CN108333422A - 一种纳米铁芯饱和电压快速测试方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种纳米铁芯饱和电压快速测试方法,包括如下步骤:设备调试,对纳米铁芯饱和电压测试仪通电检测,并校准系统误差;设定纳米铁芯饱和电压测试仪测试频率;将测试线穿过被测纳米铁芯;打开电源开关,并调节电流旋钮和电压调节旋钮调整电路中的电流和电压,直至电路中电流达到设定值,并记录此时的电压值;计算该纳米铁芯的磁通密度,还包括快速测试的装置,只需要将测试线缠绕在待测的纳米铁芯上,通过记录或者测量测试电压U,导通时间Ton,测试线圈数N,被测纳米铁芯截面积Bs就可以快速的获得磁通密度,能够根据不同的测试要求准确不同条件下的磁通密度,测试简单、测试速度快,数据准确。
Description
技术领域
本发明涉及电气设备测试技术领域,具体为一种纳米铁芯饱和电压快速测试方法。
背景技术
传统纳米铁芯△B(磁通密度)都是厂家或资料上提供的,由于纳米铁芯是存在差异,不能准确知道每个纳米铁芯的△B,特别在单端电路中纳米铁芯很难做到最优化的使用,由于纳米铁芯△B的不确定,圈数绕制多了损耗会增加,也浪费材料;圈数绕制少了变压器磁饱和,损耗功率器件无法正常工作,通过纳米铁芯饱和电压测试仪能准确测得每一个纳米铁芯的饱和电压,纳米铁芯的使用最优化和可靠。
但是,在现有技术中,纳米铁芯的测量方法复杂,而且对于测量的要求较高,不能够通过简单的测量获得准确的结果。
发明内容
为了克服现有技术方案的不足,本发明提供一种纳米铁芯饱和电压快速测试方法,可以快速的获得磁通密度,能够根据不同的测试要求准确不同条件下的磁通密度,测试简单、测试速度快,数据准确,能有效的解决背景技术提出的问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种纳米铁芯饱和电压快速测试方法,包括如下步骤:
步骤100、设备调试,对纳米铁芯饱和电压测试仪通电检测,并校准系统误差;
步骤200、设定纳米铁芯饱和电压测试仪测试频率;
步骤300、将测试线穿过被测纳米铁芯;
步骤400、打开电源开关,并调节电流旋钮和电压调节旋钮调整电路中的电流和电压,直至电路中电流达到设定值,并记录此时的电压值;
步骤500、计算该纳米铁芯的磁通密度。
作为本发明一种优选的技术方案,在步骤300中,测试线等间距均匀的缠绕在被测纳米铁芯上,且将测试线两端固定,并记录测试线缠绕圈数为N。
作为本发明一种优选的技术方案,在步骤500中,磁通密度ΔB的计算公式为:
其中,U为测试电压,Ton为导通时间,N为测试线圈数,Bs为被测纳米铁芯截面积。
作为本发明一种优选的技术方案,还提供了一种纳米铁芯饱和电压快速测试装置,包括纳米铁芯饱和电压测试仪和测量线,所述测量线两端通过连接端子分别与纳米铁芯饱和电压测试仪的端口连接。
作为本发明一种优选的技术方案,所述纳米铁芯饱和电压测试仪上设有分别用于调整电流和电压的电流旋钮和电压旋钮,且在电流旋钮和电压旋钮上方分别设有用于显示的电流显示表和电压显示表。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明只需要将测试线缠绕在待测的纳米铁芯上,通过记录或者测量测试电压U,导通时间Ton,测试线圈数N,被测纳米铁芯截面积Bs就可以快速的获得磁通密度,能够根据不同的测试要求准确不同条件下的磁通密度,测试简单、测试速度快,数据准确。
附图说明
图1为本发明的结构示意图;
图2为本发明测试流程示意图;
图中:1-纳米铁芯饱和电压测试仪;2-测量线;3-电流旋钮;4-电压旋钮;5-电流显示表;6-电压显示表。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例:
如图1所示,本发明提供了一种纳米铁芯饱和电压快速测试装置,其特征在于,包括纳米铁芯饱和电压测试仪1和测量线2,所述测量线2两端通过连接端子分别与纳米铁芯饱和电压测试仪1的端口连接。
作为优选的实施方式,所述纳米铁芯饱和电压测试仪1上设有分别用于调整电流和电压的电流旋钮3和电压旋钮4,且在电流旋钮3和电压旋钮4上方分别设有用于显示的电流显示表5和电压显示表6。
其中,本实施方式所用的纳米铁芯饱和电压测试仪1具体为普乐华纳米铁芯饱和电压测试仪。
本装置针对纳米铁芯饱和电压的测试,满足铁芯饱和电压技术指标的准确性,具有测试速度快的优点,还可以根据测试要求来设定不同的测试条件准确测试。
其测试简单、测试速度快,数据准确。
另外,如图2所示,本发明还提供了一种纳米铁芯饱和电压快速测试方法,包括如下步骤:
步骤100、设备调试,对纳米铁芯饱和电压测试仪通电检测,并校准系统误差。
首先对纳米铁芯饱和电压测试仪进行接通电源的检测,并对系统进行误差的校正,这是由于在测量设备中,往往会由于不同的接线方式以及其它的因素导致测试仪的电压或者电流不归零,在测试之前如果不进行校正,将会存在较大的误差,特别是对于精度较高的测试来说,误差更大。
步骤200、设定纳米铁芯饱和电压测试仪测试频率。
步骤300、将测试线穿过被测纳米铁芯。
在步骤300中,测试线等间距均匀的缠绕在被测纳米铁芯上,且将测试线两端固定,并记录测试线缠绕圈数为N。
步骤400、打开电源开关,并调节电流旋钮和电压调节旋钮调整电路中的电流和电压,直至电路中电流达到设定值,并记录此时的电压值。
步骤500、计算该纳米铁芯的磁通密度。
其中,磁通密度ΔB的计算公式为:
其中,U为测试电压,Ton为导通时间,N为测试线圈数,Bs为被测纳米铁芯截面积。
另外的,在本发明中,还需要进一步说明的是:由于纳米铁芯在加磁场和高温热处理中,温度的高低及温度的一致性会影响纳米铁芯的晶化,直接影响纳米铁芯的性能,通过纳米铁芯饱和电压测试仪能准确快速测得每一个纳米铁芯的磁通密度ΔB。
综上所述,本发明的主要特点在于:本发明只需要将测试线缠绕在待测的纳米铁芯上,通过记录或者测量测试电压U,导通时间Ton,测试线圈数N,被测纳米铁芯截面积Bs就可以快速的获得磁通密度,能够根据不同的测试要求准确不同条件下的磁通密度,测试简单、测试速度快,数据准确。
对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (5)
1.一种纳米铁芯饱和电压快速测试方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤100、设备调试,对纳米铁芯饱和电压测试仪通电检测,并校准系统误差;
步骤200、设定纳米铁芯饱和电压测试仪测试频率;
步骤300、将测试线穿过被测纳米铁芯;
步骤400、打开电源开关,并调节电流旋钮和电压调节旋钮调整电路中的电流和电压,直至电路中电流达到设定值,并记录此时的电压值;
步骤500、计算该纳米铁芯的磁通密度。
2.根据权利要求1所述的一种纳米铁芯饱和电压快速测试方法,其特征在于,在步骤300中,测试线等间距均匀的缠绕在被测纳米铁芯上,且将测试线两端固定,并记录测试线缠绕圈数为N。
3.根据权利要求1所述的一种纳米铁芯饱和电压快速测试方法,其特征在于,在步骤500中,磁通密度ΔB的计算公式为:
其中,U为测试电压,Ton为导通时间,N为测试线圈数,Bs为被测纳米铁芯截面积。
4.根据权利要求1所述的一种纳米铁芯饱和电压快速测试装置,其特征在于,包括纳米铁芯饱和电压测试仪(1)和测量线(2),所述测量线(2)两端通过连接端子分别与纳米铁芯饱和电压测试仪(1)的端口连接。
5.根据权利要求4所述的一种纳米铁芯饱和电压快速测试装置,其特征在于,所述纳米铁芯饱和电压测试仪(1)上设有分别用于调整电流和电压的电流旋钮(3)和电压旋钮(4),且在电流旋钮(3)和电压旋钮(4)上方分别设有用于显示的电流显示表(5)和电压显示表(6)。
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