CN108445570B - 一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器 - Google Patents

一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，包括：由下至上依次层叠设置的平面衬底、超薄下金属反射镜、金属纳米阵列嵌入式法布里‑珀罗复合光学腔、以及超薄上金属反射镜；所述金属纳米阵列嵌入式法布里‑珀罗复合光学腔的折射率大于所述平面衬底的折射率；所述金属纳米阵列嵌入式法布里‑珀罗复合光学腔包括法布里‑珀罗光学腔，以及嵌入腔中的金属纳米阵列；所述中的金属纳米阵列中的单颗粒呈周期性阵列排布。本发明提出一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，解决了当前表面等离极化激元波长选择器件不易集成、单一波长选择性的问题。

Description

一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器
技术领域
本发明涉及光学技术领域，尤其涉及一种纳米尺度的基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器。
背景技术
当金属表面结构呈曲面直径小于亚波长的纳米球体、柱体等结构时，表面等离极化激元(Surface plasmonpolariton,SPP)不能以电磁波的形式在金属与介质界面传输，而只能被局域在这些金属结构附近，形成局域化的SPP，称之为LSP(Localized surfaceplasmon，LSP)。由于金属纳米结构的表面曲率半径比一定粗糙度的金属平面小得多，因此LSP可极大地增强金属纳米结构近场区域的电磁场。近年来，利用表面等离极化激元能量高度局域化、可突破光学衍射极限的特征，研究人员开发出诸多纳米光子学器件，如表面等离极化激元波长选择器、波导及滤波器等纳米光子学器件，实现了在纳米尺度范围内对光子的进一步操控。
然而，当前制备的表面等离极化激元波长选择器，其尺寸较大不易集成，而且仅具备针对单一特定波长的选择特性，严重制约了波长选择器的广泛应用。如申请号为201310076320.0的中国专利公开了一种表面等离激元波长选择器结构,该结构只在单一的特定波长下其反射光强度趋于零，也就是说，所利用的表面等离极化激元仅针对单个波长具有选择特性。因此，若能基于新原理和新方法开发出具有多波长选择特性的表面等离极化激元波长选择器，将极大地拓展传统表面等离极化激元波长选择器的实际应用范围，尤其是可将其与硅基光电探测器集成，使探测器获得更多波段的信息以更有效地识辨目标，进一步提高光电探测的可靠性与准确性。
发明内容
本发明为了克服上述技术和原理存在的不足，提出一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，旨在解决当前表面等离极化激元波长选择器件不易集成、单一波长选择性的问题。
为了解决上述的技术问题，本发明提供了一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，包括：由下至上依次层叠设置的平面衬底、超薄下金属反射镜、金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔、以及超薄上金属反射镜；
所述金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔的折射率大于所述平面衬底的折射率；
所述金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔包括法布里-珀罗光学腔，以及嵌入腔中的金属纳米阵列；所述中的金属纳米阵列中的单颗粒呈周期性阵列排布；
在一较佳实施例中：所述超薄上金属反射镜和超薄下金属反射镜的厚度为 5nm。
在一较佳实施例中：所述金属纳米阵列的单颗粒的截面形状为圆形或多边形结构。
在一较佳实施例中：所述法布里-珀罗光学腔中的金属纳米阵列的材料由金、银、铝、铑中的一种构成，或者由两种构成核壳结构。
在一较佳实施例中：所述法布里-珀罗光学腔的厚度满足所述金属纳米阵列完全嵌入其中。
在一较佳实施例中：所述超薄上金属反射镜、超薄下金属反射镜的材质为金、银、铝、铑中的一种。
本发明还提供了上述的波长选择器的制作方法，包括如下步骤：
(1)运用真空电子束蒸发技术，在二氧化硅平面衬底上通过高能电子束轰击铝靶源，形成5nm厚的金属铝层，所述金属铝层构成超薄下金属反射镜；
(2)运用磁控溅射方法，在超薄下金属反射镜上沉积厚度约为50nm的二氧化钛介质层，二氧化钛介质层的折射率为2.5；
(3)将上述结构粘附于倾角小于30°的绝缘体楔形台上，而后置放于真空度高达10-5Torr的室温反应室内，在二氧化钛介质层上沉积形成半径30nm 的金属纳米阵列，其中单颗粒为金属铝纳米颗粒；
(4)再在二氧化钛介质层上继续沉积50nm厚的二氧化钛介质层，覆盖所制备的金属纳米阵列，使得金属纳米阵列嵌入二氧化钛介质层之中，与二氧化钛介质层构成金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔；
(5)在(4)的基础上沉积5nm厚的金属铝层，形成超薄上金属反射镜，制成完整的波长选择器结构。
相较于现有技术，本发明的技术方案具备以下有益效果：
本发明所述的一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，通过调控金属纳米阵列结构的种类和形状，使其与频率匹配的入射光子相互作用后产生局域表面等离子体集体振荡；通过将局域表面等离极化激元共振和金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔中光波导的有效结合，当调控金属纳米阵列结构的LSP共振频率与波导模式的一致时，二者发生强耦合并在共振频率附近发生模式分裂，从而使得该共振频率附近形成透射显著增强的多个波长。具有如下优点：
(1)通过将较高折射率金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔中金属纳米阵列的LSP共振与法布里-珀罗复合光学腔的光波导模式频率匹配，形成耦合，出现了透射增强的多个波长；
(2)当外界光从金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔上方入射到器件时，在特定波长下，金属纳米阵列激发的LSP与法布里-珀罗复合光学腔的光波导模进行强耦合，使其在LSP共振频率附近发生模式分裂，有效地实现了对多波长选择的特性。
(3)器件制备简单，易于集成，尤其适用于与硅基探测器的一体集成，通过波长高度选择的特性实现对探测目标更丰富、全面的信息获取。
附图说明
图1为本发明提供的一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器结构示意图。
图2为本发明提供的一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，在厚度为100nm的F-P腔中引入金属纳米阵列前后的模拟透射谱图。
其中，1—超薄上金属反射镜，2—法布里-珀罗复合光学腔，3—超薄下金属反射镜，4—平面衬底，5—金属纳米阵列。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明作进一步说明。
参考图1，一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，由下至上依次层叠设置的平面衬底4、超薄下金属反射镜3、金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔2、以及超薄上金属反射镜1；
所述金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔2的折射率大于所述平面衬底4的折射率；
所述金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔2包括法布里-珀罗光学腔，以及嵌入腔中的金属纳米阵列5；所述中的金属纳米阵列5中的单颗粒呈周期性阵列排布；
本实施例中，所述超薄上金属反射镜1和超薄下金属反射镜3的厚度为 5nm。所述金属纳米阵列的单颗粒的截面形状为圆形或多边形结构。所述法布里-珀罗光学腔的核壳材料由金、银、铝、铑中的一种或者两种构成。所述法布里-珀罗光学腔的厚度满足所述金属纳米阵列5完全嵌入其中。所述超薄上金属反射镜1、超薄下金属反射镜3的材质为金、银、铝、铑中的一种。
本发明还提供了上述的波长选择器的制作方法，包括如下步骤：
(1)运用真空电子束蒸发技术，在二氧化硅平面衬底上通过高能电子束轰击铝靶源，形成5nm厚的金属铝层，所述金属铝层构成超薄下金属反射镜3；
(2)运用磁控溅射方法，在超薄下金属反射镜3上沉积厚度约为50nm的二氧化钛介质层，二氧化钛介质层的折射率为2.5；
(3)考虑到金属铝活性较强、表面易形成自然氧化层，无法通过热退火工艺实现金属铝纳米颗粒的附着，因此运用所提出的倾斜沉积法，将上述结构粘附于倾角小于30°的绝缘体楔形台上，而后置放于真空度高达10-5Torr的室温反应室内，在二氧化钛介质层上沉积形成半径30nm的金属纳米阵列5，其中单颗粒为金属铝纳米颗粒；
(4)再在二氧化钛介质层上继续沉积50nm厚的二氧化钛介质层，覆盖所制备的金属纳米阵列5，使得金属纳米阵列5嵌入二氧化钛介质层之中，与二氧化钛介质层构成金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔2；
(5)在(4)的基础上沉积5nm厚的金属铝层，形成超薄上金属反射镜，制成完整的波长选择器结构。
图2为本发明的波长选择器利用FDTD Solution软件构建与实际结构一致所获得的透射谱图，其中金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔2的厚度为100nm；
(a)图为法布里-珀罗光学腔未与金属纳米阵列5镶嵌形成复合光学腔的透射谱，从图中可知，此时出现两个增强的透射峰，分别位于260nm和520nm 附近。当金属纳米阵列5与原有法布里-珀罗腔形成复合结构之后，如(b)图所示，在原先出现透射峰值的520nm波长左右发生了模式劈裂，即520nm附近的透射峰值分裂为两个模式的透射峰，该结构可同时实现对波长为226nm、 357nm、1048nm的多个波长的选择。若将此结构与硅基探测器一体集成，则可同时进行针对紫外波段和红外波段的双波段、多波长探测，解决当前表面等离极化激元波长选择器件不易集成、单一波长选择性的技术限制
以上所述，仅为本发明较佳实施例而已，故不能依此限定本发明实施的范围，即依本发明专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应仍属本发明涵盖的范围内。

Claims (7)

1.一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，其特征在于包括：由下至上依次层叠设置的平面衬底、超薄下金属反射镜、金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔、以及超薄上金属反射镜；
所述金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔的折射率大于所述平面衬底的折射率；
所述金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔包括法布里-珀罗光学腔，以及嵌入腔中的金属纳米阵列；所述中的金属纳米阵列中的单颗粒呈周期性阵列排布。
2.根据权利要求1所述的一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，其特征在于：所述超薄上金属反射镜和超薄下金属反射镜的厚度为5nm。
3.根据权利要求1所述的一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，其特征在于：所述金属纳米阵列的单颗粒的截面形状为圆形或多边形结构。
4.根据权利要求1所述的一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，其特征在于：所述法布里-珀罗光学腔中的金属纳米阵列的材料由金、银、铝、铑中的一种构成，或者由两种构成核壳结构。
5.根据权利要求1所述的一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，其特征在于：所述法布里-珀罗光学腔的厚度满足所述金属纳米阵列完全嵌入其中。
6.根据权利要求2所述的一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，其特征在于：所述超薄上金属反射镜、超薄下金属反射镜的材质为金、银、铝、铑中的一种。
7.一种权利要求1-6中任一项所述的波长选择器的制作方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)运用真空电子束蒸发技术，在二氧化硅平面衬底上通过高能电子束轰击铝靶源，形成5nm厚的金属铝层，所述金属铝层构成超薄下金属反射镜；
(2)运用磁控溅射方法，在超薄下金属反射镜上沉积厚度约为50nm的二氧化钛介质层，二氧化钛介质层的折射率为2.5；
(3)将步骤2得到的结构粘附于倾角小于30°的绝缘体楔形台上，而后置放于真空度高达10-5Torr的室温反应室内，在二氧化钛介质层上沉积形成半径30nm的金属纳米阵列，其中单颗粒为金属铝纳米颗粒；
(4)再在二氧化钛介质层上继续沉积50nm厚的二氧化钛介质层，覆盖所制备的金属纳米阵列，使得金属纳米阵列嵌入二氧化钛介质层之中，与二氧化钛介质层构成金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔；
(5)在(4)的基础上沉积5nm厚的金属铝层，形成超薄上金属反射镜，制成完整的波长选择器结构。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109524790B (zh) * 2018-11-06 2020-05-05 北京大学 一种基于f-p腔加载的人工表面等离激元辐射器及控制方法
CN111795947B (zh) * 2020-06-28 2022-09-09 武汉邮电科学研究院有限公司 具有共振腔的等离激元波导传感器及其使用和制备方法
DE102020125597A1 (de) 2020-09-30 2022-03-31 Universität zu Köln, Körperschaft des öffentlichen Rechts Interferenzfilter und Verwendung einer Stapelanordnung von Schichtstrukturen als Interferenzfilter
CN113744620A (zh) * 2021-09-06 2021-12-03 中国科学院微电子研究所 显色结构、显色结构的制备方法和防伪标识

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100397123C (zh) * 2005-12-07 2008-06-25 中国科学院半导体研究所 具有平顶响应的窄带热光可调谐法布里-珀罗滤波器
US8502972B2 (en) * 2007-12-31 2013-08-06 Fujirebio Inc. Clusters of microresonators for cavity mode optical sensing
PL2737348T3 (pl) * 2011-07-27 2018-03-30 Nokia Technologies Oy Urządzenie i powiązane sposoby dotyczące wykrywania sygnalizowania elektromagnetycznego
CN103185973B (zh) * 2013-03-11 2016-04-06 北京大学 一种表面等离激元波长选择器件
CN104851929A (zh) * 2015-04-02 2015-08-19 中国人民解放军国防科学技术大学 基于石墨烯表面等离激元的光电材料可调吸收增强层
US10755866B2 (en) * 2016-06-07 2020-08-25 The University Of Hong Kong Graphene-semiconductor based wavelength selective photodetector for sub-bandgap photo detection

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GR01 Patent grant
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