CN207380122U - Mosfet漏源极耐压检测电路 - Google Patents

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吴玮琪
龚珍
杨亭亭
李武岐
袁唯
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Abstract

本实用新型揭示了一种MOSFET漏源极耐压检测电路,包括设有MOSFET管的待检测模块和测试电路模块,待检测模块包括第一MOSFET管Q1和第二MOSFET管Q2,第一MOSFET管Q1的漏极与第二MOSFET管Q2的漏极连接,测试电路模块包括电压可调的电源,电源一端连接至第一MOSFET管Q1的栅极和源极而另一端连接至第二MOSFET管Q2的栅极和源极构成回路,回路还串联有用于检测回路中电流值的电流检测仪以及用于稳定回路中电流的稳流单元。本实用新型实施例通过将电源的两端分别于两个MOSFET管的栅极和源极连接构成回路,且回路中连接有电流检测仪以检测回路中的电流值,再通过连接有稳流单元使得回路中的电流稳定,避免因回路中电流波动大而造成测量出现误差的情况,提高测量的准确度和测量效率。

Description

MOSFET漏源极耐压检测电路
技术领域
本实用新型涉及检测电路技术领域,特别涉及一种MOSFET漏源极耐压检测电路。
背景技术
MOSFET是指金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。在MOSFET的生产制造过程中需要对MOSFET的漏源极耐压Bvss进行检测,目前测量MOSFET漏源极耐压Bvss的方案中,通常采用的测量方案是将MOSFET的栅极和源极短接(即Vgs=0V),在漏极和源极两端施加电压并逐渐增大电压值,直至电路中的电路达到预定的电流值,通过测试此时MOSFET的漏极和源极之间的电压即为该MOSFET的Bvss耐压值。
但是采用上述方案进行测量时,回路中的电流波动较大,无法稳定准确的测量MOSFET的具体耐压值,降低了测量值得准确度。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于针对现有技术中的不足之处,提供一种MOSFET漏源极耐压检测电路。
本实用新型解决技术问题采用的技术手段是提供一种MOSFET漏源极耐压检测电路,包括设有MOSFET管的待检测模块和测试电路模块,所述待检测模块包括第一MOSFET管Q1和第二MOSFET管Q2,所述第一MOSFET管Q1的漏极与第二MOSFET管Q2的漏极连接,所述测试电路模块包括电压可调的电源,所述电源一端连接至第一MOSFET管Q1的栅极和源极而另一端连接至第二MOSFET管Q2的栅极和源极构成回路,所述回路还串联有用于检测回路中电流值的电流检测仪以及用于稳定回路中电流的稳流单元。
进一步地,所述稳流单元包括串联至所述回路中的稳流电阻以及与所述稳流电阻并联的电压检测仪。
进一步地,所述电源的正极通过所述电流检测仪连接至第一MOSFET管Q1的栅极和源极,所述电源的负极通过所述稳流电阻连接至第二MOSFET管Q2的栅极和源极。
进一步地,所述电流检测仪采用以下中的任意一种:电流表、万用表和电流测试仪。
进一步地,所述电压检测仪为一下中的任意一种:电压表、万用表以及电压测量仪。
采用上述技术方案,本实用新型至少具有以下有益效果:本实用新型通过将电源的两端分别于两个MOSFET管的栅极和源极连接构成回路,且回路中连接有电流检测仪以检测回路中的电流值,再通过连接有稳流单元使得回路中的电流稳定,避免因回路中电流波动大而造成测量出现误差的情况,提高测量的准确度;另一方面,所述待检测模块包括第一MOSFET管Q1和第二MOSFET管Q2,一次测量操作即可同时完成两个MOSTET管的测量,提高测量效率。
附图说明
图1是本实用新型MOSFET漏源极耐压检测电路的结构框图。
图2是本实用新型MOSFET漏源极耐压检测电路的电路结构示意图。
图3是本实用新型MOSFET漏源极耐压检测电路的另一个实施例的电路结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1至图3,本实用新型提供一种技术方案:一种MOSFET漏源极耐压检测电路,包括设有MOSFET管的待检测模块1和测试电路模块2。
所述待检测模块1包括第一MOSFET管Q1和第二MOSFET管Q2,所述第一MOSFET管Q1的漏极与第二MOSFET管Q2的漏极连接,所述测试电路模块2包括电压可调的电源Vss,所述电源Vss一端连接至第一MOSFET管Q1的栅极和源极而另一端连接至第二MOSFET管Q2的栅极和源极构成回路,所述回路还串联有用于检测回路中电流值的电流检测仪U1以及用于稳定回路中电流的稳流单元U2。
在一个实施例中,以所述电流检测仪U1为电流表为例,所述第一MOSFET管Q1的栅极和源极短接,所述第二MOSFET管Q2的栅极和源极短接,所述第一MOSFET管Q1的漏极和第二MOSFET管Q2的漏极短接,所述电源Vss的正极通过电流表和稳流单元U2与第一MOSFET管Q1的源极连接,所述电源Vss的负极连接至第二MOSFET管Q2的源极构成回路。当电路正常工作时,电源Vss给待检测模块1施加标定电压,此时可以通过电流表观察到回路中的电流值大小;然后逐步上调电源的电压直至电流表显示的电流值达到预设值,记录并计算此时电源输出的电压值和稳流单元U2两端的电压值之间的差即为MOSFET管漏源极耐压电压值,当然,所述电流检测仪U1还可以采用万用表、电流测试仪、钳形电流表等用于测量电流的仪器。
本实施例通过将电源Vss的两端分别于两个MOSFET管的栅极和源极连接构成回路,且回路中连接有电流检测仪U1以检测回路中的电流值,再通过连接有稳流单元U2使得回路中的电流稳定,避免因回路中电流波动大而造成测量出现误差的情况,提高测量的准确度;另一方面,所述待检测模块1包括第一MOSFET管Q1和第二MOSFET管Q2,一次测量操作即可同时完成两个MOSTET管的测量,提高测量效率。
在一个实施例中,所述待检测模块1还可以只设置有一个MOSFET管且MOSFET管的源极和栅极短接后通过电流表连接至电源Vss的正极,MOSFET管的漏极通过稳流单元U2连接至电源Vss的负极构成回路,通过调节电源Vss的输出电压使电流表的读数达到预设值时,记录并计算出电源Vss的输出电压和稳流单元U2两端的电压之间的差值即为MOSFET管的漏源极耐压电压值。
在一个可选实施例中,所述稳流单元U2包括串联至所述回路中的稳流电阻R1以及与所述稳流电阻R1并联的电压检测仪U3。
本实施例通过利用电阻限流分压的原理在回路中并联一个稳流电阻R1以减小回路中电流的波动,再通过设有电压检测仪U3以方便直观地获得稳流电阻R1两端的电压值,简化测试流程和工艺,提高测试效率。
在一个可选实施例中,所述电源Vss的正极通过所述电流检测仪U1连接至第一MOSFET管Q1的栅极和源极,所述电源Vss的负极通过所述稳流电阻R1连接至第二MOSFET管Q2的栅极和源极。
在一个实施例中,所述第一MOSFET管Q1和第二MOSFET管Q2的漏极短接构成回路,所述稳流电阻R1并联有一个电压检测仪U3,在具体实施时,所述电压检测仪U3可以采用电压表、万用表或者电压测量仪中的任意一种,在测量过程中,当调节电源Vss的电压使得电流检测仪U1的读数达到预设数值时,可以通过此时电源Vss的电压值减去电压检测仪U3的读数即为MOSFET管的漏源极耐压值。检测电路结构简单可靠,测量精度高。
本实用新型MOSFET漏源极耐压检测电路的工作原理如下:
将第一MOSFET管Q1的栅极和源极短接后再将第二MOSFET管Q2的栅极和源极短接,使得两个MOSFET管的栅源极之间的电压为零,即Vgs=0V,第一MOSFET管Q1的漏极和第二MOSFET管Q2的漏极短接。
然后将电源Vss的正极连接电流检测仪U1的正极,电流检测仪U1的负极连接第一MOSFET管Q1的源极,电源Vss的负极通过稳流电阻R1连接至第二MOSFET管Q2的源极构成回路,稳流电阻R1两端并联有电压检测仪U3,电源Vss输出额定电压。
逐步调节电源Vss输出的电压值直到电流检测仪U1显示的电流值达到预设值,记录此时电源Vss输出的电压值V和稳流电阻R1两端的电压值Vr,根据公式:Bvss=V-Vr,即可得到MOSFET管的漏源极耐压电压值Bvss。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围。

Claims (5)

1.一种MOSFET漏源极耐压检测电路,包括设有MOSFET管的待检测模块和测试电路模块,其特征在于:所述待检测模块包括第一MOSFET管Q1和第二MOSFET管Q2,所述第一MOSFET管Q1的漏极与第二MOSFET管Q2的漏极连接,所述测试电路模块包括电压可调的电源,所述电源一端连接至第一MOSFET管Q1的栅极和源极而另一端连接至第二MOSFET管Q2的栅极和源极构成回路,所述回路还串联有用于检测回路中电流值的电流检测仪以及用于稳定回路中电流的稳流单元。
2.根据权利要求1所述的MOSFET漏源极耐压检测电路,其特征在于:所述稳流单元包括串联至所述回路中的稳流电阻以及与所述稳流电阻并联的电压检测仪。
3.根据权利要求2所述的MOSFET漏源极耐压检测电路,其特征在于:所述电源的正极通过所述电流检测仪连接至第一MOSFET管Q1的栅极和源极,所述电源的负极通过所述稳流电阻连接至第二MOSFET管Q2的栅极和源极。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的MOSFET漏源极耐压检测电路,其特征在于:所述电流检测仪采用以下中的任意一种:电流表、万用表和电流测试仪。
5.根据权利要求2或3所述的MOSFET漏源极耐压检测电路,其特征在于:所述电压检测仪为一下中的任意一种:电压表、万用表以及电压测量仪。
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CN111308307A (zh) * 2020-03-13 2020-06-19 深圳供电局有限公司 瞬时过电流能力检测系统和方法
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