CN108431742A - 触控基板及其制造方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

触控基板及其制造方法、显示面板和显示装置 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种触控基板，其包括：衬底基板(BS)；位于衬底基板(BS)上在触控基板的黑矩阵区(BA)中的黑矩阵层(BML)；以及位于黑矩阵层(BML)的远离衬底基板(BS)的一侧在触控基板的触控电极区(TEA)中的触控电极层(TEL)。触控电极区(TEA)与黑矩阵区(BA)部分重叠，从而形成重叠区(OA)。触控电极层(TEL)包括至少部分位于重叠区(OA)中的多个触控电极块(TE)。至少部分位于重叠区(OA)中的触控电极块(TE)通过第一间隙(G1)与相邻的触控电极块(TE)分隔开。位于第一间隙(G1)的靠近衬底基板(BS)的一侧的区域的至少一部分中的黑矩阵层(BML)厚度相对于黑矩阵层(BML)的其余部分的厚度有所减小。

Description

触控基板及其制造方法、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及触控基板、具有该触控基板的显示面板和显示装置、以及该触控基板的制造方法。
背景技术
近年来，触控装置已广泛应用于许多电子设备，例如，移动电话、计算机显示面板、触摸屏、卫星导航设备、数码相机等。触控装置的示例包括互电容触控设备和自电容触控设备。在互电容触控设备中，触控电极可以是触控扫描电极(Tx)，而触控感应电极(Rx)可以设置在彩膜基板上。在自电容触控设备中，触控电极可单独实现触控功能。
当用户的手指在触控面板上执行触控功能时，静电荷积聚在触控面板上。当静电荷传输至触控电极时，可能影响触控功能。
发明内容
一方面，本发明提供了一种触控基板，包括：衬底基板；位于衬底基板上在触控基板的黑矩阵区中的黑矩阵层；以及位于黑矩阵层的远离衬底基板的一侧在触控基板的触控电极区中的触控电极层；触控电极区与黑矩阵区部分重叠，从而形成重叠区；触控电极层包括至少部分位于重叠区中的多个触控电极块；其中，至少部分位于重叠区中的触控电极块通过第一间隙与相邻的触控电极块分隔开；并且位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的黑矩阵层的厚度相对于黑矩阵层的其余部分的厚度有所减小。
可选地，所述至少一部分中的黑矩阵层的厚度为零，并且黑矩阵层包括位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的第二间隙。
可选地，黑矩阵层包括位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的凹槽。
可选地，黑矩阵层的厚度有所减小的至少一部分在衬底基板上的投影与第一间隙在衬底基板上的投影实质上重叠。
可选地，黑矩阵层包括位于重叠区中的多个黑矩阵块；黑矩阵块通过第二间隙与相邻的黑矩阵块分隔开；并且，至少部分位于重叠区中的触控电极块在衬底基板上的投影与对应的黑矩阵块在衬底基板上的投影实质上重叠。
可选地，在触控基板的平面图中，至少部分位于重叠区中的触控电极块的面积实质上等于或小于对应的黑矩阵块的面积。
可选地，至少部分位于重叠区中的多个触控电极块通过第一间隙彼此分隔开；位于重叠区中的多个黑矩阵块通过第二间隙彼此分隔开；并且，至少部分位于重叠区中的多个触控电极块中的每一个在衬底基板上的投影与位于重叠区中的多个黑矩阵块中的对应的黑矩阵块在衬底基板上的投影实质上重叠。
可选地，第二间隙在衬底基板上的投影与第一间隙在衬底基板上的投影实质上重叠。
可选地，在触控基板的平面图中，至少部分位于重叠区中的多个触控电极块中的每一个的面积实质上等于或小于位于重叠区中的多个黑矩阵块中的对应黑矩阵块的面积。
可选地，触控基板还包括辅助黑矩阵层，其位于黑矩阵层的厚度有所减小的至少一部分的远离衬底基板的一侧。
可选地，第一间隙具有第一间隙距离，第二间隙具有第二间隙距离；第一间隙距离实质上等于或大于第二间隙距离。
可选地，第一间隙距离和第二间隙距离在约20μm至约40μm的范围内。
可选地，至少部分位于重叠区中的触控电极块是触控感应电极块、触控扫描电极块和伪电极块中的一种。
另一方面，本发明提供了一种制造触控基板的方法，包括：在衬底基板上形成黑矩阵层，黑矩阵层限定触控基板的黑矩阵区；以及在黑矩阵层的远离衬底基板的一侧形成触控电极层；触控电极层限定触控基板的触控电极区；触控电极区与黑矩阵区部分重叠，从而形成重叠区；触控电极层形成为包括至少部分位于重叠区中的多个触控电极块；其中，至少部分位于重叠区中的触控电极块形成为通过第一间隙与相邻的触控电极块分隔开；并且位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的黑矩阵层形成为具有相对于黑矩阵层的其余部分的厚度有所减小的厚度。
可选地，所述有所减小的厚度为零，并且黑矩阵层形成为包括位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的第二间隙。
可选地，所述方法包括：在衬底基板上形成黑矩阵材料层；在黑矩阵材料层的远离衬底基板的一侧形成触控电极层；以及去除位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的黑矩阵材料，从而形成黑矩阵层。
可选地，形成黑矩阵层包括：在衬底基板上形成黑矩阵材料层；以及在黑矩阵材料层的一部分中减小黑矩阵材料层的厚度，从而形成厚度有所减小的部分；所述方法随后包括：在黑矩阵层的远离衬底基板的一侧形成触控电极层；其中第一间隙形成在厚度有所减小的部分的远离衬底基板的一侧。
可选地，所述方法包括：在衬底基板上形成黑矩阵材料层；以及对黑矩阵材料层进行构图以形成位于重叠区中的多个黑矩阵块，其中，黑矩阵块形成为通过第二间隙与相邻的黑矩阵块分隔开；并且，至少部分位于重叠区中的触控电极块在衬底基板上的投影与对应的黑矩阵块在衬底基板上的投影实质上重叠。
可选地，厚度有所减小的至少一部分在衬底基板上的投影与第一间隙在衬底基板上的投影实质上重叠。
可选地，至少部分位于重叠区中的多个触控电极块形成为通过第一间隙彼此分隔开；位于重叠区中的多个黑矩阵块形成为通过第二间隙彼此分隔开；并且，至少部分位于重叠区中的多个触控电极块中的每一个在衬底基板上的投影与位于重叠区中的多个黑矩阵块中的对应的黑矩阵块在衬底基板上的投影实质上重叠。
可选地，第二间隙在衬底基板上的投影与第一间隙在衬底基板上的投影实质上重叠。
可选地，在触控基板的平面图中，至少部分位于重叠区中的触控电极块中的面积实质上等于或小于对应的黑矩阵块的面积。
可选地，第一间隙形成为具有第一间隙距离，第二间隙形成为具有第二间隙距离；第一间隙距离实质上等于或大于第二间隙距离。
可选地，所述方法还包括在厚度有所减小的至少一部分的远离衬底基板的一侧形成辅助黑矩阵层，用于遮挡透过第二间隙的光线。
可选地，形成辅助黑矩阵层的步骤通过丝网印刷来执行。
另一方面，本发明提供了一种包括本文所述的或者通过本文所述的方法制造的触控基板的显示面板。
另一方面，本发明提供了一种包括本文所述的显示面板的显示装置。
附图说明
以下附图仅是根据所公开的各实施例的用于说明目的的示例，而不旨在限制本发明的范围。
图1A和图1B示出了在传统触控基板中的黑矩阵层中发生静电放电。
图2是示出根据本公开的一些实施例中的触控基板的一部分的结构的图。
图3是示出根据本公开的一些实施例中的一对重叠的黑矩阵块和触控电极块的结构的图。
图4是图2中的虚线包围的区域A的放大图。
图5A是沿着图4中的触控基板的A-A’方向的横截面图。
图5B是根据本公开的一些实施例中的触控基板的横截面图。
图6是示出根据本公开的一些实施例中的一对重叠的黑矩阵块和触控电极块的结构的图。
图7是示出根据本公开的一些实施例中的触控基板的一部分的结构的图。
图8是示出根据本公开的一些实施例中的触控基板的一部分的结构的图。
图9示出了根据本公开的一些实施例中的形成触控基板中的辅助黑矩阵层的处理。
具体实施方式
现在将参照以下实施例更加具体地描述本公开。需注意，以下对一些实施例的描述仅出于示意和描述的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽性的或者被限制为所公开的确切形式。
图1A和图1B示出了在传统触控基板中的黑矩阵层中发生静电放电。参见图1A，在传统触控基板的周边区中，触控电极层TEL设置在黑矩阵层BML上。触控电极层TEL包括以间隙G1分隔开的多个触控电极块TE，如图1A所示。其旨在通过将触控电极块分隔开来使相邻的触控电极块绝缘，因为黑矩阵层BML由绝缘材料制成并且设计为具有高电阻。例如，黑矩阵层BML通常由包括炭黑材料的材料制成。
在传统触控基板的制造工艺中，触控基板经过各种处理，其中一些处理在高温下执行。黑矩阵材料在高温处理过程中劣化，导致黑矩阵层具有较低的电阻。结果，黑矩阵层的至少一些部分变得容易发生静电放电(ESD)，如图1A所示。图1B示出了在周边区(例如，参见虚线区)中具有静电损伤的触控基板。触控基板的周边区中的静电损伤导致触控故障。
因此，本发明特别提供了一种触控基板、具有该触控基板的显示面板和显示装置、以及该触控基板的制造方法，其基本避免了由于相关技术的局限和缺点而导致的问题中的一个或多个。一方面，本公开提供了一种触控基板，其具有显示区、黑矩阵区和触控电极区。显示区与触控电极区重叠。触控电极区与黑矩阵区部分重叠。在一些实施例中，触控基板包括：位于触控基板的黑矩阵区中的黑矩阵层；以及位于触控基板的触控电极区中的触控电极层；触控电极区与黑矩阵区部分重叠，从而形成重叠区。触控电极层包括至少部分位于重叠区中的多个触控电极块。至少部分位于重叠区中的触控电极块通过第一间隙与相邻的触控电极块分隔开。位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的黑矩阵层的厚度相对于黑矩阵层的其余部分的厚度有所减小。在触控基板的平面图中，厚度减小的部分的投影与第一间隙的投影基本重叠。
可选地，减小后的厚度大于零，并且黑矩阵层的厚度减小的部分为凹槽。可选地，黑矩阵层包括位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的凹槽。
可选地，减小后的厚度为零，并且黑矩阵层的厚度减小的部分为间隙。可选地，黑矩阵层包括位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的第二间隙。
在一些实施例中，黑矩阵层包括位于重叠区中的多个黑矩阵块。黑矩阵块通过第二间隙与相邻的黑矩阵块分隔开。可选地，在触控基板的平面图中，至少部分位于重叠区中的触控电极块的投影与对应的黑矩阵块的投影基本重叠。
可选地，黑矩阵层包括位于重叠区(例如，完全位于重叠区)中的多个黑矩阵块，并且还包括位于重叠区之外的一个或多个黑矩阵块。可选地，位于重叠区之外的黑矩阵块是包围触控基板的周边的整体黑矩阵块。位于重叠区之外的所述一个或多个黑矩阵块与位于重叠区中的相邻黑矩阵块分隔开且电绝缘。
可选地，触控电极层包括至少部分位于重叠区中的多个触控电极块，并且还包括完全位于重叠区之外(例如，位于显示区中)的多个触控电极块。可选地，触控基板为自电容触控基板。可选地，触控基板为互电容触控基板。
如本文所用，术语“显示区”是指触控基板实际显示图像的区域。可选地，显示区可包括子像素区和子像素间区两者。子像素区是指子像素的发光区，诸如液晶显示器中与像素电极对应的区域或者有机发光显示器中与发光层对应的区域。子像素间区是指相邻的子像素区之间的区域，诸如液晶显示器中与黑矩阵对应的区域或者有机发光显示器中与像素限定层对应的区域。可选地，子像素间区是同一像素中相邻的子像素区之间的区域。可选地，子像素间区是来自两个相邻像素的两个相邻子像素区之间的区域。
如本文所用，术语“周边区”是指设置各种电路和导线以将信号传输至触控基板的区域。为了增加显示装置的透明度，可以将显示装置的不透明或者不透光的组件(例如，电池、印刷电路板、金属框)设置在周边区而不是显示区中。
如本文所用，术语“触控电极区”是指触控基板的包括触控电极层的区域，例如，触控电极区由触控电极层限定。可选地，触控电极层包括触控电极(例如，触控感应电极和触控扫描电极)和伪电极(dummy electrode)。可选地，触控电极区包括多个触控电极和多个伪电极。
如本文所用，术语“黑矩阵区”是指触控基板的包括周边的黑矩阵层的区域，例如，黑矩阵区由周边的黑矩阵层限定。可选地，黑矩阵区位于显示区之外。可选地，黑矩阵区与触控电极区部分重叠。
图2是示出根据本公开的一些实施例中的触控基板的一部分的结构的图。参见图2，实施例中的触控基板包括显示区DA和黑矩阵区BA。在图2中，黑矩阵区BA与具有黑矩阵层BML的区域基本具有同等范围。图2中的触控电极区TEA由触控电极层TEL限定。如图2所示，触控电极层TEL包括多行触控感应电极Rx、多列触控扫描电极Tx、以及多个伪电极D。如本文所用，在互电容触控基板中，触控电极广泛地指触控感应电极、触控扫描电极以及伪电极中的任何电极。此外，触控电极可以是自电容触控基板中的触控电极。
触控电极区TEA与黑矩阵区BA部分重叠，即，触控电极区TEA包括第一部分和第二部分。图2中的第一部分与显示区DA具有同等范围。第二部分是触控电极区TEA与黑矩阵区BA彼此重叠的重叠区OA。
在重叠区OA中，黑矩阵层BML包括多个黑矩阵块BM。另一方面，触控电极层TEL包括至少部分位于重叠区OA中的多个触控电极块TE。可选地，触控电极层TEL可以包括完全位于重叠区OA中的一个或多个触控电极块(例如，伪电极)。位于重叠区OA中的所述多个黑矩阵块BM中的每一个通过第二间隙G2(例如，参见图4和图5A)与相邻的黑矩阵块BM分隔开。可选地，位于重叠区OA中的所述多个黑矩阵块BM中的每一个的边界与相邻黑矩阵块BM的边界基本互补。至少部分位于重叠区OA中的所述多个触控电极块TE中的每一个通过第一间隙G1(例如，参见图4和图5A)与相邻的触控电极块TE分隔开且电绝缘。可选地，至少部分位于重叠区OA中的所述多个触控电极块TE中的每一个的边界与相邻触控电极块TE的边界基本互补。可选地，在触控基板的平面图中，至少部分位于重叠区OA中的所述多个触控电极块TE中的每一个的投影与重叠区OA中的所述多个黑矩阵块BM中的对应的黑矩阵块BM的投影基本重叠。
图3是示出根据本公开的一些实施例中的一对重叠的黑矩阵块和触控电极块的结构的图。参见图2和图3，至少部分位于重叠区OA中的触控电极块TE是触控感应电极Rx。至少部分位于重叠区OA中的触控电极块TE通过第一间隙G1(例如，参见图4和图5A)与相邻的触控电极块TE分隔开。在重叠区OA中，触控基板包括位于触控电极块TE的靠近衬底基板(未明确示出)的一侧的与至少部分位于重叠区OA中的触控电极块TE对应的黑矩阵块BM。在触控基板的平面图中，至少部分位于重叠区OA中的触控电极块TE的投影与重叠区OA中对应的黑矩阵块BM的投影基本重叠。
图4是图2中的虚线包围的区域A的放大图。图5A是沿着图4中的触控基板的A-A’方向的横截面图。参见图4和图5A，至少部分位于重叠区OA中的触控电极块TE通过第一间隙G1与相邻的触控电极块TE分隔开，对应的黑矩阵块BM通过第二间隙G2与相邻的黑矩阵块BM分隔开且电绝缘。在触控基板的平面图中，第二间隙G2的投影与第一间隙G1的投影基本重叠。
参见图4和图5A，第一间隙G1比第二间隙G2宽。第一间隙G1具有第一间隙距离并且第二间隙G2具有第二间隙距离。在图4和图5A中，第一间隙距离比第二间隙距离大。可选地，第一间隙距离与第二间隙距离基本相同。可选地，第一间隙距离和第二间隙距离在约20μm至约40μm的范围内，例如，在约20μm至约30μm的范围内，在约25μm至约35μm的范围内，以及在约30μm至约40μm的范围内。根据触控电极图案的设计，第一间隙距离可变化，并且第二间隙距离可与第一间隙距离对应地变化。可选地，在约20μm至约40μm范围内的第二间隙距离就足够了。
可选地，在触控基板的平面图中，至少部分位于重叠区中的多个触控电极块中的每一个的面积基本等于或小于重叠区中的多个黑矩阵块中的对应黑矩阵的面积。
图5B是根据本公开的一些实施例中的触控基板的横截面图。参见图5B，黑矩阵层BML的位于第一间隙G1的靠近衬底基板BS的一侧的部分的厚度相对于黑矩阵层BML的其余部分的厚度有所减小。减小后的厚度大于零，从而在黑矩阵层BML中形成凹槽。通过使黑矩阵层BML的位于第一间隙G1下方的部分的厚度减小，使该部分中的黑矩阵材料与触控电极块TE分隔开，防止了静电放电的发生。类似地，本公开中发现，不需要在黑矩阵层BML的所有与触控电极层中的第一间隙G1对应的部分中设有间隙或凹槽。只要在黑矩阵层BML的与触控电极层中的第一间隙G1对应的一些部分中形成凹槽或间隙，就可以有效防止或显著减小静电放电。
图6是示出根据本公开的一些实施例中的一对重叠的黑矩阵块和触控电极块的结构的图。图6中的触控电极块TE是伪电极。参见图6，在触控基板的平面图中，至少部分位于重叠区OA中的触控电极块TE在重叠区OA中的面积A1小于对应的黑矩阵块BM在重叠区OA中的面积A2。可选地，在触控基板的平面图中，至少部分位于重叠区OA中的触控电极块TE在重叠区OA中的面积A1基本等于对应的黑矩阵块BM在重叠区OA中的面积A2。
如图5A所示，因为第二间隙G2将相邻的黑矩阵块BM分隔开，所以在本触控基板中避免了由于位于触控电极块TE之间的第一间隙G1下方的黑矩阵层劣化而导致的静电放电问题。因为在第二间隙G2中没有黑矩阵层，所以光透过第二间隙G2，影响了图像显示。因此，在本公开的一些实施例中，触控基板还包括位于第二间隙G2的远离衬底基板BS的一侧的辅助黑矩阵层，用于遮挡透过第二间隙G2的光线。图7是示出根据本公开的一些实施例中的触控基板的一部分的结构的图。参见图7，辅助黑矩阵层ABML设置在第二间隙G2的远离衬底基板BS的一侧。通过辅助黑矩阵层ABML遮挡可透过第二间隙G2的光线。
触控基板可以是自电容触控基板。可选地，触控基板可以是互电容触控基板。可选地，触控电极层包括多行第一电极(例如，触控感应电极Rx)和多列第二电极(例如，触控扫描电极Tx)。可选地，触控电极层还包括多个伪电极。触控基板还可包括：导电桥层，其具有多个导电桥；以及绝缘层，其具有位于导电桥层的靠近触控电极层的一侧的多个绝缘块。可选地，每行第一电极包括沿着行方向彼此分隔开的多个第一电极块。沿着行方向相邻的两个第一电极块通过导电桥电连接。
图8是示出根据本公开的一些实施例中的触控基板的一部分的结构的图。参见图8，实施例中的触控基板包括：位于衬底基板BS上的黑矩阵层BML、位于黑矩阵层BML的远离衬底基板BS的一侧的导电桥层BL、位于导电桥层BL的远离黑矩阵层BML的一侧的第一覆盖层OC1、位于第一覆盖层OC1的远离导电桥层BL的一侧的触控电极层TEL、位于触控电极层TEL的远离第一覆盖层OC1的一侧的金属信号线层ML、以及位于金属信号线层ML的远离触控电极层TEL的一侧的第二覆盖层OC2。可选地，触控基板还包括位于第二覆盖层OC2的远离金属信号线层ML的一侧的辅助黑矩阵层ABML。
另一方面，本发明提供了一种制造触控基板的方法，所述触控基板具有显示区、黑矩阵区和触控电极区。显示区与触控电极区重叠。触控电极区与黑矩阵区部分重叠。在一些实施例中，触控基板包括：位于触控基板的黑矩阵区中的黑矩阵层；以及位于触控基板的触控电极区中的触控电极层；触控电极区与黑矩阵区部分重叠，从而形成重叠区。在一些实施例中，所述方法包括：在衬底基板上形成黑矩阵层，黑矩阵层限定触控基板的黑矩阵区；以及在黑矩阵层的远离衬底基板的一侧形成触控电极层，触控电极层限定触控基板的触控电极区，触控电极区与黑矩阵区部分重叠，从而形成重叠区。触控电极层形成为包括至少部分位于重叠区中的多个触控电极块。至少部分位于重叠区中的触控电极块形成为通过第一间隙与相邻的触控电极块分隔开。位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的黑矩阵层形成为具有相对于黑矩阵层的其余部分的厚度有所减小的厚度。可选地，在触控基板的平面图中，黑矩阵层的厚度减小的至少一部分的投影与第一间隙的投影基本重叠。
可选地，减小后的厚度大于零，并且黑矩阵层的厚度减小的部分为凹槽。可选地，黑矩阵层包括位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的凹槽。
可选地，减小后的厚度为零，并且黑矩阵层的厚度减小的部分为间隙。可选地，黑矩阵层包括第二间隙，其位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中。
可使用各种合适的方法来形成黑矩阵层中厚度减小的部分。在一些实施例中，具有第一间隙的触控电极层可用作用于形成黑矩阵层中厚度减小的部分的掩模板。在一些实施例中，所述方法包括：在衬底基板上形成黑矩阵材料层；在黑矩阵材料层的远离衬底基板的一侧形成触控电极层；以及去除位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的黑矩阵材料，从而形成黑矩阵层。在一个示例中，通过涉及光刻胶层的光刻和刻蚀步骤去除与第一间隙对应的区域中的触控电极材料，来形成触控电极层。一旦在触控电极层中形成第一间隙，则可通过刻蚀剂来刻蚀位于第一间隙下方的黑矩阵材料。
可以在形成触控电极层之前形成黑矩阵层中厚度减小的部分。在一些实施例中，所述方法包括：在衬底基板上形成黑矩阵材料层；以及对黑矩阵材料层进行构图以形成具有这样的一部分的黑矩阵层，该部分的厚度相对于黑矩阵层的其余部分的厚度有所减小。在一些实施例中，形成黑矩阵层的步骤包括：在衬底基板上形成黑矩阵材料层；以及在黑矩阵材料层的一部分中减小黑矩阵材料层的厚度，从而形成厚度减小的部分。厚度减小的区域对应于第一间隙的至少一部分。随后，所述方法还包括在黑矩阵层的远离衬底基板的一侧形成触控电极层。触控电极层形成为具有至少部分位于重叠区中的多个触控电极块，至少部分位于重叠区中的触控电极块形成为通过第一间隙与相邻的触控电极块分隔开。第一间隙形成在厚度减小的部分的远离衬底基板的一侧。
在一些实施例中，形成黑矩阵层的步骤包括形成位于重叠区中的多个黑矩阵块。黑矩阵块形成为通过第二间隙与相邻的黑矩阵块分隔开。在触控基板的平面图中，至少部分位于重叠区中的触控电极块的投影与对应的黑矩阵块的投影基本重叠。
在一些实施例中，形成黑矩阵层的步骤包括形成位于重叠区中的多个黑矩阵块。可选地，所述方法包括：在衬底基板上形成黑矩阵材料层；以及对黑矩阵材料层进行构图，以形成位于重叠区中的多个黑矩阵块。黑矩阵块形成为通过第二间隙与相邻的黑矩阵块分隔开。在触控基板的平面图中，至少部分位于重叠区中的触控电极块的投影与对应的黑矩阵块的投影基本重叠。可选地，在触控基板的平面图中，至少部分位于重叠区中的触控电极块的面积基本等于或小于黑矩阵块的面积。可选地，至少部分位于重叠区中的触控电极块的边界与相邻的触控电极块的边界基本互补。可选地，黑矩阵块的边界与相邻黑矩阵块的边界基本互补。可选地，在触控基板的平面图中，第二间隙的投影与第一间隙的投影基本重叠。
在一些实施例中，至少部分位于重叠区中的多个触控电极块形成为通过第一间隙彼此分隔开；位于重叠区中的多个黑矩阵块形成为通过第二间隙彼此分隔开；并且在触控基板的平面图中，至少部分位于重叠区中的多个触控电极块中的每一个的投影与位于重叠区中的多个黑矩阵块中的对应黑矩阵块的投影基本重叠。可选地，在触控基板的平面图中，第二间隙的投影与第一间隙的投影基本重叠。可选地，位于重叠区中的多个黑矩阵块中的每一个的边界与相邻黑矩阵块的边界基本互补。至少部分位于重叠区中的多个触控电极块中的每一个通过第二间隙与相邻的触控电极块分隔开且电绝缘。可选地，至少部分位于重叠区中的多个触控电极块中的每一个的边界与相邻的触控电极块的边界基本互补。可选地，在触控基板的平面图中，至少部分位于重叠区中的多个触控电极块中的每一个的面积基本等于或小于位于重叠区中的多个黑矩阵块中的对应黑矩阵块的面积。
在一些实施例中，第一间隙形成为具有第一间隙距离，第二间隙形成为具有第二间隙距离；第一间隙距离基本等于或大于第二间隙距离。可选地，第一间隙距离与第二间隙距离基本相同。可选地，第一间隙距离和第二间隙距离在约20μm至约40μm的范围内，例如，在约20μm至约30μm的范围内，在约25μm至约35μm的范围内，以及在约30μm至约40μm的范围内。
在一些实施例中，所述方法还包括在第二间隙的远离衬底基板的一侧的周边区中形成辅助黑矩阵层，用于遮挡透过第二间隙的光线。图9示出了根据本公开的一些实施例中的形成触控基板中的辅助黑矩阵层的处理。参见图9，通过丝网印刷来执行形成辅助黑矩阵层的步骤，在丝网印刷中，利用网版将黑矩阵墨印刷在触控基板上。可选地，黑矩阵墨包括炭黑材料。可使用各种替代方法(例如，通过光刻)来制作辅助黑矩阵层。
在一些实施例中，触控基板是自电容触控基板。在一些实施例中，触控基板是互电容触控基板。可选地，所述方法包括形成多行第一电极(例如，触控感应电极Rx)以及形成多列第二电极(例如，触控扫描电极Tx)。可选地，所述方法还包括形成多个伪电极。
在一些实施例中，所述方法还包括：形成具有多个导电桥的导电桥层；以及在导电桥层的靠近触控电极层的一侧形成具有多个绝缘块的绝缘层。所述多行第一电极和所述多列第二电极彼此交叉形成与所述多个绝缘块对应的交叉点；每个交叉点对应于绝缘块。可选地，每行第一电极形成为包括沿着行方向彼此分隔开的多个第一电极块。沿着行方向相邻的两个第一电极块通过导电桥电连接。
在一些实施例中，所述方法包括：在衬底基板上形成黑矩阵层；在黑矩阵层的远离衬底基板的一侧形成导电桥层；在导电桥层的远离黑矩阵层的一侧形成第一覆盖层；在第一覆盖层的远离导电桥层的一侧形成触控电极层；在触控电极层的远离第一覆盖层的一侧形成金属信号线层；以及在金属信号线层的远离触控电极层的一侧形成第二覆盖层。可选地，所述方法还包括在第二覆盖层的远离金属信号线层的一侧形成辅助黑矩阵层。
另一方面，本发明提供了一种具有本文所述的或者通过本文所述的方法制造的触控基板的显示面板。
另一方面，本发明提供了一种具有本文所述的显示面板的显示装置。合适的显示装置的示例包括但不限于电子纸、移动电话、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相册、GPS等。
已出于示意和描述目的呈现了对本发明实施例的上述描述。其并非旨在穷举或将本发明限制为所公开的确切形式或示例性实施例。因此，上述描述应当被认为是示意性的而非限制性的。显然，许多修改和变形对于本领域技术人员而言将是显而易见的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理和其最佳方式的实际应用，从而使本领域技术人员能够通过各种实施例及适用于特定用途或所构思的实施方式的各种变型来理解本发明。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同形式限定，其中除非另有说明，否则所有术语以其最宽的合理意义解释。因此，术语“发明”、“本发明”等不一定将权利范围限制为具体实施例，并且对本发明示例性实施例的参考不隐含对本发明的限制，并且不应推断出这种限制。本发明仅由随附权利要求的精神和范围限定。此外，这些权利要求可涉及使用跟随有名词或元素的“第一”、“第二”等术语。这种术语应当理解为一种命名方式而不应解释为对由这种命名方式修饰的元素的数量进行限制，除非已给出具体数量。所描述的任何优点和益处不一定适用于本发明的全部实施例。应当认识到的是，本领域技术人员在不脱离随附权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以对所描述的实施例进行变型。此外，本公开中没有元件和组件是意在贡献给公众的，无论该元件或组件是否明确地记载在随附权利要求中。

Claims (27)

1.一种触控基板，包括：
衬底基板；位于衬底基板上在触控基板的黑矩阵区中的黑矩阵层；以及位于黑矩阵层的远离衬底基板的一侧在触控基板的触控电极区中的触控电极层；触控电极区与黑矩阵区部分重叠，从而形成重叠区；触控电极层包括至少部分位于重叠区中的多个触控电极块；
其中，至少部分位于重叠区中的触控电极块通过第一间隙与相邻的触控电极块分隔开；并且
位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的黑矩阵层的厚度相对于黑矩阵层的其余部分的厚度有所减小。
2.根据权利要求1所述的触控基板，其中，所述至少一部分中的黑矩阵层的厚度为零，并且黑矩阵层包括位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的第二间隙。
3.根据权利要求1所述的触控基板，其中，黑矩阵层包括位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的凹槽。
4.根据权利要求1所述的触控基板，其中，黑矩阵层的厚度有所减小的至少一部分在衬底基板上的投影与第一间隙在衬底基板上的投影实质上重叠。
5.根据权利要求1所述的触控基板，其中，黑矩阵层包括位于重叠区中的多个黑矩阵块；
黑矩阵块通过第二间隙与相邻的黑矩阵块分隔开；并且
至少部分位于重叠区中的触控电极块在衬底基板上的投影与对应的黑矩阵块在衬底基板上的投影实质上重叠。
6.根据权利要求5所述的触控基板，其中，在触控基板的平面图中，至少部分位于重叠区中的触控电极块的面积实质上等于或小于对应的黑矩阵块的面积。
7.根据权利要求5所述的触控基板，其中，至少部分位于重叠区中的多个触控电极块通过第一间隙彼此分隔开；位于重叠区中的多个黑矩阵块通过第二间隙彼此分隔开；并且
至少部分位于重叠区中的多个触控电极块中的每一个在衬底基板上的投影与位于重叠区中的多个黑矩阵块中的对应的黑矩阵块在衬底基板上的投影实质上重叠。
8.根据权利要求7所述的触控基板，其中，第二间隙在衬底基板上的投影与第一间隙在衬底基板上的投影实质上重叠。
9.根据权利要求7所述的触控基板，其中，在触控基板的平面图中，至少部分位于重叠区中的多个触控电极块中的每一个的面积实质上等于或小于位于重叠区中的多个黑矩阵块中的对应黑矩阵块的面积。
10.根据权利要求1所述的触控基板，还包括辅助黑矩阵层，其位于黑矩阵层的厚度有所减小的至少一部分的远离衬底基板的一侧。
11.根据权利要求2所述的触控基板，其中，第一间隙具有第一间隙距离，第二间隙具有第二间隙距离；第一间隙距离实质上等于或大于第二间隙距离。
12.根据权利要求11所述的触控基板，其中，第一间隙距离和第二间隙距离在约20μm至约40μm的范围内。
13.根据权利要求1所述的触控基板，其中，至少部分位于重叠区中的触控电极块是触控感应电极块、触控扫描电极块和伪电极块中的一种。
14.一种显示面板，包括根据权利要求1至13中任一项所述的触控基板。
15.一种显示装置，包括根据权利要求14所述的显示面板。
16.一种制造触控基板的方法，包括：
在衬底基板上形成黑矩阵层，黑矩阵层限定触控基板的黑矩阵区；以及
在黑矩阵层的远离衬底基板的一侧形成触控电极层；触控电极层限定触控基板的触控电极区；触控电极区与黑矩阵区部分重叠，从而形成重叠区；触控电极层形成为包括至少部分位于重叠区中的多个触控电极块；
其中，至少部分位于重叠区中的触控电极块形成为通过第一间隙与相邻的触控电极块分隔开；并且
位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的黑矩阵层形成为具有相对于黑矩阵层的其余部分的厚度有所减小的厚度。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述有所减小的厚度为零，并且黑矩阵层形成为包括位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的第二间隙。
18.根据权利要求16所述的方法，包括：
在衬底基板上形成黑矩阵材料层；
在黑矩阵材料层的远离衬底基板的一侧形成触控电极层；以及
去除位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的黑矩阵材料，从而形成黑矩阵层。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，形成黑矩阵层包括：在衬底基板上形成黑矩阵材料层；以及在黑矩阵材料层的一部分中减小黑矩阵材料层的厚度，从而形成厚度有所减小的部分；
所述方法随后包括：
在黑矩阵层的远离衬底基板的一侧形成触控电极层；
其中第一间隙形成在厚度有所减小的部分的远离衬底基板的一侧。
20.根据权利要求16所述的方法，包括：
在衬底基板上形成黑矩阵材料层；以及
对黑矩阵材料层进行构图以形成位于重叠区中的多个黑矩阵块，
其中，黑矩阵块形成为通过第二间隙与相邻的黑矩阵块分隔开；并且
至少部分位于重叠区中的触控电极块在衬底基板上的投影与对应的黑矩阵块在衬底基板上的投影实质上重叠。
21.根据权利要求16所述的方法，其中，厚度有所减小的至少一部分在衬底基板上的投影与第一间隙在衬底基板上的投影实质上重叠。
22.根据权利要求20所述的方法，其中，
至少部分位于重叠区中的多个触控电极块形成为通过第一间隙彼此分隔开；位于重叠区中的多个黑矩阵块形成为通过第二间隙彼此分隔开；并且
至少部分位于重叠区中的多个触控电极块中的每一个在衬底基板上的投影与位于重叠区中的多个黑矩阵块中的对应的黑矩阵块在衬底基板上的投影实质上重叠。
23.根据权利要求17所述的方法，其中，第二间隙在衬底基板上的投影与第一间隙在衬底基板上的投影实质上重叠。
24.根据权利要求20所述的方法，其中，在触控基板的平面图中，至少部分位于重叠区中的触控电极块的面积实质上等于或小于对应的黑矩阵块的面积。
25.根据权利要求17所述的方法，其中，第一间隙形成为具有第一间隙距离，第二间隙形成为具有第二间隙距离；第一间隙距离实质上等于或大于第二间隙距离。
26.根据权利要求16所述的方法，还包括在厚度有所减小的至少一部分的远离衬底基板的一侧形成辅助黑矩阵层，用于遮挡透过第二间隙的光线。
27.根据权利要求26所述的方法，其中，形成辅助黑矩阵层的步骤通过丝网印刷来执行。
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