CN108475459B - 门/窗磁感测设备和安装方法 - Google Patents

Abstract

门/窗磁感测设备包括：外壳；磁性传感器，其被布置在外壳中并且被配置用于感测磁体的信号强度并输出信号强度值；以及控制器，其用于从磁性传感器接收信号强度值。该控制器被配置用于将信号强度值与警报阈值相比较并且输出正常状态信号和警报状态信号其中的一个。进一步地，由第二磁体的接近来探测篡改状态。指示器帮助装配门/窗磁感测设备和装配磁体组件。

Description

门/窗磁感测设备和安装方法

相关申请

本申请要求保护来自2015年12月31日提交的美国临时申请62/274,000的优先权，其整体内容通过引用被合并于此。

技术领域

本发明涉及用于感测门或窗的打开和关闭的门/窗磁性传感器。

背景技术

现有技术的门/窗磁感测设备使用簧片开关，因此仅知道簧片开关的打开或关闭状态。磁体必须以靠近簧片开关的切换点的方式被安置，该簧片开关具有用于切换的有限距离范围。由磁体施加给簧片开关的场也可能由于在门闩机构和密封件（密封条）中的正常量的间隙而在特定安装中改变小的量。磁体相对于簧片开关的位置中的这种有限变化可能导致当门例如由于风暴或由于气压变化而甚至轻微移动时的假警报。

传统的簧片开关和磁体门传感器的另一个问题是，潜在的窃贼可以简单地将第二个磁体放置在簧片开关外壳上。第二磁体使得甚至当门被打开时，簧片开关保持在其正常状态。窃贼之后回来打开门并且以不被探测到的方式离开。

最后，在许多情况下，在传统簧片开关附近安装磁体可能是困难的，因为在安装期间并不确定磁体和簧片开关是否在适当的距离内。

发明内容

在一个实施例中，本发明提供一种门/窗磁感测设备，其包括：磁性传感器，其被配置用于感测磁体的信号强度并且输出信号强度值；以及控制器，其用于从磁性传感器接收信号强度值。该控制器被配置用于，由信号强度值来确定警报状态、正常状态和篡改状态。

在另一实施例中，该磁性传感器是霍尔效应传感器，其在没有由此感测到磁场时提供输出电压。

在另一实施例中，本发明提供一种门/窗磁感测设备，其包括：外壳；磁性传感器，其被布置在外壳中并且被配置用于感测磁体的信号强度并输出信号强度值；以及控制器，其用于从磁性传感器接收信号强度值。该控制器被配置用于将信号强度值与警报阈值相比较并且输出正常状态信号和警报状态信号其中之一。

在一个实施例中，该控制器被配置用于，当以至少预先选择的发生次数存在对应于关闭的门或关闭的窗的磁体时存储由磁性传感器所提供的信号强度值。该控制器处理所存储的信号强度值以确定平均操作信号强度值。

在另一实施例中，本发明提供一种用于安装用于门感测装置的门/窗磁感测设备和磁体组件的方法，其包括：将磁体组件和门/窗磁感测设备其中之一装配至门或门框以及将磁体组件和门/窗磁感测设备其中的另一个装配至门或门框其中的另一个。所述装配包括提供如下指示：磁体组件和门/窗磁感测设备相距太远而不能执行门感测；并且提供如下指示：由于磁体组件和门/窗磁感测设备中其中之一接近磁体组件和门/窗磁感测设备其中的另一个，该磁体正在由门/窗磁感测设备的磁性传感器探测到。该方法包括：提供如下指示：对应于由磁性传感器所感测的磁体的信号强度中的增加或减小，门/窗磁感测设备正接近于或移动远离于磁体组件；以及指示磁体和磁性传感器被移动到如下位置，所述位置对应于门/窗磁感测设备和磁体组件处在关闭或闭合位置并且由磁性传感器感测的磁体的信号强度超过信号强度裕度。然后，在该位置处，磁体组件和门/窗磁感测设备其中的进行接近的一个被固定至门和门框中的另一个，其中该磁性传感器探测到超过信号强度裕度的磁体的信号强度。

通过考虑详细的描述和附图，本发明的其他方面将变得显而易见。

附图说明

图1示出包括磁体组件和门/窗磁感测设备的门装置的前视图。

图2是磁体组件的分解视图。

图3是门/窗磁感测设备的分解视图。

图4是门/窗磁感测设备的印刷电路板的透视图。

图5是门/窗磁感测设备的框图。

图6是远程设备的框图。

图7是霍尔效应传感器的电压和磁场强度的图表。

图8是霍尔效应传感器的输出电压相对于时间的图表。

具体实施方式

在详细解释本发明的任何实施例之前，应理解本发明在其应用方面不被限制于在以下描述中阐述或在以下绘图中图示的部件的构造和布置的细节。本发明能够有其他实施方案并且能够以各种方式来被实施或执行。

图1示出门感测装置10的一个实施例。该门感测装置10包括门框12和被装配于该门框的门14。该门14包括用于进入由门框12所限定的空间的门把手16。进一步地，图1示出在该实施例中被固定（secure）至门14的磁体组件30和被固定至门框12的门/窗磁感测设备40。

图2是磁体组件30的分解视图，该磁体组件包括磁体外壳32和被布置在其中的磁体34。该磁体组件30包括用于将磁体组件30装配至图1中的门14的磁体外壳装配板36。

图3是门/窗磁感测设备40的分解视图。该门/窗磁体感测设备40包括封闭外壳42。该封闭外壳42被配置用于，将印刷电路板50容纳在由其两个角（corner）中的元件所限定的槽52中。该封闭外壳42还被配置用于容纳电池54、电池线圈弹簧56和电池接触叶片弹簧58。该门/窗磁感测设备40包括用于装配至门14或门框12的装配板60。移除电池拉片绝缘体62以使封闭外壳42中的电池54提供功率。

在图3中，横向于由装配板60限定的壁将印刷电路板50装配在封闭外壳42中。因此，印刷电路板50上的部件中的一些在经装配的装置中与门14间隔开。

图4示出印刷电路板50。该印刷电路板50包括电子控制器70和具有射频（RF）功率放大器的前端模块72。进一步地，该印刷电路板50包括天线74。该印刷电路板50包括发光二极管（LED）指示器80和磁性传感器，诸如图4中所示出的霍尔效应传感器82。示出其他集成电路、电阻器、电容器等等来为各个元件提供功率并且提供在印刷电路板50的各个元件之间的通信。在一个实施例中，在与控制器70通信的印刷电路板50上提供用于存储信息和/或指令的存储器。

图4中所示出的霍尔效应传感器82在印刷电路板的如下一侧上被装配在印刷电路板50上，所述一侧首先被插入图3中示出的封闭外壳42中。因此，当门/窗磁感测设备40被组装时，霍尔效应传感器82远离装配板60。如在图3中示出的，该印刷电路板50在封闭外壳42之内如此在装配时被布置在槽52中，以使得印刷电路板横向于装配板60来定向。因此，霍尔效应传感器82、LED指示器80和天线74以远离装配板60的方式被布置在印刷电路板50上。如图1中示出的，该装配板60与门框12以面对面接触的方式被装配。然后，将具有内容物的封闭外壳42固定至其。

图5示出门/窗磁感测设备40的相关部件的框图84。该框图84包括被配置用于从霍尔效应传感器82接收模拟输入的控制器70。该控制器70向无线发射器电路86、诸如 Zigbee（紫蜂） RF电路提供输出，以用于经由天线88广播至用户接口和/或控制面板。图5示出用于从控制器70接收并视觉地显示输出的指示器80。该指示器80显示警报状态并且还帮助将门/窗磁感测设备40和磁体组件30安装到门框12或门14。

图6示出包括远程设备90的框图，所述远程设备包括远程电子控制器94，其被配置用于从输入接口98接收输入并且将输出提供给显示器100。该远程控制器94与无线接收电路104通信，以用于经由天线108从门/窗磁感测设备40接收信号。在一个实施例中，该远程设备90由安装者携带。在另一实施例中，该远程设备90是中心站并且显示器100是用于显示多个门/窗磁感测设备的状态和其他信息的警报控制面板。

安装门装置的方法

该LED指示器80被用来帮助安全系统安装者将磁体组件30和门/窗磁感测设备40装配在具有足够信号强度裕度的位置以防止假警报。当磁体组件30内的磁体34离门/窗磁感测设备40太远时，该指示器80连续地照亮。随着磁体34接近门/窗磁感测设备40，该LED指示器80开始缓慢闪光以指示探测到磁体的存在但是不具有适当的信号强度裕度。随着磁体34更靠近门/窗磁感测设备40地移动，LED指示器闪光速率增加。响应于对适当信号强度裕度的探测，该LED指示器80停止闪光并且关断，其向安装者通知：这是安装磁体组件30或门/窗磁感测设备40的适当位置。在另一实施例中，该LED指示器80开始快速闪光，并且随着磁体34接近门/窗磁感测设备40，闪光的速率降低并且最终当装配适当时LED指示器停止。信号强度裕度规定超过磁感测设备40仅仅探测到磁体34的存在信号强度的裕度。因此，当由门/窗磁感测设备40测量的磁体34的信号强度超过所述信号强度裕度时，可以相应地将磁体组件30和门/窗磁感测设备40固定至门或门框。该信号强度裕度防止在磁体34的定向上较小的移动和改变例如损害门感测装置10的运行。

存在如图7中示出的用于磁体组件30和门/窗磁感测设备40的安装和后续运行的两种不同电压布置。图2中示出的磁体34具有北极侧（B_MIN）和南极侧（B_MAX）。在安装期间，磁体34的具有所述极的这些侧被布置在磁体外壳32中并且不会由安装者可见。进一步地，取决于在门或门框上的空间和装配位置，磁体34以关于门/窗磁感测设备40的霍尔效应传感器82的不同方式来定向。因此，控制器70和霍尔效应传感器82对磁体34相对于门/窗磁体感测设备40的霍尔效应传感器82的任意定向作出解释。

在霍尔效应传感器82感测当磁体34的接近时的电压中的增加或减小时，控制器70立即识别是磁体的北极正在接近（图7中的安装A）还是南极正在接近（图7中的安装B）。因此，控制器70规定针对于LED指示器80开始闪光或针对于LED指示器停止或关闭的适当阈值。

当霍尔效应传感器82没有在磁体34附近时，电压输出由此是约1.0伏特。安装A被示出为朝电压(V_OUT)线的左边向上延伸。安装A代表如下情况，其中磁体组件30的磁体34的北极朝向霍尔效应传感器82定向。该定向导致由霍尔效应传感器82输出的电压随着磁场增加，这也作为随着磁体34接近霍尔效应传感器82而能够以毫特斯拉（mT）来测量的磁通量密度B_MIN已知。因此，当霍尔效应传感器82没有感测到磁体34或者由于磁体和霍尔效应传感器分开得太远而几乎感测不到磁体时，控制器70控制LED指示器80稳定照亮，直到因为磁体34的存在的靠近而使由此感测的电压增加以使得控制器促使LED指示器80开始闪烁。如在图7中朝向左边示出的，当电压因为增加的B_MIN值而增加时，LED指示器停止闪光以指示用于由霍尔效应传感器82探测磁体34的表示关闭的门或关闭的窗的良好信号强度裕度。在该位置处，该磁体组件30和门/窗磁感测设备40二者被相应固定至门和门框或者固定至窗和窗框。

图7还图示来自磁体34的南极的磁场对如由安装B示出的霍尔效应传感器82的影响。随着磁体组件30的磁体34的南极接近霍尔效应传感器82或者被霍尔效应传感器82接近，由霍尔效应传感器82输出的电压从1.0伏特减小并且LED指示器80提供稳定的照明。在由霍尔效应传感器82输出的电压下降至约0.9伏特之后，LED指示器80开始闪烁。用于指示器80的照亮的闪光速率随着磁体34接近而改变并且闪光速率改变用来指示磁体正在接近或移动远离。一旦磁体34在关于霍尔效应传感器82的合理信号强度裕度内并且接近于磁通量密度B_MAX，LED指示器80的闪烁就停止。于是，安装者装配磁体组件30和门/窗磁感测设备40，以用于确保在其之间所提供的适当距离，用于通过避免假警报状况来无错误地运行。

对霍尔效应传感器输出电压（门被关闭）求平均

如上面阐述的，在设定或安装期间，控制器70确定磁体34的北极或南极是否接近霍尔效应传感器82并且如上面阐述的那样运行。因此，控制器70被配置用于由对应于输出电压的信号强度值来确定由霍尔效应传感器82所感测的磁场的定向，以便基于磁场的定向来选择警报阈值。

当门处于关闭状态时，该控制器70还由霍尔效应传感器82的输出电压建立并保持信号强度的滚动平均值（rolling average value）。图8示出对应于门的重复打开和关闭的波形。在门打开位置中，霍尔效应传感器的输出电压是约1.0伏特。在图8中的门的每个门关闭位置上，霍尔效应传感器的输出电压是约0.4伏特，其对应于图7中的安装B。如在图8中示出的，磁体强度和由此的输出电压逐个门关闭事件地或逐个门关闭出现地改变。输出电压可能由于在门闩机构和门密封件（密封条）中的正常量的间隙而在特定安装中改变小的量。在一定次数的门关闭期间对输出电压求平均。在图8的实施例中，对十次门关闭的输出电压求平均并且结果是约0.4伏特。当输出电压高于警报阈值时不对打开时的门的输出电压求平均。作为代替，控制器70被配置用于在迭代过程中确定平均关闭的门信号强度以得到对于门关闭位置的平均操作信号强度值并且调整阈值，所述阈值用于与由磁性传感器感测的信号强度相比较，用于确定门处于关闭位置。控制器70被配置用于将信号强度值与警报阈值相比较并且输出正常状态信号和警报状态信号其中的一个。

安装总是导致磁体34离霍尔效应传感器82比最佳的间隙距离或间距更近或更远。进一步地，磁体34相对于霍尔效应传感器82的定向其改变由此的输出电压。此外，每个霍尔效应传感器82都具有其自己的公差和灵敏度范围。因此，来自不同门/窗磁感测设备40的不同霍尔效应传感器82的输出电压在关闭位置中显著不同。此外，该霍尔效应传感器输出电压依赖于若干因素并且不能完全预测。因此，如下面讨论的，对多个输出电压值的求平均允许确定平均输出电压，以用来帮助建立阈值。尽管所述平均输出电压是基于图8中的门的十次关闭，但其他预先选择的次数的门关闭的发生是能够设想的。此外，在一个实施例中，求平均仅在前十次门关闭时发生。在另一实施例中，发生滚动平均，其中第十一次和每次后续的门关闭，基于最近存储的输出电压测量来重新计算平均输出电压。在一些实施例中，鉴于当门关闭时的平均输出电压来调整警报阈值（图8中的警报Th）。当存在对应于关闭的门的磁体34时，所存储的输出电压代表由霍尔效应传感器82提供的信号强度值。因此，由控制器70对输出电压求平均以便为门/窗磁感测设备40确定平均操作信号强度值。因此，控制器70被配置用于处理所存储的信号强度值来确定平均操作信号强度值。

当警报阈值被超过时，控制器70经由无线发射器电路86提供指示警报状态的警报状态无线信号。当然，当没有超过阈值并且没有如下面讨论地出现篡改时，控制器被配置用于控制无线发射器电路86来提供正常状态无线信号。

第二磁体篡改警报

该控制器70还被配置用于识别何时将第二磁体置于门/窗磁感测设备40附近以便在不由霍尔效应传感器82感测到超过警报阈值的电压的情况下实现门的打开。一旦建立门关闭的“正常（normal）”平均输出电压，就可以刚好在门被关闭时霍尔效应传感器82的平均输出电压以上和以下来规定上篡改状态阈值U_th和下篡改状态阈值L_th。如在图8中示出的，该篡改状态阈值具有的值小于警报阈值。

如在图8中示出的，当在霍尔效应传感器82附近应用具有与磁体34相同极性的第二或附加磁体时，其输出电压被驱动至低于0.2伏特并且甚至在门打开情况下低于于0.2伏特。当输出电压低于下篡改状态阈值L_th时，控制器70确定：好像是要发生基于单独磁场进行的破坏尝试。在连续的低电压值的预先定义或预先选择的时间延迟、诸如15秒之后，由控制器70经由无线发射器电路86发送表示篡改状态的篡改状态无线信号以指示破坏尝试。在一个实施例中，预先定义的时间段是至少约12秒。

如果将具有相反极性的第二磁体应用或放置在霍尔效应传感器82附近并且来自霍尔效应传感器82的输出电压超过上篡改状态阈值U_th达预先定义的时间，则在某些情况下由控制器70经由无线发射器电路86输出篡改状态无线信号以指示破坏尝试。更具体地，只要传感器输出电压大于上篡改状态阈值U_th且低于警报阈值达预先定义的时间，控制器70就输出篡改状态无线信号。在第二篡改磁体的磁场大于警报阈值“警报 Th”但小于附加篡改阈值（Tamper (篡改) Th）的情况下，不是由控制器70输出而是由无线发射器电路86传送警报状态无线信号。在这种情况下，如果用户不能查明为什么存在警报状态，就立即会怀疑篡改状态或状况。当传感器输出电压超过阈值“篡改 Th”达预先定义的时间时，控制器70提供篡改状态无线信号。在一个实施例中，为具体篡改状态设置三个不同的篡改状态无线信号。

时间延迟减小由门没有立即完全关闭或门被猛地闭合时引起的被输出的假篡改状态无线信号。在一些实施例中，在由控制器70经由无线发射器电路86发送篡改状态无线信号之前，必须连续跨上篡改状态阈值U_TH或下篡改状态阈值L_TH达预先选择的时间段，诸如从约10秒至约20秒。

由控制器70以类似的方式来执行安装A实施例。在一个实施例中，来自霍尔效应传感器82的对应于磁场在门关闭位置的平均操作信号强度的平均输出电压是约1.6伏特。上篡改状态阈值U_TH大于1.6伏特并且下篡改状态阈值L_TH小于1.6伏特。在该实施例中，警报阈值小于篡改状态阈值。因此，控制器70被配置用于当信号强度值低于针对安装A的警报阈值时控制无线发射器电路86输出警报状态无线信号。因此，如上面阐述的，控制器70依据由霍尔效应传感器82感测的磁体34的定向来在要么上警报阈值（安装B）要么下警报阈值（安装A）之间作出选择。

其他特征

在初始安装之后，门框12可能下陷（settle）或者门组件可能磨损，从而引起磁铁34和霍尔效应传感器82的不对准。在一个实施例中，控制器70经由无线发射器电路86向控制面板传送霍尔效应传感器的输出电压。该输出电压允许由远程设备90远程地检查门感测装置10和安装的健康，以便确定输出电压值水平对于可靠运行来说是否下降得太低或太高。在另一实施例中，该门/窗磁感测设备40自监视霍尔效应传感器82的输出电压并且发送该水平是否对于可靠运行而言下降得太低或太高的故障信号。在一个实施例中，该无线发射器电路86使用ZigBee RF协议来经由无线接收电路104将其警报状态或正常状态传达至远程设备90的警报控制面板。

在一个实施例中，除了状态无线信号之外，通过射频接口来发送低电压故障信号和霍尔效应传感器82的实际模拟输出电压。这些信号和电压允许在由于磁体34关于霍尔效应传感器82的不对准而生成假警报之前来校正磁体34的位置。因此，磁场强度可以通过门感测装置经由远程设备90被传达给安装者，或者用于显示在中心站的控制面板上，以帮助故障排除问题并验证使得的操作和安装。

在一些实施例中，门是金属门以及/或者门框是金属门框。因此，霍尔效应传感器的输出1.0可以在打开位置改变。该控制器70考虑轻微变化并且当该变化多于所选量时改变警报阈值。进一步地，通过在封闭外壳42中提供远离金属门或金属门框的霍尔效应传感器82，使得当其被装配时降低金属门或金属门框的任何磁效应。

通过使用霍尔效应传感器82而不是其他磁性传感器，由于霍尔效应传感器的增加的灵敏度，磁体间隙距离可以更大。该增加的灵敏度和更大的间隙使得门/窗磁感测设备40更容易安装并且可以适应不同的安装。

门感测装置10向安装者提供信号强度指示。该指示告知安装者存在对于可靠安装而言的显著信号强度裕度。该信号强度裕度使得安装更可靠并且减少假警报。霍尔效应传感器82和磁体34的该通断距离间隙（磁滞）被精确地控制并且减少来自正常门移动的假警报。在一个实施例中，由门/窗磁感测设备40来自动地优化该通断距离以改进捕捉性能（catch performance）并减少假警报。

毫特斯拉（mT）与沿着磁体34的定向、由距离或间隙引起的磁通量密度有关。

尽管上面的讨论主要针对为门和门框提供感测装置，但是也设想以各种类型的窗装置的方式来使用。

该控制器70是处理器、微处理器、ASIC（专用集成电路）或用于处理指令并将信息存储在存储器中的其他设备。在一个实施例中，该控制器70执行算法或其他程序以执行警报状态、正常状态和篡改状态。

在一些实施例中，警报状态信号、正常状态信号和篡改状态信号不是无线信号。

因此，除了其他方面之外，本发明提供一种门/窗磁感测设备40，其包括：磁性传感器，其被配置用于，感测磁体的信号强度并且输出信号强度值；以及控制器，其用于从磁性传感器接收信号强度值，该控制器被配置用于，由信号强度值来确定警报状态、正常状态和篡改状态。在以下权利要求中阐述本发明的各个特征和优点。

Claims (17)

1.一种门/窗磁感测设备，所述门/窗磁感测设备包括：

霍尔效应传感器（82），所述霍尔效应传感器（82）被配置用于感测磁体的信号强度并且输出信号强度值，所述霍尔效应传感器在没有由此感测到磁场时提供输出电压；

控制器（70），所述控制器用于从所述霍尔效应传感器（82）接收所述信号强度值,所述控制器（70）被配置用于，由所述信号强度值来确定警报状态、正常状态和篡改状态；

无线发射器电路（86），其中所述控制器（70）被配置用于，当依据由此感测的磁体的定向所述信号强度值要么在警报阈值以上要么在警报阈值以下时，控制所述无线发射器电路（86）输出正常状态无线信号；

外壳（42），所述外壳具有用于与门框（12）以面对面接触的方式装配的装配板（60）；

印刷电路板（50），所述印刷电路板被布置在所述外壳（42）内并且横向于所述装配板（60）来定向；

指示器（80）；

其中所述霍尔效应传感器（82）、所述控制器（70）、所述指示器（80）和所述无线发射器电路（86）以所述印刷电路板（50）来被提供，并且所述霍尔效应传感器（82）以远离所述装配板（60）的方式被布置在所述印刷电路板（50）上；

其中所述指示器（80）被配置用于

提供如下指示：磁体组件（30）和门/窗磁感测设备（40）相距太远而不能执行门感测；

提供如下指示：由于所述磁体组件（30）和所述门/窗磁感测设备（40）中其中之一接近所述磁体组件（30）和所述门/窗磁感测设备（40）其中的另一个，所述磁体正在由所述门/窗磁感测设备（40）的所述霍尔效应传感器（82）探测到；

提供如下指示：对应于由所述霍尔效应传感器（82）所感测的磁体的信号强度中的增加或减小，所述门/窗磁感测设备（40）正接近于或移动远离于所述磁体组件（30）；和

提供如下指示：所述磁体和所述霍尔效应传感器（82）被移动到如下位置，所述位置对应于所述门/窗磁感测设备（40）和所述磁体组件（30）处在关闭或闭合位置并且由所述霍尔效应传感器（82）感测的磁体的信号强度超过信号强度裕度。

2.根据权利要求1所述的门/窗磁感测设备（40），其中所述控制器（70）被配置用于，当所述信号强度值连续要么在上篡改状态阈值以上要么在下篡改状态阈值以下连续地达预先定义的时间段时，控制所述无线发射器电路（86）输出篡改状态无线信号。

3.根据权利要求2所述的门/窗磁感测设备（40），其中所述预先定义的时间段是至少约12秒。

4.根据权利要求2所述的门/窗磁感测设备（40），其中，依据被感测的磁体（34）的定向而定地，所述上篡改状态阈值和所述下篡改状态阈值具有的值小于所述警报阈值或者大于所述警报阈值。

5.根据权利要求1所述的门/窗磁感测设备（40），其中，所述控制器（70）被配置用于，将所述信号强度值与所述警报阈值相比较并且输出所述正常状态信号和所述警报状态信号其中之一。

6.根据权利要求5所述的门/窗磁感测设备（40），其中所述控制器（70）被配置用于，当以至少预先选择的发生次数存在对应于关闭的门或关闭的窗的所述磁体时，存储由所述霍尔效应传感器（82）所提供的所述信号强度值，所述控制器（70）处理所存储的所述信号强度值以确定平均操作信号强度值。

7.根据权利要求6所述的门/窗磁感测设备（40），其中所述控制器（70）被配置用于基于所述平均操作信号强度值来调整上篡改状态阈值或下篡改状态阈值。

8.根据权利要求7所述的门/窗磁感测设备（40），其中所述控制器（70）被配置用于，当由所述霍尔效应传感器（82）所提供的所述信号强度值连续在所述上篡改状态阈值以上或连续在所述下篡改状态阈值以下达预先选择的时间段时，提供篡改状态信号。

9.根据权利要求5所述的门/窗磁感测设备（40），其中，所述无线发射器电路（86）被配置用于从所述控制器（70）接收所述信号强度值并且用于发射所述信号强度值，以使得远程设备（90）确定所述信号强度值对于可靠运行而言是否下降得太低或太高。

10.根据权利要求6所述的门/窗磁感测设备（40），其中所述控制器（70）被配置用于，处理所存储的所述信号强度值，用于确定所述平均操作信号强度值并基于所述平均操作信号强度值来调整所述警报阈值。

11.根据权利要求6所述的门/窗磁感测设备（40），其中所述控制器（70）被配置用于，由所述信号强度值来确定由所述霍尔效应传感器（82）所感测的磁场的定向并且基于所述磁场的所述定向来选择所述警报阈值。

12.用于安装用于门感测装置的门/窗磁感测设备（40）和磁体组件（30）的方法，所述方法包括以下步骤：

将所述磁体组件（30）和所述门/窗磁感测设备（40）其中之一装配至门（14）或门框（12）；

通过以下方式将所述磁体组件（30）和所述门/窗磁感测设备（40）其中的另一个装配至所述门（14）或门框（12）其中的另一个：

借助于所述门/窗磁感测设备（40）的指示器（80）来指示：所述磁体组件（30）和所述门/窗磁感测设备（40）相距太远而不能执行门感测；

借助于所述指示器（80）来指示：由于所述磁体组件（30）和所述门/窗磁感测设备（40）中其中之一接近所述磁体组件（30）和所述门/窗磁感测设备（40）其中的另一个，所述磁体正在由所述门/窗磁感测设备（40）的磁性传感器探测到；

借助于所述指示器（80）来指示：对应于由所述磁性传感器所感测的所述磁体的信号强度中的增加或减小，所述门/窗磁感测设备（40）正接近于或移动远离于所述磁体组件（30）；以及

借助于所述指示器（80）来指示所述磁体和所述磁性传感器被移动到如下位置，所述位置对应于所述门/窗磁感测设备（40）和所述磁体组件（30）处在关闭或闭合位置并且由所述磁性传感器所感测的所述磁体的所述信号强度超过信号强度裕度，以及

在所述位置处，将所述磁体组件（30）和所述门/窗磁感测设备（40）其中的进行接近的一个固定至所述门（14）和所述门框（12）中的另一个，其中当所述门（14）处在关闭或闭合位置时所述磁性传感器探测到超过所述信号强度裕度的所述磁体的所述信号强度。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述指示器（80）是发光二极管，所述发光二极管照亮，以指示所述磁体组件（30）和所述门/窗磁感测设备（40）分开得太远而不能执行门感测。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述发光二极管响应于由所述磁性传感器所感测到的所述磁体的所述信号强度中的增加来提供如下指示：由于所述磁体组件（30）和所述门/窗磁感测设备（40）中其中之一正在接近所述磁体组件（30）和所述门/窗磁感测设备（40）其中的另一个，所述磁体正在由所述磁性传感器探测到，从而引起发光二极管的闪光，所述闪光的速率随着所述磁性传感器和所述磁体彼此接近而增加。

15.根据权利要求14所述的方法，其中控制器（70）被配置用于，当所述磁性传感器探测到所述磁体的所述信号强度超过所述信号强度裕度时停止所述指示器（80）照亮。

16.根据权利要求12所述的方法，其中所述门/窗磁感测设备（40）包括控制器（70），所述控制器用于接收由所述磁性传感器所感测的所述信号强度，并在迭代过程中确定平均关闭的门信号强度以得到对于门关闭位置的平均操作信号强度值并且调整用于与由所述磁性传感器所感测的所述信号强度相比较的上篡改状态阈值、下篡改状态阈值和/或警报阈值，用于确定所述门处于关闭位置。

17.根据权利要求12所述的方法，其中所述磁性传感器是霍尔效应传感器（82）。

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