CN108337757A - 微波加热装置和控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明提出了一种微波加热装置和控制方法，其中，微波加热装置包括：腔体；磁控管，固设于腔体的侧壁上且用于向腔体内馈入第一微波，磁控管以第一功率调整精度调整对应于所述第一微波的功率；半导体微波源，固设于侧壁上且用于向腔体内馈入第二微波，半导体微波源以第二功率调整精度调整对应于所述第二微波的功率，其中，第二功率调整精度高于第一功率调整精度。通过本发明的技术方案，在微波加热装置中同时设置半导体微波源和磁控管两个微波源，既能够增加微波加热装置整体功率(即对应于第一微波的功率和对应于第二微波的功率之和)的范围，又能够提高微波加热装置功率调整的精度，使微波加热装置能够满足更多的加热需求，适用性更好。

Description

微波加热装置和控制方法

技术领域

本发明涉及电器技术领域，具体而言，涉及一种微波加热装置和一种控制方法。

背景技术

变频器微波炉通过调整磁控管的输出功率，调节变频器微波炉的加热功率，但是磁控管的功率调整精度较低，只能以较大的功率差值进行功率调整，即加热档位较少，不同档位的加热功率差别较大，无法根据不同的食材灵活调整加热档位，不能够满足用户不同的加热需求。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

有鉴于此，本发明的一个目的在于提供了一种微波加热装置。

本发明的另一个目的在于提供一种控制方法。

为了实现上述目的，本发明第一方面的技术方案提供了一种微波加热装置，包括：腔体；磁控管，固设于腔体的侧壁上且用于向腔体内馈入第一微波，磁控管以第一功率调整精度调整对应于所述第一微波的功率；半导体微波源，固设于侧壁上且用于向腔体内馈入第二微波，半导体微波源以第二功率调整精度调整对应于所述第二微波的功率，其中，第二功率调整精度高于第一功率调整精度。

在该技术方案中，微波加热装置具有两个微波源，分别是磁控管和半导体微波源，当磁控管单独工作时，微波加热装置的性能与传统具有单个磁控管的微波加热装置性能相近。当半导体微波源单独工作时，由于半导体微波源的第二功率调整精度高于磁控管的第一功率调整精度，即对应于第二微波的功率的最小步进值，小于对应于第一微波的功率的最小步进值，此时微波加热装置的功率调节精度更高，能够实现更多功率档位的调节，微波加热装置能够满足更多的加热需求。当磁控管和半导体微波源同时工作时，可以理解，此时微波加热装置的整体功率为对应于第一微波的功率和对应于第二微波的功率之和，因此，此时既能够增加微波加热装置的整体功率的范围，又能够提高微波加热装置的功率调整精度，相对于只具有磁控管的微波加热装置，整体功率范围和功率调整精度都有改善，加热档位较多，能够根据不同的加热对象调整合适的加热档位，以满足不同的加热需求，适用性更好。

其中，在第二功率调整精度高于第一功率调整精度的前提下，第二功率调整精度的优选取值范围为1～10W。

在上述技术方案中，优选地，第一微波的第一功率范围具有第一最小功率以及第一最大功率，第二微波的第二功率范围具有第二最小功率以及第二最大功率，第二最大功率，介于第一最小功率和第一最大功率之间。

在该技术方案中，第二微波的功率范围为第二最小功率至第二最大功率。将第一微波的第一最小功率设在第二微波的整体功率范围内，从而微波加热装置能够实现从第二最小功率至第一最大功率之间的调节，此时微波加热装置的整体功率范围为第二最小功率至第一最大功率与第二最大功率之和，微波加热装置的整体功率范围增加，能够满足更多的加热需求。

其中，优选地，第二最小功率为0W。

其中，优选地，第二微波的功率范围不小于第一功率调整精度的最小步进值，以实现在微波加热装置的整体功率范围内以第二功率调整精度对微波加热装置的整体功率进行连续调整。

在上述技术方案中，优选地，第一微波的第一频率范围与第二微波的第二频率范围不重叠。

在该技术方案中，第一微波的第一频率范围与第二微波的第二频率范围不重叠，能够防止磁控管和半导体微波源同时工作时第一微波与第二微波相互干扰的情况发生的可能性，增加微波加热装置加热的可靠性。

在上述技术方案中，优选地，还包括：带阻天线，固设于侧壁上且与半导体微波源相连以将第二微波馈入腔体内，带阻天线还用于屏蔽位于第一频率范围内的第二微波。

在该技术方案中，半导体微波源产生的位于第二频率范围内的第二微波通过带阻天线馈入腔体内部，同时位于第一频率范围内的第二微波被带阻天线屏蔽，以减少第二微波与第一微波相互干扰的情况发生的可能性，增加微波加热装置加热的可靠性。

在上述技术方案中，优选地，带阻天线具体包括：天线，用于将第二微波馈入至腔体内；滤波器，与天线相连且用于屏蔽位于第一频率范围内的第二微波；或环形器与天线相连，且环形器用于屏蔽位于第一频率范围内的第二微波。

在该技术方案中，带阻天线为天线以及与天线相连的滤波器，或带阻天线为天线以及与天线相连的环行器；滤波器和环行器用于屏蔽位于第一频率范围内的第二微波，即只有位于第一频率范围外的第二微波才能通过滤波器和环形器，最终第二微波通过天线馈入腔体内，从而减少第二微波与第一微波相互干扰的情况发生的可能性，增加微波加热装置加热的可靠性。

在上述技术方案中，优选地，还包括：波导，固设于侧壁上，波导与磁控管相连以将第一微波馈入腔体内。

在该技术方案中，磁控管产生的第一微波通过波导馈入腔体内，此时磁控管可以设于腔体的外壁，便于磁控管的检修。

本发明第二方面的技术方案提供了一种控制方法，用于第一方面任一项技术方案中的微波加热装置，包括：获取微波加热装置的目标功率；判断目标功率与微波加热装置中半导体微波源和磁控管的功率参数的大小关系，生成判断结果；根据判断结果，以第一功率调整精度调整磁控管的第一功率，且以第二功率调整精度调整半导体微波源的第二功率，以使微波加热装置的整体功率达到目标功率，其中，整体功率为第一功率与第二功率之和。

在该技术方案中，微波炉的整体功率为磁控管的第一功率与半导体微波源的第二功率之和，并且，可以理解，磁控管的第一功率，即为对应于第一微波的功率，半导体微波源的第二功率，即为对应于第二微波的功率。在微波加热装置工作时，获取微波加热装置的目标功率后，判断目标功率与微波加热装置中半导体微波源和磁控管的功率参数的大小关系，以便于通过大小关系确定第一功率和第二功率，以使整体功率等于目标功率。其中，半磁控管的功率参数包括第一微波的第一最小功率、第一最大功率以及第一功率调整精度，半导体微波源的功率参数包括第二微波的第二最小功率、第二最大功率以及第二功率调整精度。可以理解：当目标功率的精度不高于第一功率调整精度，既可以以第一功率调整精度调整磁控管的第一功率，使整体功率的精度与目标功率的精度匹配，也可以以第二功率调整精度调节半导体微波源的第二功率，使整体功率的精度与目标功率的精度匹配，同时还可以同时调节第一功率和第二功率，使整体功率的精度与目标功率的精度匹配。当目标功率的精度高于第一功率调整精度，则不论磁控管是否工作，必须通过以第二功率调整精度调整第二功率，以使整体功率等于目标功率。同时，根据目标功率与第一最大功率才以及第二最大功率的关系，确定磁控管的第一功率和半导体微波源的第二功率的大小，以使第一功率与第二功率之和，即微波加热装置的整体功率达到目标功率。

在上述技术方案中，优选地，根据判断结果，以第一功率调整精度调整磁控管的第一功率，且以第二功率调整精度调整半导体微波源的第二功率，以使微波加热装置的整体功率达到目标功率，具体包括：若目标功率不大于半导体微波源的第二最大功率，则关闭磁控管，以第二功率调整精度调整第二功率至目标功率。

在该技术方案中，当目标功率不大于半导体微波源的第二最大功率，此时仅运行半导体微波源即可使整体功率等于目标功率，因此关闭磁控管，此时微波加热装置的微波源为半导体微波源，以第二功率调整精度调整第二功率至目标功率，以使整体功率等于目标功率。单独运行半导体微波源既能够增加微波加热装置整体功率的调节精度，使微波加热装置能够满足更多的加热需求，又能够简化微波加热装置的功率调节过程，便于微波加热装置的控制，同时由于磁控管第一功率范围的局限性，不能使整体功率从0开始递增，半导体微波源可使微波加热装置的整体功率从0开始逐渐递增，以增加微波加热装置的整体功率范围，增加微波加热装置的适用性。

在上述技术方案中，优选地，根据判断结果，以第一功率调整精度调整磁控管的第一功率，且以第二功率调整精度调整半导体微波源的第二功率，以使微波加热装置的整体功率达到目标功率，具体包括：若目标功率不小于磁控管的第一最大功率，则调整第一功率以至第一最大功率，并以第二功率调整精度调整第二功率，以使第二功率为目标功率与第一最大功率的差值。

在该技术方案中，当目标功率不小于磁控管的第一最大功率，此时将磁控管的第一功率调整至第一最大功率，即磁控管以第一最大功率运行，随后以第二功率调整精度调整半导体微波源的第二功率，第一功率和第二功率之和，即整体功率等于目标功率。具体说来，若目标功率等于第一最大功率，此时磁控管以第一最大功率运行，半导体微波源不工作；若目标功率大于第一最大功率，则磁控管以第一最大功率运行的同时，半导体微波源工作，以使第二功率等于目标功率与第一最大功率的差值。

在上述技术方案中，优选地，根据判断结果，以第一功率调整精度调整磁控管的第一功率，且以第二功率调整精度调整半导体微波源的第二功率，以使微波加热装置的整体功率达到目标功率，具体包括：若目标功率介于第一最大功率和第二最大功率之间，则调整第一功率至目标预设功率，并以第二功率调整精度调整第二功率，以使第二功率为目标功率与目标预设功率的差值，其中，在第一最小功率与第一最大功率之间设有多个预设功率，任意相邻的两个预设功率的差值不大于第二最大功率，目标预设功率为在不大于目标功率的任一预设功率。

在该技术方案中，对于磁控管，预先设有多个预设功率，并且任意相邻的两个预设功率的差值不大于第二最大功率，可以理解，预设功率之间的差值为第一功率调整精度值的整数倍，且预设功率包括第一最大功率和第一最小功率。因此，当目标功率在第一最小功率和第一最大功率之间，若目标功率等于多个预设功率中的一个，目标预设功率等于目标功率，此时以第一功率调整精度调整第一功率使第一功率等于预设目标功率，即使微波加热装置的整体功率等于目标功率，或目标预设功率小于目标功率，以第一功率调整精度调整第一功率使第一功率等于预设目标功率后，以第二功率调整精度调整第二功率，以使第二功率等于目标功率与预设目标功率的差值，此时预设目标功率的取值不唯一，只要目标功率与预设目标功率的差值不大于第二最大功率即可。

当目标功率与任一个预设功率均不相等，则目标预设功率为小于目标功率的至少一个预设功率中的任一个，只要目标功率与第一功率的差值不大于第二最大功率即可。

其中，优选地，在目标功率与第一功率的差值不大于第二最大功率的情况下，不改变第一功率的取值，以第二功率调整精度调整第二功率，以使第二功率等于目标功率与第一功率的差值。从而尽量固定第一功率的取值，便于快速对微波加热装置的整体功率进行调节。

在上述技术方案中，优选地，目标预设功率为在不大于目标功率的至少一个预设功率中，与目标功率最接近的预设功率。

在该技术方案中，目标预设功率为在不大于目标功率的至少一个预设功率中，与目标功率最接近的预设功率，具体来说：当目标功率等于多个预设功率中的一个，则目标预设功率等于目标功率；当目标功率与任一个预设功率均不相等，则目标预设功率为小于目标功率的至少一个预设功率中，数值最大的一个。本技术方案中目标预设功率与目标功率较为接近，便于快速调节第二预设功率使第二预设功率等于目标功率与目标预设功率的差值。

其中，优选地，在满足任意相邻的两个预设功率的差值不大于第二最大功率的前提下，尽量减少预设功率的个数，以减少第一功率的取值，从而尽量固定第一功率的取值，便于快速对微波加热装置的整体功率进行调节。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

图1示出了根据本发明的实施例的微波加热装置的结构示意图；

图2示出了根据本发明的实施例的控制方法的流程示意图；

图3示出了根据本发明的实施例的控制方法的流程示意图；

图4示出了根据本发明的实施例的控制方法的流程示意图；

图5示出了根据本发明的实施例的控制方法的流程示意图。

其中，图1中附图标记与部件名称之间的对应关系为：

10微波加热装置，102腔体，1022侧壁，104磁控管，106半导体微波源，108带阻天线，110波导。

具体实施方式

为了可以更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。

下面参照图1至图5描述根据本发明的一些实施例。

如图1所示，本发明第一方面的实施例提供了一种微波加热装置10，包括：由多个侧壁1022围成的腔体102，腔体102相邻两个侧壁1022的外侧上分别固设有磁控管104和半导体微波源106，磁控管104产生的第一微波通过固设于侧板上的波导110馈入腔体102中，半导体微波源106产生的第二微波通过固设于侧壁1022上的带阻天线108馈入腔体102中。本实施例中第一微波的第一最小功率为300W，第一微波的第一最大功率为1000W，第一功率调整精度为100W，磁控管104以100W的第一功率调整精度在300W至1000W之间调整对应于第一微波的功率；第一微波的第一频率范围为2440～2460MHz，第二微波的第二最小功率为0W，第二微波的第二最大功率为350W，第二功率调整精度为1W，半导体微波源以1W的第二功率调整精度在0至350W之间调整对应于第二微波的功率；第二微波的第二频率范围为2400～2435MHz以及2465～2500MHz，其中，带阻天线108的带阻频率为2440～2460MHz，与第一微波的第一频率范围重合，带阻天线108包括天线以及与天线相连的滤波器，天线用于将第二微波馈入至腔体102内；滤波器与天线以及半导体微波源106相连且用于屏蔽位于第一频率范围内的第二微波。

在该实施例中，微波加热装置10具有两个微波源，分别是磁控管104和半导体微波源106，当磁控管104单独工作时，磁控管104产生的第一微波通过波导110馈入腔体102内，微波加热装置10的整体功率范围为300～1000W，微波加热装置10能够在300～1000W之间以100W的第一功率调整精度对微波加热装置10的整体功率(即对应于第一微波的功率和对应于第二微波的功率之和)进行调整，此时微波加热装置10的性能与传统具有单个磁控管104的微波加热装置10性能相近。

当半导体微波源106单独工作时，微波加热装置10的整体功率范围为0～350W，微波加热装置10能够在0～350W之间以1W的第二功率调整精度进行微波加热装置10的整体功率调整，此时微波加热装置10的功率调节精度更高，能够实现更多功率档位的调节，微波加热装置10能够满足更多的加热需求。

当磁控管104和半导体微波源106同时工作时，微波加热装置10的整体功率范围为0～1350W，整体功率范围大大增加，既能够忽略磁控管104在低功率状态下工作的不稳定，实现整体功率在0～300W之间的取值，又能够克服磁控管104的功率上限，实现整体功率在1000～1350W之间的取值。更重要的是，通过同时调节磁控管104和半导体微波源106的工作状态，能够实现微波加热装置10的整体功率在0～1350W之间以1W的第二功率调整精度对整体功率进行调整，负载响应更加均匀，效率更高，能够满足多种加热需求，适用性更好。

还需指出的是，第一微波的第一频率范围与第二微波的第二频率范围不重叠，能够防止磁控管104和半导体106微波源同时工作时第一微波与第二微波相互干扰的情况发生的可能性，增加微波加热装置10加热的可靠性。进一步地，滤波器能够屏蔽位于第一频率范围内的第二微波，即只有位于第一频率范围外的第二微波才能通过滤波器，最终第二微波通过天线馈入腔体102内，从而减少第二微波与第一微波相互干扰的情况发生的可能性，增加微波加热装置10加热的可靠性。

其中，优选地，微波加热装置10为微波炉，能够根据不同的食材灵活调整加热档位，从而满足用户不同的加热需求。

值得说明的是，微波加热装置10包括微波炉以及其它利用微波进行加热的装置。

其中，优选地，带阻天线108包括天线以及与天线相连的环行器，环行器用于屏蔽位于第一频率范围内的第二微波，即只有位于第一频率范围外的第二微波才能通过环形器，最终第二微波通过天线馈入腔体102内，从而减少第二微波与第一微波相互干扰的情况发生的可能性，增加微波加热装置10加热的可靠性。

其中，优选地，第二功率调整精度为10W，当磁控管104和半导体微波源106同时工作时，微波加热装置10的整体功率在0～1350W之间以10W的第二功率调整调整精度对整体功率进行调整，优于单磁控管104单独工作时以100W的第一功率调整精度进行调整的情况，适用性更好。

其中，优选地，半导体微波源106的功率范围不高于第一功率调整精度的最小步进值，以实现在微波加热装置10的整体功率范围内以第二功率调整精度对微波加热装置10的功率进行连续调整。

如图2所示，本发明第二方面的实施例提供了一种控制方法，用于第一方面任一实施例中的微波加热装置10，控制方法包括：

步骤S102，获取微波加热装置10的目标功率；

步骤S104，判断目标功率与微波加热装置10中半导体微波源106和磁控管104的功率参数的大小关系，生成判断结果；

步骤S106，根据判断结果，以第一功率调整精度调整磁控管104的第一功率，且以第二功率调整精度调整半导体微波源106的第二功率，以使微波加热装置10的整体功率达到目标功率，

其中，整体功率为第一功率与第二功率之和。

在该实施例中，微波炉的整体功率为磁控管104的第一功率与半导体微波源106的第二功率之和，并且，可以理解，磁控管的第一功率，即为对应于第一微波的功率，半导体微波源106的第二功率，即为对应于第二微波的功率。在微波加热装置10工作时，步骤S102，获取微波加热装置10的目标功率，随后，步骤S104，判断目标功率与微波加热装置10中半导体微波源106和磁控管104的功率参数的大小关系，生成判断结果。其中，磁控管104的功率参数包括第一微波的第一最小功率、第一最大功率以及第一功率调整精度，半导体微波源106的功率参数包括第二微波的第二最小功率、第二最大功率以及第二功率调整精度。步骤S106，通过判断结果确定第一功率和第二功率，以使整体功率等于目标功率，具体来说，一方面当目标功率的精度不高于第一功率调整精度，既可以以第一功率调整精度调整磁控管104的第一功率，使整体功率的精度与目标功率的精度匹配，也可以以第二功率调整精度调节半导体微波源106的第二功率，使整体功率的精度与目标功率的精度匹配，同时还可以同时调节第一功率和第二功率，使整体功率的精度与目标功率的精度匹配；当目标功率的精度高于第一功率调整精度，则不论磁控管104是否工作，必须通过以第二功率调整精度调整第二功率，以使整体功率等于目标功率。另一方面，根据目标功率与第一最大功率才以及第二最大功率的关系，确定磁控管104的第一功率和半导体微波源106的第二功率的大小，以使第一功率与第二功率之和，即微波加热装置10的整体功率达到目标功率。

如图3所示，在本发明的一个实施例中，控制方法包括：

步骤S202，获取微波加热装置10的目标功率；

步骤S204，判断目标功率与微波加热装置10中半导体微波源106和磁控管104的功率参数的大小关系，生成判断结果；

步骤S206，若目标功率不大于半导体微波源106的第二最大功率，则关闭磁控管104，以第二功率调整精度调整第二功率至目标功率。

在该实施例中，在微波加热装置10工作时，步骤S202，获取微波加热装置10的目标功率，随后，步骤S204，判断目标功率与微波加热装置10中半导体微波源106和磁控管104的功率参数的大小关系，生成判断结果。步骤S206，当目标功率不大于半导体微波源106的第二最大功率，此时仅运行半导体微波源106即可使整体功率等于目标功率，因此关闭磁控管104，此时微波加热装置10的微波源为半导体微波源106，以第二功率调整精度调整第二功率至目标功率，以使整体功率等于目标功率。单独运行半导体微波源106既能够增加微波加热装置10整体功率的调节精度，使微波加热装置10能够满足更多的加热需求，又能够简化微波加热装置10的功率调节过程，便于微波加热装置10的控制，同时由于磁控管104功率范围的局限性，不能使整体功率从0开始递增，半导体微波源106可使微波加热装置10的整体功率从0开始逐渐递增，以增加微波加热装置10的整体功率范围，增加微波加热装置10的适用性。

如图4所示，在本发明的一个实施例中，控制方法包括：

步骤S302，获取微波加热装置10的目标功率；

步骤S304，判断目标功率与微波加热装置10中半导体微波源106和磁控管104的功率参数的大小关系，生成判断结果；

步骤S306，若目标功率不小于磁控管104的第一最大功率，则调整第一功率以至第一最大功率，并以第二功率调整精度调整第二功率，以使第二功率为目标功率与第一最大功率的差值。

在该实施例中，在微波加热装置10工作时，步骤S302，获取微波加热装置10的目标功率，随后，步骤S304，判断目标功率与微波加热装置10中半导体微波源106和磁控管104的功率参数的大小关系，生成判断结果。步骤S306，当目标功率不小于磁控管104的第一最大功率，此时将磁控管104的第一功率调整至第一最大功率，即磁控管104以第一最大功率运行，随后以第二功率调整精度调整半导体微波源106的第二功率，第一功率和第二功率之和，即整体功率等于目标功率。具体说来，若目标功率等于第一最大功率，此时磁控管104以第一最大功率运行，半导体微波源106不工作；若目标功率大于第一最大功率，则磁控管104以第一最大功率运行的同时，半导体微波源106工作，以使第二功率等于目标功率与第一最大功率的差值。

如图5所示，在本发明的一个实施例中，控制方法包括：

步骤S402，获取微波加热装置10的目标功率；

步骤S404，判断目标功率与微波加热装置10中半导体微波源106和磁控管104的功率参数的大小关系，生成判断结果；

步骤S406，若目标功率介于第一最大功率和第二最大功率之间，则调整第一功率至目标预设功率，并以第二功率调整精度调整第二功率，以使第二功率为目标功率与目标预设功率的差值，

其中，在第一最小功率与第一最大功率之间设有多个预设功率，任意相邻的两个预设功率的差值不大于第二最大功率，目标预设功率为在不大于目标功率的任一预设功率。

在该实施例中，对于磁控管104，预先设有多个预设功率，并且任意相邻的两个预设功率的差值不大于第二最大功率，可以理解，预设功率之间的差值为第一功率调整精度值的整数倍，且预设功率包括第一最大功率和第一最小功率。在微波加热装置10工作时，步骤S402，获取微波加热装置10的目标功率，随后，步骤S404，判断目标功率与微波加热装置10中半导体微波源106和磁控管104的功率参数的大小关系，生成判断结果。步骤S406，当目标功率在第一最小功率和第一最大功率之间，若目标功率等于多个预设功率中的一个，目标预设功率等于目标功率，此时以第一功率调整精度调整第一功率使第一功率等于预设目标功率，即使微波加热装置10的整体功率等于目标功率；或目标预设功率小于目标功率，以第一功率调整精度调整第一功率使第一功率等于预设目标功率后，以第二功率调整精度调整第二功率，以使第二功率等于目标功率与预设目标功率的差值，此时预设目标功率的取值不唯一，只要目标功率与预设目标功率的差值不大于第二最大功率即可。

当目标功率与任一个预设功率均不相等，则目标预设功率为小于目标功率的至少一个预设功率中的任一个，只要目标功率与第一功率的差值不大于第二最大功率即可。

其中，优选地，在目标功率与第一功率的差值不大于第二最大功率的情况下，不改变第一功率的取值，以第二功率调整精度调整第二功率，以使第二功率等于目标功率与第一功率的差值。从而尽量固定第一功率的取值，便于快速对微波加热装置10的整体功率进行调节。

其中，优选地，目标预设功率为在不大于目标功率的至少一个预设功率中，与目标功率最接近的预设功率。具体来说，当目标功率等于多个预设功率中的一个，则目标预设功率等于目标功率；当目标功率与任一个预设功率均不相等，则目标预设功率为小于目标功率的至少一个预设功率中，数值最大的一个。本实施例中目标预设功率与目标功率较为接近，便于快速调节第二预设功率使第二预设功率等于目标功率与目标预设功率的差值。

其中，优选地，在满足任意相邻的两个预设功率的差值不大于第二最大功率的前提下，尽量减少预设功率的个数，以减少第一功率的取值，从而尽量固定第一功率的取值，便于快速对微波加热装置10的整体功率进行调节。

在本发明的一个实施例中，优选地，磁控管104的第一最小功率为300W，磁控管104的第一最大功率为900W，第一功率调整精度为100W，半导体微波源106的第二最小功率为0W，第二最大功率为350W，第二功率调整精度为1W，磁控管104的预设功率为300W、600W、900W。

在该实施例中，当目标功率不大于350W时，关闭磁控管104，单运行半导体微波源106，以第二功率调整精度调整半导体微波源106的第二功率，以使第二功率等于目标功率，即整体功率等于目标功率。

当目标功率大于300W且不大于600W时，以第一功率调整精度调整磁控管104的第一功率至300W，并以第二功率调整精度调整第二功率，以使第二功率等于目标功率与第一功率的差值，即目标功率与300W的差值。

当目标功率大于600W且不大于900W时，以第一功率调整精度调整磁控管104的第一功率至900W，并以第二功率调整精度调整第二功率，以使第二功率等于目标功率与第一功率的差值，即目标功率与600W的差值。

当目标功率大于900W且不大于1250W时，以第一功率调整精度调整磁控管104的第一功率至900W，并以第二功率调整精度调整第二功率，以使第二功率等于目标功率与第一功率的差值，即目标功率与900W的差值。

本实施例中，通过尽量减少预设功率的个数，尽量固定第一功率的取值，便于快速对微波加热装置10的整体功率进行调节。

以上结合附图详细说明了本发明的技术方案，通过本发明的技术方案，在微波加热装置中同时设置半导体微波源和磁控管两个微波源，既能够增加微波加热装置整体功率的范围，又能够提高微波加热装置功率调整的精度，使微波加热装置能够满足更多的加热需求，提高微波加热装置的适用性。

在本发明中，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；术语“多个”则指两个或两个以上，除非另有明确的限定。术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；“相连”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或单元必须具有特定的方向、以特定的方位构造和操作，因此，不能理解为对本发明的限制。

在本说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“具体实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或实例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种微波加热装置，其特征在于，包括：

腔体；

磁控管，固设于所述腔体的侧壁上且用于向所述腔体内馈入第一微波，所述磁控管以第一功率调整精度调整对应于所述第一微波的功率；

半导体微波源，固设于所述侧壁上且用于向所述腔体内馈入第二微波，所述半导体微波源以第二功率调整精度调整对应于所述第二微波的功率，

其中，所述第二功率调整精度高于所述第一功率调整精度。

2.根据权利要求1所述的微波加热装置，其特征在于，所述第一微波的第一功率范围具有第一最小功率以及第一最大功率，所述第二微波的第二功率范围具有第二最小功率以及第二最大功率，所述第二最大功率，介于所述第一最小功率和所述第一最大功率之间。

3.根据权利要求1所述的微波加热装置，其特征在于，所述第一微波的第一频率范围与所述第二微波的第二频率范围不重叠。

4.根据权利要求3所述的微波加热装置，其特征在于，还包括：

带阻天线，固设于所述侧壁上且与所述半导体微波源相连以将所述第二微波馈入所述腔体内，所述带阻天线还用于屏蔽位于所述第一频率范围内的所述第二微波。

5.根据权利要求4所述的微波加热装置，其特征在于，所述带阻天线具体包括：

天线，用于将所述第二微波馈入至所述腔体内；

滤波器，与所述天线相连且用于屏蔽位于所述第一频率范围内的所述第二微波；或

环形器与所述天线相连，且所述环形器用于屏蔽位于所述第一频率范围内的所述第二微波。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的微波加热装置，其特征在于，还包括：

波导，固设于所述侧壁上，所述波导与所述磁控管相连以将所述第一微波馈入所述腔体内。

7.一种控制方法，用于如权利要求1至6中任一项所述的微波加热装置，其特征在于，包括：

获取所述微波加热装置的目标功率；

判断所述目标功率与所述微波加热装置中半导体微波源和磁控管的功率参数的大小关系，生成判断结果；

根据所述判断结果，以第一功率调整精度调整所述磁控管的第一功率，且以第二功率调整精度调整所述半导体微波源的第二功率，以使所述微波加热装置的整体功率达到所述目标功率，

其中，所述整体功率为所述第一功率与所述第二功率之和。

8.根据权利要求7所述的控制方法，其特征在于，所述根据所述判断结果，以第一功率调整精度调整所述磁控管的第一功率，且以第二功率调整精度调整所述半导体微波源的第二功率，以使所述微波加热装置的整体功率达到所述目标功率，具体包括：

若所述目标功率不大于所述半导体微波源的第二最大功率，则关闭所述磁控管，以所述第二功率调整精度调整所述第二功率至所述目标功率。

9.根据权利要求7所述的控制方法，其特征在于，所述根据所述判断结果，以第一功率调整精度调整所述磁控管的第一功率，且以第二功率调整精度调整所述半导体微波源的第二功率，以使所述微波加热装置的整体功率达到所述目标功率，具体包括：

若所述目标功率不小于所述磁控管的第一最大功率，则调整所述第一功率以至所述第一最大功率，并以所述第二功率调整精度调整所述第二功率，以使所述第二功率为所述目标功率与所述第一最大功率的差值。

10.根据权利要求7所述的控制方法，其特征在于，所述根据所述判断结果，以第一功率调整精度调整所述磁控管的第一功率，且以第二功率调整精度调整所述半导体微波源的第二功率，以使所述微波加热装置的整体功率达到所述目标功率，具体包括：

若所述目标功率介于所述第一最大功率和所述第二最大功率之间，则调整所述第一功率至目标预设功率，并以所述第二功率调整精度调整所述第二功率，以使所述第二功率为所述目标功率与所述目标预设功率的差值，

其中，在所述第一最小功率与所述第一最大功率之间设有多个预设功率，任意相邻的两个所述预设功率的差值不大于所述第二最大功率，所述目标预设功率为在不大于所述目标功率的任一所述预设功率。

11.根据权利要求10所述的控制方法，其特征在于，所述目标预设功率为在不大于所述目标功率的至少一个预设功率中，与所述目标功率最接近的预设功率。