CN108417610A - 显示屏及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种显示屏及其制作方法、显示装置。一种显示屏,包括基板,所述基板的至少一个表面上设有高分子记忆层。当该基板在外力作用下产生形变,或者出现裂纹时,高分子记忆层可以自动恢复原来的形状,从而带动与其相连的基板恢复原来的形状,从而修复基板的形变及细微裂纹。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术,特别是涉及一种基板、显示屏及其制作方法、显示装置。
背景技术
显示屏是显示器内用于电致发光的器件。例如柔性显示屏,其发光原理一般是内置的OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)在TFT(Thin FilmTransistor,薄膜晶体管)阵列的驱动下发光显示。
传统的柔性显示屏,通常采用在基板上形成TFT层,并在TFT层上形成OLED层的技术方案达到正常发光显示的目的。
申请人在实现传统技术的过程中发现:传统的柔性显示屏,在外力作用下发生形变后,容易产生裂纹,可能会导致屏体的显示不良。
发明内容
基于此,有必要针对现有技术中存在的柔性显示屏在外力作用下发生形变后,容易产生裂纹,可能会导致屏体的显示不良问题,提供一种显示屏及其制作方法、显示装置。
一种显示屏,包括:基板,所述基板的至少一个表面设有高分子记忆层;TFT层,设于所述基板或所述高分子记忆层上;显示层,设于所述TFT层上;封装层,设于所述TFT层及所述显示层上,所述封装层与所述TFT层将所述显示层与外界隔离。
上述显示屏,其基板上设有高分子记忆层,并在该基板上设有TFT层、显示层及封装层。高分子记忆层在产生形变后会恢复原来的形状。当该基板在外力作用下产生形变甚至裂纹时,高分子记忆层会带动基板进行形状恢复,从而修复基板上的细微裂纹。因此,当该显示屏在外力作用下产生形变及裂纹时,高分子记忆层可以自动恢复原来的形状,从而带动与其相连的基板及设于基板上的TFT层、显示层恢复原来的形状。因此,该显示屏可以自动修正其形变及细微裂纹,提升显示质量。
进一步,所述的显示屏,所述高分子记忆层为降冰片烯、聚氨酯树脂、聚乳酸和聚亚氨酯中的一种或多种。
进一步,所述的显示屏,所述基板的其中一个表面设有所述高分子记忆层时,所述TFT层设于所述基板或所述高分子记忆层上;所述基板的两个表面均设有所述高分子记忆层时,所述TFT层设于所述高分子记忆层上。
一种显示装置,包括:如上所述的显示屏;盖板,设置在所述显示屏的封装层一侧,用于封闭保护所述显示屏。
上述显示装置,采用了上述可以自行修正形变、修复裂纹的显示屏,从而可以提高其对外力的抵抗能力,提升其显示质量。
在一个实施例中,所述的显示装置,所述盖板的至少一个表面上设有高分子记忆层。
上述显示装置,其盖板的至少一个表面也设有高分子记忆层,从而提升了盖板对外力的抵抗能力,提升了显示装置的质量。
一种显示屏的制作方法,包括如下步骤:在基板的至少一个表面上形成高分子记忆层;在所述基板表面或所述高分子记忆层上形成TFT层;在所述TFT层上形成显示层;在所述TFT层及所述显示层上形成封装层,以使所述封装层与所述TFT层将所述显示层与外界隔离。
上述显示屏的制作方法,在基板的至少一个表面上形成有高分子记忆层。当使用该方法制作的显示屏在外力作用下产生形变、甚至出现裂纹时,高分子记忆层可以自动恢复原来的形状,从而带动基板及设于基板上的TFT层、显示层等恢复原来的形状。由此,该显示屏的制作方法可以修复显示屏上的细微裂纹,从而提高屏体强度,提升显示屏的显示质量。
进一步,所述显示屏的制作方法,所述高分子记忆层的形成方法包括旋涂、溅射、喷涂和丝网印刷中的一种或多种。
进一步,所述显示屏的制作方法,所述在基板的至少一个表面上形成高分子记忆层步骤之后,所述在所述基板或所述高分子记忆层上形成TFT层步骤之前,还包括如下步骤:对所述高分子记忆层进行固化处理。
进一步,所述显示屏的制作方法,所述固化处理的方式包括UV固化、胶联剂固化、自然固化的一种或多种。
进一步,所述显示屏的制作方法,所述在所述TFT层及所述显示层上形成封装层的步骤具体包括:在所述TFT层及所述显示层上形成第一无机层,以使所述第一无机层与所述TFT层将所述显示层与外界隔离;在所述第一无机层外形成有机层,以使所述有机层与所述TFT层将所述第一无机层与所述外界隔离;在所述有机层外形成第二无机层,以使所述第二无机层与所述TFT层将所述有机层与所述外界隔离。
上述显示屏、显示装置及显示屏的制作方法中,使用设有高分子记忆层的基板为显示屏的衬底基板,该高分子记忆层在产生形变后可以恢复原来的形状。因此,当使用该基板的显示屏及显示装置产生形变及细微裂纹时,高分子记忆层会带动基板,从而带动显示屏、显示装置恢复原来的形状,进而可以修复显示屏上的细微裂纹,提高显示屏的显示质量。
附图说明
图1为本申请一个实施例中基板的结构示意图。
图2为本申请另一个实施例中基板的结构示意图。
图3为本申请又一个实施例中基板的结构示意图。
图4为本申请一个实施例中显示屏的结构示意图。
图5为本申请另一个实施例中显示屏的结构示意图。
图6为本申请又一个实施例中显示屏的结构示意图。
图7为本申请又一个实施例中显示屏的结构示意图。
图8为本申请一个实施例中显示屏制作方法的工艺流程图。
图9为本申请一个实施例中显示屏制作方法中形成封装层的工艺流程图。
其中,各附图标号所代表的含义分别是:
10、显示屏; 100、基板;
110、高分子记忆层; 120、TFT层;
130、显示层; 140、封装层;
142、第一无机层; 144、有机层;
146、第二无机层。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
传统的电子显示屏,在对显示屏进行切割开槽,或使用外力挤压显示屏时,显示屏可能在外力作用下形变甚至产生裂纹。该问题严重时可能会导致屏体显示不良,影响显示屏的显示质量。
针对上述显示屏在外力作用下可能会产生形变,甚至产生裂纹的情况,本申请提供一种用于显示屏的基板、显示屏及其制作方法,及使用该显示屏的显示装置。
一种基板,如图1、图2及图3所述,基板100的至少一个表面上设有高分子记忆层110。
具体的,基板100用于通过蒸镀或其他方式沉积显示电路及显示器件层,属于显示屏的衬底层。该基板100可以是柔性玻璃基板,也可以是普通的玻璃基板。
高分子记忆层110设于基板100的至少一个表面上。高分子记忆层110应当具有自动恢复原来形状的功能。
在图1中,高分子记忆层110设于基板100的上表面。在图2中,高分子记忆层110设于基板100的下表面。在图3中,基板100的上表面及下表面均设有高分子记忆层110。
上述基板100,在至少一个表面上设有高分子记忆层110。该高分子记忆层110具有自动恢复原来形状的功能。当该基板100在外力作用下产生形变,或者出现裂纹时,高分子记忆层110可以自动恢复原来的形状,从而带动与其相连的基板100恢复原来的形状,从而修复基板100的形变及细微裂纹。
需要注意的是,上述自动恢复原来的形状的高分子记忆层,并不仅仅指能够在自然条件下恢复原来形状的材料,也包括在一定外界条件下可以恢复原来形状的材料。例如一种高分子记忆层,当其温度上升为30℃时具备恢复原来的形状的功能,此时,该温度并不影响玻璃基板的正常使用,而在该温度下,即可实现修复基板形变及细微裂纹的功能。因此,是否需要外界条件才能具备恢复原来形状的材料,并不对本申请的高分子记忆层作出限定。
如图4所示,本申请还提供一种显示屏10,包括:基板100、TFT层120、显示层130、封装层140。
具体的,基板100用于通过气相沉积、溅镀或其他方式沉积TFT层120,为显示屏10的衬底层。基板100的至少一个表面上设有高分子记忆层110。高分子记忆层110具有自动恢复原来形状的功能。
TFT层120设于基板100或高分子记忆层110上,用于驱动显示层130发光。TFT层120的材料可以是非晶硅、单晶硅、锡氧化铟的一种或多种。当基板100的上下表面均设有高分子记忆层110时,TFT层120设于高分子记忆层110上。当基板100的下表面设有高分子记忆层110时,TFT层120设于基板100的上表面上。当基板100的上表面设有高分子记忆层110时,TFT层120设于高分子记忆层110上。
显示层130设于TFT层120上,受TFT层120驱动。当TFT层120驱动显示层130时,显示层130发光。
封装层140设于TFT层120及显示层130上,封装层140及TFT层120将显示层130与外界隔离,从而达到显示层130的封装效果。
更具体的,本实施例中的显示屏10,包括:基板100,基板100的至少一面上设有高分子记忆层110。在基板100上或高分子记忆层110上设有用于驱动显示层130的TFT层120,且显示层130设于TFT层120上。在TFT层120上及显示层130上,设有封装层140。封装层140将显示层130与外界隔离,以避免外界的空气或水分子进入显示层130,从而破坏显示层130的正常工作。
上述显示屏10,采用上述设有高分子记忆层110的基板100,并在该基板100上设有TFT层120、显示层130及封装层140。当该显示屏10在外力作用下产生形变及裂纹时,高分子记忆层110可以自动恢复原来的形状,从而带动与其相连的基板100及设于基板100上的TFT层120、显示层130恢复原来的形状。因此,该显示屏10可以自动修正其形变及细微裂纹,提升显示质量。
在一个实施例中,本申请的显示屏中的基板,其高分子记忆层的材料可以是降冰片烯、聚氨酯树脂、聚乳酸和聚亚氨酯中的一种或多种。
需要理解的是,本实施例中难以列举所有高分子记忆层的材料。因此,当某一材料在自然条件下、或在一定条件下能实现自动恢复原来形状的功能,即应理解为在本实施例的保护范围之中。
在一个实施例中,如图4所示,当基板100的上下表面均设有高分子记忆层110时,TFT层120设于高分子记忆层110上。如图5所示,当基板100的下表面设有高分子记忆层110时,TFT层120设于基板100的上表面上。如图6所示,当基板100的上表面设有高分子记忆层110时,TFT层120设于高分子记忆层110上。
在一个实施例中,上述显示屏,其显示层具体可以是OLED层。OLED层可以包括阳极金属层、有机层、阴极金属层。在该实施例中,阳极金属层设于TFT层上,有机层设于阳极金属层上,阴极金属层设于有机层上。当TFT层驱动OLED层时,阳极金属层与阴极金属层之间电子移动,产生电流,从而使有机层发光。封装层设于TFT层及OLED层上,以使OLED层与外界隔离。
上述显示屏,其显示层采用OLED作为发光显示器件。OLED层外还设有封装层,该封装层的设置可以使构成OLED层的有机层、阴极金属层不被空气中的水氧分子氧化,从而影响OLED层的正常工作,破坏显示屏的显示质量。
在一个实施例中,如图5所示,上述显示屏,包括基板100、设于基板100上表面及下表面的高分子记忆层110、设于基板100上表面的高分子记忆层110上的TFT层120、设于TFT层120上的显示层130、设于TFT层120及显示层130上的封装层。该封装层用于使显示层130与外界相隔离。
其中,封装层140包括:第一无机层142、有机层144、第二无机层146。
具体的,第一无机层142设于TFT层120及显示层130上,以使显示层130在第一无机层142及TFT层120作用下与外界隔离。
有机层144设于第一无机层142及TFT层120上,以使第一无机层142在有机层144与TFT层120作用下与外界隔离。
第二无机层146设于有机层144及TFT层120上,以使有机层144在第二无机层146与TFT层120作用下与外界隔离。
第一无机层142、有机层144、第二无机层146在TFT层120及显示层130上可以以梯形的形状分布,从而使显示层130尽可能受到封装层140保护的同时,提升封装层140的稳定性。
上述显示屏10,采用有机与无机层叠加封装的封装技术,尽可能的保障OLED层不与外界空气中的水氧分子接触,从而延长显示屏10的寿命,提升其显示质量。
本申请还提供一种显示装置,包括:显示屏、盖板。
显示屏为上述任意一个实施例中所述的显示屏,即该显示屏所采用的基板至少一个表面上设有高分子记忆层。
盖板设置在显示屏的封装层一侧,用于封闭保护显示屏。
上述显示装置,采用了上述可以自行修正形变、修复裂纹的显示屏,从而可以提高其对外力的抵抗能力,提升其显示质量。
在一个实施例中,上述显示装置中,盖板的至少一个表面上设有高分子记忆层。
具体的,上述显示装置,包括显示屏及盖板。盖板用于封闭保护显示屏。显示屏的基板的至少一个表面上设有高分子记忆层,且盖板的至少一个表面上也设有高分子记忆层。
上述显示装置,其盖板的至少一个表面也设有高分子记忆层,从而提升了盖板对外力的抵抗能力,提升了显示装置的质量。
本申请还提供一种显示屏的制作方法,如图6所示,包括如下步骤:
S100,在基板的至少一个表面上形成高分子记忆层。
在基板的一个表面上形成高分子记忆层,或在基板的上表面及下表面上均形成高分子记忆层。该高分子记忆层在自然条件下、或其他特定条件下,应当具备自动恢复原来形状的功能。形成高分子记忆层的方法包括旋涂、溅射、喷涂及丝网印刷的一种或多种。该高分子记忆层的材料可以是降冰片烯、聚酯胺树脂、聚乳酸和聚亚氨酯的一种或多种。
S200,在基板表面或高分子记忆层上形成TFT层。
若基板两表面均设有高分子记忆层,则在其中一表面上的高分子记忆层上形成TFT层。若基板仅一个表面设有高分子记忆层,则TFT层可以设于基板的另一个表面上,也可以设于高分子记忆层上。形成TFT层的方法包括气相沉积、溅镀等的一种或多种。
S300,在TFT层上形成显示层。
在TFT层上形成显示层,TFT层用于驱动显示层发光,显示层用于发光。显示层包括OLED层或其他可发光器件层。显示层的形成方法包括真空蒸镀、喷墨印刷等的一种或多种。
S400,在TFT层及显示层上形成封装层,以使封装层与TFT层将显示层与外界隔离。
在TFT层及显示层上形成封装层,以使封装层与TFT层将显示层与外界隔离。封装层用于隔绝外界空气、水分子等与显示层接触并破坏显示层。封装层的形成方法包括气相沉积、喷墨印刷等的一种或多种。
上述显示屏的制作方法,在基板的至少一个表面上形成有高分子记忆层,然后利用该基板制备显示屏。当使用该方法制作的显示屏在外力作用下产生形变、甚至出现裂纹时,高分子记忆层可以自动恢复原来的形状,从而带动基板及设于基板上的TFT层、显示层等恢复原来的形状。由此,该显示屏的制作方法可以修复显示屏上的细微裂纹,从而提高屏体强度,提升显示屏的显示质量。
在一个实施例中,上述显示屏的制作方法,在步骤S100在基板的至少一个表面上行成高分子记忆层之后,在步骤S200在基板表面或高分子记忆层上形成TFT层之前,还包括如下步骤:
S101,对高分子记忆层进行固化处理。
即在基板的至少一个表面上形成高分子记忆层后,还应该对高分子记忆层进行固化处理。不同的高分子记忆层对应不同的固化处理方式,一般的,固化处理的方法包括UV固化、胶联剂固化、自然固化的一种或多种。
应当理解的是,步骤S101对高分子记忆层进行固化处理是为了进行下一步工艺,即步骤S200,在基板表面或高分子记忆层上形成TFT层。因此,当高分子记忆层设于基板一个表面,TFT层设于基板另一个表面时,步骤S101在本申请的显示屏的制作方法中并不是必须的。步骤S101也不必一定在步骤S200之前。
在一个实施例中,如图7所示,本申请的显示屏的制作方法,其中,形成封装层的方法具体可以为:
S410,在TFT层及显示层上形成第一无机层,以使第一无机层与TFT层将显示层与外界隔离。
在TFT层上形成显示层后,在TFT层及显示层上形成第一无机层。第一无机层自上方将显示层覆盖。从而,第一无机层与TFT层将显示层与外界隔离。
S420,在第一无机层外形成有机层,以使有机层与TFT层将第一无机层与外界隔离。
形成第一无机层后,在第一无机层外形成有机层。有机层自上方将第一无机层覆盖。从而,该有机层与TFT层将第一无机层与外界隔离。
S430,在有机层外形成第二无机层,以使第二无机层与TFT层将有机层与外界隔离。
形成有机层后,在有机层外形成第二无机层。第二无机层自上方将有机层覆盖。从而,该第二无机层与TFT层将有机层与外界隔离。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种显示屏,其特征在于,包括:
基板,所述基板的至少一个表面设有高分子记忆层;
TFT层,设于所述基板或所述高分子记忆层上;
显示层,设于所述TFT层上;
封装层,设于所述TFT层及所述显示层上,所述封装层与所述TFT层将所述显示层与外界隔离。
2.根据权利要求1所述的显示屏,其特征在于,所述高分子记忆层为降冰片烯、聚氨酯树脂、聚乳酸和聚亚氨酯中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的显示屏,其特征在于,所述基板的其中一个表面设有所述高分子记忆层时,所述TFT层设于所述基板或所述高分子记忆层上;所述基板的两个表面均设有所述高分子记忆层时,所述TFT层设于所述高分子记忆层上。
4.一种显示装置,其特征在于,包括:
如权利要求1-3任一项所述的显示屏;
盖板,设置在所述显示屏的封装层一侧,用于封闭保护所述显示屏。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,所述盖板的至少一个表面上设有高分子记忆层。
6.一种显示屏的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
在基板的至少一个表面上形成高分子记忆层;
在所述基板表面或所述高分子记忆层上形成TFT层;
在所述TFT层上形成显示层;
在所述TFT层及所述显示层上形成封装层,以使所述封装层与所述TFT层将所述显示层与外界隔离。
7.根据权利要求6所述的显示屏的制作方法,其特征在于,所述高分子记忆层的形成方法包括旋涂、溅射、喷涂和丝网印刷中的一种或多种。
8.根据权利要求6所述的显示屏的制作方法,其特征在于,所述在基板的至少一个表面上形成高分子记忆层步骤之后,所述在所述基板或所述高分子记忆层上形成TFT层步骤之前,还包括如下步骤:
对所述高分子记忆层进行固化处理。
9.根据权利要求8所述的显示屏的制作方法,其特征在于,所述固化处理的方式包括UV固化、胶联剂固化、自然固化中的一种或多种。
10.根据权利要求6所述的显示屏的制作方法,其特征在于,所述在所述TFT层及所述显示层上形成封装层的步骤具体包括:
在所述TFT层及所述显示层上形成第一无机层,以使所述第一无机层与所述TFT层将所述显示层与外界隔离;
在所述第一无机层外形成有机层,以使所述有机层与所述TFT层将所述第一无机层与所述外界隔离;
在所述有机层外形成第二无机层,以使所述第二无机层与所述TFT层将所述有机层与所述外界隔离。
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