杂相，从而所需要的退火时间大大缩短。
PMN-PT是一种比较成熟的已经商业化生产的铁电材料，它因为具有优异的压电和逆压电效应而广泛应用于能量转换器件。(011)取向的PMN-PT单晶在6kV/cm的电压下，其面内[100]方向可以产生0.3％的巨大压应变。
众所周知，高密度磁存储器件工作过程中发热是长期难以解决的问题，已经投入了大量财力、物力来解决散热问题。因此，制备兼具磁制冷和磁记忆效应的新型多功能复合器件可作为解决该问题的重要方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种兼具磁制冷和磁记忆效应的新型多功能复合结构的构成、制备方法，及其在高密度、高速、低能耗的电写入磁记录、高灵敏磁电弱信号探测器、传感器、逻辑器件、磁记忆等方面的应用。
本发明的发明人通过研究发现，通过制备多铁复合结构，即将具有优异铁电性能的已经商业化的(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(0.27<x<0.33)(PMN-PT)材料通过环氧树脂与相变温度在室温附近可调的具有巨磁热效应的La(Fe1-xCox)13-ySiy(La-Fe-Co-Si)薄片进行粘结，可以实现室温附近兼具磁制冷和磁记忆效应的新型多功能复合结构。通过控制La-Fe-Co-Si的元素比例，可以得到相变温度在室温(260～325K)附近的巨磁热材料，进一步，通过减薄和甩带的办法可以得到厚度低于50μm的La-Fe-Co-Si薄片。本发明人将所得应力敏感型并且相变温度在室温附近，具有巨磁热效应的La-Fe-Co-Si快淬带与具有优异逆压电效应的PMN-PT单晶衬底进行粘接形成人工多功能复合结构。研究表明所得复合结构在室温及其附近不仅表现出巨磁热效应，而且实现了外加电压控制的磁性态的记忆效应。
在该铁磁薄带和铁电PMN-PT衬底组成的人工复合结构中，出现了可观的电控磁效应，并且随着铁磁相薄片厚度的减小，电场对磁性的调制作用增强，薄片厚度小到18μm时，在其磁结构相变温度288K处，加12kV/cm的电势梯度可以使得La-Fe-Co-Si在低磁场的磁化强度变化率达到5％，而在室温305K处，12kV/cm的电势梯度也可以引起4％的磁化强度变化率。
为有助于理解本发明，下面定义了一些术语。本文定义的术语具有本发明相关领域的普通技术人员通常理解的含义。
除非另外说明，本文所用的术语“PMN-PT”是商业化的化学成分为(1-x)Pb(Mg1/ 3Nb2/3)O3-xPbTiO3(0.27<x<0.33)的单晶材料，取向为(011)、(001)、(111)。La-Fe-Co-Si铁磁合金是指成分为La(Fe1-xCox)13-ySiy(0.04≤x≤0.08，1.1≤y≤1.4)的具有磁弹耦合和巨磁热效应的铁磁材料。另外，术语“电控磁效应”和“磁电耦合效应”等价，可以互换使用。
本发明的目的是通过如下的技术方案实现的。
本发明提供了一种多铁复合材料，其包括铁电PMN-PT单晶衬底和具有巨磁热效应的La-Fe-Co-Si铁磁合金层，其中，所述PMN-PT单晶衬底的两个表面均蒸镀有金属电极，并且通过胶粘剂与所述La-Fe-Co-Si铁磁合金层粘结形成所述多铁复合材料。
根据本发明提供的多铁复合材料，其中，所述La-Fe-Co-Si铁磁合金层的厚度可以为10～100μm，优选为15～25μm。
根据本发明提供的多铁复合材料，其中，位于所述PMN-PT单晶衬底的顶面的金属电极(本发明中称为“顶电极”)的厚度可以为20nm～200nm；位于所述PMN-PT单晶衬底的底面的金属电极(本发明中称为“底电极”)的厚度可以为50nm～100μm。其中，所述PMN-PT单晶衬底的顶面是指朝向所述La-Fe-Co-Si铁磁合金层、与胶粘剂相接触的表面。
根据本发明提供的多铁复合材料，其中，所述金属电极可以为Au、Ag、Cu、Pt、Al、Sn和In中的一种或多种。
根据本发明提供的多铁复合材料，优选地，所述胶粘剂为环氧树脂。
根据本发明提供的多铁复合材料，所述多铁复合材料具有“La-Fe-Co-Si/金属电极/PMN-PT/金属电极”的复合结构。
本发明还提供了所述多铁复合材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：制备La-Fe-Co-Si铁磁合金片；利用离子束溅射的方法在PMN-PT单晶衬底的顶面和底面蒸镀金属电极；用胶粘剂将PMN-PT单晶衬底的顶面与所述La-Fe-Co-Si铁磁合金片粘结形成所述多铁复合材料。
其中，制备La-Fe-Co-Si铁磁合金片的步骤可以包括：
(1)按化学式La(Fe1-xCox)13-ySiy(0.04≤x≤0.08，1.1≤y≤1.4)配备原料，放入电弧炉中，抽真空，用氩气清洗，并在氩气保护下熔炼，获得合金锭；
(2)将合金锭真空封管，退火后液氮淬火，然后切片，通过砂纸打磨将其减薄至10～100μm；或者将合金锭切块后在氩气保护下甩带至厚度为10～25μm并退火。
其中，上述步骤(2)包括两种获得La-Fe-Co-Si铁磁合金片的方法，其中，第一种方法可以具体地包括：将合金锭真空封管，在1000～1150℃下退火15～50天后液氮淬火，然后利用线切割机将所得成相的La-Fe-Co-Si合金锭切成薄片，通过砂纸打磨将其进一步减薄至100μm以下；第二种方法可以具体地包括：将合金锭切成1～3g的小块，然后放入甩带机，抽真空，用氩气清洗，并且在氩气保护下甩带，获得厚度为10～25μm的甩带片，然后在1000～1150℃真空条件下退火15～60min。
根据本发明提供的多铁复合材料的制备方法，其中，步骤(1)中原材料La、Fe、Co和Si的商业化纯度通常不小于99.5wt％。
根据本发明提供的制备方法，具体地，所述步骤(1)可以包括：将配制好的原料放入电弧炉中，抽真空至真空度小于1×10-3Pa，用纯度大于99％的高纯氩气清洗炉腔1～2次，之后炉腔内充入氩气至0.5～1.5个大气压，电弧起弧，获得合金锭，每个合金锭在1500～2500℃下熔炼1～5次。
所述步骤(2)可以包括：将步骤(1)熔炼好的合金锭在1000～1150℃真空退火一个月，液氮淬火，利用线切割切成厚度为0.5mm的薄片，然后利用砂纸进行打磨，减薄成厚度低于100μm的薄片。
或者，所述步骤(2)可以包括：将步骤(1)熔炼好的足量的合金锭打磨去掉其表面的氧化层，切成1～3g的小块，再将小块放在开口孔径为0.5mm的石英管中并置于甩带机中，抽真空至压力小于1×10-3Pa，用氩气清洗，在氩气保护下给感应线圈加感应电流，将其融化后喷到转速为10～40m/s的Cu转盘上，得到平均长度约为2cm，宽度约为2mm，厚度小于25μm的La-Fe-Co-Si快淬带。将所得快淬带在1000～1150℃真空条件下退火15～60min得到1:13相，并用液氮或者冰水混合物进行淬火。
本发明还提供了所述多铁复合材料或者按照本发明方法制得的多铁复合材料在磁存储器、磁电探测器和逻辑器件中的应用。
与现有技术相比，本发明的优势在于：本发明的发明人通过探索，利用甩带的方法制备出具有可观磁热效应的La-Fe-Co-Si快淬带，成功的将其厚度控制在30μm以下，所得甩带薄片只需要退火15min便可以形成很好的1:13相，相对其块材大大缩短了退火时间，并且所得La-Fe-Co-Si的甩带的磁结构相变温度在室温附近大范围可调。更进一步地，通过环氧树脂将La-Fe-Co-Si甩带或者减薄的薄片和PMN-PT衬底进行粘结，制成的多铁复合物兼具磁制冷和磁电耦合特性，并表现出磁记忆效应。0～5T磁场下，磁熵变幅度5～35J/kgK，对于(011)取向的PMN-PT衬底，外加电场12kV/cm诱发的磁化强度的变化率可达到7％，并表现出脉冲电压诱导的磁性态的切换和磁记忆效应。众所周知，高密度磁存储器件工作过程中发热是长期难以解决的问题。本发明的多铁复合材料在室温附近同时展现出可观的磁热效应和电控磁效应，对于发展兼具磁制冷和磁记忆效应的新型多功能复合器件具有重要实际意义，在快速高密度以及低能耗的存储器件如：高密度、快速、低能耗的磁记录、高灵敏磁电弱信号探测器，传感器、逻辑器件、电控磁记录等方面具有突出应用价值。
附图说明
以下，结合附图来详细说明本发明的实施方案，其中：
图1-1至图1-10分别为实施例中在不同条件下制备的La-Fe-Co-Si减薄片和甩带片在0.01T磁场中的热磁(M-T)曲线，图1-1至图1-10中的插图为热磁曲线对温度的微分曲线(dM/dT)。
图2为实施例10中所用La-Fe-Co-Si快淬带的等温磁化(M-H)曲线和磁熵变曲线。
图3为本发明多铁复合材料的“La-Fe-Co-Si/金属电极/PMN-PT/金属电极”结构的示意图。
图4为本发明所用商业化(011)取向的PMN-PT衬底在不同温度下，沿着面内[100]、[01-1]方向的应变曲线。
图5为实施例2制得的多铁复合材料在不同温度下，恒定的100Oe磁场中的磁化强度随加载在PMN-PT衬底上的电压的变化曲线。
图6为实施例3制得的多铁复合材料在不同温度、不同恒定磁场100Oe、1000Oe和10000Oe下的磁化强度随加载在PMN-PT衬底上的电压的变化曲线。
图7为实施例4制得的多铁复合材料在不同温度、不同恒定磁场下的磁化强度随加载在PMN-PT衬底上的电压的变化曲线。
图8为实施例4制得的多铁复合材料在288K、100Oe的辅助外磁场下，加载+12k/cm和-12kV/cm的脉冲电压后两个磁性记忆态随时间的变化曲线。
图9为实施例4制得的多铁复合材料在288K、100Oe的辅助外磁场下，加载+12k/cm和-12kV/cm的脉冲电压所表现出的磁性态的切换。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述，给出的实施例仅为了阐明本发明，而不是为了限制本发明的范围。
实施例中使用的原料及设备的说明如下：
1)商业化购买(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(0.27<x<0.33)的单晶衬底，取向为(011)、(001)、(111)；
2)本发明实施例中制备La-Fe-Co-Si薄片和快淬甩带样品所用原材料均为纯度大于99.9％商业化的La、Fe、Co和Si原料；
3)制备La-Fe-Co-Si合金锭所用电弧炉为北京物科光电有限公司生产WK-II型非自耗真空电弧炉电弧熔炼炉。制备甩带薄片所用仪器为北京物科光电技术有限公司生产WK-II型真空甩带机；测量晶体结构用的Cu靶X射线衍射仪为Rigaku公司生产，型号为RINT2400；测量磁性用的Quantum-Design(USA)公司生产的型号为SQUID-VSM、SQUID-MPMS超导量子磁强计。
4)粘结La-Fe-Co-Si和PMN-PT衬底所用材料为KYOWA公司生产型号为CC-33A的环氧树脂胶。
图3为本发明多铁复合材料的“La-Fe-Co-Si/金属电极/PMN-PT/金属电极”结构的示意图。以下实施例中的多铁复合材料的制备方法如下：
1)按化学式La(Fe1-xCox)13-ySiy(x＝0.04、0.06或0.08；y＝1.1或1.2)配比称取La、Fe、Co、Si原材料、配料。将配制好的原料分别放入电弧炉中，抽真空至3×10-3帕以上，用通常的高纯氩气(纯度99.996wt％)清洗方法清洗2次后，在1个大气压的高纯氩气(纯度99.996wt％)保护下，电弧起弧，反复熔炼3次，熔炼温度为2000℃。熔炼结束后，在铜制坩埚中冷却获得合金铸锭。
2)将熔炼好的合金锭薄Ta片放到石英管中，抽真空至5×10-4以上，封管，在1000～1100℃退火一个月并用液氮淬火。将所得已经成相的La-Fe-Co-Si切成2mm×3mm×0.5mm的小块，并用砂纸进行打磨，得到厚度为18～100μm的薄片。或者
2’)将熔炼好的合金锭打磨去掉其表面的氧化层，切碎质1～3g，放到开口孔径为0.5mm的石英管中，再置于感应熔炼炉中的铜线圈中间，抽真空至5×10-4帕以上，用氩气清洗，在1个大气压的高纯氩气保护下给感应线圈加感应电流，将其融化完全后，通过压差喷射到转速为10～45m/s的铜盘上得到La-Fe-Co-Si的快淬带。将所得快淬带包在Ta片中放到石英管中，抽真空至真空至5×10-4以上，封管，在1000～1150℃退火1个小时并用冰水淬火，得到厚度为30～15μm，宽度为1～2mm，长度不一的La-Fe-Co-Si(1:13)薄片。
3)在商业化的PMN-PT单晶衬底的顶面和底面利用粒子束蒸发的方法镀上金属作为电极。用环氧树脂胶将步骤2)或2’)制得的La-Fe-Co-Si薄片粘在PMN-PT单晶衬底顶面，常温晾干12～24小时。
实施例1
本实施例的多铁复合材料结构为：La-Fe-Co-Si/Au/PMN-PT(011)/Au，La-Fe-Co-Si组成为：La(Fe1-xCox)13-ySiy，其中x＝0.06，y＝1.2，薄片为减薄所得，厚度为100μm；1100℃下退火1个月，液氮淬火；顶电极为Au，厚度为200nm；底电极为Au，厚度为200nm。
实施例2
本实施例按照与实施例1基本相同的方式进行，不同之处在于：La-Fe-Co-Si薄片的厚度为50μm，顶电极厚度为100nm；底电极厚度为500nm。
实施例3
本实施例按照与实施例1基本相同的方式进行，不同之处在于：La-Fe-Co-Si薄片的厚度为22μm，顶电极厚度为20nm；底电极厚度为1μm。
实施例4
本实施例的多铁复合材料结构为：La-Fe-Co-Si/Au/PMN-PT(011)/Au，La-Fe-Co-Si组成为：La(Fe1-xCox)13-ySiy，其中x＝0.06，y＝1.2，薄片为甩带所得，厚度为18μm；1100℃下退火1小时，冰水淬火；顶电极为Au，厚度为30nm；底电极为Au，厚度为1μm。
实施例5
本实施例按照与实施例4基本相同的方式进行，不同之处在于：PMN-PT的取向为(111)。
实施例6
本实施例按照与实施例4基本相同的方式进行，不同之处在于：PMN-PT的取向为(001)。
实施例7
本实施例按照与实施例4基本相同的方式进行，不同之处在于：La-Fe-Co-Si薄片的厚度为16μm，在1080℃下退火1h；底电极厚度为100μm。
实施例8
本实施例按照与实施例4基本相同的方式进行，不同之处在于：La-Fe-Co-Si薄片的厚度为16μm，在1030℃下退火1h；底电极厚度为100μm。
实施例9
本实施例按照与实施例4基本相同的方式进行，不同之处在于：La-Fe-Co-Si薄片在1050℃下退火1h；底电极厚度为100μm。
实施例10
本实施例按照与实施例4基本相同的方式进行，不同之处在于：La-Fe-Co-Si薄片在1030℃下退火1h；底电极厚度为100μm。
实施例11
本实施例按照与实施例4基本相同的方式进行，不同之处在于：La-Fe-Co-Si薄片的厚度为22μm，在1030℃下退火1h；底电极厚度为50nm。
实施例12
本实施例按照与实施例4基本相同的方式进行，不同之处在于：La-Fe-Co-Si薄片在1050℃下退火1h。
实施例13
本实施例按照与实施例4基本相同的方式进行，不同之处在于：La-Fe-Co-Si薄片的厚度为16μm，在1030℃下退火1h。
实施例14
本实施例的多铁复合材料结构为：La-Fe-Co-Si/Au/PMN-PT(011)/Au，La-Fe-Co-Si组成为：La(Fe1-xCox)13-ySiy，其中x＝0.08，y＝1.2，薄片为甩带所得，厚度为18μm；1030℃下退火1小时，冰水淬火；顶电极为Au，厚度为30nm；底电极为Au，厚度为1μm。
实施例15
本实施例按照与实施例14基本相同的方式进行，不同之处在于：La-Fe-Co-Si薄片在1050℃下退火1h。
实施例16
本实施例按照与实施例14基本相同的方式进行，不同之处在于：La-Fe-Co-Si组成为：La(Fe1-xCox)13-ySiy，其中x＝0.08，y＝1.1。
实施例17
本实施例按照与实施例14基本相同的方式进行，不同之处在于：La-Fe-Co-Si组成为：La(Fe1-xCox)13-ySiy，其中x＝0.04，y＝1.2。
实施例18
本实施例按照与实施例14基本相同的方式进行，不同之处在于：La-Fe-Co-Si组成为：La(Fe1-xCox)13-ySiy，其中x＝0.04，y＝1.1。
实施例19
本实施例的多铁复合材料结构为：La-Fe-Co-Si/Pt/PMN-PT(011)/Pt，La-Fe-Co-Si组成为：La(Fe1-xCox)13-ySiy，其中x＝0.04，y＝1.1，薄片为甩带所得，厚度为18μm；1000℃下退火1小时，冰水淬火；顶电极为Pt，厚度为30nm；底电极为Pt，厚度为1μm。
实施例20
本实施例的多铁复合材料结构为：La-Fe-Co-Si/Ag/PMN-PT(011)/Ag，La-Fe-Co-Si组成为：La(Fe1-xCox)13-ySiy，其中x＝0.06，y＝1.2，薄片为甩带所得，厚度为18μm；1050℃下退火1小时，冰水淬火；顶电极为Ag，厚度为30nm；底电极为Ag，厚度为1μm。
实施例21
本实施例的多铁复合材料结构为：La-Fe-Co-Si/Cu/PMN-PT(011)/Cu，La-Fe-Co-Si组成为：La(Fe1-xCox)13-ySiy，其中x＝0.04，y＝1.1，薄片为甩带所得，厚度为18μm；1000℃下退火1小时，冰水淬火；顶电极为Cu，厚度为30nm；底电极为Cu，厚度为1μm。
实施例22
本实施例的多铁复合材料结构为：La-Fe-Co-Si/In/PMN-PT(011)/In，La-Fe-Co-Si组成为：La(Fe1-xCox)13-ySiy，其中x＝0.04，y＝1.1，薄片为甩带所得，厚度为18μm；1000℃下退火1小时，冰水淬火；顶电极为In，厚度为30nm；底电极为In，厚度为1μm。
性能测试
(1)多铁复合材料中La-Fe-Co-Si铁磁相的基本磁性测量
利用超导量子干涉仪-振动样品磁强计(SQUID-VSM)测定了实施例中所用铁磁相La-Fe-Co-Si薄带样品在低场0.01T的热磁(M-T)曲线，如图1-1至图1-10所示。从曲线可以看出La-Fe-Co-Si薄带的转变温度与其合金成分、制备方式、退火条件等都有很大的关系。
图1-1至图1-10分别为实施例中在不同条件下制备的La-Fe-Co-Si减薄片和甩带片在0.01T磁场中的热磁(M-T)曲线，图1-1至图1-10中的插图为热磁曲线对温度的微分曲线(dM/dT)，用以判断所得样品的转变温度。可以看出不同成分，不同甩带速度和退火条件下得到的La-Fe-Co-Si薄带，其磁结构转变温度分布在室温附近260K～320K之间的范围内。
图1-1和1-2分别是实施例2和3中利用减薄的方法得到的成分均为La(Fe0.94Co0.06)11.8Si1.2的合金减薄片的M-T曲线，其厚度分别为50μm和22μm，从附图的dM/dT曲线可以看出，其转变温度均为276K，可知，通过减薄得到的La-Fe-Co-Si片，其磁结构转变温度对于其厚度没有依赖性。
图1-3是实施例4～6中所用成分为La(Fe0.94Co0.06)11.8Si1.2，甩带速度为35m/s，厚度为18μm，退火条件为1100℃，1h，的快淬带的M-T曲线，其磁结构相变温度为288K。
图1-4是实施例7的多铁复合材料中所用的La-Fe-Co-Si铁磁相的M-T曲线，其成分为La(Fe0.94Co0.06)11.8Si1.2，所用甩带速度为40m/s，退火条件为1080℃，1h，其磁结构相变温度为284K，厚度为16μm。
图1-5为典型样品实施例8中所用La-Fe-Co-Si铁磁相的M-T曲线，其成分为La(Fe0.94Co0.06)11.8Si1.2，所用甩带速度为40m/s，1030℃退火1h，并且用冰水混合物进行淬火得到的快淬带，厚度为16μm，其磁结构转变温度278K。
图1-6为典型样品实施例9、20中所用铁磁相的M-T曲线，其成分为La(Fe0.92Co0.06)11.8Si1.2，甩带速度为35m/s，退火条件为1050℃退火1h，并且冰水混合物淬火，其相变温度为282K，厚度为18μm。
图1-7为典型样品实施例10中多铁复合材料中所用铁磁相的M-T曲线，其成分为La(Fe0.94Co0.06)11.8Si1.2，甩带速度35m/s，1030℃退火1h，并且冰水淬火，所得快淬带磁结构相变温度为280K，厚度为18μm。
图1-8为典型样品实施例12多铁复合材料中所用铁磁相的M-T曲线，其成分为La(Fe0.94Co0.06)11.9Si1.1，甩带速度35m/s，1050℃退火1h，并且冰水淬火，所得快淬带磁结构相变温度为314K，厚度为18μm。
图1-9为典型样品实施例15多铁复合材料中所用铁磁相的M-T曲线，其成分为La(Fe0.92Co0.08)11.9Si1.1，甩带速度35m/s，1050℃退火1h，并且冰水淬火，所得快淬带磁结构相变温度为324K，厚度为18μm。
图1-10为典型样品实施例16多铁复合材料中所用铁磁相的M-T曲线，其成分为La(Fe0.92Co0.08)11.9Si1.1，甩带速度35m/s，1030℃退火1h，并且冰水淬火，所得快淬带磁结构相变温度为314K，厚度为18μm。
总结图1-1至图1-10可见：通过控制成分，结合适当的工艺条件，如甩带速度，退火温度等，可以得到磁结构转变温度在室温附近276～324K之间可调的，厚度分布在100μm～15μm之间的La-Fe-Co-Si薄片，来充当本发明中多铁复合材料中的铁磁相。
(2)多铁复合材料中La-Fe-Co-Si磁性相的磁热效应测量
磁测量表明，实施例1-20中所使用的La(Fe1-xCox)13-ySiy(x＝0.04、0.06、0.08；y＝1.1、1.2)减薄片以及快淬甩带片均表现出巨磁热效应，0-5T磁场下磁熵变幅度5～35J/kgK，具有良好的磁制冷性能。以实施例10中的La-Fe-Co-Si磁性相为例，通过磁测量并利用Maxwell关系计算得到该样品的等温磁熵变随着温度的变化曲线(ΔS-T)，结果如图2所示。可以看到在制备甩带片后，La-Fe-Co-Si的磁滞后减小到几乎为0，其磁熵变在0-5T的磁场变化下在283.5K处达到极大值为9J/kgK，具有良好的磁制冷性能。
(3)PMN-PT衬底应变的测量
为了得到温度对于铁电PMN-PT衬底应变的影响，测量了不同温度下(011)取向的PMN-PT单晶衬底的面内[100]和[01-1]方向的应变曲线，结果如图4所示。随着温度降低，PMN-PT衬底应变的饱和值没有发生很大变化，但是其矫顽场增加，也即应变饱和所需要的电场增加。
(4)电控磁效应、磁记忆效应测量
为表征所制备的“La-Fe-Co-Si/金属电极/PMN-PT/金属电极”异质结的逆磁电耦合效应和磁记忆效应，本发明的发明人利用SQUID-VSM测量的电控磁以及磁记忆效应，利用keithley 6517B电表原位给所制备异质结加电压，所加电压方向垂直于PMN-PT衬底。分别测量了不同温度下，不同磁场时的M-E曲线(即：磁化强度随加载于PMN-PT衬底上的电压的变化)。发现对于所有样品，在其铁磁相的磁结构相变温度附近处均出现了可观的电场对磁性的调制作用。并且降低铁磁层厚度有利于这一调制作用的增强。从所得M-E曲线可以看出，电场对于不同的铁磁复合物中铁磁相磁性的调控表现出相似的行为，也即，给铁电PMN-PT衬底加正向电压会使得铁磁相磁性大幅度减弱，而反向的电压则使得铁磁相的磁性增大，但是增大幅度却很小。
图5对比给出测定的实施例2制备的异质结“La-Fe-Co-Si(50μm)/金属电极/PMN-PT(011)/金属电极”在不同温度、不同磁场下的M-E曲线，磁场沿PMN-PT衬底面内[100]方向。总结可得，在电势变化为9kV/cm时，典型样品实施例2在其铁磁相La-Fe-Co-Si磁结构相变温度276K处，在100Oe的恒定磁场下，其磁化强度变化率为1％。
对于典型样品实施例3：La-Fe-Co-Si(22μm)/Au/PMN-PT(011)/Au中，当把La-Fe-Co-Si样品减薄到22μm时，如图6所示在La-Fe-Co-Si磁结构相变温度276K附近随着电压的加大，复合材料中铁磁相的磁化强度随着所加电压发生很大的变化，在276K时，固定磁场100Oe的条件下，加正向的电压会使得磁化强度减小并且在9kV/cm时变化率达到3％，当磁场增大会抑制电场对于La-Fe-Co-Si铁磁层的磁化强度的调制。
更进一步地，如图7所示，在典型样品实施例4中，利用甩带得到的厚度为18μm的La-Fe-Co-Si铁磁相与PMN-PT组成的“La-Fe-Co-Si(18μm)/金属电极/PMN-PT(011)/金属电极”多铁复合材料中，在铁磁层的磁结构转变温度288K处，加正向电压会使得铁磁层的磁化强度减小，并且在100Oe的固定磁场下磁化强度变化率能达到5％，1000Oe的固定磁场下，其磁化强度变化率为3％。而在转变温度附近的室温305K处，正向9kV/cm的电势梯度会使得铁磁层的磁化强度变化率达到4％。
发明人还验证了施加脉冲电压以后磁矩随时间的稳定性，以典型样品实施例4为例，如图8所示，可以看到施加脉冲电压以后，应力的记忆效应可以使得铁磁层的磁性状态保持在某一个状态而基本不随时间不衰减。
通过施加正向的脉冲电压和负向的脉冲电压后测量得到了所得复合材料的磁性态的记忆效应，如图8所示，在实施例4制得的La-Fe-Co-Si(18μm)/Au/PMN-PT(011)/Au材料中，铁磁层的磁性状态可以通过所加脉冲电场而进行切换，从而为电场写入的磁记录效应提供基础。
综合以上结果可以看出，减小多铁复合材料中铁磁相的厚度，有利于电场对磁性调控作用增强；通过甩带方法可以得到厚度低于50μm的La-Fe-Co-Si铁磁相薄带。同时，相对于块材，甩带方法所得薄带还可以很大程度上减少形成干净的1:13相所需的退火时间，所得复合材料中的铁磁层同时具有可观的磁热效应和磁记忆效应。更进一步地，减小磁场有利于增强电场对磁性的调控作用，这也就意味着，只需要很小的辅助磁场甚至不需要磁场就可以实现电控磁效应和磁记忆效应。

Claims (10)

1.一种多铁复合材料，其包括铁电PMN-PT单晶衬底和具有巨磁热效应的La-Fe-Co-Si铁磁合金层，其中，所述PMN-PT单晶衬底的两个表面均蒸镀有金属电极，并且通过胶粘剂与所述La-Fe-Co-Si铁磁合金层粘结形成所述多铁复合材料。
2.根据权利要求1所述的多铁复合材料，其中，所述La-Fe-Co-Si铁磁合金层的厚度可以为10～100μm，优选为15～25μm。
3.根据权利要求1或2所述的多铁复合材料，其中，位于所述PMN-PT单晶衬底的顶面的金属电极厚度为20nm～200nm，位于所述PMN-PT单晶衬底的底面的金属电极厚度为50nm～100μm。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的多铁复合材料，其中，所述多铁复合材料兼具磁制冷、电控磁和磁记忆效应。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的多铁复合材料，其中，所述金属电极为Au、Ag、Cu、Pt、Al、Sn和In中的一种或多种。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的多铁复合材料，其中，所述胶粘剂为环氧树脂。
7.权利要求1至6中任一项所述的多铁复合材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：制备La-Fe-Co-Si铁磁合金甩带片；在PMN-PT单晶衬底的顶面和底面蒸镀金属电极；用胶粘剂将PMN-PT单晶衬底的顶面与所述La-Fe-Co-Si铁磁合金片粘结形成所述多铁复合材料。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其中，制备La-Fe-Co-Si铁磁合金片的步骤包括：
(1)按化学式La(Fe1-xCox)13-ySiy(0.04≤x≤0.08，1.1≤y≤1.4)配备原料，放入电弧炉中，抽真空，用氩气清洗，并在氩气保护下熔炼，获得合金锭；
(2)将合金锭真空封管，退火后液氮淬火，然后切片，通过砂纸打磨将其减薄至10～100μm；或者将合金锭切块后在氩气保护下甩带获得厚度为10～25μm的甩带片并退火。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其中，所述步骤(2)包括：将合金锭真空封管，在1000～1150℃下退火15～50天后液氮淬火，然后利用线切割机将所得成相的La-Fe-Co-Si合金锭切成薄片，通过砂纸打磨将其进一步减薄至100μm以下；或者
所述步骤(2)包括：将合金锭切成1～3g的小块，放入甩带机，抽真空，用氩气清洗，并且在氩气保护下甩带，获得厚度为10～25μm的甩带片，然后在1000～1150℃真空条件下退火15～60min。
10.权利要求1至6中任一项所述的多铁复合材料或者按照权利要求7至9中任一项所述方法制得的多铁复合材料在磁制冷、磁存储器、磁电探测器和逻辑器件中的应用。
CN201810398161.9A 2018-04-28 2018-04-28 一种基于巨磁热La-Fe-Co-Si的多铁复合材料及其制备方法和用途 Active CN108511142B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810398161.9A CN108511142B (zh) 2018-04-28 2018-04-28 一种基于巨磁热La-Fe-Co-Si的多铁复合材料及其制备方法和用途

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810398161.9A CN108511142B (zh) 2018-04-28 2018-04-28 一种基于巨磁热La-Fe-Co-Si的多铁复合材料及其制备方法和用途

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108511142A true CN108511142A (zh) 2018-09-07
CN108511142B CN108511142B (zh) 2020-09-29

Family

ID=63399313

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810398161.9A Active CN108511142B (zh) 2018-04-28 2018-04-28 一种基于巨磁热La-Fe-Co-Si的多铁复合材料及其制备方法和用途

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108511142B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109742230A (zh) * 2018-12-13 2019-05-10 杭州电子科技大学 一种具有非易失性电场调控磁热效应的复相多铁性材料及其制备方法及应用
CN113405278A (zh) * 2020-03-16 2021-09-17 松下知识产权经营株式会社 磁冷却设备
CN114093663A (zh) * 2021-12-03 2022-02-25 天津城建大学 室温磁热材料及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050122005A1 (en) * 2002-11-11 2005-06-09 Seiko Epson Corporation Piezoelectric device, liquid jetting head, ferroelectric device, electronic device and methods for manufacturing these devices
JP2008150695A (ja) * 2006-12-20 2008-07-03 Toshiba Corp 磁気冷凍材料及び磁気冷凍装置
CN101609689A (zh) * 2009-07-02 2009-12-23 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种基于多铁性薄膜的磁记录介质及其写入方法
CN102044626A (zh) * 2009-10-20 2011-05-04 北京有色金属研究总院 一种薄膜磁电复合材料及制备方法
CN103137281A (zh) * 2011-11-22 2013-06-05 中国科学院物理研究所 粘结La(Fe，Si)13基磁热效应材料及其制备方法和用途
CN107500764A (zh) * 2017-08-09 2017-12-22 上海师范大学 铌镁酸铅‑钛酸铅‑铁酸铋多铁性陶瓷材料及其制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050122005A1 (en) * 2002-11-11 2005-06-09 Seiko Epson Corporation Piezoelectric device, liquid jetting head, ferroelectric device, electronic device and methods for manufacturing these devices
JP2008150695A (ja) * 2006-12-20 2008-07-03 Toshiba Corp 磁気冷凍材料及び磁気冷凍装置
CN101609689A (zh) * 2009-07-02 2009-12-23 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种基于多铁性薄膜的磁记录介质及其写入方法
CN102044626A (zh) * 2009-10-20 2011-05-04 北京有色金属研究总院 一种薄膜磁电复合材料及制备方法
CN103137281A (zh) * 2011-11-22 2013-06-05 中国科学院物理研究所 粘结La(Fe，Si)13基磁热效应材料及其制备方法和用途
CN107500764A (zh) * 2017-08-09 2017-12-22 上海师范大学 铌镁酸铅‑钛酸铅‑铁酸铋多铁性陶瓷材料及其制备方法

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHUANCONG WANG等: "Electric control of magnetism and magnetocaloric effects in LaFe11.4Si1.6H1.5 using ferroelectric PMN-PT", 《JOURNAL OF PHYSICS D:APPLIED PHYSICS》 *
JULIA LYUBINA等: "La(Fe,Si)13-based magnetic refrigerants obtained by novel processing routes", 《JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS》 *
张敏，龙毅: "三乙醇胺在蒸馏水中对LaFe11.0Co0.7Si1.3磁制冷材料的缓蚀作用", 《SCIENTIFIC RESEARCH》 *
王芳等: "La(Fe,Si)13化合物的局里温度机制", 《物理学报》 *
龚元元: "磁相变合金的磁制伸缩和磁热效应", 《中国博士学位论文全文数据库基础科学组》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109742230A (zh) * 2018-12-13 2019-05-10 杭州电子科技大学 一种具有非易失性电场调控磁热效应的复相多铁性材料及其制备方法及应用
CN113405278A (zh) * 2020-03-16 2021-09-17 松下知识产权经营株式会社 磁冷却设备
CN114093663A (zh) * 2021-12-03 2022-02-25 天津城建大学 室温磁热材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108511142B (zh) 2020-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Oliveira Jr et al. EuTe. I. Magnetic behavior of insulating and conducting single crystals
CN106449971B (zh) 一种基于NdFeB的电控磁结构及其制备方法和应用
Thamizhavel et al. Anisotropic electrical and magnetic properties of Ce T Sb 2 (T= Cu, Au, and Ni) single crystals
CN108511142A (zh) 一种基于巨磁热La-Fe-Co-Si的多铁复合材料及其制备方法和用途
Politova et al. Magnetocaloric effect and magnetostrictive deformation in Tb-Dy-Gd-Co-Al with Laves phase structure
Qiao et al. Novel reduction of hysteresis loss controlled by strain memory effect in FeRh/PMN-PT heterostructures
CN102593348A (zh) 一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件
Andreev et al. High-field magnetization study of a Tm 2 Co 17 single crystal
Mandal et al. High-field magnetotransport properties of La 2/3 Sr 1/3 MnO 3 and Nd 2/3 Sr 1/3 MnO 3 systems
Zhao et al. Nonvolatile manipulation of the magnetocaloric effect in Ni43Co7Mn39Sn11/(011) PMN-PT composite by electric fields
Nori et al. VO 2 thin films: Defect mediation in room temperature ferromagnetic switching characteristics
Katoh et al. Magnetic and transport properties of single-crystal YbPtGe
Loshkareva et al. Spin states and phase separation in La 1− x Sr x CoO 3 (x= 0.15, 0.25, 0.35) films: Optical, magneto-optical, and magnetotransport studies
Andreev et al. Magnetic properties of a UPtAl single crystal
Tateiwa et al. Magnetic field and pressure phase diagrams of uranium heavy-fermion compound U2Zn17
Guo et al. Colossal magnetoresistance effect in perovskite-type La–Sn–Mn–O epitaxial films
Nikitin et al. Magnetic anisotropy and magnetostriction in a Lu 2 Fe 17 intermetallic single crystal
Kamarád et al. Magnetization and magnetocrystalline anisotropy of R2Fe17 intermetallics under pressure
Yabuta et al. Temperature-and Field-Induced First-Order Ferromagnetic Transitions in MnFe (P1-x Ge x)
Hirose et al. Electrical and magnetic properties of new Yb-based compound YbPd5Al2
Takahashi et al. Electrical resistivity measurements under high pressure for FeTe0. 92
Clark et al. Effect of nitrogenation on the magnetostriction of Y2Fe17, Pr2Fe17 and Nd2Fe17
Fukamichi et al. The crystallization temperature, electrical resistivity and magnetic properties of Co-Y amorphous alloys
CN108251799A (zh) 基于非晶SmCo的磁电耦合异质结结构及其制备方法和应用
Nikitin et al. Negative magnetic moment induced by a magnetic field in the region of the magnetic phase transition in SmMnSi compound

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant