CN108461552A - 一种具有金属基透明导电窗口层的薄膜太阳能电池 - Google Patents
一种具有金属基透明导电窗口层的薄膜太阳能电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108461552A CN108461552A CN201711486714.8A CN201711486714A CN108461552A CN 108461552 A CN108461552 A CN 108461552A CN 201711486714 A CN201711486714 A CN 201711486714A CN 108461552 A CN108461552 A CN 108461552A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- electrically conducting
- conducting transparent
- transparent window
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 claims abstract description 17
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开一种具有金属基透明导电窗口层的薄膜太阳能电池，由衬底、背电极、光吸收层、缓冲层组成的基板和透明导电窗口层组成，透明导电窗口层为金属复合膜构成的透明导电层，从底往上依次为铝基膜层、钼基膜层；铝基膜层为Al:Nd,Nd的掺杂量0.01wt%‑15wt%；钼基膜层为Mo:NbOy,Nb的掺杂量为0.01wt%‑15wt%；透明导电层厚10‑100nm。本发明金属复合膜透明导电窗口层在波长为300nm‑1200nm的波段，透明导电窗口层的透过率为80％以上，方块电阻小于10Ω/□。比传统的透明导电窗口层AZO薄膜具有更低的方块电阻、制作的膜层厚度比AZO薄很多，进而有效降低薄膜太阳能电池制作成本，同时对中远红外具有较强的反射能力，这可提高薄膜太阳能电池的性能。
Description
技术领域
本发明属于薄膜太阳能电池技术领域，本发明具体涉及一种具有金属基透明导电窗口层的薄膜太阳能电池及其制备方法。
背景技术
在薄膜太阳能电池中，窗口层一般使用AZO，为了使窗口层具有较低的方块电阻，通常需要较厚的AZO 膜层，一般400nm 的AZO膜的方阻在20Ω/□左右，更厚的900nm的AZO膜的方阻在7Ω/□左右，但是较厚的AZO膜层会使其可见光透过率降低，这就需要在这两个方面进行平衡。为了获得较低的方阻和较高的可见光透过率，在镀AZO 膜层前还要先将基板加热到至少200℃。一般薄膜光伏电池的AZO 透明导电膜层的厚度都要大于500nm，有的甚至超过1um。AZO 膜层对中远红外线的反射能力较弱，众所周知，中远红外线是加热效果明显，薄膜电池在阳光的照射下，中远红外线会对薄膜电池的内部进行加热，使电池内部温度上升，这将会影响电池的性能。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有薄太阳能电池AZO透明导电膜层膜层厚、方块电阻较高、对中远红外反射较弱的问题，提供一种具有金属基透明导电窗口层的薄膜太阳能电池，具有低方块电阻、具有较高的可见光透过率、较薄的膜厚、制作过程不用高温，进而有效降低薄膜太阳能电池制作成本，同时具备较强的反射中远红外线功能的透明导电层来作为太阳能电池装置的透明导电窗口层。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种具有金属基透明导电窗口层的薄膜太阳能电池，包括由衬底、背电极、光吸收层、缓冲层组成的基板，在基板的缓冲层上面设有透明导电窗口层，其特征在于：透明导电窗口层为金属复合膜构成的透明导电层，透明导电层包括两层膜层，从底往上依次为铝基膜层、钼基膜层；
所述铝基膜层为Al:Nd,Nd的掺杂量为0.01wt%-15wt%；
所述钼基膜层为Mo:NbOy,Nb的掺杂量为0.01wt%-15wt%；
透明导电层厚度10-100nm。
进一步优选的技术方案：透明导电层厚度优选10-35nm，其中铝基膜层的厚度优选为5-25nm、钼基膜层厚度优选5-10nm。
在波长为300nm-1200nm 的波段，透明导电窗口层的透过率为80％以上，其方块电阻小于10Ω/ □。
本发明还提供了一种具有金属基透明导电窗口层的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）.按常规方法制作由衬底、背电极、光吸收层、缓冲层组成的基板，基板为待镀窗口层的薄膜电池；
（2）.沉积金属复合膜时，基板温度控制在80℃-90℃；
（3）.采用直流磁控溅射方法在基板上先后沉积5nm-25nm厚的铝基膜层，再沉积5-10nm厚的钼基膜层。
本发明的技术方案如下：在此先定义，本发明中的原子百分比含量在整个说明书中都用“at％”表示， 重量百分比含量在整个说明书中都用“wt％”表示 ；Al:Nd表示Al中掺杂有Nd，Nd的掺杂量为0.01wt%-15wt%；Mo:Nb表示Mo中掺杂有Nb，Nb的掺杂量为0.01wt%-15wt%。本发明中所提到的所有材料均为现有技术，可商业购得。
本发明的金属复合膜透明导电窗口层与现有AZO相比本发明具有以下优点 ：
做到相同透过率、相同方阻情况下，AZO膜层膜厚是本发明的金属复合膜膜厚的40-60倍，本发明的金属复合膜的整体厚度较薄且由多层结构构成，所以本发明的金属复合膜透明导电层具有较小的膜层内应力，将其替代传统的 AZO膜层会提高薄膜电池器件的稳定性。使用AZO导电层作为薄膜太阳能电池的透明导电窗口层， 其AZO导电层的厚度要达到500nm以上，为了获得更低的方块电阻，AZO导电层的厚度甚至达到1000nm。然而，AZO导电层的厚度越厚其可见光透过率就越低，这将使薄膜电池的短路电流降低；如果使用较薄的AZO导电层，则其方块电阻较大，这将使薄膜电池的串联电阻上升。所以使用AZO 导电层时就要在这几方面进行平衡。在制作 AZO 导电层的过程还要对沉积有pn结半导体膜的基板进行高温加热，加热温度要进行严格控制，如果温度过高将会破坏半导体膜的pn结，导致电池性能恶化；如果温度太低沉积的AZO膜的质量就比较差，这也会导致电池性能下降；本发明的金属复合膜由于镀膜时温度不需很高，所以半导体膜的pn结影响不大。再者，因为中远红外线是热线，本发明的金属复合膜透明导电层对中远红外线具有较强反射能力，这可大大降低中远红外线对薄膜电池的内部进行加热。上述说明，与传统AZO导电层相比，使用本发明的金属复合膜透明导电层可以使薄膜太阳能电池装置的性能更优化，使薄膜电池性能更稳定，同时可降低薄膜电池的制造成本。
附图说明：
图1位本发明的结构示意图。
具体实施方式：
一、如图1所示，本发明提供的一种具有金属基透明导电窗口层的薄膜太阳能电池，包括由衬底、背电极、光吸收层、缓冲层组成的基板，在基板的缓冲层上面设有透明导电窗口层，其特征在于：透明导电窗口层为金属复合膜构成的透明导电层，透明导电层包括两层膜层，从底往上依次为铝基膜层、钼基膜层；所述铝基膜层为Al:Nd,Nd的掺杂量为0.05wt%；所述钼基膜层为Mo:NbOy,Nb的掺杂量为0.04wt%。
二、本发明还提供了一种具有金属基透明导电窗口层的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）.按常规方法制作由衬底、背电极、光吸收层、缓冲层组成的2.5mm厚的基板，基板清洗干净；
（2）.沉积金属复合膜时，基板温度控制在80℃；
（3）.采用直流磁控溅射方法在基板上， Al:Nd,Nd的掺杂量为0.05wt%，先沉积12nm厚的铝基膜层；再按Mo:NbOy,Nb的掺杂量为0.04wt%，沉积5nm厚的钼基膜层。最终得到一种金属复合膜构成的透明导电层的薄膜太阳能电池。
之后对该镀膜玻璃进行光学和电学测试。测试结果为方块电阻为5.5Ω/□，在波长为300nm-1200nm波段的膜的平均透过率为77.92％。
以下涉及的实施例及对比例，均是在干净的衬底表面上依次沉积上各膜层。
对比例 1
取一2.5mm厚的钠钙玻璃基板，然后将玻璃基板表面清洗干净并进行干燥，将玻璃表面加热至270℃，采用磁控溅射在玻璃表面沉积1000nm的AZO膜层。之后对该镀膜玻璃进行光学和电学性能测试。测试结果为方块电阻为 6.2Ω/□， 在波长为300nm-1200nm波段的膜的平均透过率为78.0％。
从实施例1与对比例 1进行比较可以看出，在透过率和方阻上，本发明的金属复合膜透明导电层与传统的 AZO 透明导电层相当；但是AZO膜厚是本发明的金属复合膜总厚度的58倍。本发明的金属复合膜透明导电层的膜厚比 AZO 透明导电层的膜厚要薄很多， 且在制作过程可以不用加热。
以上对本发明进行了实例说明，但所述内容仅为本发明的实例之一，不能被认为用于限定本发明的实例范围。凡依本发明申请范围所做的均等变化及改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
Claims (2)
1.一种具有金属基透明导电窗口层的薄膜太阳能电池，包括由衬底、背电极、光吸收层、缓冲层组成的基板，在基板的缓冲层上面设有透明导电窗口层，其特征在于：透明导电窗口层为金属复合膜构成的透明导电层，透明导电层包括两层膜层，从底往上依次为铝基膜层、钼基膜层；
所述铝基膜层为Al:Nd,Nd的掺杂量为0.01wt%-15wt%；
所述钼基膜层为Mo:NbOy,Nb的掺杂量为0.01wt%-15wt%；
透明导电层厚度10-100nm。
2.根据权利要求1 所述的一种具有金属基透明导电窗口层的薄膜太阳能电池，其特征在于：透明导电层厚度优选10-35nm，其中铝基膜层的厚度优选为5-25nm、钼基膜层厚度优选5-10nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711486714.8A CN108461552A (zh) | 2017-12-30 | 2017-12-30 | 一种具有金属基透明导电窗口层的薄膜太阳能电池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711486714.8A CN108461552A (zh) | 2017-12-30 | 2017-12-30 | 一种具有金属基透明导电窗口层的薄膜太阳能电池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108461552A true CN108461552A (zh) | 2018-08-28 |
Family
ID=63221355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711486714.8A Pending CN108461552A (zh) | 2017-12-30 | 2017-12-30 | 一种具有金属基透明导电窗口层的薄膜太阳能电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108461552A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110444622A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-11-12 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 薄膜太阳能电池窗口层的制备方法 |
| CN111509056A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-08-07 | 上海空间电源研究所 | 可有效利用窗口层内电子空穴对的太阳电池的窗口层结构 |
| CN114050188A (zh) * | 2021-10-09 | 2022-02-15 | 中国建材国际工程集团有限公司 | 一种基于多层膜电极的碲化镉太阳能电池及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104882495A (zh) * | 2015-05-07 | 2015-09-02 | 厦门神科太阳能有限公司 | 一种用于太阳能电池的透明导电窗口层及cigs基薄膜太阳能电池 |
| CN106784041A (zh) * | 2017-02-04 | 2017-05-31 | 江苏神科新能源有限公司 | 一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法 |
-
2017
- 2017-12-30 CN CN201711486714.8A patent/CN108461552A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104882495A (zh) * | 2015-05-07 | 2015-09-02 | 厦门神科太阳能有限公司 | 一种用于太阳能电池的透明导电窗口层及cigs基薄膜太阳能电池 |
| CN106784041A (zh) * | 2017-02-04 | 2017-05-31 | 江苏神科新能源有限公司 | 一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110444622A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-11-12 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 薄膜太阳能电池窗口层的制备方法 |
| CN111509056A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-08-07 | 上海空间电源研究所 | 可有效利用窗口层内电子空穴对的太阳电池的窗口层结构 |
| CN114050188A (zh) * | 2021-10-09 | 2022-02-15 | 中国建材国际工程集团有限公司 | 一种基于多层膜电极的碲化镉太阳能电池及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104898344B (zh) | 一种全固态电致变色器件的制备方法及制得的电致变色玻璃 | |
| CN104882495B (zh) | 一种用于太阳能电池的透明导电窗口层及cigs基薄膜太阳能电池 | |
| CN103353700B (zh) | 电致变色玻璃、中空玻璃及其制备方法 | |
| KR101352779B1 (ko) | 태양전지용 투명전극 및 그 제조방법 | |
| US9688572B2 (en) | Low-emissivity coating and functional construction material for window and door including same | |
| CN103915516B (zh) | 一种cigs基薄膜光伏材料的钠掺杂方法 | |
| CN108461552A (zh) | 一种具有金属基透明导电窗口层的薄膜太阳能电池 | |
| CN106024978A (zh) | 一种抗紫外线功能的金属合金夹层结构透明导电薄膜 | |
| CN105355676A (zh) | 一种柔性cigs薄膜太阳电池的背电极结构 | |
| CN204966512U (zh) | 一种双层tco的cigs太阳能电池 | |
| CN108447946A (zh) | 一种柔性硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
| CN101826400A (zh) | 染料敏化太阳能电池 | |
| CN104532188A (zh) | 选择性太阳能热吸收涂层的复合薄膜材料及其制备方法 | |
| CN201817405U (zh) | 可异地加工的低辐射玻璃 | |
| CN108914077A (zh) | 一种基于Nb2O5的透明导电氧化物薄膜及其制备方法 | |
| CN108803184A (zh) | 一种夹胶电致变色器件及其制备方法 | |
| CN108183141A (zh) | 一种新型结构的碲化镉薄膜电池及其制备方法 | |
| CN109709737A (zh) | 一种新型电致变色薄膜的制作方法 | |
| CN208157419U (zh) | 一种薄膜太阳能电池 | |
| CN111913329B (zh) | 可见至中红外波段可调控光性能的电致变色薄膜器件及制备方法 | |
| CN103137717A (zh) | 铜掺杂氧化锡透明导电薄膜及其制备方法 | |
| CN218767729U (zh) | 一种可弯曲电致变色器件 | |
| CN203157263U (zh) | 一种tco玻璃 | |
| CN205016537U (zh) | 一种可挠性高效率cigs太阳能电池结构 | |
| CN204490981U (zh) | 基于tco薄膜材料的太阳能选择性吸收涂层 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180828 |