CN1084510C - 磁存储系统中磁头的静电放电保护方法 - Google Patents

Abstract

保护有MR传感器的MR磁头，免遭由静电放电或静电充电电场的存在所引起的损坏。在紧挨MR磁头上引线终端的一点处，提供一个跨接相邻导电引线或至MR传感器的交线的分路。可以把一个焊桥用于该分路。在把其上安装MR磁头的整体式悬浮架放在磁盘驱动系统中运行之前，除去该焊料分路。该焊料分路是通过回流焊料并把回流的焊料从引线处拉走而除去的，以便断开跨接至MR传感器的相邻引线的分路的电气连接。

Description

磁存储系统中磁头的静电放电保护方法

本发明一般涉及对磁存储系统中磁头组件的保护，使这些组件在其处理及组装期间免于静电放电引起的损坏；更详细地说，涉及一种保护方法，使在磁盘驱动系统中实施磁阻(“MR”)传感器的磁头组件免受静电放电导致的损坏。

MR传感器是众所周知的，并且特别适于用作磁换能器中的读元件，特别是在记录密度高时。在计算机工业使用的磁盘驱动系统中，它们被用作薄膜磁头(“MR磁头”)中的读元件，以便检测在磁盘上的记录信号。该MR传感器包括一细条磁阻材料，该细条磁阻材料位于一对薄膜间隙层之间，而薄膜间隙层又夹在一对薄膜保护层之间。该MR传感器是安装在一个柔性构件末端上的一个记录头的一部分，而该柔性构件从一个致动器臂上悬臂伸出，以便相对于磁盘表面定位该记录头以进行读写操作。这一组件在工业上经常称作磁头悬浮架、磁头悬架或磁头悬臂组件。

在制造、处理和使用MR磁头期间遇到的主要问题是，在磁头各个元件上以及与该磁头相接触的其他物体上的静电电荷的建立及由此产生的所伴随的杂乱静电放电。例如，在磁头的制作和以后的处理期间，由于诸如塑料之类的某些材料的存在而可能产生静电荷。另外，在有静电充电电场时，MR条易于损坏。

对于MR传感器，因为其实际尺寸相当小，所以对静电损坏的敏感性特别严重。例如，一个用于极高记录密度的MR传感器具有100埃乘以1.0微米的横载面或更小。仅几伏的静电电压通过这样一个实际上很小的电阻器的偶然放电，就足以产生能严重损坏或彻底毁坏MR磁头的电流。MR传感器所经受的损坏性质明显不同，包括由于熔化和蒸发而使传感器彻底毁坏。空气轴承表面(面对着磁盘表面的表面)的污染、由于电击穿而产生的短路、以及使MR传感器性能变坏的比较轻微形成损坏。不用说，生产率受到不利影响。因为静电电荷可以在磁盘驱动系统装配期间的任何阶段产生，并且只有在接近制造过程的结束时才能真正检验和发现损坏的传感器，所以静电产生的损坏导致制造资源的明显浪费。对于那些在加工期间由于损坏而使性能下降但已经通过制造商的初始接收试验的传感器，所组装的磁盘驱动器的性能，可靠性和使用寿命是有疑问的。

为了防止静电电荷产生的损坏，需要提供一个临时装置以电气短路MR条。为了实现这一点，在过去提出了几种方法。在通常指定给本发明的同一受让人的1995年11月7日颁发的美国专利No.5,465,186中，和在IBM技术公开公报-1993年12月出版的Vol.36，No.12和1995年1月出版的Vol.38，No.01中，公开了各种方案，包括把一个短路元件(例如，一个二极管或捻成导体对)跨过MR磁头本身上的MR传感器终端垫而放置，或者在远离MR磁头的悬壁的另一端上的一个端点把到MR磁头的引线短路。短路可以用传统的焊接提供，实际上后来在接近磁头和悬浮组件加工结束时再断开。

尽管业已发现这些较早的方案对降低由于静电放电引起损坏的危险是令人满意的，但不是没有限制的。如上所述，对于薄膜MR传感器，因为传感器元件的实际尺寸相当小，所以对静电损坏的敏感性特别严重。随着追求更高的记录密度，会进一步减小传感器元件的实际尺寸，使得传感器元件对静电放电或静电充电电场产生的损坏更敏感。就是说，磁头越小，就越容易被更小的静电放电所损坏。一个很小的静电电荷在其被一个分路或耗散器件耗散之前可能达到磁头，这取决于静电电荷沿磁头悬浮架组件的注入点。

另外，在现有静电放电保护的已知技术中，所包括的附加零件和装配步骤，增加了加工复杂性和成本，而且增加了MR磁头悬浮架组件的惯性。任何直接安装到小MR磁头上的附件还占据其他目的所需的磁头上的空间。

因为上述原因，对工程师来讲就需要一种保护MR磁头免受静电导致的损坏的新方法。

本发明通过在一点处提供一个跨过到磁头的各相邻导电引线或交线的分路，该点在磁头上紧挨着各引线的终端，提供了一种改进的方法，保护MR磁头免遭电放电或静电充电电场的存在导致的损坏。

带有并入悬浮架的信号传输导体的悬浮架允许新颖的设计，产生这样一条分路。这些悬浮架，下文称作整体式悬浮架，用紧密安装到各悬浮架上的导体制成。对于本发明重要的这些导体的特征在于，他们近似的矩形横截面轮廓，以及制作方法，该方法在工业上通常称为照相制版法(可以理解包括减少刻蚀过程以及添加过程)。

根据本发明的一个方面，该分路具有焊接桥的形式。在磁盘驱动系统中，在使整体式悬浮架进入操作之前，除去该焊接分路。

根据本发明的另一个方面，通过回流焊接分路和从引线引开回流的焊料而断开跨过到MR传感器各相邻引线的分路的电气连接，来除去该分路。为了便于通过回流焊料来除去该分路，把至少一个选择几何形状的焊料瓣放在一个引线附近。这一瓣包括：一个限制瓣，用来在形成分路时把焊料限制在分路中；以及一个指定部分；用来在以后的焊料回流时把焊料从分路区域引到指定位置，由此使分路机械断开。不要求机械去除焊接控制。

在本发明的又一个方面，分路具有一整片互连相邻引线的导电材料的形式。这一分路可以通过激光熔化材料而除去。

可以预料，上述的各种组合不脱离本发明的精神和范围。

图1是实施本发明的磁盘存储系统的简化示意方块图。

图2是支承用在磁盘存储系统中的一个MR磁头的一个整体式悬浮架的立体图，其中按照本发明的方法实现静电保护。

图3(a)-(d)是整体式悬浮架的部分立体图，说明按照本发明的一个实施例完成一个焊料分路的各步骤。

图4(a)-(d)是整体式悬浮架的MR传感器区域的放大立体图，对应于图3(a)-(d)。

图5(a)-(d)是整体式悬浮架的MR传感器区域的放大立体图，说明按照本发明另一个实施例实现一个焊料分路的步骤。

图6是整体式悬浮架的MR传感器区域的放大立体图，说明图5(d)的步骤的一个可替换步骤。

图7(a)-(b)是整体式悬浮架的传感器区域的放大立体图，说明按照本发明另一个实施例实现一个导电分路的步骤。

现在的描述用于说明的目的，而不应该觉得有限制的意思。本发明的范围最好由附属的权利要求书确定。例如，尽管参照磁盘存储系统描述本发明，但显然本发明也适用于包括诸如磁带记录系统之类的记录系统的其他磁存储系统，或其中装置的小元件需要保护免受静电放电的其他用途。

图1表示实施本发明的一个磁盘存储系统100的简化方块图。磁盘存储系统100至少包括：一个可旋转磁盘2，支承在一个主轴3上并由一个磁盘驱动电动机4转动；以及至少一个MR磁头22，位于磁盘表面5的磁记录媒体附近。数据以环形图案同心数据轨道(没表示)的形式存储在每个磁盘2的磁记录媒体中。每个MR磁头22包含一个或多个磁MR传感器和写换能器(没表示)。MR磁头22安装到一个整体式悬浮架10上，悬浮架10安装在一个致动器装置6上。随着磁盘2转动，该致动器装置使MR磁头22横过磁盘表面5运动，从而使MR磁头22可以接近记录或读要求数据处的磁盘表面5不同部分。整体式悬浮架10提供了一个使MR磁头22贴紧磁盘表面5的轻微弹簧力，并控制在稍偏离竖直方向的柔性以及MR磁头22相对于旋转磁盘表面5的滚动和节运动。例如，图1中所示的致动器装置可以是一个音圈电机(VCM)。在操作中通过控制单元7产生的控制信号控制该磁盘存储系统的各种元件如控制致动器装置6、驱动电动机4和读/写数据。

参照图2，它表示一个3件整体式悬浮架10的立体图。这个整体式悬浮架包括一个负荷梁12、一个弯曲件14和一个安装板16。安装板16绕磁盘驱动系统100中致动器装置6的主轴(没表示)铰接地支承整体式悬浮架10。负荷梁12的一端固定地安装到安装板16上，而另一端在其表面上支承弯曲件14。在所述的这个具体的整体式悬浮架10中，弯曲件14具有整体式导体引线18、19、20、21；或没有面对着负荷梁12的弯曲件14上的交线。引线18、19、20、21是导电材料的一层薄膜。这层薄膜由一个绝缘材料层同弯曲件14的结构层隔离。在整体式悬浮件10的末端处，一个带有整体式MR读传感器24和感应写换能器26的MR磁头22支承在弯曲件14上。(为了简明，读传感器24和写换能器26在图中用虚线示意地表示)。引线对18、19在磁头22上结束，与MR读传感器24相电气接触，引线对20，21与写换能器26相电气接触。

整体式悬浮架10的上述基本结构在单独采用时并不形成本发明的部分，而是这里的同一受让人的一个独立发明的主题。为了表明本发明起见，参考图2中的整体式悬浮架10。正如从以下的公开将要看到的那样，本发明能适用于其他结构的磁头悬浮组件。

根据本发明，为了保护MR磁头22免遭静电损坏，在磁头22上紧挨着且处在引线终端的上游的一个地方，跨过相邻MR传感器引线18、19设置一个电气分路。这就保证沿整体或悬浮架10引入的静电电荷不会到达MR磁头22。

现在参照图3(a)-(d)和图4(a)-(d)，说明本发明方法的一个实施例的详细步骤。在这个实施例中，为了使保护效果最佳，在焊料分路已经到位之后，把MR磁头22连到弯曲件14的各引线18、19、20、21上。更详细地说，如图3(a)中所示，弯曲件14已经通过适当的工艺(例如，使用常规的光刻工艺)在其上整体构成引线18、19、20、21、再参照图4(a)，在这些引线的端部提供各终端垫28，在该端部将要把MR磁头22电气连接在其上。另外，根据本发明，至MR传感器24的引线18、19处在要设置焊料分路的地方(即，靠近各终端脚且在其上游)提供有两个相邻于引线18、19的限制瓣30、31。瓣31带有一个通过一个减小宽度的受限部分34连接到其上的附属部分32。如在以下的讨论中显而易见的那样，该附属部分用来当通过焊料回流断开分路时限定一个用来收集焊料的指定位置。例如，为了制造方便、垫28、瓣30、31和附属部分32可以用相同的材料制造，并且通过常规的光刻工艺在形成引线18、19、20、21时同时形成。这些附加的薄膜结构并没有给弯曲件14的形成添加明显的工艺步骤。

参照图3(b)和4(b)，随后通过件何常规的丝网印制工艺涂敷一种焊料膏36以覆盖垫28，并跨过引线18、19和瓣30、31，如图所示。而且，可以同时方便地沉积用于垫28和瓣30，31的焊料膏。当用广角均均热源如红外隧道式烘炉加热时，焊料膏36被回流。尽管焊料膏的丝网印制是焊料涂敷的最佳方法，但还能使用涂敷独立式焊料(能跨过空间放置的焊料)的任何适当方法，如焊料预成形、焊条、或焊条凸起。

参照3(c)和4(c)，熔化的焊料38湿润垫28和瓣30、31的整个表面。通过表面张力把熔化的焊料38等同地拉向两个瓣30、31，并在两个引线18、19之间保持一个桥或分路40。在瓣30、31和引线18、19上的熔化焊料38中的张力是对称的，在任何一瓣或一根引线中都不会大到足以导致在引线18、19之间的空间处在焊料中断开，因为这些引线之间的间隔非常小。应该注意到：在熔化焊料38中的表面张力和跨过相邻引线18、19保持分路40的能力取决于各因素的组合，这些因素包括引线间隔、焊料湿润的表面面积、以及涂敷的焊接材料的数量和密度。因为熔化焊料38有达到其最小表面张力状态的倾向，所以由于这样一种表面张力而使熔化的焊料38不会沿引线18、19向下流动。应该注意到，回流焊料38受到限制，不会从瓣31(一个限制部分)跨过受限部分34流向附属部分32，这同样是因为在有受限部分34的情况下在瓣31上表面张力有把熔化焊料38保持在稳定的最小张力状态的倾向。结果是在瓣30、31之间有一个单一的焊料堆(分路)40，图4(c)(在MR磁头22已经连上且已在独立的过程中完成后的视图)中表示得更加清晰。

参照图3(d)和4(d)，在以后的加工步骤(如，在整个整体式悬浮架10的加工结束时或在使MR磁头22进入磁盘驱动器中的操作之前的任何时刻)，当把不均等的热量施加到焊料分路40上时，焊料分路40分离。更具体地说，用一个激光束44选择性地加热附属部分32，以产生一个从附属部分32至分路40的温度差。热量从附属部分32侧传导到分中40。随着分路40的焊料被回流，就有通过受限部分34被拉向附属部分32的倾向，因为附属部分32处在更高的温度。然而，焊料还有停在瓣30、31上的倾向、当这种情况发生时，就使分路40在引线18、19的间隔处失去焊料，从而断开分路40。产生的结构是一个焊料堆46在瓣30上，和一个焊料堆48在包括受限部分的瓣31和附属部分32上，在引线18、19之间的焊料中有一个清晰的断开处，在图4(d)中表示得更加清晰。生成的焊料堆46、48留在瓣30、31上。如果需要，可以从瓣30、31上除去这些遗留的焊料堆46、48，但已经发现不值得这样做，因为这些焊料堆对整体式悬浮架10的性能没有明显影响。

可以改变瓣30、31和附属部分32的实际几何形状和轮廓而不脱离本发明的精神和范围。虽然本发明不依赖于具体的几何形状和轮廓，但已经发现，以上实施例可以用一般为“H”或“8”轮廓的瓣31和附属部分32来实现，受限部分在该附属部分与该瓣之间。瓣30、31和附属部分32的尺寸和形状也可以改变。瓣30、31和附属部分32的准确轮廓和尺寸并不是关键的，而是可以变化到这样的一种程度，他们与引线18，19之间的尺寸和间隔以及所用的焊料膏36的量相匹配(参看下面)，起保持熔化焊料的作用，以在焊料膏36初始回流时形成桥/分路40，并在把温度梯度施加到附属部分/瓣结构上时把以后回流的焊料48引导到附属部分32上。

为了便于焊料湿润垫38和瓣30、31，需要通过常规工艺，如清理、熔化、镀金和/或镀锡，准备其表面。要涂敷到瓣30、31上的焊料膏的量取决于这些瓣的尺寸和形状、焊料膏的类型以及在这里的相邻引线之间的间隔。不用说，希望使用尽可能小量的焊料，这显然是为了减小弯曲件/磁头结构的重量。要用于回流的具体激光44和回流温度取决于使用的具体焊料、应该注意到，用来形成分路40的各步步骤可以独立于用来把引线18、19、20、21连接到MR磁头22上的步骤。另外，可以用除焊接之外的方法，如已知的超声波联接工艺，把MR磁头22连接到各引线终端。

为了说明起见，下面给出一个可以有效实现上述实施例的例子的各参数。如果给定引线尺寸在宽度上为50微米，中心线间隔为125微米，则已经发现瓣和附属部分结构的如下参数是有效的：

(a)瓣30、31：形状和尺寸＝100×100微米，带有全半径的端部；

(b)附属部分32：形状和尺寸＝75微米直径的圆；

(c)受限部分：形状和尺寸＝75微米长，50微米宽；

(d)焊料膏的体积＝3.0×E-3至4.4×E-3立方毫米；

(e)焊料膏的类型＝共晶锡-铅、铋-锡或其他适当的焊料；

(f)用于焊料膏的回流温度＝160℃，对于共晶铋-锡使用红外隧道式烘炉；

(g)用于分路回流的激光是具有约100至500毫焦能量(断开分路的能量随使用的焊料量和类型而变)的精密聚焦的钕-钇铝柘榴石激光束，对准附属部分32持续0.5至2秒。(以上数值用于提供相对尺寸和参数的数量级。可以对这些数值进行变更而不脱离本发明的实施)。

现在参照图5(a)-(d)，公开本发明方法的一个第二实施例。为了方便起见，仅说明MR传感器引线终端区域的放大图，它们对应于图4(a)-(d)。包括MR磁头的整体式悬浮架10的其他部分保持与早先的实施例相同。在这个实施例中，在有一个单一瓣50与到MR传感器24的各引线19的一个相邻的情况下，实现分路的形式。把焊料膏36网印到与瓣50相邻的引线18、19(图5(b)中的打剖面线的区域)上。为了在焊膏36以后回流而形成一个分路时，限制焊料流到整个瓣50上和沿引线18和19向下流动，就在网印上焊料膏36之前，用常规的掩模或网印工艺把一个焊料阻挡部分52(图5(b)中的带点区域)，如一个可去除的焊料幕罩，预涂敷在分路区域外侧的引线18和19上和瓣50上。在这个实施例中，指定部分可以是整个瓣50(如图所示)或其一部分(末表示)。限制部分可以是瓣50上没有覆盖焊料膏的部分。应该注意到，由于瓣50与引线19整体地形成，所以可以说，在瓣50上有一个限制部分(虽然该部分很小)而不管在瓣50上焊料阻挡部分的覆盖。在回流之后，用常规的工艺除去焊料阻挡部分52以露出瓣50。图5(c)表示焊料膏36已经回流而形成焊料分路54且除去这一阻挡部分52的状态。如在早先的实施例中那样，通过独立的工艺已经把MR磁头22连接到弯曲板14上。

参照图5(d)，当应该断开分路54时，例如用激光56把热量引向分路54。当分路54的焊料回流时，由湿润暴露的瓣50而形成的表面张力把焊料拉到瓣50的整个表面上。随着一个焊料堆51形成在瓣50上而一个较小的焊料堆53保持在引线18上，在相邻引线18、19的间隔中耗尽焊料。结果，断开分路54。

同早先的实施例类似，可以改变瓣50的实际几何形状和轮廓而不脱离本发明的精神和范围。也可以改变瓣50的尺寸和形状。瓣50的准确轮廓和尺寸并不是关键的，而且可以变化到这样一种程度，它们与引线之间的间隔和使用的焊料膏36的量相匹配，起保持熔化焊料的作用，以便在焊料36初始回流时形成桥/分路54，并在把热量施加到分路结构上时引导以后回流的焊料以湿润整个瓣50。

为了说明起见，下面给出一个可以有效实现本实施例的例子的各参数。如果给定引线尺寸在宽度上为50微米，中心线间隔为125微米，则已经发现瓣结构的如下参数是有效的：

(a)瓣50：形状和尺寸＝100×100微米，带有完整半径的端部；

(b)焊料膏的量＝1.3×E-3至2×E-3立方毫米；

(c)焊料膏的类型＝共晶锡-铅，铋-锡或任何其他适当的焊料；

(d)用于焊料膏的回流温度＝160℃，对于共晶铋-锡使用红外隧道式烘炉；

(e)用于分路回流的激光是具有约100至500毫焦能量(断开分路所需要的能量随使用的焊料量和类型而变)的聚焦的钕钇铝柘榴石激光束，对准分路持续0.5至2秒。(以上数值用于提供相对尺寸和参数的数量级。在不脱离本发明的实施的情况下能变更这些数值)。

还可以，但不是必须，使用不同的加热方法去回流焊料分路54，如在参照图3和4的早先实施例中那样。不是图5(d)所示的那样均匀地加热分路54，而是把一个激光束58引向瓣50的暴露部分以在焊料分路54和瓣50中产生一个温度梯度(见图6)。正如联系图3和4中的实施例所解释的那样，这样做具有把回流的焊料拉向暴露的瓣50的效果，导致在分路54中断开。

应该进一步考虑的是，一个瓣可以位于与引线18相邻处(在各图中未表示)，以便通过增加熔化焊料能在其上流动的表面面积，进一步有利于分路的断开。提供瓣和焊料阻挡部分的各步骤的各种组合是可能的，并且可以在本发明的方面的范围内实现，本发明旨在施加一个分路并在以后除去它，而不使用侵入装置，如刀具。

在本发明的另一个方面，如在图7(a)和(b)中所示，可以提供一个互联相邻引线18、19的，用导电材料制成的整体桥60(图7(a))，来代替在早先的实施例中呈现的一个焊料分路。例如，可以用光刻工艺同时形成引线18、19以及互联桥60。在整体式悬浮架加工的指定阶段，用一个激光束62断开桥60(图7(b))。桥60的导电材料由于激光束再次熔化，由此断开桥分路。如果用于互联桥60和引线18、19的材料相当薄(小于5000埃厚)，则为了使熔化或切去分路处的材料所需的热量最小，这种方法相当有效。

尽管参照所表明的本发明的实施例，已经详细地表示和描述了本发明，但熟悉本专业的技术人员会理解，其中可以在形式上和细节上进行各种变更，而不脱离本发明的精神，范围和原理。因而，这里公开的发明仅认为是说明性的，并且仅限制在附属的权利要求书所限定的范围内。尽管这一发明描述了与MR磁头引线相邻的分路，但显然这些分路可以位于整体式悬浮架上的任何地方，并且保持本发明的精神。

Claims (23)

1.一种方法，用来保护安装在一个磁头悬浮架组件上的一个MR磁头中的一个MR传感器，在所述磁头在一个磁存储系统中处理和装配期间，免受静电电荷引起的损坏，所述MR传感器被电气连接到所述MR磁头上具有引线终端的、用其间的一个引线间隔隔开的第一和第二引线上，所述方法包括步骤：

在沿所述磁头悬浮架组件上的所述第一和第二引线的位置，提供一个跨接所述第一和第二引线的分路，及

在磁存储系统中所述磁头的一个预定过程或装配步骤，断开所述的分路，

其特征在于：

所述位置与所述MR磁头上所述引线终端相邻，及

所述分路包括一个桥部分和一个瓣部分，该瓣部分与所述桥部分相邻，及

所述瓣部分用于在完成所述磁头的处理和装配前断开所述桥部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：提供所述分路的步骤包括在所述引线间隔上方形成一个跨接所述引线的焊桥的步骤。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：断开所述分路的步骤包括回流所述焊桥和把焊料拉离所述引线间隔的步骤。

4.一种方法，用来保护安装在一个磁头悬浮架组件上的一个MR磁头中的一个MR传感器，在所述磁头在一个磁存储系统中处理和装配期间，免受静电电荷引起的损坏，所述MR传感器被电气连接到所述MR磁头上具有引线终端的、用其间的一个引线间隔隔开的第一和第二引线上，所述方法包括步骤：

在沿所述磁头悬浮架组件上的所述第一和第二引线的位置，提供一个跨接所述第一和第二引线的分路，及

在磁存储系统中所述磁头的一个预定过程或装配步骤，断开所述的分路，

其特征在于：

所述位置与所述MR磁头上所述引线终端相邻，及

提供分路的步骤包括形成一个整体地互联第一和第二引线的桥部分的步骤。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于断开分路的步骤包括熔化桥部分的步骤。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：熔化是通过使用激光实现的。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

提供一个分路的步骤包括在沿所述引线且与所述MR磁头上的所述引线终端相邻的地方，在所述第一和第二引线间的引线间隔上方形成一个跨接所述引线的焊桥的步骤；

断开所述分路的步骤包括在完成磁存储系统中所述磁头的所述处理和装配之前的一个预定过程或装配步骤，回流所述焊桥和把焊料拉离所述引线间隔的步骤；

形成所述焊桥的步骤包括沿所述第一引线并且与所述MR磁头相邻地提供一个瓣的步骤，所述瓣带有一个限制部分和一个指定部分；及

当首先涂敷形成焊桥时，焊料覆盖所述瓣的限制部分，而当回流该焊桥时，焊料除了覆盖所述限制部分以外还覆盖指定部分，借此把焊料从所述引线间隔处拉走。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：回流所述焊桥的步骤包括把热量引向瓣的所述指定部分以沿指定部分至所述限制部分形成温度梯度及回流所述焊桥中的焊料的步骤，用温度梯度使焊料从回流的焊桥流到指定部分；借此耗尽所述引线间隔处的焊料以断开该分路。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：瓣的所述限制部分由一个主瓣限定，而所述指定部分由一个附属瓣限定；所述附属瓣包括一个减小宽度，把所述主瓣连接到所述附属瓣上的受限部分，并且当把焊料首先涂敷到主瓣上形成焊桥时，通过焊料的表面张力相对于受限部分的作用把所述焊料限制到所述主瓣上。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：把要涂敷的焊料量和所述主瓣、附属瓣及受限部分的形状和尺寸选择成：当首先涂敷焊料以形成焊桥时，焊料保持在主瓣上而不经过受限部分流到附属瓣上，并且此后在有所述温度梯度的情况下，当回流的焊料经过受限部分流到附属瓣上时，因为焊桥回流而使焊料在引线间隔处耗尽。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：热量由激光提供。

12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：形成焊桥的步骤还包括以下步骤：在焊桥到位之前，用焊料阻挡物覆盖瓣以限定指定部分，并在此后但在回流焊桥之前除去焊料阻挡物以露出指定部分。

13.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：形成焊桥的步骤还包括把独立焊料跨过引线间隔涂敷到瓣的限制部分上，并回流独立焊料以形成焊桥。

14.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：形成焊桥的步骤还包括沿第二引线并且与所述MR磁头相邻地提供一个瓣的步骤。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于：把沿所述第二引线的所述瓣的形状和尺寸选择成：当回流焊桥时，由于把焊料从引线间隔处拉出而使焊料保持在沿所述第二引线的所述瓣上。

16.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：回流焊桥的步骤包括把热量引向焊桥以回流所述焊桥中的焊料的步骤，焊料从回流的焊桥流到指定部分上，由此耗尽在所述引线间隔处的焊料以断开分路。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于：形成焊桥的步骤还包括以下步骤：在焊桥到位之前，用焊料阻挡物覆盖瓣以限定指定部分，并在此后但在回流焊桥之前除去焊料阻挡物以露出指定部分。

18.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

提供一个分路的步骤包括步骤：

沿所述第一引线并且在与所述MR磁头上的所述引线终端相邻的地方提供一个焊料瓣，所述瓣带有一个限制部分和一个指定部分；

把独立焊料涂敷到限制部分并跨过第一和第二引线；以及

回流独立焊料以形成跨过第一和第二引线的焊桥，所述焊桥带有在限制部分上的一端部；并且

断开所述分路的步骤包括步骤：

在完成磁存储系统中所述磁头的所述处理和装配之前的一个预定过程和装配步骤，把热量引向指定部分以在指定部分和限制部分之间产生温度梯度并且回流焊桥，焊桥的焊料流到指定部分借此耗尽第一和第二引线之间的焊料，从而断开焊桥。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于：通常焊料瓣包括一个减小宽度、在第一和第二瓣部分之间的受限部分，第一瓣部分是紧邻第一引线的限制部分，而第二瓣部分是指定部分。

20.一种磁存储系统，包括：

一个磁存储媒体，带有多个用来接收数据的磁道；

一个MR磁头，包括一个在所述MR磁头与所述存储媒体的相对运动期间保持在相对于所述磁存储媒体的接近隔开位置处的MR传感器；

致动器装置，耦合到所述MR磁头上以便相对于磁存储媒体把所述MR磁头移动到所述磁存储媒体上的选定磁道上，所述致动器装置包括一个其上安装该MR磁头的磁头悬浮架组件；

检测装置，耦合到所述MR传感器上，用来根据所述MR传感器俘获的，代表记录在所述磁存储媒体中的数据位的磁场，检测所述MR传感器中的电阻变化；

其特征在于：

所述磁头悬浮架组件包括其上的第一和第二引线，这两根引线被电气连接到MR传感器上，并且以隔开的关系布置和带有在MR磁头上的引线终端；及导电装置，在沿所述第一和第二引线且与所述引线终端相邻的位置处互联第一与第二引线，以便在静电电荷的放电期间提供一个旁通MR传感器的导电通路；

所述导电装置是一个焊桥，并且所述磁头悬浮架组件还包括一个在与引线终端相邻的位置处从所述第一引线伸出的焊料瓣，所述焊料瓣包括一个用来涂敷焊料以形成一个跨接第一和第二引线的焊桥的限制部分，和一个用来在回流该焊桥时收集焊料的与所述限制部分相邻的指定部分，并且

焊桥带有一个在该限制部分上的第一端部和一个在第二引线上的第二端部。

21.根据权利要求20所述的磁存储系统，其特征在于：一般把焊料瓣成形为：带有一个减小宽度的、在第一与第二瓣部分之间的受限部分，第一瓣部分是紧挨着第一引线的限制部分，而第二瓣部分是指定部分，并且焊桥在第一瓣部分上带有其第一端部。

22.根据权利要求20所述的磁存储系统，其特征在于：

导电装置包括在沿所述第一和第二引线且与所述引线终端相邻的位置处的焊料瓣，所述焊料瓣带有限制部分以涂敷焊料形成跨过第一和第二引线的焊桥，以在静电电荷的放电期间提供一个旁通MR传感器的导电通路；和一指定部分以在回流这种焊桥时收集焊料。

23.根据权利要求22所述的磁存储系统，其特征在于：一般把焊料瓣成形为：带有一个减小宽度的，在第一与第二瓣部分之间的受限部分，第一瓣部分是紧挨着第一引线的限制部分而第二瓣部分是指定部分，并且形成时的焊桥的端部之一在第一瓣部分上。

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