CN108448922B - 一种无变压器的单相逆变器的调制方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种无变压器的单相逆变器的调制方法，包括：若单相逆变器的相位处于电压过零点区间和/或电流过零点区间，则对单相逆变器进行高频插死区调制；否则，若单相逆变器的瞬时功率为正，则对单相逆变器进行单极性调制，若单相逆变器的瞬时功率为负，则对单相逆变器进行交流旁路开关动作调制。本发明实施例提供的一种无变压器的单相逆变器的调制方法，通过切换单极性调制、高频插死区调制和交流旁路开关动作调制方法，以满足无变压器型单相逆变器高转换效率、高电能质量以及无功功率可调的要求，为电网支撑型光伏发电技术奠定了基础。

Description

一种无变压器的单相逆变器的调制方法

技术领域

本发明实施例涉及电力电子技术领域，尤其涉及一种无变压器的单相逆变器的调制方法。

背景技术

目前，作为化解能源危机与环境污染问题的有效途径之一，新能源光伏发电技术已经得到广泛的应用。其中，中小功率的光伏电能转换装置是光伏发电并网的重要枢纽。

单相逆变器，因其具有转换效率高、体积小、功率密度大、可靠性能高和电磁兼容性好等性能，成为了中小功率的光伏电能转换装置的首选。现有的中小功率单相逆变器多采用无变压器型的逆变器拓扑。无变压器型的单相逆变器去除了具有电气隔离的变压器，减小了装置的体积，提高了转换效率。

然而，对于光伏并网逆变器，除了要满足高转换效率、高电能质量之外，还要求其具有无功功率可调的功能。现有的无变压器单相逆变器的调制方法无法同时满足以上三种性能，因而，如何基于无变压器的单相逆变器同时满足高转换效率、高电能质量和无功功率可调，对电力电子领域提出了新的挑战。

发明内容

本发明实施例提供一种无变压器的单相逆变器的调制方法，用以解决现有的无变压器单相逆变器的调制方法无法同时满足高转换效率、高电能质量和无功功率可调三种性能的问题。

一方面，本发明实施例提供一种无变压器的单相逆变器的调制方法，包括：若单相逆变器的相位处于电压过零点区间和/或电流过零点区间，则对单相逆变器进行高频插死区调制；否则，若单相逆变器的瞬时功率为正，则对单相逆变器进行单极性调制，若单相逆变器的瞬时功率为负，则对单相逆变器进行交流旁路开关动作调制。

另一方面，本发明实施例提供一种无变压器的单相逆变器的调制装置，包括：高频插死区调制单元，用于若单相逆变器的相位处于电压过零点区间和/或电流过零点区间，则对单相逆变器进行高频插死区调制；单极性调制单元，用于若单相逆变器的相位不处于电压过零点区间和电流过零点区间且单相逆变器的瞬时功率为正，则对单相逆变器进行单极性调制；交流旁路开关动作调制单元，用于若单相逆变器的相位不处于电压过零点区间和电流过零点区间且单相逆变器的瞬时功率为负，则对单相逆变器进行交流旁路开关动作调制。

再一方面，本发明实施例提供一种无变压器的单相逆变器的调制设备，包括处理器、通信接口、存储器和总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过总线完成相互间的通信，处理器可以调用存储器中的逻辑指令，以执行如前所述的无变压器的单相逆变器的调制方法。

又一方面，本发明实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如前所述的无变压器的单相逆变器的调制方法。

本发明实施例提供的一种无变压器的单相逆变器的调制方法，通过切换单极性调制、高频插死区调制和交流旁路开关动作调制方法，以满足无变压器型单相逆变器高转换效率、高电能质量以及无功功率可调的要求，为并网友好型、电网支撑型光伏发电技术奠定了基础。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例的一种无变压器的单相逆变器的结构示意图；

图2为本发明实施例的一种区间划分示意图；

图3为本发明实施例的一种无变压器的单相逆变器的调制方法的示意图；

图4为本发明实施例的电压过零点区间和电流过零点区间中最小窄脉冲和死区补偿方法示意图；

图5为本发明实施例的不同调制区域中开关动作和电流流通路径示意图；

图6为本发明实施例的一种无变压器的单相逆变器的调制装置的结构示意图；

图7为本发明实施例的一种无变压器的单相逆变器的调制设备的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种无变压器的单相逆变器的调制方法，可用于实现H5型逆变器、H6型逆变器和Heric型逆变器等具有漏电流抑制功能的单相逆变器的调制。图1为本发明实施例的一种无变压器的单相逆变器的结构示意图，本发明实施例基于图1所示的Heric型逆变器进行调制，但本发明实施例提出的无变压器的单相逆变器的调制方法，不限于图1所示的单相逆变器结构。

参考图1，一种无变压器的单相逆变器的调制方法，包括：若单相逆变器的相位处于电压过零点区间和/或电流过零点区间，则对单相逆变器进行高频插死区调制；否则，若单相逆变器的瞬时功率为正，则对单相逆变器进行单极性调制，若单相逆变器的瞬时功率为负，则对单相逆变器进行交流旁路开关动作调制。

图2为本发明实施例的一种区间划分示意图，如图2所示，电压过零点区间为以单相逆变器的参考电压v_ref＝0时对应的相位为中心的区间，即在电压过零点区间内，单相逆变器的参考电压的正负发生变化。电流过零点区间为以单相逆变器的并网电流i_g＝0时对应的相位为中心的区间，即在电流过零点区间内，单相逆变器的并网电流方向发生变化。需要说明的是，本发明实施例不对电压过零点区间和电流过零点区间的区间范围作具体限定。

图3为本发明实施例的一种无变压器的单相逆变器的调制方法的示意图，参考图3，图1所示的单相逆变器中，功率开关S₁、S₂、S₃和S₄为全桥逆变开关，功率开关S₅和S₆为交流旁路开关，当单相逆变器的相位不处于电压过零点区间和电流过零点区间，且单相逆变器的瞬时功率为正时，对单相逆变器进行常规的单极性调制，当参考电压v_ref>0时，功率开关S₁和S₄高频切换，功率开关S₆保持开通状态，功率开关S₂、S₃和S₅保持关断状态；当参考电压v_ref<0时，功率开关S₂和S₃高频切换，功率开关S₅保持开通状态，功率开关S₁、S₄和S₆保持关断状态，

若单相逆变器的相位处于电压过零点区间和/或电流过零点区间时，对单相逆变器进行高频插死区调制。此处，高频插死区调制是指控制交流旁路开关与正在高频切换的全桥逆变开关高频互补切换，且在切换过程中插入死区。

具体地，当参考电压v_ref>0时，控制功率开关S₁和S₄保持单极性调制时的高频切换状态，控制功率开关S₅和S₆与功率开关S₁和S₄高频互补切换，功率开关S₂和S₃保持关断状态，在切换过程中插入死区；当参考电压v_ref<0时，控制功率开关S₂和S₃保持单极性调制时的高频切换状态，控制功率开关S₅和S₆与功率开关S₂和S₃高频互补切换，功率开关S₁和S₄保持关断状态，在切换过程中插入死区。

当单相逆变器的相位不处于电压过零点区间和电流过零点区间，且单相逆变器的瞬时功率为负时，则对单相逆变器进行交流旁路开关动作调制。此处，交流旁路开关动作调制为控制全桥逆变开关保持关断状态，控制旁路旁路开关根据单极性调制下的全桥逆变开关的高频切换进行高频互补切换。

具体地，当参考电压v_ref>0时，控制功率开关S₅和S₆高频切换，功率开关S₁、S₂、S₃和S₄保持关断状态，功率开关S₅和S₆的占空比与同相位状态下单极性调制时的功率开关S₁和S₄的占空比互补；当参考电压v_ref<0时，控制功率开关S₅和S₆高频切换，功率开关S₁、S₂、S₃和S₄保持关断状态，功率开关S₅和S₆的占空比与同相位状态下单极性调制时的功率开关S₂和S₃的占空比互补。需要说明的是，本发明实施例中，交流旁路开关动作调制对应的区间存在于电压过零点区间和电流过零点区间之间无交集的情况下。

本发明实施例中，通过切换单极性调制、高频插死区调制和交流旁路开关动作调制方法，以满足无变压器型单相逆变器高转换效率、高电能质量以及无功功率可调的要求，为并网友好型、电网支撑型光伏发电技术奠定了基础。

基于上述任一实施例，一种无变压器的单相逆变器的调制方法，电压过零点区间的确定方法如下：

首先，对单相逆变器进行建模，得到等效电路，等效电路的电压方程为：

其中，v_L(t)为电感电压瞬时值，L为滤波电感，v_AB(t)为输出电压瞬时值，并网电压v_g(t)＝V_msin(ωt)，并网电流i_g(t)＝I_msin(ωt-α)，V_m为并网电压峰值，I_m为并网电流峰值，α为并网功率因数角。其中，输出电压瞬时值：

v_AB(t)＝V_msin(ωt)+LωI_mcos(ωt-α)；

稳态情况下，LωI_mcos(ωt-α)可以忽略不计，因而v_AB(t)＝V_msin(ωt)。

又由于v_AB＝dU_dc，其中d为功率开关占空比，U_dc为输入电压。

由上可知，功率开关占空比d如下式所示：

当功率开关占空比d小于最小窄脉冲d_lim限制，功率开关不能正常开通，在电压过零点区间将会产生电流过零点畸变，电压过零点区间可表示为：

[-θ_lim，θ_lim]∪[π-θ_lim，π+θ_lim]；

式中，θ_lim为电压过零点界值，

电流过零点畸变区域通常是由于信号噪声和采样误差引起的。因此，定义电流幅值在额定电流的±0.1倍的区域为电流过零点区间，该电流过零点区间可表示为：

[α-θ_ina，α+θ_ina]∪[π+α-θ_ina，π-α+θ_ina]；

式中，θ_ina为电流过零点界值，

其中，i_erms为额定电流的有效值，i_grms为并网电流的有效值。

当单相逆变器的相位不处于上述电压过零点区间和/或电流过零点区间，且单相逆变器的瞬时功率为负时，即单相逆变器的相位处于如下区间，对单相逆变器进行交流旁路开关动作调制：

[θ_lim，α-θ_ina]∪[π+θ_lim，π+α-θ_ina]；

式中，θ_lim为电压过零点界值，θ_ina为电流过零点界值，α为单相逆变器的并网功率因数角。仅当α＞θ_lim+θ_ina，即电压过零点区间和电流过零点区间之间无交集时，电压过零点区间和电流过零点区间之间存在瞬时功率为负的区间。若α≤θ_lim+θ_ina，则电压过零点区间和电流过零点区间之间不存在瞬时功率为负的区间。

当单相逆变器的相位不处于上述电压过零点区间和/或电流过零点区间，且单相逆变器的瞬时功率为正时，即单相逆变器的相位处于[α+θ_ina，π-θ_lim]∪[π+α+θ_ina，2π-θ_lim]，对单相逆变器进行单极性调制。

本发明实施例提出了电压过零点区间、电流过零点区间的表示方式，为调制方法的切换提供了具体的操作时间。

基于上述任一实施例，一种无变压器的单相逆变器的调制方法，若单相逆变器的相位处于电压过零点区间和/或电流过零点区间，则对单相逆变器进行高频插死区调制，包括：若单相逆变器的相位处于电压过零点区间或电流过零点区间，根据单相逆变器中任一功率开关的占空比确定任一功率开关的死区值和补偿占空比；根据单相逆变器中每一功率开关的死区值和补偿占空比，对单相逆变器进行高频插死区调制。

具体地，单相逆变器的相位处于电压过零点区间和/或电流过零点区间时对应的调制方法，高频插死区调制，不仅可以通过插入死区实现精确的死区补充，还可以基于最小窄脉宽限制进行补偿，即在所有功率开关都关断的状态下，电流寻找二极管回路产生的反压进行补偿。

根据下式确定任一功率开关的死区值：

根据下式确定任一功率开关的补偿占空比：

D＝d+3ε；

式中，ε为功率开关的死区值，ε₀为功率开关所需的开关切换区间，d为功率开关的占空比，d_lim为功率开关的最小窄脉冲宽度，d_plu为最小窄脉冲限制的补偿脉宽，D为功率开关的补偿占空比。

图4为本发明实施例的电压过零点区间和电流过零点区间中最小窄脉冲和死区补偿方法示意图，如图4所示，为了平衡死区的影响，在一个开关周期内，功率开关的开通和关断时间处各插入一个死区，死区补偿方式如下：

当d＞d_lim，死区值ε＝ε₀，如图4(a)所示，死区补偿下的逆变器输出电压瞬时值为：

当d≤d_lim，死区值ε＝d_plu/2，如图4(b)所示，死区补偿下的逆变器输出电压瞬时值为：

需要说明的是，以上各式中，d_plu＞d_lim。

为了更好地理解与应用本发明提出的一种无变压器的单相逆变器的调制方法，本发明进行以下示例，且本发明不仅局限于以下示例。

图5为本发明实施例的不同调制区域中开关动作和电流流通路径示意图，如图5所示，区域1：单相逆变器的相位ωt∈[θ_lim，α-θ_ina]时，，对单相逆变器进行交流旁路开关动作调制。功率开关S₁、S₂、S₃、S₄为关断状态，功率开关S5、S6高频动作。功率开关S₅、S₆开通时，v_AB＝0；功率开关S₅、S₆关断时，v_AB＝U_dc，瞬时功率为负，电流流通路径分别如图5(a)、5(b)所示。

区域2：单相逆变器的相位ωt∈[α-θ_ina，α+θ_ina]时，即相位处于电流过零点区间时，对单相逆变器进行高频插死区调制。高频开关S₁、S₄和S₅、S₆高频互补切换动作，并且在切换过程中需要插入死区，防止桥臂开关短路。S₁、S₄开通时，v_AB＝U_dc，S₅、S₆开通时v_AB＝0，电流流通方向有正反两种情况，电流流通路径分别如图5(c)、5(d)(瞬时功率为负)和5(e)、5(f)(瞬时功率为正)所示。

区域3：单相逆变器的相位ωt∈[α+θ_ina，π-θ_lim]时，对单相逆变器进行单极性调制。功率开关S₆为导通状态，S₂、S₃、S₅为关断状态，S₁、S₄高频动作，S₁、S₄开通时v_AB＝U_dc，S₁、S₄关断时v_AB＝0，瞬时功率为正，电流流通路径如图5(g)、5(h)所示。

区域4：单相逆变器的相位ωt∈[π-θ_lim，π+θ_lim]时，即相位处于电压过零点区间时，对单相逆变器进行高频插死区调制。此时存在两种情况：1)当v_ref＞0时，功率开关S₁、S₄和S5、S6高频互补切换动作，与区域2类似；2)当v_ref＜0时，功率开关S2、S3和S₅、S₆高频互补切换动作，S₂、S₃开通时v_AB＝-U_dc，S₂、S₃关断时v_AB＝0，电流流通路径如图5(i)、5(j)所示。此外，在切换过程中需要插入死区，防止桥臂短路。

区域5：单相逆变器的相位ωt∈[π+θ_lim，π+α-θ_ina]时，对单相逆变器进行交流旁路开关动作调制。区域5与区域1开关动作相同，但电流流通方向相反，此时瞬时功率为负，功率开关S₅、S₆关断时v_AB＝-U_dc。

区域6：单相逆变器的相位ωt∈[π+α-θ_ina，π+α+θ_ina]时，即相位处于电流过零点区间时，对单相逆变器进行高频插死区调制。此时v_ref＜0，功率开关S₂、S₃和S₅、S₆高频互补切换动作，S₂、S₃开通时v_AB＝-U_dc，S₅、S₆开通时v_AB＝0，电流流通方向有正反两种情况，电流流通回路分别如图5(i)、5(j)和5(m)、5(n)所示。

区域7：单相逆变器的相位ωt∈[π+α+θ_ina，2π-θ_lim]时，对单相逆变器进行单极性调制。此时v_ref＜0，功率开关S₅为导通状态，S₆为关断状态，S₂、S₃高频动作，S₂、S₃导通时v_AB＝-U_dc，S₂、S₃关断时v_AB＝0，电流流通回路如图5(o)、5(p)所示。

区域8：单相逆变器的相位ωt∈[2π-θ_lim，2π]∪[0，θ_lim]时，即相位处于电压过零点区间时，对单相逆变器进行高频插死区调制。开关动作情况类似于区域4，但电流方向不同，电流流通回路如图5(m)、5(n)和图5(c)、5(d)所示。

基于上述任一方法实施例，图6为本发明实施例的一种无变压器的单相逆变器的调制装置的结构示意图，如图6所示，一种无变压器的单相逆变器的调制装置，包括：

高频插死区调制单元601，用于若单相逆变器的相位处于电压过零点区间和/或电流过零点区间，则对单相逆变器进行高频插死区调制；

交流旁路开关动作调制单元602，用于若单相逆变器的相位不处于电压过零点区间和电流过零点区间且单相逆变器的瞬时功率为负，则对单相逆变器进行交流旁路开关动作调制；

单极性调制单元603，用于若单相逆变器的相位不处于电压过零点区间和电流过零点区间且单相逆变器的瞬时功率为正，则对单相逆变器进行单极性调制。

需要说明的是，上述高频插死区调制单元601、交流旁路开关动作调制单元602和单极性调制单元602配合以执行上述实施例中的一种无变压器的单相逆变器的调制方法，该系统的具体功能参见上述的无变压器的单相逆变器的调制方法的实施例，此处不再赘述。

本发明实施例中，通过切换单极性调制、高频插死区调制和交流旁路开关动作调制方法，以满足无变压器型单相逆变器高转换效率、高电能质量以及无功功率可调的要求，为并网友好型、电网支撑型光伏发电技术奠定了基础。

基于上述任一实施例，一种无变压器的单相逆变器的调制装置，电压过零点区间为：

[-θ_lim，θ_lim]∪[π-θ_lim，π+θ_lim]；

式中，θ_lim为电压过零点界值，

d_lim为单相逆变器中功率开关的最小窄脉冲宽度，U_dc为单相逆变器的直流母线电压，V_m为单相逆变器的并网电压峰值。

基于上述任一实施例，一种无变压器的单相逆变器的调制装置，电流过零点区间为：

[α-θ_ina，α+θ_ina]∪[π+α-θ_ina，π-α+θ_ina]；

式中，θ_ina为电流过零点界值，

α为单相逆变器的并网功率因数角，i_erms为单相逆变器的额定电流的有效值，i_grms为单相逆变器的并网电流的有效值。

基于上述任一实施例，一种无变压器的单相逆变器的调制装置，交流旁路开关动作调制对应的区间为：

[θ_lim，α-θ_ina]∪[π+θ_lim，π+α-θ_ina]；

式中，θ_lim为电压过零点界值，θ_ina为电流过零点界值，α为单相逆变器的并网功率因数角，α＞θ_lim+θ_ina。

基于上述任一实施例，一种无变压器的单相逆变器的调制装置，高频插死区调制单元701具体包括：

补偿子单元，用于若单相逆变器的相位处于电压过零点区间或电流过零点区间，根据单相逆变器中任一功率开关的占空比确定任一功率开关的死区值和补偿占空比；

调制子单元，用于根据单相逆变器中每一功率开关的死区值和补偿占空比，对单相逆变器进行高频插死区调制。

基于上述任一实施例，一种无变压器的单相逆变器的调制装置，补偿子单元用于：

根据下式确定任一功率开关的死区值：

根据下式确定任一功率开关的补偿占空比：

D＝d+3ε；

式中，ε为功率开关的死区值，ε₀为功率开关所需的开关切换区间，d为功率开关的占空比，d_lim为功率开关的最小窄脉冲宽度，d_plu为最小窄脉冲限制的补偿脉宽，D为功率开关的补偿占空比。

图7为本发明实施例的一种无变压器的单相逆变器的调制设备的结构示意图，如图7所示，该设备包括：处理器(processor)701、通信接口(Communications Interface)702、存储器(memory)703和总线704，其中，处理器701，通信接口702，存储器703通过总线704完成相互间的通信。处理器701可以调用存储器703中的逻辑指令，以执行如下方法：若单相逆变器的相位处于电压过零点区间和/或电流过零点区间，则对单相逆变器进行高频插死区调制；否则，若单相逆变器的瞬时功率为正，则对单相逆变器进行单极性调制，若单相逆变器的瞬时功率为负，则对单相逆变器进行交流旁路开关动作调制。

本发明实施例公开一种计算机程序产品，计算机程序产品包括存储在非暂态计算机可读存储介质上的计算机程序，计算机程序包括程序指令，当程序指令被计算机执行时，计算机能够执行上述各方法实施例所提供的方法，例如包括：若单相逆变器的相位处于电压过零点区间和/或电流过零点区间，则对单相逆变器进行高频插死区调制；否则，若单相逆变器的瞬时功率为正，则对单相逆变器进行单极性调制，若单相逆变器的瞬时功率为负，则对单相逆变器进行交流旁路开关动作调制。

本实施例提供一种非暂态计算机可读存储介质，非暂态计算机可读存储介质存储计算机指令，计算机指令使计算机执行上述各方法实施例所提供的方法，例如包括：若单相逆变器的相位处于电压过零点区间和/或电流过零点区间，则对单相逆变器进行高频插死区调制；否则，若单相逆变器的瞬时功率为正，则对单相逆变器进行单极性调制，若单相逆变器的瞬时功率为负，则对单相逆变器进行交流旁路开关动作调制。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所描述的通信设备等实施例仅仅是示意性的，其中作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分的方法。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的实施例的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明的实施例进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明的实施例各实施例技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种无变压器的单相逆变器的调制方法，其特征在于，包括：

若所述单相逆变器的相位处于电压过零点区间和/或电流过零点区间，则对所述单相逆变器进行高频插死区调制；

否则，若所述单相逆变器的瞬时功率为正，则对所述单相逆变器进行单极性调制，若所述单相逆变器的瞬时功率为负，则对所述单相逆变器进行交流旁路开关动作调制；

所述若所述单相逆变器的相位处于电压过零点区间和/或电流过零点区间，则对所述单相逆变器进行高频插死区调制，包括：

若所述单相逆变器的相位处于电压过零点区间或电流过零点区间，根据所述单相逆变器中任一功率开关的占空比确定所述任一功率开关的死区值和补偿占空比；

根据所述单相逆变器中每一功率开关的死区值和补偿占空比，对所述单相逆变器进行高频插死区调制。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电压过零点区间为：

[-θ_lim，θ_lim]∪[π-θ_lim，π+θ_lim]；

式中，θ_lim为电压过零点界值，

d_lim为所述单相逆变器中功率开关的最小窄脉冲宽度，U_dc为所述单相逆变器的直流母线电压，V_m为所述单相逆变器的并网电压峰值。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电流过零点区间为：

[α-θ_ina，α+θ_ina]∪[π+α-θ_ina，π-α+θ_ina]；

式中，θ_ina为电流过零点界值，

α为所述单相逆变器的并网功率因数角，i_erms为所述单相逆变器的额定电流的有效值，i_grms为所述单相逆变器的并网电流的有效值。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述交流旁路开关动作调制对应的区间为：

[θ_lim，α-θ_ina]∪[π+θ_lim，π+α-θ_ina]；

式中，θ_lim为电压过零点界值，θ_ina为电流过零点界值，α为所述单相逆变器的并网功率因数角，α＞θ_lim+θ_ina。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述单相逆变器中任一功率开关的占空比确定所述任一功率开关的死区值和补偿占空比，包括：

根据下式确定任一功率开关的死区值：

根据下式确定任一功率开关的补偿占空比：

D＝d+3ε；

式中，ε为所述功率开关的死区值，ε₀为所述功率开关所需的开关切换区间，d为所述功率开关的占空比，d_lim为所述功率开关的最小窄脉冲宽度，d_plu为最小窄脉冲限制的补偿脉宽，D为功率开关的补偿占空比。

6.一种无变压器的单相逆变器的调制装置，其特征在于，包括：

高频插死区调制单元，用于若所述单相逆变器的相位处于电压过零点区间和/或电流过零点区间，则对所述单相逆变器进行高频插死区调制；

单极性调制单元，用于若所述单相逆变器的相位不处于电压过零点区间和电流过零点区间且所述单相逆变器的瞬时功率为正，则对所述单相逆变器进行单极性调制；

交流旁路开关动作调制单元，用于若所述单相逆变器的相位不处于所述电压过零点区间和电流过零点区间且所述单相逆变器的瞬时功率为负，则对所述单相逆变器进行交流旁路开关动作调制；

所述高频插死区调制单元，包括：

补偿子单元，用于若所述单相逆变器的相位处于电压过零点区间或电流过零点区间，根据所述单相逆变器中任一功率开关的占空比确定所述任一功率开关的死区值和补偿占空比；

调制子单元，用于根据所述单相逆变器中每一功率开关的死区值和补偿占空比，对所述单相逆变器进行高频插死区调制。

7.一种无变压器的单相逆变器的调制设备，其特征在于，包括处理器、通信接口、存储器和总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过总线完成相互间的通信，处理器可以调用存储器中的逻辑指令，以执行如权利要求1至5任一所述的无变压器的单相逆变器的调制方法。

8.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至5任一所述的无变压器的单相逆变器的调制方法。