CN108365129A - 一种显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置，用以解决现有技术中平坦化层在阳极刻蚀过程中被破坏的问题。该显示面板结构包括：在平坦化层上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成导电膜层；采用光刻工艺，对所述导电膜层进行处理，形成图案化的阳极；其中，所述刻蚀阻挡层用于阻挡所述平坦化层被形成图案化的阳极时所使用的灰化材料腐蚀。本申请提供的技术方案利用刻蚀阻挡层保护平坦化层，避免在阳极刻蚀过程中平坦化层被刻蚀阳极时所使用的灰化材料腐蚀，使在平坦化层上形成的像素定义层厚度不均，导致随后蒸镀发光层位置不准确，引发显示性能不佳的问题。

Description

一种显示面板及其制作方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。

背景技术

在显示技术领域中，显示层结构如图1所示，需要说明的是，图1仅示出膜层位置及相互关系，不体现实际的膜层厚度，实际的膜层厚度可以根据生产的实际需要进行调整。上述显示层包括平坦化层11、阳极12、像素定义层13等膜层，其中，阳极12可以选用氧化铟锡(ITO)和铝(Al)的材质，形成ITO和Al叠层结构，其中Al位于ITO与平坦化层11之间。

在制作阳极12的过程中，需要对Al层进行干刻，在干刻的过程中，需要在Al层上形成具有图案的光刻胶，利用包含有氯气的反应气体将光刻胶未覆盖区域的Al层刻蚀成所需图案。在干刻完成后，光刻胶表面会残留部分氯气分子，为避免残留的氯气分子在后续工艺中遇水形成酸性溶液对膜层结构造成影响，需要通过灰化的方式除去Al层上的光刻胶，灰化具体指利用强氧化剂使光刻胶溶化，从而使光刻胶与Al层分离。

在强氧化剂的作用下，光刻胶溶化的同时，由于平坦化层11与光刻胶同为有机物，具有相似的结构与特性，导致平坦化层11也会受到灰化的影响形成如图1所示的凹槽a(图示中虚线框所示)，随后在平坦化层11之上形成的像素定义层13整体厚度不均，随后制作发光层时需要将具有图案的掩膜版放置在像素定义层上，进而在掩膜版未遮盖的位置蒸镀发光层。如图1所示，由于现有技术中的像素定义层13厚度不均，导致掩膜版与遮盖的像素定义层13之间存在空隙，使掩模版遮盖位置的像素定义层13中也蒸镀上发光层，导致发光层蒸镀位置不准确，直接影响发光层的发光效果，使显示面板出现显示性能不佳的情况。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，用以解决平坦化层在阳极刻蚀过程中被破坏导致显示性能不佳的问题。

本申请实施例采用下述技术方案：

一种显示面板制作方法，包括：

在平坦化层上形成刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层上形成导电膜层；

采用光刻工艺，对所述导电膜层进行处理，形成图案化的阳极；

其中，所述刻蚀阻挡层用于阻挡所述平坦化层被形成图案化的阳极时所使用的灰化材料腐蚀。

优选的，所述在平坦化层上形成刻蚀阻挡层，具体包括：

采用沉积工艺，在所述平坦化层上形成覆盖过孔的无机硅化合物膜层；

对过孔所在位置处的无机硅化合物膜层进行刻蚀，形成具有第一图案的刻蚀阻挡层。

优选的，所述在平坦化层上形成刻蚀阻挡层，具体包括：

采用沉积工艺，在所述平坦化层上形成覆盖过孔的金属膜层，作为刻蚀阻挡层。

优选的，在形成图案化的阳极之后，还包括：

以所述图案化的阳极作为掩膜版，对所述刻蚀阻挡层进行刻蚀，形成具有第二图案的刻蚀阻挡层。

优选的，在形成图案化的阳极之后，所述方法还包括：

在所述阳极之上形成图案化的像素定义层；其中，所述阳极下方的刻蚀阻挡层为具有第一图案的刻蚀阻挡层，或者为具有第二图案的刻蚀阻挡层。

一种显示面板，包括：平坦化层、阳极，还包括：

位于所述平坦化层和所述阳极之间的刻蚀阻挡层；其中，所述刻蚀阻挡层用于阻挡所述平坦化层被形成图案化的阳极时所使用的灰化材料腐蚀。

优选的，还包括：贯穿所述平坦化层的过孔；

所述平坦化层上的所述刻蚀阻挡层为具有第一图案的无机硅化合物膜层。

优选的，所述刻蚀阻挡层为具有第二图案的金属膜层，所述金属膜层与所述阳极具有相同图案。

优选的，上述显示面板还包括：位于所述阳极上的像素定义层。

一种显示装置，包括上述任意一种显示面板。

本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：

通过以上技术方案，本申请利用刻蚀阻挡层保护平坦化层，保证在刻蚀阳极的过程中平坦化层不受破坏，使阳极上形成的像素定义层厚度均匀，保证掩膜版与遮盖的像素定义层之间不存在空隙，进而保证发光层蒸镀位置准确，提高发光层位置精度，避免显示性能不佳的现象。在制作显示面板的过程中，当刻蚀阻挡层为惰性金属时，本申请中的刻蚀阻挡层与阳极具有相同的图案，避免不同膜层之间出现短路；当刻蚀阻挡层为无机硅化合物时，在保证不同膜层间导通正常的前提下，本申请优化了工艺方法，减少了移除刻蚀阻挡层的工艺步骤。而且，在实现上述效果的同时，刻蚀阻挡层对显示面板的厚度影响很低，尽可能保证显示面板厚度不发生明显改变。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为现有技术中显示面板的显示层结构图；

图2为本申请实施例中提供的显示面板制作方法流程图；

图3为本申请实施例中提供的显示面板制作方法流程图之一；

图4为本申请实施例中提供的显示面板制作方法流程图之二；

图5为本申请实施例中提供的显示面板膜层结构示意图；

图6为本申请实施例中提供的显示面板膜层结构示意图之一；

图7为本申请实施例中提供的显示面板膜层结构示意图之二。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请提供的显示面板可以广泛应用于具有显示功能的电子设备，以下结合附图，详细说明本申请各实施例提供的技术方案。

实施例1

本申请实施例提供一种显示面板制作方法，该方法流程图如图2所示，该方法用以解决平坦化层在阳极刻蚀过程中被破坏导致显示性能不佳的问题。上述显示性能不佳主要是由于平坦化层在阳极刻蚀过程中被破坏，使得在平坦化层之上形成的像素定义层整体厚度不均。随后在蒸镀发光层的过程中，掩模版与其遮盖的像素定义层之间存在空隙，使掩模版遮盖位置的像素定义层中也蒸镀有发光层，导致发光层蒸镀位置不准确，直接影响发光层的发光效果。本申请实施例提供的方法包括以下步骤：

步骤21：在平坦化层上形成刻蚀阻挡层；

以一个像素结构为例，在平坦化层下还设置有传输线，该传输线可以与芯片IC相连，用于为像素结构提供驱动电压，像素结构中的阳极通过平坦化层上的通孔与传输线连通。在平坦化层上形成刻蚀阻挡层可以采用沉积工艺，使平坦化层上的刻蚀阻挡层厚度均匀，且能够遮盖平坦化层。该刻蚀阻挡层可以为无机硅化物或惰性金属，用于保护平坦化层。在刻蚀阳极的过程中，由于刻蚀阻挡层的材料化学性质相对稳定，与灰化材料几乎不发生化学反应，或与灰化材料发生的化学反应很微小。所以该刻蚀阻挡层能够保证灰化材料与平坦化层不接触，从而避免平坦化层受灰化材料腐蚀的情况。

步骤22：在所述刻蚀阻挡层上形成导电膜层；

上述导电膜层可以为铝层和透明导电氧化物膜层叠层的形式，即铝层夹在透明导电氧化物膜层和平坦化层之间。其中，透明导电氧化物膜层的材质具体可以为：ITO、ZnO、AZO等物质。在本申请实施例中，以ITO膜层和铝层叠层的结构为例进行说明。

步骤23：采用光刻工艺，对所述导电膜层进行处理，形成图案化的阳极；其中，所述刻蚀阻挡层用于阻挡所述平坦化层被形成图案化的阳极时所使用的灰化材料腐蚀。

具体的，以导电膜层为铝层和氧化铟锡层叠层的形式为例，首先在氧化铟锡层上形成图案化的光刻胶，在实施过程中，光刻胶具体可以为有机胶；然后对光刻胶未覆盖区域的氧化铟锡层进行湿刻，具体可以采用具有腐蚀性的蚀刻液进行蚀刻；接着利用包含氯气的反应气体对光刻胶未覆盖区域的铝层进行干刻，使铝层与氧化铟锡层具有相同的图案，铝层与氧化铟锡层共同组成图案化阳极。

其中，将阳极刻蚀成所需图案之后，由于光刻胶较厚，且形态稳定性较差，通常还需要将图案化阳极时使用的光刻胶剥离，避免较厚的光刻胶对其他膜层产生影响。另外，在刻蚀阳极的过程中，由于对铝层进行干刻时反应气体中包含有氯气，氯分子容易附着在光刻胶上，因此，为避免该氯分子在之后的工艺流程中溶于液体，对其他膜层造成腐蚀，需要利用灰化材料进行灰化，去除阳极上附着有氯分子的光刻胶，该灰化材料可以为强氧化剂。由于光刻胶与平坦化层的属性相近，均属于有机物，因此，能够在灰化过程中去除光刻胶的强氧化剂也能够腐蚀平坦化层。本方案在平坦化层上沉积一层刻蚀阻挡层，阻挡平坦化层与外界接触，尤其在灰化过程中使强氧化剂与平坦化层之间隔绝，保护平坦化层不受强氧化剂的腐蚀，从而在灰化过程中保证平坦化层形貌不发生改变。

另由于平坦化层形貌不发生改变，整体形貌相对平坦，随后在平坦化层上形成的像素定义层也相对平坦。在蒸镀发光层的过程中，掩模版与其遮盖区域的像素定义层接触紧密无缝隙，能保证发光层准确蒸镀在掩模版未遮盖的区域，由此保证发光层位置准确，提高像素结构精度，从而保证显示层具有较好的显示性能。

通过以上技术方案，本申请利用刻蚀阻挡层保护平坦化层，保证在刻蚀阳极的过程中平坦化层不受破坏，使阳极上形成的像素定义层厚度均匀，保证掩膜版与遮盖的像素定义层之间不存在空隙，进而保证发光层蒸镀位置准确，避免显示性能不佳的现象。

实施例2

基于上述实施例，本实施例提供一种较优的显示面板制作方法，该方法流程如图3所示，包括以下步骤：

步骤31：采用沉积工艺，在所述平坦化层上形成覆盖过孔的无机硅化合物膜层；

具体的，无机硅化合物膜层的材质可以为氧化硅或氮化硅，可以采用低温化学气相沉淀的方式将该膜层沉积在平坦化层上，能够覆盖平坦化层及平坦化层中的过孔位置。

步骤32：对过孔所在位置处的无机硅化合物膜层进行刻蚀，形成具有第一图案的刻蚀阻挡层。

由于无机硅化合物膜层不具有良好的导电性能，且覆盖在平坦化层中的过孔位置，在过孔位置的无机化合物膜层会影响平坦化层下的传输线与阳极层之间的信号传输，因此，对过孔所在位置处的无机硅化合物膜层进行刻蚀。具体的，首先在无机硅化合物膜层上设置具有图案的光刻胶，该光刻胶暴露过孔所在位置处的无机硅化合物膜层；然后，对光刻胶暴露的无机硅化物膜层进行刻蚀，去除过孔位置的无机硅化物膜层，暴露过孔位置的传输线，以便随后形成的阳极与传输线直接接触，从而保证阳极与传输线之间的信号传输性能。

另外，所述无机硅化合物与有机物性质不同，不会受到阳极刻蚀过程中灰化的影响，能够较好地在刻蚀阳极的过程中保护平坦化层，避免平坦化层受到强氧化剂的腐蚀，而且，对过孔所在位置处的无机硅化合物膜层进行刻蚀能够保证随后形成的阳极能通过过孔位置与平坦化层之下的传输线连通。

步骤33：在所述刻蚀阻挡层上形成导电膜层；

上述导电膜层可以为铝层和透明导电氧化物膜层叠层的形式，即铝层夹在透明导电氧化物膜层和平坦化层之间。

步骤34：采用光刻工艺，对所述导电膜层进行处理，形成图案化的阳极；其中，所述刻蚀阻挡层用于阻挡所述平坦化层被形成图案化的阳极时所使用的灰化材料腐蚀。

具体的，形成图案化阳极的过程在前文已经详述，此处不再赘述。本方案在平坦化层上沉积一层由无机硅化合物构成的刻蚀阻挡层，阻挡平坦化层与外界接触，尤其在灰化过程中使强氧化剂与平坦化层之间隔绝，保护平坦化层不受强氧化剂的腐蚀，从而在灰化过程中保证平坦化层形貌不发生改变。

较优的，本方案还包括：在阳极之上形成图案化的像素定义层。由于阳极之下的平坦化层相对平坦，因此，在阳极之上形成的具有图案的像素定义层也相对平坦，该像素定义层用于限定发光层的蒸镀位置。在制作具有图案的像素定义层的过程中，可以先沉积一层光刻胶，再对该光刻胶进行图案化处理。随后，在蒸镀发光层的过程中，将掩模版放置在图案化的像素定义层上，由于掩模版与其遮盖的像素定义层接触紧密无缝隙，因此，发光层能够准确地蒸镀在该掩模版未遮盖的像素定义层限定的位置处。

通过以上技术方案，本申请将无机硅化合物作为刻蚀阻挡层，保证在刻蚀阳极的过程中平坦化层不受破坏，使阳极上形成的像素定义层厚度均匀，保证掩膜版与遮盖的像素定义层之间不存在空隙，进而保证发光层蒸镀位置准确，提高发光层位置的精确度，避免显示性能不佳的现象。

实施例3

基于上述实施例，本实施例提供另一种较优的显示面板制作方法，该方法流程如图4所示，包括以下步骤：

步骤41：采用沉积工艺，在所述平坦化层上形成覆盖过孔的金属膜层，作为刻蚀阻挡层。

具体的，金属膜层的材质可以为钛或钼等惰性金属，可以采用物理气相沉淀的方式将该膜层沉积在平坦化层上，能够覆盖平坦化层及平坦化层中的过孔位置。

由于金属膜层具有一定的导电性能，覆盖在过孔位置的金属膜层不会对平坦化层下的传输线与阳极层之间的信号传输造成明显的影响，因此，不需要对过孔所在位置处的金属膜层进行刻蚀。直接在金属膜层上制作阳极，在过孔位置，传输线通过金属膜层与阳极连通，信号传输不会受到金属膜层的影响。

另外，上述金属膜层与有机物性质不同，不会受到阳极刻蚀过程中灰化的影响，能够较好地在刻蚀阳极的过程中保护平坦化层，避免平坦化层受到强氧化剂的腐蚀，而且，金属具有一定导电性能，不会影响阳极与传输线在过孔位置的信号传输。

步骤42：在所述刻蚀阻挡层上形成导电膜层；

上述导电膜层可以为铝层和透明导电氧化物膜层叠层的形式，即铝层夹在透明导电氧化物膜层和平坦化层之间。

步骤43：采用光刻工艺，对所述导电膜层进行处理，形成图案化的阳极；其中，所述刻蚀阻挡层用于阻挡所述平坦化层被形成图案化的阳极时所使用的灰化材料腐蚀。

具体的，形成图案化阳极的过程在前文已经详述，此处不再赘述。本方案在平坦化层上沉积一层由金属构成的刻蚀阻挡层，阻挡平坦化层与外界接触，尤其在灰化过程中使强氧化剂与平坦化层之间隔绝，保护平坦化层不受强氧化剂的腐蚀，从而在灰化过程中保证平坦化层形貌不发生改变。

步骤44：以所述图案化的阳极作为掩膜版，对所述刻蚀阻挡层进行刻蚀，形成具有第二图案的刻蚀阻挡层。

由于金属膜层具有一定导电性能，因此，具有图案化的阳极的各个区域能够通过金属膜层相互导通，出现短路的情况。本方案在形成图案化的阳极之后还将阳极作为掩模版对金属膜层进行刻蚀，用以保证图案化阳极的各个区域不会通过金属膜层出现短路的情况。

较优的，本方案还包括：在阳极之上形成图案化的像素定义层。由于阳极之下的平坦化层相对平坦，因此，在阳极之上形成的具有图案的像素定义层也相对平坦，该像素定义层用于限定发光层的蒸镀位置。在制作具有图案的像素定义层的过程中，可以先沉积一层光刻胶，再对该光刻胶进行图案化处理。随后，在蒸镀发光层的过程中，将掩模版放置在图案化的像素定义层上，由于掩模版与其遮盖的像素定义层接触紧密无缝隙，因此，发光层能够准确地蒸镀在该掩模版未遮盖的像素定义层限定的位置处。

通过以上技术方案，本申请将金属作为刻蚀阻挡层，保证在刻蚀阳极的过程中平坦化层不受破坏，使阳极上形成的像素定义层厚度均匀，保证掩膜版与遮盖的像素定义层之间不存在空隙，进而保证发光层蒸镀位置准确，提高发光层位置的精确度，避免显示性能不佳的现象。

实施例4

基于上述实施例，需要说明的是，实施例附图仅示出膜层位置及相互关系，不体现实际的膜层厚度，实际的膜层厚度可以根据生产的实际需要进行调整。本实施例提供一种显示面板，膜层结构如图5所示，该显示面板包括：平坦化层53、阳极51，还包括：

位于所述平坦化层53和所述阳极51之间的刻蚀阻挡层52；其中，所述刻蚀阻挡层52用于阻挡所述平坦化层53被形成图案化的阳极51时所使用的灰化材料腐蚀。

上述结构中，在平坦化层53与阳极51层之间具有刻蚀阻挡层52，保证在刻蚀阳极51的过程中平坦化层53不受破坏，使阳极51上形成的像素定义层厚度均匀，保证掩膜版与遮盖的像素定义层之间不存在空隙，进而保证发光层蒸镀位置准确，提高发光层位置的精确度，避免显示性能不佳的现象。

一种优选的膜层结构，如图6所示，所述平坦化层63还包括过孔65；

所述刻蚀阻挡层62为无机硅化合物膜层，位于所述过孔65所在位置以外的平坦化层63上。

无机硅化合物膜层62的材质可以为氧化硅或氮化硅等，由于无机硅化合物与有机物性质不同，不会受到阳极61刻蚀过程中灰化的影响，能够较好地在刻蚀阳极61的过程中保护平坦化层63，避免平坦化层63受到强氧化剂的腐蚀，而且，对过孔65所在位置处的无机硅化合物膜层62进行刻蚀能够保证随后形成的阳极61能通过过孔65位置与平坦化层63之下的传输线64连通。

由于无机硅化合物膜层62不具有良好的导电性能，且覆盖在平坦化层63中的过孔65位置，在过孔65位置的无机化合物膜层会影响平坦化层63下的传输线64与阳极61层之间的信号传输，因此，无机硅化合物膜层62位于所述过孔65所在位置以外的平坦化层63上，暴露过孔65所在位置处的传输线64，保证刻蚀阻挡层62上的阳极61与传输线64直接接触，从而保证阳极61与传输线64之间的信号连通较好。

一种优选的膜层结构，如图7所示，所述刻蚀阻挡层72为金属膜层，所述金属膜层72与所述阳极71具有相同图案。

金属膜层72的材质可以为钛或钼等惰性金属，能够覆盖平坦化层73及平坦化层73中的过孔75位置。由于金属膜层72具有一定的导电性能，覆盖在过孔75位置的金属膜层72不会对平坦化层73下的传输线74与阳极71层之间的信号传输造成明显的影响。在过孔75位置，传输线74通过金属膜层72与阳极71连通。

由于上述金属膜层72与有机物性质不同，不会受到阳极71刻蚀过程中灰化的影响，能够较好地在刻蚀阳极71的过程中保护平坦化层73，避免平坦化层73受到强氧化剂的腐蚀。

另外，较优的，在所述阳极上还包括像素定义层。由于阳极之下的平坦化层相对平坦，因此，在阳极之上形成的具有图案的像素定义层也相对平坦，该像素定义层用于限定发光层的蒸镀位置。在随后蒸镀发光层的过程中，由于掩模版与其遮盖的像素定义层接触紧密无缝隙，因此，发光层能够准确地蒸镀在该掩模版未遮盖的像素定义层限定的位置处。

除上述结构之外，本方案中显示面板还可以包括有电源线、扫描线、数据线等用于数据传输的线路，所述线路可以与一个或多个IC芯片相连通，另外还可以包括有驱动电路，该驱动电路可以驱动像素结构发光。在上述显示面板中，还可以包括有触摸面板等具有输出或输入功能的功能性面板。

通过以上技术方案，本申请将无机硅化合物作为刻蚀阻挡层，保证在刻蚀阳极的过程中平坦化层不受破坏，使阳极上形成的像素定义层厚度均匀，保证掩膜版与遮盖的像素定义层之间不存在空隙，进而保证发光层蒸镀位置准确，提高发光层位置的精确度，避免显示性能不佳的现象。

实施例5

本实施例还提供一种显示装置，包括实施例4中任意一种显示面板。该显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、智能穿戴设备等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本申请的限制。

以上仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种显示面板制作方法，其特征在于，包括：

在平坦化层上形成刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层上形成导电膜层；

采用光刻工艺，对所述导电膜层进行处理，形成图案化的阳极；

其中，所述刻蚀阻挡层用于阻挡所述平坦化层被形成图案化的阳极时所使用的灰化材料腐蚀。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在平坦化层上形成刻蚀阻挡层，具体包括：

采用沉积工艺，在所述平坦化层上形成覆盖过孔的无机硅化合物膜层；

对过孔所在位置处的无机硅化合物膜层进行刻蚀，形成具有第一图案的刻蚀阻挡层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在平坦化层上形成刻蚀阻挡层，具体包括：

采用沉积工艺，在所述平坦化层上形成覆盖过孔的金属膜层，作为刻蚀阻挡层。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在形成图案化的阳极之后，还包括：

以所述图案化的阳极作为掩膜版，对所述刻蚀阻挡层进行刻蚀，形成具有第二图案的刻蚀阻挡层。

5.如权利要求2或4所述的方法，其特征在于，在形成图案化的阳极之后，所述方法还包括：

在所述阳极之上形成图案化的像素定义层；其中，所述阳极下方的刻蚀阻挡层为具有第一图案的刻蚀阻挡层，或者为具有第二图案的刻蚀阻挡层。

6.一种显示面板，包括：平坦化层、阳极，其特征在于，还包括：

位于所述平坦化层和所述阳极之间的刻蚀阻挡层；其中，所述刻蚀阻挡层用于阻挡所述平坦化层被形成图案化的阳极时所使用的灰化材料腐蚀。

7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，还包括：贯穿所述平坦化层的过孔；

所述平坦化层上的所述刻蚀阻挡层为具有第一图案的无机硅化合物膜层。

8.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为具有第二图案的金属膜层，所述金属膜层与所述阳极具有相同图案。

9.如权利要求6-8任意一项所述的显示面板，其特征在于，还包括：

位于所述阳极上的像素定义层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6-9任意一项所述的显示面板。