CN108496253A - 金属氧化物薄膜晶体管及显示面板 - Google Patents
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Abstract
一种金属氧化物薄膜晶体管(10)以及具有所述金属氧化物薄膜晶体管(10)的显示面板(100)。所述金属氧化物薄膜晶体管(10)，包括栅极(11)、源极(14)以及漏极(15)，其中，所述源极(14)和/或漏极(15)包括至少一个通孔(22)，以增加所述金属氧化物薄膜晶体管(10)的柔韧性。
Description
本专利文件披露的内容包含受版权保护的材料。该版权为版权所有人所有。版权所有人不反对任何人复制专利与商标局的官方记录和档案中所存在的该专利文件或该专利披露。
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及应用于显示面板的金属氧化物薄膜晶体管。
背景技术
柔性显示面板的内通常采用薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)等半导体器件来作为像素单元是否接收图像数据的开关元件以及其他导电电极。柔性显示面板在使用过程中经常在外力作用下产生一定程度的弯曲。
然而，薄膜晶体管中的电极以及显示面板内的其他导电电极通常采用金属材料构成，众所周知，金属材料的柔韧性较差，当显示面板弯曲时，薄膜晶体管中的电极以及显示面板内的导电电极较为容易产生裂缝甚至断裂，继而造成显示面板的图像显示效果受到影响甚至导致显示面板失效，进而影响显示面板的使用寿命。
发明内容
为解决前述问题，本发明提供一种柔韧性较好的金属氧化物薄膜晶体管。
进一步，提供一种具有前述薄膜晶体管的显示面板。
一种金属氧化物薄膜晶体管，包括栅极、源极以及漏极，其中，所述源极和/或漏极包括至少一个通孔，以增加所述金属氧化物薄膜晶体管的柔韧性。
一种显示基板，所述显示面板包括一柔性基板，所述柔性基板上设置有前述的金属氧化物薄膜晶体管。
显示面板中的导电电极或者薄膜晶体管中的电极具有镂空结构，能够有效增加显示面板中的电极的柔韧性，防止显示面板在弯曲过程中电极产生裂缝而影响显示面板的显示效果与寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例中显示面板的剖面结构示意图。
图2为如图1所示源极、漏极以及导电沟道的平面结构示意图。
图3为如1所示一变更实施例中源极、漏极以及导电沟道的平面结构示意图。
图4为图1所示另一变更实施例中一导电电极的平面结构示意图。
图5为本发明一变更实施例中显示面板的侧视图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明公开一种金属氧化物的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，该薄膜晶体管设置于一柔性基底上，包括栅极、源极以及漏极，其中，所述源极和/或漏极具有通孔从而形成镂空结构。较佳地，源极与漏极之间的导电沟道也具有开口并形成镂空结构。另外，对应包括有前述薄膜晶体管的显示面板中的其他导电电极也可以设置有通孔而构成镂空结构，从而有效增加薄膜晶体管与显示面板中电极的柔韧性。
请参阅图1，其为本发明一实施例中显示面板的剖面结构示意图。如图1所示，显示面板100包括设置于基板10a上的薄膜晶体管10。
具体地，所述基板10a为以柔性材质构成的基底。薄膜晶体管10为一金属氧化物薄膜晶体管，包括有栅极11、栅极绝缘层12、半导体层13、源极14、漏极15。
本实施例中，栅极11设置于基板10a的表面，栅极绝缘层12覆盖所述栅极11，半导体层13则设置于栅极绝缘层12的表面，源极14与漏极15间隔预定距离设置于半导体层13的表面。虽然本实施例中，源极14与漏极15间隔所述栅极绝缘层12以及半导体层13设置于栅极11的上方，构成底栅型薄膜晶体管，可变更地，栅极11亦可以间隔所述栅极绝缘层12以及半导体层13设置于源极14与漏极151的上方，构成顶栅型薄膜晶体管。
进一步，源极14与漏极15之间的半导体层13构成薄膜晶体管10的导电沟道16。
较佳地，导电电极20通过成型层21设置于薄膜晶体管10上，成型层21与导电电极20配合构成立体镂空结构。具体地，成型层21包括多个矩阵排列的具有弧形边缘的凸起211，相邻的凸起211之间构成凹陷部212，其中，凹陷部212也为平滑的曲线结构。
导电电极20设置于成型层21的表面，且所述导电电极20为具有多个通孔22的镂空结构。其中，所述每个通孔22对应于其中一个凸起211，并且所述凸起211至少部分显露于通孔22外。
请参阅图2，其为如图1所示源极14、漏极15以及导电沟道的平面结构示意图。如图2所示，源极14、漏极15结构相互对应，本实施方式中，源极14与漏极15的形状相对于导电沟道16轴对称。其中，源极14与漏极15包括有镂空结构。
具体地，源极14包括具有由通孔构成镂空结构的第一基部141与第一连接部143，其中，第一基部141与第一连接部143交叉连接，本实施例中，第一连接部143为整体沿着第一方向X延伸的曲线结构，第一基部141为整体沿第二方向Y延伸的曲线结构，且所述第一方向X垂直于第二方向Y，也即是第一基部141与第一连接部143垂直连接。
第一基部141包括多个边缘为光滑弧形的第一通孔14a，通孔14a构成第一基部141的镂空结构。所述第一基部141边缘为平滑曲线结构。第一连接部143包括多个边缘为光滑弧形的第一通孔14a，第一通孔14a构成第一连接部143的镂空结构。所述第一基部141的边缘为平滑曲线结构。本实施例中，所述第一通孔14a为圆形，可变更地，第一通孔14a还可以为其他形状，例如椭圆形，四边形，并不以此为限。较佳地，所述第一基部141与第一连接部143连接处包括一个第一通孔14a，另外，第一基部141与第一连接部143在对应第一通孔14a的位置的沿第一方向X或者第二方向Y的宽度大于未设置有第一通孔14a的宽度。
对应地，漏极15包括具有由通孔构成镂空结构的第二基部151与第二连接部153，其中，第二基部151与第二连接部153交叉连接，本实施例中，第二连接部153为整体沿着第一方向X延伸的曲线结构，第二基部151为整体沿第二方向Y延伸的曲线结构，且所述第一方向X垂直于第二方向Y，也即是第一基部141与第一连接部143垂直连接。另外，第一连接部143与第二连接部153的延伸方向相反。
第二基部151包括多个边缘为光滑弧形的第二通孔15a，第二通孔15a构成第二基部151的镂空结构。所述第二基部151的边缘为平滑曲线结构。同时，第二连接部153包括多个边缘为光滑弧形的第二通孔15a，第二通孔15a构成第二连接部153的镂空结构。所述第二基部153的边缘为平滑曲线结构。本实施例中，所述第二通孔15a与第一通孔14a的形状相同，均为圆形，可变更地，第二通孔15a还可以为其他形状，例如椭圆形，四边形，并不以此为限。较佳地，所述第二基部151与第二连接部153连接处包括一个第二通孔15a，另外，第二基部151与第二连接部153在对应第二通孔15a的位置的沿第一方向X或者第二方向Y的宽度大于未设置有第二通孔15a的宽度。
进一步，导电沟道16包括多个间隔预定距离条状结构的子导电沟道161，所述子导电沟道161整体沿第一方向X延伸的曲线结构，并且分别连接于源极14的第一基部141以及漏极15的第二基部143，且所述的多个子导电沟道161沿均为圆滑的曲线形状。其中，所述导电沟道16与所述第一基部141、第二基部151均以平滑曲线形状连接。
所述多个子导电沟道161之间包括多个条形开口163，且所述多个条形开口163的延伸方向与所述子导电沟道161的延伸方向相同，均为第一方向X，且整体为曲线结构。其中，所述多个开口163构成导电沟道16的镂空结构。
较佳地，栅极11、源极14、漏极15以及导电电极16的材质为铝、钛、钼、铜或者氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)。
可以理解，所述源极14与漏极15对应的第一基部141与第二基部151间隔预定距离正对设置，以便于配合半导体层13(图1)形成导电沟道16，源极14与漏极15对应的第一连接部143与第二连接部153则分别用于与导电线路或者导电元件进行电性连接。另外，当薄膜晶体管10对应栅极11的位置设有遮光元件时，栅极11也可以为设置有通孔的镂空结构。
相较于现有技术，显示面板100中的导电电极20或者薄膜晶体管13中的电极具有由至少一个通孔构成的镂空结构，能够有效增加显示面板100中的电极的柔韧性，防止显示面板100在弯曲过程中电极产生裂缝而影响显示面板100的显示效果与寿命。
请参阅图3，其为本发明第二实施例中如图1所示源极14、漏极15以及导电沟道的平面结构示意图。
本实例中，源极24与源极14结构相同，漏极25与漏极15结构相同，主要区别在于导电沟道26的结构与导电沟道16不同，导电沟道26并不包括镂空结构。
具体地，如图3所示，所述导电沟道26分别连接于源极24的第一基部241以及漏极25的第二基部251之间，其整体沿着第二方向Y延伸，也即是导电沟道26的延伸方向平行于所述第一基部241、第二基部251，且所述导电沟道26与第一基部241以及第二基部251的连接处亦为平滑的曲线形状。较佳地，所述导电沟道26整体呈平滑的曲线形状。
请参阅图4，其为如图1所示另一变更实施例中一导电电极的平面结构示意图。如图4所示，导电电极30沿整体沿着第一方向X延伸设置，且导电电极30均处于第一方向X所在的平面内。所述导电电极30为由多个通孔31构成镂空结构，边缘为平滑曲线结构同时。通孔31还可以为其他形状，例如椭圆形，四边形，并不以此为限。当然，本实施例中导电电极30的结构也可以应用至薄膜晶体管中的源极和/或漏极。
当然，可变更地，如图5所示，其为本发明一变更实施例中显示面板400的侧视图，导电电极40与成型层41并未设置于薄膜晶体管上，而是直接设置于基底40a上，其中，基底40a为柔性基底。
导电电极40通过成型层41设置于柔性的基底40上，成型层41与导电电极30配合构成立体镂空结构。具体地，成型层41包括多个矩阵排列的具有弧形边缘的凸起411，相邻的凸起411之间构成凹陷部412与凹陷部413，其中，凹陷部412与凹陷部313也具有平滑的曲线结构，其中，凹陷部413的曲率半径大于凹陷部412的曲率半径。
导电电极40设置于成型层41的表面，且所述导电电极40为具有多个通孔32的镂空结构。其中，所述通孔42对应于其中一个凸起411，并且所述凸起311至少部分显露于通孔42外，同时，通孔32也可以对应曲率较大的凹陷部313。
由于前述导电电极30、40均包括有由至少一个通孔构成的镂空结构，因此导电电极30、40具有较好的柔韧性，能够适应较大程度的弯曲，从而使得具有导电电极30、40的显示面板也具有较好的抗弯曲性能。
可以理解，以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
Claims (15)
1.一种金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极、源极以及漏极，其中，所述源极和/或漏极包括至少一个通孔，以增加所述金属氧化物薄膜晶体管的柔韧性。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极和/或漏极包括相互连接的基部与连接部，所述基部的延伸方向与连接部的延伸方向交叉，且所述基部与所述连接部其中至少一个具有所述通孔。
3.根据权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述基部与所述连接部的所述通孔具有平滑边缘。
4.根据权利要求3所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述通孔为圆形、椭圆形或者多边形。
5.根据权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述源极、漏极与栅极之间还包括半导体层，所述半导体层构成源极与漏极之间的导电沟道，所述导电沟道包括多个间隔设置的子导电沟道，所述子导电沟道分别连接于所述基部且为平滑的曲线形状。
6.根据权利要求5所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述子导电沟道为条形结构且延伸方向垂直于所述基部延伸的方向。
7.根据权利要求5所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述多个子导电沟道之间包括多个条形开口，且所述多个条形开口的延伸方向与所述子导电沟道的延伸方向相同。
8.根据权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述源、漏极与栅极之间还包括半导体层，所述半导体层构成源极与漏极之间的导电沟道，所述导电沟道分别连接于所述基部且为圆滑的曲线形状，且所述导电沟道的延伸方向平行于所述基部。
9.根据权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述基部呈曲线形状，且所述基部的边缘呈平滑的曲线形状。
10.根据权利要求9所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述连接部的边缘呈平滑的曲线形状。
11.根据权利要求1所述的源极或者漏极材料为铝、钛、钼、铜或者氧化铟锡。
12.一种显示基板，所述显示面板包括一柔性基板，其特征在于，所述柔性基板上设置有权利要求1-11任意一项所述的金属氧化物薄膜晶体管。
13.根据权利要求12所述的显示基板，所述的金属氧化物薄膜晶体管上还设置有一导电电极，所述导电电极包括镂空结构，所述镂空结构为多个具有光滑圆弧形的通孔。
14.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，所述金属氧化物薄膜晶体管上还设置有感光树脂层与导电电极，所述感光树脂层包括多个具有弧形边缘的凸起，所述导电电极设置于所述感光树脂层的表面，且所述凸起对应所述镂空结构中的通孔且部分显露于所述通孔外。
15.根据权利要求14所述的显示基板，其特征在于，相邻的所述凸起之间构成凹陷部，所述凹陷部对应所述镂空结构中的所述通孔。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020024411A1 (zh) * | 2018-08-03 | 2020-02-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法 |
| US10749036B2 (en) | 2018-08-03 | 2020-08-18 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Oxide semiconductor thin film transistor having spaced channel and barrier strips and manufacturing method thereof |
| WO2022257183A1 (zh) * | 2021-06-07 | 2022-12-15 | 惠州华星光电显示有限公司 | 半导体器件及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1607652A (zh) * | 1994-06-03 | 2005-04-20 | 精工电子工业株式会社 | 半导体器件的制造方法 |
| CN1766720A (zh) * | 2002-05-30 | 2006-05-03 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置用基板及具有其的液晶显示装置及制造方法 |
| WO2011071198A1 (ko) * | 2009-12-10 | 2011-06-16 | 경기대학교 산학협력단 | 트랜지스터와, 그를 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치 및 평판 표시 장치 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103681697B (zh) * | 2013-12-27 | 2015-12-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
| CN204130548U (zh) * | 2014-10-28 | 2015-01-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置 |
| CN106356408A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1607652A (zh) * | 1994-06-03 | 2005-04-20 | 精工电子工业株式会社 | 半导体器件的制造方法 |
| CN1766720A (zh) * | 2002-05-30 | 2006-05-03 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置用基板及具有其的液晶显示装置及制造方法 |
| WO2011071198A1 (ko) * | 2009-12-10 | 2011-06-16 | 경기대학교 산학협력단 | 트랜지스터와, 그를 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치 및 평판 표시 장치 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020024411A1 (zh) * | 2018-08-03 | 2020-02-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法 |
| US10749036B2 (en) | 2018-08-03 | 2020-08-18 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Oxide semiconductor thin film transistor having spaced channel and barrier strips and manufacturing method thereof |
| WO2022257183A1 (zh) * | 2021-06-07 | 2022-12-15 | 惠州华星光电显示有限公司 | 半导体器件及其制备方法 |
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